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UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ

CAMPUS DE SOBRAL
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
TURMA 2019.2 - 01
ELETRÔNICA ANALÓGICA
PAULO ROBSON MELO COSTA

RELATÓRIO DE PRÁTICA 6:
POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO DO TBJ

ANTÔNIO CARLOS SOUSA DE OLIVEIRA JÚNIOR – 392591


CLAUDIENE DE SOUSA BATISTA – 392078
JUAREZ JOSÉ TEIXEIRA DOS SANTOS JÚNIOR – 400126
RUAN LOPES RIPARDO EVANGELISTA – 397758

SOBRAL
2019
Sumário

1. INTRODUÇÃO ............................................................................................................ 3

2. OBJETIVOS ................................................................................................................. 4

3. MATERIAIS E EQUIPAMENTOS ............................................................................. 4

4. DESENVOLVIMENTO............................................................................................... 5

4.1 Polarização por divisor de tensão ........................................................................... 5

4.1.1 Análise CC........................................................................................................ 5

4.1.2 Análise CA ........................................................................................................ 7

4.2 Procedimento experimental .................................................................................... 8

5. RESULTADOS E DISCUSSÃO ................................................................................. 9

6. QUESTIONÁRIO ...................................................................................................... 11

7. CONCLUSÃO ............................................................................................................ 15

REFERÊNCIAS ............................................................................................................. 16
Lista de figuras

Figura 1 - Transistor bipolar de junção ............................................................................ 3


Figura 2 - Simbologia para TBJ npn e pnp, respectivamente ........................................... 3
Figura 3 - Configuração de polarização por divisor de tensão ......................................... 5
Figura 4 - Componentes CC da configuração com divisor de tensão .............................. 6
Figura 5 - Inserção do circuito equivalente de Thévenin ................................................. 6
Figura 6 - Equivalente CA no modelo 𝑟𝑒 para o circuito da figura 3 .............................. 7
Figura 7 - Esquemático a ser montado (figura 2 do roteiro) ............................................ 8
Figura 8 - Circuito experimental ...................................................................................... 9
Figura 9 - Circuito simulado ........................................................................................... 10
Figura 10 - Forma de onda experimental do ponto 1 ..................................................... 11
Figura 11 - Forma de onda experimental do ponto 2 ..................................................... 11
Figura 12 - Circuito do Amplificador transtorizado de 80W ......................................... 13

Lista de tabelas

Tabela 1 - Dados coletados............................................................................................... 9


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1. INTRODUÇÃO

O transistor bipolar de junção (figura 1), ou simplesmente TBJ é um dispositivo


de três terminais (base, coletor e emissor) dos mais relevantes na eletrônica. Este está
presente em uma vasta gama de circuitos, tendo como principal característica, a
amplificação de sinais.
Figura 1 - Transistor bipolar de junção

Fonte: Boylestad, 2013


É possível encontrar o TBJ em dois tipos principais, npn e pnp, aspectos estes que
definem como o dispositivo se comporta. “Um material do tipo n é criado pela introdução
de elementos de impureza que têm cinco elétrons de valência (pentavalentes), tais como
antimônio, arsênio e fósforo” (BOYLESTAD, 2013). Enquanto o material do tipo p
“formado pela dopagem de um cristal puro de germânio ou silício com átomos de
impureza que possuem três elétrons de valência” (BOYLESTAD, 2013). É possível ver
os dois modelos citados, na figura 2.
Figura 2 - Simbologia para TBJ npn e pnp, respectivamente

Fonte: Mundo da Elétrica, s.d.


Para que haja o funcionamento correto do TBJ, é necessário que ele esteja
operando na região ativa. Para isso, há diversas configurações nas quais permitem alçar
tal objetivo. Será tratada a mais adiante a configuração de polarização por divisor de
tensão.
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2. OBJETIVOS

- Estar apto a projetar e analisar o funcionamento de um TBJ tipo N como amplificador


de sinais mediante simulação e experimentação;
- Ser capaz de determinar os parâmetros de tensão, corrente, impedância e ganho para um
TBJ como amplificador na configuração de polarização por divisor de tensão.

3. MATERIAIS E EQUIPAMENTOS

- Multímetro digital;
- Fonte de tensão CC;
- Gerador de sinais;
- Osciloscópio;
- Resistores (1K, 300K, 100K, 560, 23,5) Ω;
- Transistor npn BC548;
- Protoboard;
- Jumpers.
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4. DESENVOLVIMENTO

4.1 Polarização por divisor de tensão

Como mencionado acima, para trabalhar corretamente com um transistor, é


preciso polarizá-lo corretamente. Existem alguns meios para isso, podendo serem citadas
as seguintes configurações: Emissor-comum (método mais comum), dividindo-se em
polarização fixa, por divisor de tensão, realimentação de coletor, seguidor de emissor.
Além das configurações de base-comum e coletor-comum.
A configuração por divisor de tensão é mostrada na imagem 3. Com o circuito
ajustado dessa forma, é possível ter valores de 𝐼𝐶 (corrente de coletor) e de 𝑉𝐶𝐸 (tensão
de coletor-emissor menos dependentes de β (ganho de corrente do transistor) e isso é algo
bastante favorável, tendo em vista que os valores de β não são bem definidos por conta
de sua sensibilidade à variação de temperatura.
Figura 3 - Configuração de polarização por divisor de tensão

Fonte: Boylestad, 2013.


A averiguação das medidas de corrente, tensão, impedância e ganho para um TBJ
é dividida em dois processos básicos, análise CC e análise CA, seguindo
impreterivelmente tal ordem.

4.1.1 Análise CC

A primeira etapa da análise do TBJ conta com o circuito equivalente com valores
contínuos é mostrado na figura 4. O interesse de análise CC está na obtenção de valores
de tensões e correntes de base, coletor e emissor.
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Figura 4 - Componentes CC da configuração com divisor de tensão

Fonte: Boylestad, 2013.


O ramo de entrada do transistor pode ser trocado por um equivalente de Thévenim,
tal qual o circuito mostrado na figura 5, onde:
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 ||𝑅2 (1)

𝑉𝐶𝐶 𝑅2 (2)
𝐸𝑇ℎ = 𝑉𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2

Figura 5 - Inserção do circuito equivalente de Thévenin

Fonte: Boylestad, 2013.


Com isso, a partir da ilustração 5, aplicando-se Lei das tensões de Kirchoff, tem-
se que:
𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 (3)
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1)
Onde:
𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉 (4)

Uma vez determinado 𝐼𝐵 , é possível obter os valores 𝐼𝐶 e 𝐼𝐸 , definidas como:


𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (5)
7

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (𝛽 + 1) (6)

Aplicando a Lei de Kirchoff mais uma vez, agora na saída do TBJ, tem-se que as
tensões são definidas por:
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸 (7)

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 (8)

Assim, por fim, tem-se que:


𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 (9)

4.1.2 Análise CA

A segunda e última fase da análise do TBJ na configuração por divisor de tensão,


tem como base o circuito equivalente CA no modelo 𝑟𝑒 , mostrado na figura 6.
Figura 6 - Equivalente CA no modelo 𝑟𝑒 para o circuito da figura 3

Fonte: Boylestad, 2013.


Com o valor de 𝐼𝐸 , obtido na análise CA, é possível encontrar 𝑅𝐸 , usufruindo-se
da seguinte equação:
26 𝑚𝑉 (9)
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸
Em posse de 𝑟𝑒 , fica fácil determinar o valor da impedância de entrada (𝑍𝑖 ), a partir
da figura 6, nota-se que:
𝑍𝑖 = 𝑅1 ||𝑅2 ||𝛽𝑟𝑒 (10)

Ainda mediante análise da figura 6, pode-se determinar 𝑍𝑜 fazendo 𝑉𝑖 = 0 e


chegando na seguinte equação:
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐 ||𝑟𝑜 (11)

O ganho de tensão (𝐴𝑉 ), definido pela razão da tensão de saída 𝑉𝑜 pela tensão de
entrada 𝑉𝑖 , pode ser escrito como:
𝑉 𝑅𝑐 ||𝑅𝑜 (12)
𝐴𝑉 = − 𝑉𝑜 = −
𝑖 𝑟𝑒

O sinal negativo da equação 12, indica que há um deslocamento de fase entre 𝑉𝑜 e


𝑉𝑖 em 180º. Tendo ciência da impedância e tensão de entrada, utilizando a Lei de Ohm, é
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possível determinar a corrente de entrada (𝐼𝑖 ). De maneira similar, utilizando agora


valores de saída, fica fácil encontrar a corrente de saída (𝐼𝑜 ). Por fim, assim como o ganho
de tensão, o ganho de corrente será a razão do valor da corrente de saída pelo da entrada.
O modelo matemático para se determinar o ganho é mostrado abaixo:
𝑉𝑖 (13)
𝐼𝑖 = 𝑍𝑖
𝑉𝑜 (14)
𝐼𝑜 = 𝑍𝑜
𝐼𝑜 (15)
𝐴𝑖 = 𝐼𝑖

4.2 Procedimento experimental

Com as fontes desligadas, montou-se o esquemático apresentado na figura 7.


Figura 7 - Esquemático a ser montado (figura 2 do roteiro)

Fonte: Roteiro da prática, 2019.


Note, da figura 7, que os valores dos capacitores tiveram que ser mudados do que
era previsto, pois por falta de oferta no laboratório. Para o resistor de emissor 𝑅𝐸 (23,5
Ω), foi preciso associar em paralelo dois resistores de 47 Ω cada. Já para se chegar ao
valor de 𝑅1 (300 KΩ), associou-se três resistores de 100 KΩ.
Em seguida, ajustou-se a fonte alternada (gerador de sinais) da entrada 𝑉𝑖 em 300
mV (pico a pico), há uma frequência de aproximadamente 10 KHz e conectou-se ao
circuito.
Por fim, conectou-se a fonte de tensão 𝑉𝐶𝐶 ao ponto indicado na figura 7 e foi
aumentando o valor de tensão gradativamente, até que se chegasse ao desejado (20 V).
Com o osciloscópio, mediu-se as tensões de pico a pico no ponto 1 (entrada), ponto 2
(saída) e em cima de 𝑅3 e anotou-se os resultados.
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5. RESULTADOS E DISCUSSÃO

O circuito montado é mostrado na figura 8:


Figura 8 - Circuito experimental

Fonte: Autor, 2019.


Houve uma certa demora para se coletar os dados devido a um problema de
continuidade em um jumper e problemas com a ponteira de prova do osciloscópio. Após
trocados estes dois itens, anotou-se os valores apresentados na tabela 1:
Tabela 1 - Dados coletados

Valores de tensão (pico a pico)


Teórico Simulado Experimental
Ponto 1 152,3 mV 120 mV 122, mV
Ponto 2 10,79 V 10,2 8,96 V
Resistor R3 300 mV 298 mV 280 mV
Parâmetros do modelo de pequenos sinais
Av (ganho de tensão) -72,0 -85,0 -73,4
Ai (ganho de corrente) 69,6 83,9 70,8
Zi (impedância de entrada 520 Ω 516 Ω 493,6 Ω
Zo (impedância de saída) 530 Ω 530 Ω 512,1 Ω
Fonte: Autor, 2019.
Note que além dos valores obtidos em laboratório, a tabela 1 conta ainda com
dados teóricos e simulados. Analisando os resultados simulados e teóricos, chega-se à
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conclusão de que a tensão de saída para a configuração de polarização por divisor de


tensão nos moldes da figura 7, leva a uma tensão de saída com valor de pico a pico que é
metade do valor da fonte 𝑉𝐶𝐶 . Devido aos erros, tanto nos cálculos, quanto nos valores
dos componentes no Proteus, e na própria realidade, cria-se uma certa diferença de dados
colhidos (tabela 1), mas que tais erros estão dentro da faixa de erro aceitável.
Para a simulação do circuito, utilizou-se o software Proteus. É possível ver o
circuito simulado na imagem 9:
Figura 9 - Circuito simulado

Fonte: Autor, 2019


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6. QUESTIONÁRIO

a) Apresente as formas de onda nos pontos 1 e 2 (figura 2 do roteiro), e comente os


resultados.
Figura 10 - Forma de onda experimental do ponto 1

Fonte: Autor, 2019.


Figura 11 - Forma de onda experimental do ponto 2

Fonte: Autor,2019
Como já descrito na seção 5 (resultados e discussão), o valor de tensão alternada
na saída, para a configuração de polarização por divisor de tensão esperada é de metade
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de 𝑉𝐶𝐶 . Outro ponto que merece destaque é que a onda de saída é defasada em 180º em
relação ao sinal de entrada, o que explica fisicamente o sinal negativo a frente da equação
do ganho de tensão.
b) Explique o procedimento experimental para se obter os parâmetros do modelo
AC.
O procedimento da análise CA é todo descrito na seção 4.1.2, entretanto o modelo
do circuito adotado em prática (figura 7) conta com algumas diferenças em relação ao da
figura 3, pois conta com um resistor de carga na saída (𝑅𝐿 ), além de mais dois resistores
ligados em paralelo conectados à fonte de entrada, assim algumas equações sofrem leves
mudanças.
A começar pela impedância de entrada, que sofre influencia direta de R4, logo a
equação 10 se torna:
𝑍𝑖 = 𝑅4 ||𝑅1 ||𝑅2 ||𝛽𝑟𝑒 (16)

A impedância de saída também irá levar em consideração outro resistor, o de


carga, deixando a equação 11 da seguinte forma:
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐 ||𝑟𝑜 ||𝑅𝐿 (17)

É importante ressaltar que como 𝑟𝑜 é geralmente muito maior que as outras


resistências, pode ser muitas vezes desprezado na equação 17.
Com o valor da impedância de entrada, a tensão de entrada se torna um divisor de
tensão da fonte alternada:
𝑉𝐼 𝑍𝑖 (18)
𝑉𝑖 =
𝑍𝑖 + 𝑅3
A tensão de saída se torna:
𝑉𝑜 = 𝑍𝑂 𝛽𝐼𝑏 (19)

As equações de ganho de tensão e de corrente são as mesmas já expostas


(equações 12, 13, 14 e 15)
c) Apresente o equacionamento em forma literal referente aos parâmetros do
modelo de pequenos sinais para o circuito proposto na figura 2 do roteiro.
O equacionamento dos parâmetros no modelo de pequenos sinais é abordado na
seção 4.1.2 e complementado no item b).
d) Comente e compare detalhadamente os resultados obtidos por meio da análise
teórica, simulação e experimento para o modelo de pequenos sinais, conforme a
tabela 1 do roteiro.
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Analisando a tabela 1, percebe-se que no geral, os valores teóricos e simulados


estão mais próximos uns dos outros, com relação às medidas experimentais. Isso se deve
ao fato, os componentes reais não serem ideais e apresentarem constantes controvérsias
com relação ao esperado de fato. Entretanto, percebe-se também, que as diferenças para
os resultados esperados não são grotescas, mas de certa maneira, até aceitáveis.
Como visto em sala de aula, aplicando-se uma polarização correta ao TBJ, este
vai funcionar como um amplificador de sinais. As evidencias que leva a tal fato é que ao
alimentar o circuito com 20 V e com um sinal de entrada na casa dos mili volts, o sinal
de saída foi de cera de 80 vezes maior para a tensão e corrente.
e) Fazendo referencia a uma aplicação do TBJ como amplificador de sinais,
apresente um circuito amplificador de áudio e utilizando TBJ’s e descreva seu
funcionamento.
A figura 12 apresenta o circuito de um amplificador de áudio de 80 W utilizando
5 TBJ’s ligados em cascata, além de diodo, resistores e capacitores.
Figura 12 - Circuito do Amplificador transtorizado de 80W

Fonte: Newton Braga, s.d.


A associação dos transistores na figura 12, garante ao projeto um bom rendimento
com uma baixa impedância de saída, características esses princípios de um alto-falante.
Note que na entrada, está presente um TBJ BC548, o mesmo utilizado na prática.
Visando obter melhor resultado, este transistor pode ser alterado por um BC549, que
conta com menor nível de ruído. As condições de polarização do TBJ de entrada
determinam as características do amplificador.
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O diodo D1, juntamente com o resistor R11 são responsáveis por determinar a
regulagem do ponto de funcionamento de saída, ajustando a corrente de repouso de tal
etapa, em torno de 20 mA.
O transistor BD138 é um TBJ de média potencia que suporta corrente de até 1 A
no coletor. Já o BC547 é um transistor de uso geral, para tensões de 60 V, cuja sua
principal característica é o ganho elevado, fazendo assim com que o transistor seguinte a
ele (BD138) possa ser excitado a partir do fraco sinal vindo da entrada.
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7. CONCLUSÃO

Realizada tal prática, pôde-se comprovar os conhecimentos teóricos acerca do


TBJ e da configuração de polarização por divisor de tensão. Viu-se que aplicando uma
tensão alternada muito pequena como sinal de entrada, o ganho do TBJ proporciona que
o sinal obtido na saída seja amplificado aproximadamente 80 vezes maior.
Além disso, com a atividade complementar, foi possível ver uma aplicação para
transistores, simples, porém com constante presença no dia a dia, um amplificador de
áudio de 80 W, ideal para sonorização ambiente.
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REFERÊNCIAS

BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teorias de


Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013;
BRAGA, Newton. Amplificador transtorizado de 80 W (ART 1058). S.d. Disponível
em: < https://newtoncbraga.com.br/index.php/eletronica/57-artigos-e-projetos/7972-
amplificador-transistorizado-de-80-w-art1058>. Acesso em: 12 de novembro de 2019
MUNDO DA ELÉTRICA. Como funciona um transistor e qual a sua aplicação?.
S.d. Disponível em: < https://www.mundodaeletrica.com.br/como-funciona-um-
transistor-e-qual-a-sua-aplicacao/>. Acesso em: 9 de novembro de 2019.

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