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Índice

1. Introdução..........................................................................................................................................2
1.2. Objectivos.......................................................................................................................................3
1.2.1. Objectivo geral.......................................................................................................................3
1.2.2. Objectivo especifico...............................................................................................................3
2. Capitulo I - Diodo..............................................................................................................................4
3. Semicondutores..............................................................................................................................4
4. Tipo N e tipo P...............................................................................................................................5
5. Diodo...................................................................................................................................................6
5.1. Diodo sem polarização....................................................................................................................7
5.2. Diodo com polarização reversa.................................................................................................8
5.3. Diodo com polarização directa..................................................................................................9
6. Curva característica do diodo.....................................................................................................11
7. Circuito equivalente do diodo.....................................................................................................11
8. Diodos especiais...............................................................................................................................12
8.1. Diodo Zener..................................................................................................................................12
8.2. Diodo Schottky.........................................................................................................................14
8.3. Diodos emissores de luz (LED)...............................................................................................15
8.4. Diodo Tunnel............................................................................................................................15
8.5. VARICAP.................................................................................................................................15
8.6. FOTODIODO..........................................................................................................................16
Capitulo II – Tiristor...............................................................................................................................16
9. Tiristor...............................................................................................................................................16
9.1. SCR...........................................................................................................................................17
9.2. TRIAC......................................................................................................................................18
10. Conclusão.....................................................................................................................................19
11. Referencias.........................................................................................................................................20
1. Introdução
O presente trabalho tem como objetivo falar sobre Diodos e Tiristores. O trabalho será dividido
em dois capitulos, onde o primeiro será referente aos diodos e o segundo aos tiristores.
Estes dois elementos são compinentes eletrónicos bastante importantes ao falar-se de eletrónica,
pois constituem as bases para o seu estudo.
Antes de falar sobre os diodos é importante ter uma ideia sobre os materiais semicondutores, sua
constituição e seu funcionamento. Logo ao inicio do trabalho irá se falar sobre os materiais
semicondutores bem como a junção de material “ Tipo P e Tipo N”.

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1.2. Objectivos
1.2.1. Objectivo geral
 Falar sobre Diodos e Tiristores
1.2.2. Objectivo especifico
 Falar sobre os materiais semicondutores
 Definir diodos
 Apresentar os tipos de diodos
 Definir tiristores
 Apresentar os tipos de tiristores

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2. Capitulo I - Diodo
3. Semicondutores
Assim como existem materiais condutores e materiais isolantes, existe um tipo de material que é
um meio termo entre esses dois primeiros. Esse material é o semicondutor. O semicondutor,
portanto, possui um nível de condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor. Na
figura 1, há uma representação entre os tipos de materiais em relação a sua condutividade.

Figura 1: Comparação entre os materiais condutores


Pela figura 1, nota-se que há uma condução de elétrons no seguimento superior, caracterizando
um elemento condutor de elétrons. Já a figura central há um impedimento da passagem de
elétrons, caracterizando um isolante. O ultimo elemento se caracteriza pela passagem ou não de
elétrons, este elemento é considerado um semicondutor. Logo um semicondutor permite a
passagem de corrente em certos momentos e estes certos momento é que permitiram que a
eletrônica evoluísse a altos níveis tecnológicos. Os materiais semicondutores mais usados na
indústria eletrônica são o Germânio (Ge) e o Silício (Si), apesar do Silício predominar a
produção atualmente. Seu comportamento se deve à sua ligação química, chamada ligação
covalente (por compartilhar elétrons). Na figura 2, há uma ilustração da estrutura bidimensional
para este elemento.

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Figura 2: Estrutura do átomo de silício.
Cada átomo do silício se liga a quatro átomos vizinhos através da ligação covalente, ou seja,
pares de elétrons (da última camada de valência ou seja a última camada do Si) são
compartilhados entre dois átomos. Os elétrons das camadas internas giram em torno do núcleo.
Um fato importante é que tanto o germânio bem como o silício, apresentam exatamente o mesmo
tipo de estrutura que o diamante, variando apenas a dimensão.
4. Tipo N e tipo P
Da forma como foram apresentados nas figuras anteriores, em temperatura ambiente e
completamente puro, o Si e o Ge são isolantes, ou seja, não conduzem corrente elétrica. Existem
duas formas de aumentar a condutibilidade desses materiais. Uma delas é aumentando a sua
temperatura.
Quanto maior a temperatura do semicondutor mais os elétrons da ultima camada (elétrons livres
que podem ser compartilhados) se destacam de sua ligação e se tornam elétrons livres. Outra
forma de aumentar a condutibilidade do material semicondutor é introduzindo impurezas em sua
estrutura química, tornando então, um semicondutor contaminado (também chamado de
dopagem). Essas impurezas, são inseridas de forma uniforme pelo material e em quantidade
controlada (um para um milhão, por exemplo) esse semicondutor apresentará novas
características. A figura 3, demonstra como um outro elemento se encaixa na estrutura de silício.

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Figura 3: Estrutura de silício com dopagem
Mesmo após a contaminação, o semicondutor permanece eletricamente neutro, pois o número de
prótons carregados positivamente no núcleo ainda é igual ao número de elétrons livres, e
carregados negativamente na estrutura. Se, ao invés de se usar um material pentavalente na
contaminação, usarmos um material trivalente (com três elétrons de valência), uma lacuna (neste
caso uma lacuna se chama de buraco) será criada, pois agora há um número insuficiente de
elétrons para completar as ligações covalentes da rede formada. A esse material semicondutor
com impureza trivalente dá-se o nome de material tipo p (positivo) e seus transportadores de
carga são lacunas.
As impurezas com três elétrons de valência são chamadas átomos aceitadores. Da mesma forma
que o material tipo n, esse é eletronicamente neutro. Quando um elétron se move para um lado
preenchendo uma lacuna, forma-se uma lacuna no lugar onde esse elétron estava, podendo-se
considerar que a lacuna moveu-se para o lado oposto do elétron. Este movimento é possível,
quando o um elétron adquire energia cinética suficiente para quebrar uma ligação covalente e
seguir para um buraco. Na figura 4, onde se pode notar o movimento de elétrons e buraco.

Figura 4: Fluxo de elétrons em uma estrutura impura.

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5. Diodo
Um diodo é um dispositivo passivo, porém não linear. O diodo é composto por uma junção de
semicondutores com dopagem tipo p e n (junção pn), sendo que esta junção permite mais
facilmente a passagem de portadores de carga em um sentido que em outro. O diodo de um modo
geral, é um dispositivo, que quando em polarização direta permite a passagem de corrente, e em
polarização reversa impede a passagem de corrente. Pela figura 5, se verifica o desenho
característico de um diodo.

Figura 5: Simbologia de um diodo.


Na figura 5, o item A refere-se a elemento diodo ou seja ao componente real e o item B, refere-se
a simbologia elétrica do elemento. Esta simbologia é usada em qualquer sistema de simulador e
esquema eletrônicos. Pela junção dos materiais dopados tipo n e p, conforme visto na figura 6, há
o aparecimento do diodo semicondutor.

Figura 6: Junção do elemento tipo n e p.


Com a junção dos dois tipos de elementos, os elétrons e buracos na região de junção se
combinam, fazendo uma região de equilíbrio, pois houve uma troca de ligações. A figura 7 está
ilustrando esta situação.

Figura 7:

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Com esta junção, há o aparecimento de uma região de equilíbrio, que se chama região de
depleção. Neste caso conforme a figura 7, o diodo é um elemento de dois terminais com uma
região de equilíbrio na junção. Este tipo de estrutura quando aplicada a uma tensão entre os
terminais (neste caso uma tensão chamada de VD) leva o elemento diodo a operar em três
possibilidades:
 Nenhuma polarização
 Polarização Directa
 Polarização Reversa
5.1. Diodo sem polarização
Quando não se aplica uma tensão entre os terminais do diodo, não haverá fluxo de carga entre o
lado de dopagem p e o lado n. Desta maneira não haverá uma corrente resultante circulando.

Figura 8: Diodo sem polarização.


Como mostra a figura, há uma representação de um diodo, sem polarização, onde não há a
ocorrência de fluxo de elétrons e desta maneira a inexistência da passagem de corrente elétrica.

Figura 9: Simbologia do diodo sem polarização.

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5.2. Diodo com polarização reversa
Se for aplicado um potencial de grande amplitude, for aplicado entre os terminais do diodo e este
potencial for aplicado nos terminais contrário do diodo, haverá uma polarização chamada
reversa. Pela figura 10, nota-se que quando aplicado um potencial contrario aos terminais anodo
e catodo do diodo, há um aparecimento de um corrente de saturação IS.

Figura 10: Representação do diodo com polarização reversa.


Quando é aplicada uma tensão contraria a polaridade normal do diodo, há um aumento da região
de depleção e não permitindo a passagem de corrente elétrica.

Figura 11: Aumento da região de depleção.


A corrente de saturação que aparece, pela polarização reversa é geralmente na ordem de
nanoampéres. O nome saturação vem porque esta corrente tem o seu valor alcançado de maneira
muito rápida e o aumento de tensão entre os terminais não faz esta corrente aumente.

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5.3. Diodo com polarização directa
Quando se aplica um potencial entre os terminais anodo e catodo do diodo, há uma situação
chamada de polarização direta. Pela figura 12, podese ver claramente quando esta situação é
possível.

Figura 12: Polarização direta.


A aplicação de um certo potencial entre os terminais do diodo, forca a troca de elétrons e buracos
de um material tipo n e tipo p. Esta troca de elétrons provoca uma diminuição da região de
depleção, esta situação pode ser vista na figura 13.

Figura 13: Estrutura da polarização direta.

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6. Curva característica do diodo

Figura 14: Curva característica do diodo de silício e germânio.


Pela figura, nota-se que para o diodo há um valor da tensão gerado pela região de depleção. Este
valor é de aproximadamente 0,7 volts e para o germânio é de 0,3 volts. Nota-se que para valores
abaixo de 0,7 há uma pequena passagem de corrente e quando este valor é ultrapassado há uma
passagem de níveis elevados de corrente elétrica.
É possível ver também que no lado esquerdo do gráfico, há a parcela dacorrente de saturação
para quando ocorrer a polarização reversa. Esta parcela é na ordem de nanoampér. Nota-se
também que existe uma tensão VZ, chamada de tensão zener. Esta situação é a máxima tensão
possível que poder ser colocada reversamente. Se for aplicada uma tensão maior que o permitido,
haverá uma condução reversa que poderá danificar tanto o diodo, bem como o circuito associado.
7. Circuito equivalente do diodo
Como visto na curva característica, o diodo começa a conduzir a partir de um determinado
potencial, que no caso do diodo de silício era de 0,7V. Nota-se pela curva que tem um
comportamento de uma exponencial crescente. Desta forma pode-se aproximar o diodo a um
circuito equivalente. O modelo linear é representado por uma associação de uma fonte de tensão
constante VT que corresponde a tensão de condução do diodo (0,7V). Associado em série uma
resistência rav, que dá o comportamento de inclinação da curva e mais o diodo ideal que
corresponde à condução em um só sentido. Este tipo de modelo linear é ilustrado na Figura 2.11.

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Figura 15: Modelo linear.
Quando se pensa em um circuito como um todo, ou seja, o diodo e o restante total de um
circuito, pode-se desprezar a resistência rav figura 16.

Figura 16: Modelo simplificado.


Esta situação é possível porque está resistência é muito menor que todo o circuito e pode ser
desprezada. Desta forma o circuito fica com uma fonte em série com o diodo ideal. Para uma
análise mais simples e rápida, pode-se aproximar para um modelo ideal, conforme visto pela
figura 17. Note-se que quando a tensão aplicada for maior que zero, haverá condução de corrente
elétrica.

Figura 17: Modelo ideal.

8. Diodos especiais

8.1. Diodo Zener


A partir de um certo valor de tensão aplicado no diodo, haverá choques de eletrons livres com
eletrons de ligações covalentes, com possível retirada desses eletrons.

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Ocorrerá um efeito multiplicativo, aumentando consideravelmente o número de eletrons
disponíveis para condução de corrente. Esse efeito, chamado avalanche, faz com que a corrente
aumente rapidamente para qualquer outro novo acréscimo de tensão reversa aplicada no diodo.
Se ambos lados da junção forem dopados, a região de depleção será estreita. Isso faz com que os
eletrons não tenham condições de ganhar energia cinética suficiente para retirada dos outros
eletrons das ligações covalentes.
Porém, o próprio campo elétrico pode tirar os elétrons, fazendo com que haja um aumento
considerável da corrente para qualquer novo acréscimo de tensão. Esse mecanismo chama-se
efeito Zener.
Existem diodos especiais que sustentam a condução no sentido reverso sem se danificarem. Os
diodos Zener e de Avalanche s+ao exemplos desses dispositivos. É um diodo construído
especialmente para trabalhar na tensão de ruptura.
Seu comportamento é de um diodo comum quando polarizado directamnete. Quando polarizado
inversamente ao contrário de um diodo convencional, ele suporta tensões reversas próximas a
tensão de ruptura.

Figura 18: Tensão de ruptura do Zener


Graficamente é possível obter a corrente elétrica sobre o Zener com o uso da recta de carga.

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Figura 19: Representação da corrente elétrica
Ponto de corte: I = 0 e VDZ = -VS
Ponto de saturação = Corrente Máxima: I = -Vs/Rs
8.2. Diodo Schottky
Diodos de metal e semicondutores atuais, chamados Schottky, são obtidos pela deposição, por
elevação ou por meios quimicos, de uma camada metálica sobre a superfície de um
semicondutor. Normalmente há uma camada de óxido na borda para evitar alguns efeitos
indesejáveis do campo elétrico mais intenso nesta parte.

Figura 20
O principal destaque do diodo Schottky é o menor tempo de recuperação, pois naõ há
recombinação de cargas do diodo de junção.
Outra vantegem é a maior densidade de corrente, o que significa uma queda de tensão directa
menor que a do diodo comum de junção. A contrapartida é uma corrente inversa maior, o que
pode impedir o uso em alguns circuítos.
São usados principalmente em circuítos de alta frequência, de alta velocidade de comutação
podendo trabalhar em frequências da ordem de 70 GHz. A tensão de início de condução depende
dos materiais escolhidos na fabricação do diodo, podendo variar de 0,25 a 0,75 volts.

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8.3. Diodos emissores de luz (LED)
Ao passar por uma junção PN, elétrons sofrem transições de níveis de energia e, de acordo com
os princípios da física quântica, devem emitir alguma radiação.
Semicondutores de germânio, de silício e outros comuns não emitem radiação visível. Mas esta é
imitida por alguns semicondutores de compostos químicos, como arsenieto de gálio, fosfeto de
gálio e índio, etc. LEDs são simplesmente diodos de semicondutores desses tipos envolvidos em
embalagem translúcida.
O diodo LED deve ser directamente polarizado para emitir luz. A figura abaixo mostra um
exemplo de um circuíto básico.

Figura 21
Para determinação de R uma vez conhecido V, podemos supor a corrente máxima de 20mA e
tensão no diodo de 2 a 2,5 Volts.
A tensão inversa máxima da maioria dos LEDs é pequena, de forma que uma inversão de
polaridade com alguns volts pode ser suficiente para danificar.
A cor emitida depende do material utilizado no cristal e também do nível de dopagem. Os LEDs
suportam no máximo 2V/20mA.
8.4. Diodo Tunnel
Para correntes cujos valores estão compreendidos entre Iv e Ip, podemos obter o mesmo valor de
corrente para 3 diferentes valores de tensão aplicada. Esta característica de valores múltiplos faz
com que o diodo-túnel seja útil em circuítos de pulso digitais.
Outra aplicação é como chave, operando em velocidade muito altas, como o tunelamento ocorre
à velocidade da luz.
É bastante vantagioso, pois apresenta baixo custo, baixo ruído, simplicidade de fabricação, alta
velocidade (o tempo de chaveamento é de Nanossegundos), imunidade ao ambiente e baixa
potência.
Dentre as desvantegens, podemos encontrar a baixa variação na tensão de saída e o fato de ser
um dispositivo com dois terminais, com isso não existe isolação entre a entrada e saída,
provocando assim sérias dificuldades em projectos de circuítos.
8.5. VARICAP
Os VARICAPs são diodos optimizados para trabalharem em polarização reversa, apresentando
maiores variações de capacitância, em função do potencial reverso aplicado.

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Para baixas frequências são fabricados com silício, sendo o arsenieto de gálio para frequências
mais elevadas. A figura a seguir mostra o comportamento da capacitância em função da
polarização e o símbolo do diodo VARICAP.

Figura 22
8.6. FOTODIODO
A incidência de energia luminosa numa junção PN libera elétrons de camada de valência para a
camada de condução.
A corrente reversa de um diodo é devido a mivimentação de portadores minoritários que surgem
em ambos os lados da junção.
Em um fotodiodo, a corrente reversa é controlada através da incidência da luz na junção, através
de encapsulamentos especiais.

Figura 23

Capitulo II – Tiristor

9. Tiristor
É a designação genérica para dispositivos que tem a característica estacionária tensão-corrente.
O nome Tiristor engloba uma familia de dispositivos semicondutores, que operam em regime de
chaveamento, tendo em comum uma estrutura de no mínimo quatro camadas semicondutoras
numa sequência P-N-P-N, apresentando um comportamento funcional.
A invenção do tiristor no fim dos anos 50 do século passado foi responsável por um grande surto
de evolução tecnológica da eletrônica de potência, que se estendeu pelos anos 60 e propiciou no
anos 70 o início da implantação da eletrônica de potência em escala industrial. A principal
vantagem dos tiristores é o controle de grande quantidade de energia. Essa característica faz com
que esses dispositivos sejam utilizados tanto no controle eletrônico de potência quanto
na conversão de energia.

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Os tiristores permitem por meio da adequada ativação do terminal de controle, o chaveamento do
estado de bloqueio para o estado de condução, sendo que alguns tiristores permitem também o
chaveamento dp estado de condução para o estado de bloqueio, também pelo terminal de
controle.
Como exemplo de tiristores podemos citar o SRC e o TRIAC. No caso do SRC, assemelha-se a
uma fechadura pelo facto da corrente poder fluir pelo dispositivo em um único sentido, entrando
pelo terminal do anodo e saindo pelo terminal do catodo. No entanto difere de um diodo porque
mesmo quando o dispositivo está diretamente polarizado ele não consegue entrar em condução
enquanto não ocorrer a ativação do seu terminal de controle (terminal denominado porta, ou gate
em inglês). Ao invés de usar um sinal de permanência continua na porta como sinal de controle.
Os tiristores são comutados ao ligamento pela aplicação de um pulso ao terminal de porta, que
normalmente pode ser de curta duração. Uma vez comutado para o estado de ligação, o
tiristor SCR permanecerá por tempo indefinido neste estado enquanto o dispositivo estiver
diretamente polarizado e a corrente de anodo se mantiver acima de um patamar mínimo.
Já os Diacs são dispositivos semicondutores de avalanche bidirecional, também da classe dos
tiristores e de junção PNPN. Possuem a propriedade de apresentarem muito alta impedância, se a
tensão entre seus dois terminais for mantida abaixo de uma tensão, chamada comumente de
Tensão de Ruptura. Se esta tensão, geralmente em torno dos 30V, for ultrapassada, o Diac passa
a conduzir corrente elétrica, com uma brusca queda da impedância do mesmo. Os Diacs são
geralmente utilizados como auxiliares de disparo em Triacs, em osciladores de relaxação. O
Tiristor (Triac) pode ser usado para controle de potência para lâmpadas (dimmers), controles de
velocidade para ventiladores, controle de aquecimento, entre outros. Com o TRIAC é possível
controlar o início da condução da senoide, aplicando um pulso em um ponto pré-determinado do
ciclo de corrente alternada. Esse pulso no pino de disparo (GATE) está na ordem de
miliamperes, e assim pode-se controlar grandes cargas AC com uma corrente baixa de
acionamento. Porém, para o correto disparo é necessário um circuito para identificar a passagem
por zero da senoide. Esse circuito é conhecido como detector de zero-crossing.
9.1. SCR
SCR (do inglês Silicon Controlled Rectifier - Retificador Controlado de Silício) é um
componente eletrônico semicondutor de quatro camadas da família dos tiristores. Composto,
geralmente, por três terminais, dois dos quais denominados anodo (A) e catodo (K), formam
um diodo bipolar, e no terceiro terminal (que é usado para controle), denominado gatilho, se
aplica um pulso que provoca o "disparo" do dispositivo.
Os SCRs são dispositivos semicondutores cuja condição de sentido direto é comandável através
da aplicação de um pulso de corrente ao terminal de Porta (ou gate em inglês). A condução, uma
vez iniciada se mantém, mesmo na ausência do sinal no terminal de porta, até que a corrente que
o atravessa caia abaixo de um determinado valor, o qual denominamos de Corrente de
Manutenção de Condução, em inglês Holding Current (IH). Em sentido inverso, o SCR
comporta-se como um diodo normal. Os SCR's são empregados em corrente
alternada como retificadores controlados, e quando utilizados em corrente contínua comportam-
se como chaves. O SCR é apenas um tipo de tiristor, mas devido ao seu disseminado uso na
indústria, muitas vezes os termos tiristor e SCR são confundidos. Os TRIAC's são dispositivos
semicondutores comumente utilizados em comutação de corrente alternada.

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Quando o SCR opera como elemento retificador, seu disparo ocorre geralmente em sincronismo
com a forma de onda da CA que esta sendo retificada em um certo ângulo pré-determinado pelo
projetista. Para a manutenção do SCR é necessária uma corrente mínima. Depois de disparado, o
SCR continua em condução até que sua corrente se torne menor do que a corrente de
manutenção, ocasionando seu desligamento.
Quando não está em condução, o SCR recebe toda a tensão presente na entrada (entre os
terminais de anodo e catodo) até que ocorra um novo disparo. Há varios tipos, mas os mais
comuns sao o tipo P-N e o N-P-N-P Assim são muitos componentes eletrônicos, implementados
de diversas formas.
9.2. TRIAC
Um TRIAC, ou Triode for Alternating Current é um componente eletrônico equivalente a
dois retificadores controlados de silício(SCR/tiristores) ligados em antiparalelo e com o terminal
de disparo (ou gatilho - gate) ligados juntos. Este tipo de ligação resulta em uma chave
eletrônica bidirecional que pode conduzir a corrente elétrica nos dois sentidos. O TRIAC faz
parte da família de tiristores.
Um TRIAC pode ser disparado por uma corrente alternada aplicada no terminal de disparo
(gate). Uma vez disparado, o dispositivocontinua a conduzir até que a corrente elétrica caia
abaixo do valor de corte, como o valor da tensão final da metade do ciclo de uma corrente
alternada. Isto torna o TRIAC um conveniente dispositivo de controle para circuitos de corrente
alternada ou C.A, que permite acionar grandes potências com circuitos acionados por correntes
da ordem de miliamperes.
Também podemos controlar o início da condução do dispositivo, aplicando um pulso em um
ponto pré-determinado do ciclo de corrente alternada, o que permite controlar a percentagem do
ciclo que estará alimentando a carga (também chamado de controle de fase).
O TRIAC de baixa potência é utilizado em várias aplicações como controles de potência para
lâmpadas dimmers, controles de velocidade para ventiladores entre outros. Contudo, quando
usado com cargas indutivas, como motores elétricos, é necessário que se assegure que o TRIAC
seja desligado corretamente, no final de cada semi-ciclo de alimentação elétrica. Para circuitos
de maior potência, podemos utilizar dois SCRs ligados em antiparalelo, o que garante que cada
SCR estará controlando um semi-ciclo independente, não importando a natureza da carga geral.

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10. Conclusão
Feito o trabalho, concluiu-se que os dispositivos eletrónicos em geral são bastente importantes
para o estudo dessa área. Existem vários dispositivos eletrónicos. Este trabalho foucou-se nos
diodos e transistores.
O diodo de um modo geral, é um dispositivo, que quando em polarização direta permite a
passagem de corrente, e em polarização reversa impede a passagem de corrente. Um diodo opera
nas seguintes possibilidades: Sem nenhuma polarização, directamente polarizado e inversamente
polarizado Podemos encontrar alguns tipos de diodos como Zener, Schokkty, LED, Tunnel,
Varicap e Fotodiodo.
Vimos também que o tiristor é a designação genérica para dispositivos que tem a característica
estacionária tensão-corrente.
O nome Tiristor engloba uma familia de dispositivos semicondutores, que operam em regime de
chaveamento, tendo em comum uma estrutura de no mínimo quatro camadas semicondutoras
numa sequência P-N-P-N, apresentando um comportamento funcional. Podemos encontrar os
seguintes tipos de tiristor: SCR e o TRIAC.

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11. Referencias
J. A. Pomilio, “Componentes Semicondutores de Potência”, Apostila do curso IT302 –
Eletrônica de Potência I.
J. A. Pomilio, “Conversores CA/CC – Retificadores”, Apostila do curso IT744 – Eletrônica de
Potência para Geração, Transmissão e Distribuição de Energia Elétrica.
Grafham, D.R. e Golden, F.b., SCR Manual, General Electric, 6ª ed., 1979, USA.
Rice, L.R., SCR Designers Handbook,Westinghouse Electric Co., 1970, USA

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