Material didático:

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA I

APOSTILA 1
FUNDAMENTOS DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

Lajeado, RS, Brasil

1° Semestre 2014
UNIDADE 1 – FUNDAMENTOS DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

1 Introdução:

A maioria dos circuitos de eletrônica de potência faz uso de dispositivos

semicondutores que operam como chaves as quais, idealmente, apresentam resistência
infinita quando em estado de bloqueio e, resistência nula quando no seu estado de
condução. Além disto, a transição entre os estados de condução e bloqueio ocorre
instantaneamente sem perdas.
Embora estas considerações sejam válidas e muito úteis em muitas situações e
análises, é necessário para o engenheiro ter uma ideia geral sobre os aspectos físicos dos
semicondutores assim como ser capaz de entender o vocabulário e as não-idealidades
que dizem respeito aos fenômenos elétricos destes dispositivos semicondutores. Neste
contexto é apenas necessário expor uma descrição qualitativa dos dispositivos
semicondutores chaveados e seus mecanismos de funcionamento.
Até os dias de hoje, grande parte dos dispositivos semicondutores tais como
diodos, tiristores e transistores são baseados numa estrutura monocristalina de silício.

2 Definição de um dispositivo retificador:

Dispositivo retificador é aquele que permite a circulação de corrente em um

único sentido. Como mostrado no diagrama da Figura 1.

Figura 1 - Diagrama de um dispositivo retificador.

3 Estrutura básica:

A passagem de corrente elétrica em um meio depende da aplicação de um campo

elétrico e da existência de portadores livres (usualmente elétrons) neste meio.

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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

Em metais, como o cobre ou a prata, a densidade de portadores livres (elétrons) é

da ordem de 1023/cm3, enquanto nos materiais isolantes, como o quartzo ou o óxido de
alumínio, o valor é da ordem de 103/cm3. Os chamados semicondutores, como o
silício, têm densidades intermediárias, na faixa de 108 a 1019/cm3. Nos condutores e
nos isolantes, tais densidades são propriedades dos materiais, enquanto nos
semicondutores estas podem ser variadas, seja pela adição de “impurezas” de outros
materiais, seja pela aplicação de campos elétricos, irradiação, etc.
O material ativo a partir do qual a maioria dos dispositivos retificadores de
potência são construídos é o silício. O Silício é um elemento do Grupo IV da Tabela
Periódica e, portanto, possui quatro (4) elétrons na última órbita da estrutura atômica.
Átomos de matérias com quatro elétrons em sua camada mais externa ou ainda
moléculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligações muito
estáveis, uma vez que o compartilhamento dos elétrons externos pelos átomos vizinhos
(ligação covalente), produz um arranjo com 8 elétrons na camada de valência.
Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 °C ou 0 K), algumas
destas ligações covalentes são rompidas (ionização térmica), produzindo elétrons livres.
O átomo que perde tal elétron se torna positivo. Eventualmente um outro elétron
também escapa de outra ligação e, atraído pela carga positiva do átomo, preenche a
ligação covalente. Desta maneira tem-se uma movimentação relativa da “carga
positiva”, chamada de lacuna, que, na verdade, é devido ao deslocamento dos elétrons
que saem de suas ligações covalentes e vão ocupar outras. Esta ionização térmica, numa
estrutura pura de silício (em equilíbrio), gera o mesmo número de elétrons e lacunas.
Esta estrutura pura é dita silício intrínseco e os elétrons são considerados como
portadores de carga. Tanto lacunas quanto elétrons contribuem para condução, embora
as lacunas apresentem menor mobilidade devido à ligação covalente.
Pares de elétrons-lacunas estão continuamente sendo gerados pela ionização
térmica e, para manter o equilíbrio mencionado, os pares gerados anteriormente se
desfazem e tornam a se recombinar. A concentração de portadores se mantém igual e é
fortemente dependente da temperatura. Para se obter um dispositivo retificador
semicondutor é necessário aumentar-se muito o número de elétrons e lacunas livres. Isto
pode ser obtido através da dopagem do silício. O silício dopado é chamado de
extrínseco e a medida que a concentração do elemento dopante aumenta, a
condutividade do material resultante também aumenta.

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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

A. Semicondutores Dopados
Se ao Silício for acrescido (combinado) um elemento do Grupo V (como o
fósforo) haverá um elétron livre na estrutura do cristal, visto que os elementos do Grupo
V possuem cinco elétrons na última órbita de sua estrutura atômica. Este elétron livre
possibilita um grande aumento na condução do material. Como o elétron é uma carga
negativa, o material resultante é conhecido como semicondutor do tipo N. Então um
elemento do Grupo V é chamado de doador, pois este doa um elétron para aumentar a
condutividade.
Por outro lado, se o Silício for combinado com um elemento do Grupo III (como o
alumínio ou o boro) com três (3) elétrons na última órbita, surge uma lacuna na
estrutura cristalina. Esta lacuna pode receber um elétron livre e, por esta razão, é
considerada uma carga positiva. O material resultante da junção do Silício com um
elemento do Grupo III é conhecido como semicondutor tipo P. Então o elemento do
Grupo III é chamado de receptor pois é ionizado por uma carga negativa.
Em ambos os casos não se têm mais o equilíbrio entre elétrons e lacunas,
passando a existir um número maior de elétrons livres nos materiais dopados com
elementos da quinta coluna da tabela periódica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com
elementos da terceira coluna. Respectivamente, produzem-se os chamados materiais
semicondutores tipo N e tipo P.
Observa-se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez
que a quantidade total de elétrons e prótons é a mesma.
Os elétrons em silício extrínseco do tipo N e as lacunas em silício extrínseco do
tipo P são chamados de portadores majoritários, enquanto que as lacunas no silício
extrínseco do tipo N e os elétrons no silício extrínseco do tipo P são chamados de
portadores minoritários.
Em outras palavras, quando a lacuna introduzida pelo boro captura um elétron
livre, tem-se a movimentação da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas são os
portadores majoritários, sendo os elétrons os portadores minoritários. Já no material tipo
N, a movimentação do elétron excedente deixa o átomo ionizado, o que o faz capturar
outro elétron livre. Neste caso os portadores majoritários são os elétrons, enquanto os
minoritários são as lacunas.

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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

B. Junção pn
A junção pn é o local do semicondutor onde as impurezas que são utilizadas para
dopar o silício (dopantes) mudam de p para n. Pode-se dizer que o diodo bipolar é
gerado na junção pn, que é a base de qualquer dispositivo semicondutor, onde NC/CC é
o perfil de concentração de impurezas.
Existem vários processos que podem ser utilizados para formar uma junção pn,
dentre os quais podem ser citar difusão, implantação iônica, etc.

(a) (b)

Figura 2 - Diagrama da junção pn. (a) Gráfico da concentração de dopantes na junção; (b) Corte
transversal da junção.

A Figura 2(a) mostra a concentração de dopantes de acordo com o corte

transversal da junção pn mostrado na Figura 2(b).
A Figura 3 mostra quatro instantes de uma junção pn. A Figura 3(a) mostra os
dois silícios tipo N e tipo P. A Figura 3(b) mostra a formação da camada de depleção e
o fluxo dos doadores ionizados ( ⊕ ) e dos receptores ionizados ( : ). A Figura 3(c)
mostra que o fluxo de doadores e receptores é chamado de corrente de difusão e possui
o sentido do silício tipo N para o silício tipo P. A Figura 3(d) mostra que o fluxo de
doadores forma uma barreira de potencial onde carga positiva formada pelos doadores
ionizados se concentra numa região próxima a junção no material tipo P, enquanto que
carga negativa formada pelos receptores ionizados se concentra numa região próxima a
junção no material tipo N. Estas cargas fazem com que haja um fluxo de lacunas e
elétrons exatamente oposto ao fluxo da corrente de difusão. Esta corrente é chamada de
corrente de fuga. Estes dois fenômenos ocorrem simultaneamente e entram em
equilíbrio.
O diodo da Figura 4(a) é formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P em um
único cristal. Os elétrons livres do material tipo N e as lacunas livres do material tipo P

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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

se combinam numa região denominada de junção que se localiza na fronteira entre os

dois materiais. Uma barreira de potencial é criada ao longo da junção com um valor que
varia de 0,4 a 0,6 V. A região formada ao longo da barreira de potencial é denominada
de camada de depleção.
Quando a região p (Anodo) é colocada num potencial maior do que o potencial
que se encontra a região n (Catodo), a barreira de potencial ao longo da junção se
estreita e a corrente do circuito flui livremente, como mostra na Figura 4(b).
Por outro lado, se a região n (Catodo) é colocada num potencial maior do que
o potencial que se encontra a região p (Anodo), a barreira de potencial ao longo da
junção se amplia. Isto ocorre porque os elétrons da região n são atraídos para o
potencial positivo externo, enquanto que as lacunas da região p são atraídas para o
potencial negativo externo. Neste caso a única corrente que flui é uma pequena corrente
de fuga.

Figura 3 - Junção pn. (a) Junção pn com portadores não difusos: ⊕ doadores ionizados, :
receptores ionizados, + lacunas e - elétrons; (b) Junção pn com portadores difusos (sentido da
corrente de difusão); (c) Junção pn e camada de depleção (barreira de potencial) e sentido da
corrente.

Onde os elétrons são representas pelo símbolo (-), as lacunas pelo símbolo (+), os
doadores ionizados por ( ⊕ ) e os receptores ionizados por ( : ). Algumas referências

definem uma região com grande concentração de doadores ionizados como n+,
analogamente uma região com grande concentração de receptores ionizados é definida
como p -. Ao contrário, uma região com muitos elétrons e poucos doadores ionizados é
–
definida como n e uma região com muitas lacunas e poucos receptores ionizados é
+
definida como p .
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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

Figura 4 - Junção pn. (a) Barreira de potencial e distribuição de cargas; (b) Junção pn diretamente
polarizada; (c) Junção pn inversamente polarizada.

C. Controle do “tempo de vida” e definição do “tempo de vida”

Dois processos básicos têm sido desenvolvidos para reduzir o tempo de vida dos
portadores em dispositivos semicondutores de potência, são eles: (i) difusão térmica de
ouro ou platina; e (ii) bombeamento do silício com partículas com grande energia, como
elétrons e fótons.
A principal consequência do controle do tempo de vida é o aumento da velocidade
de chaveamento do semicondutor. O preço pago por esta maior velocidade é um
aumento na queda de tensão de condução do dispositivo.
O que é tempo de vida ?
Se o silício do tipo N é irradiado por fótons com energia suficiente para ionizar os
elétrons de valência, pares de elétrons-lacunas são produzidos. Como já existe uma
abundância de elétrons (portadores majoritários) no silício do tipo N, o excesso de
lacunas (portadores minoritários) é de maior importância. Se a fonte de luz que provoca
o bombardeamento por fótons for removida, a constante de tempo associada a
recombinação, ou o tempo de decaimento do excesso de portadores minoritários é
chamado de tempo de vida dos portadores minoritários, τ h. Para o silício do tipo P

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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

exposto a luz, um excesso de portadores minoritários é gerado e, após a fonte que gera
estes portadores em excesso ser removida, o tempo de decaimento associado a este
processo é também definido como tempo de vida dos portadores minoritários, τ e. O
tempo de vida dos portadores minoritários é frequentemente chamado de tempo de vida
de recombinação.

4 O diodo bipolar ou genérico:

O diodo é o dispositivo retificador mais simples pois a sua estrutura apresenta
apenas uma região tipo P e uma região tipo N. O diodo possui dois terminais: (i) o
anodo ou terminal positivo, que encontra-se conectado à região tipo P; e, (ii) o catodo
ou terminal negativo, que encontra-se conectado à região tipo N.
A curva característica (corrente e tensão) do diodo é mostrada na Figura 5.
Observa-se que a aplicação de uma tensão positiva maior que a barreira de potencial da
junção faz com que circule corrente no sentido positivo de condução. A aplicação de
tensão reversa remove os portadores livres da junção (elétrons e lacunas), impedindo a
circulação de corrente e permitindo que a junção suporte a tensão aplicada sem
conduzir.
Na prática, a junção experimenta uma grande variação de potencial e, portanto
pode ser considerada como tendo uma capacitância. A agitação térmica rompe algumas
ligações da estrutura cristalina resultando em uma pequena corrente reversa chamada de
corrente de fuga. Alguns livros chamam esta corrente reversa de corrente de saturação.
Um aumento da tensão reversa levará a um aumento na taxa de aceleração dos
portadores minoritários através da junção até que os mesmos tenham energia suficiente
para remover outros portadores por colisão, quando acontece o efeito avalanche,
rompendo a junção e levando o diodo à ruptura.

Figura 5 – Característica de corrente e tensão do diodo.

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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

Em resumo a curva característica do diodo pode ser separada em três regiões, a

região de polarização direta (vk > 0); a região de polarização reversa (vk < 0); e a região
de ruptura (vk < -vZK).

5 Outros tipos de diodos de potência:

A. Recuperação Reversa
A corrente na junção diretamente polarizada do diodo deve-se ao efeito dos
portadores minoritários e majoritários. Uma vez que o diodo esteja no modo de
condução direta e a sua corrente seja reduzida a zero (em função do comportamento do
circuito onde o diodo encontra-se inserido), o diodo continuará em condução devido aos
portadores minoritários que permanecem armazenados na junção. Os portadores
minoritários requerem um certo tempo para recombinar com as cargas opostas e ser
neutralizados. Este tempo é chamado de tempo de recuperação reversa, e é denotado
como trr e é mostrado na curva característica de recuperação da Figura 6.
O tempo trr é medido a partir do instante em que ocorre o cruzamento da
corrente por zero até o instante que a corrente reversa alcança 25% do seu valor
máximo. O valor máximo da corrente reversa é denotado como corrente reversa de
pico, Irr. O tempo trr consiste de dois sub-intervalos, o intervalo ta e o intervalo tb.
O intervalo ta deve-se ao armazenamento de cargas na região de depleção da junção e
representa o tempo entre o cruzamento da corrente por zero e o instante em que a
corrente reversa alcança o seu valor máximo. O intervalo tb deve-se ao
armazenamento de cargas no material semicondutor. A relação entre tb/ta é conhecida
como fator de suavidade.

(a) (b)

Figura 6 – Característica de recuperação reversa teórica.

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 Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

O pico de corrente reversa pode ser expresso em função da taxa de decaimento da

corrente como
d
I rr  t a iD (1.1)
dt
Outro parâmetro importante é a carga de recuperação reversa, Qrr. A carga de
recuperação reversa representa a quantidade de portadores de cargas que fluem através
do diodo no sentido reverso devido à mudança na condição de condução direta para
bloqueio do dispositivo. Seu valor pode ser estimado pela área abrangida pela corrente
de recuperação reversa em função do tempo. Assim,
1 1
Qrr ≈ I rr ta + I rr tb (1.2)
2 2
Como, por definição trr = ta + tb , tem-se que
1
Qrr ≈ Irr t rr
2 (1.3)

(a) (b)

(c)
Figura 6 Continuação – Características de recuperação reversa para diodo.

E assim, o tempo, o pico e a carga de recuperação reversa estão relacionados pela eq:

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2Qrr
I rr = (1.4)
trr
Ou ainda,
d 2Q
Irr = ta iD = rr (1.5)
dt trr

Para o caso em que tb >> ta (recuperação abrupta), pode-se fazer trr ≈ ta e portanto,

trr = 2Qrr (1.6)

d
i
dt D
Ou ainda,

I rr = 2Q d i (1.7)
rr D
dt

B. Classificação dos diodos

Dependendo das características de recuperação reversa e das técnicas de
fabricação, os diodos podem ser classificados em três grupos: diodos genéricos, diodos
de recuperação rápida e diodos Schottky.
Os diodos retificadores genéricos possuem tempo de recuperação reversa
relativamente altos e, por este motivo são utilizados em aplicações onde o bloqueio
destes ocorra em baixas frequências. Estes diodos são largamente utilizados na indústria
em aplicações onde são necessários conversores CA-CC denominados de retificadores
não-controlados, ou com comutação natural (comutação de linha).
Os diodos de recuperação rápida têm um tempo de recuperação muito mais baixo
que os diodos genéricos. Por este motivo são utilizados em aplicações onde o tempo de
recuperação seja um fator crítico, como em inversores e retificadores PWM, ou em
conversores CC-CC.
Os diodos Schottky eliminam o problema do armazenamento de cargas na junção
através modificando a estrutura do diodo. A estrutura de um diodo Schottky consiste de
uma camada de metal depositada em uma fina camada epitaxial de silício do tipo n. A
barreira de potencial formada simula o comportamento da junção pn. A ação de
retificação depende apenas dos portadores majoritários, e como resultado não há
portadores minoritários em excesso para se recombinarem. O efeito de recuperação
deve-se exclusivamente à capacitância da própria junção. A carga recuperada do diodo
Schottky é muito menor e também é praticamente independente da taxa de decaimento
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da corrente (diD/dt). Como a corrente de fuga do diodo Schottky é maior do que a de um

diodo genérico, e esta é proporcional a tensão de ruptura do dispositivo, os diodos
Schottky encontram-se disponíveis para tensões limitadas a aproximadamente 100V.

Figura 7 – Estrutura básica de um diodo Schottky.

6 Associação de diodos de potência:

A. Associação série de diodos

Em aplicações onde as tensões que os dispositivos devam suportar sejam muito
elevadas, como por exemplo, em linhas de transmissão em corrente contínua, um diodo
produzido comercialmente pode não atender aos requisitos de tensão requeridos. Nestes
casos a associação série de diodos faz-se necessária.

Figura 8 – Associação de diodos em série. (a) Circuito; (b) Curvas características.

Considerando-se que devido a pequenas imperfeições e às tolerâncias adotadas

durante o processo de fabricação, dois diodos do mesmo lote podem apresentar curvas
características ligeiramente diferentes. Na condição de polarização direta, ambos os
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diodos conduzem a mesma corrente e a queda de tensão sobre cada diodo seria um
pouco diferente, não afetando a operação do circuito. Todavia, na condição de bloqueio,
cada diodo é forçado a conduzir a mesma corrente de fuga. Como consequência disto, as
tensões de bloqueio sobre cada diodo será diferente. Isto significa que dois diodos com
capacidade de bloquear 600 V cada podem não ser suficientes para suportar uma tensão
reversa de 1200 V.
Uma solução para este problema é a utilização de um divisor de tensão resistivo
associado aos diodos. Com isto, a divisão de tensão é assegurada através dos resistores
que também fornecem um caminho para que a diferença entre as correntes de fuga de
cada um dos diodos possa fluir. A corrente de fuga total pode ser encontrada aplicando-
se a Lei das correntes de Kircchoff, de onde obtem-se,
is = is1 + iR1 = is 2 + iR2 (1.8)

Como
vD1 vD 2
iR1 = ; iR 2 = (1.9)
R1 R2
tem-se,
vD1 v
is = i s1 + = is 2 + D 2 (1.10)
R1 R2

Figura 9 – Associação de diodos em série com divisor resistivo. (a) Circuito; (b) Curvas
características.

Para o caso em que os resistores forem iguais a R,

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vD1 v
is1 + = is 2 + D 2 (1.11)
R R
Como Vs = vD1 + vD 2 , os valores de vD1 e vD2 podem ser encontrados através das

seguintes expressões.
Vs R
v D1 = + ( i 2 − is 1 ) (1.12)
2 2 s
e
Vs R
v D2 = + ( is1 − is 2 ) (1.13)
2 2
Como as correntes is1 e is2 são da ordem de alguns poucos mili-amperes, as
expressões (1.12) e (1.13) podem ser aproximadas por,
Vs
v D1 ≈ (1.14)
2
e
Vs
v D 2≈
2 (1.15)
B. Associação paralela de diodos
Em muitas aplicações de altas potências os diodos são conectados em paralelo
para aumentar a capacidade de condução de corrente. Uma vez que a tensão sobre os
diodos é a mesma, a divisão uniforme de corrente nos diodos esta associada às quedas
de tensão em cada diodo. Portanto, as imperfeições e às tolerâncias adotadas durante o
processo de fabricação farão com que os diodos possuam curvas características
diferentes e, deste modo, quedas de tensão distintas. Assim, na associação em paralelo
sempre existirá uma diferença de corrente. Isto significa que dois diodos com
capacidade de condução de 20 A cada podem não ser suficientes para suportar uma
corrente direta de 40 A.
Aplicando o princípio da dualidade à solução utilizada para associação em série
de diodos onde um divisor de tensão resistivo foi incluído no circuito, pode-se incluir
um divisor de corrente no circuito. Assim, a divisão de corrente é assegurada através
dos resistores que também fornecem uma impedância para que a diferença entre as
quedas de tensão de cada um dos diodos possa ser aplicada. A tensão total (Vg) pode ser
encontrada aplicando-se a Lei das tensões de Kircchoff, de onde obtem-se,

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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

Para o caso em que os resistores forem iguais a R,

vD1 + iD1 R = vD 2 + iD 2 R (1.16)

Figura 10 – Associação de diodos em paralelo. (a) Circuito; (b) Curvas características.

Considerando-se que I g = iD1 + iD 2 , os valores de iD1 e iD2 podem ser encontrados

através das seguintes expressões.

Ig 1
iD1 = + ( vs 2 − vs1 ) (1.17)
2 2R
e
Ig 1
iD 2 = + ( vs1 − vs 2 ) (1.18)
2 2R
Como a diferença entre vs1 e vs2 é da ordem de alguns poucos mili-volts, as
expressões (1.19) e (1.20) podem ser simplificadas como,
Ig
i D1 ≈ (1.19)
2
e
Ig
i D 2≈ (1.20)
2

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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

Figura 11 – Associação de diodos em paralelo com divisor resistivo. (a) Circuito; (b) Curvas
características.

7 Modelos estáticos dos diodos de potência:

Para se compreender o impacto das características dos diodos no circuito no qual

esteja inserido é necessário a utilização de um modelo do mesmo. Existem vários tipos
de modelos e qualquer um pode ser escolhido para representação do diodo, entretanto
deve-se ter em mente que o modelo deve ser simples o bastante, porém deve representar
com fidelidade as características que desejamos que sejam evidenciadas. Os modelos
mais utilizados para representação estáticas do diodo são mostrados na Figura 12.
O modelo da Figura 12(a) representa o diodo por uma simples queda de tensão
direta e constante. O modelo da Figura 12(b) é um pouco mais sofisticado e representa o
diodo não só pela queda de tensão constante, mas também pelo efeito que a corrente
direta exerce sobre a queda de tensão.
Portanto, para polarização direta, a queda de tensão no diodo é dada pela seguinte
expressão,
v(t) = VTo (1.21)

Ou
v(t ) = VTo + rD i(t ) (1.22)

Assim, a energia perdida em condução por um diodo será calculada através da

seguinte expressão,
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Aula 1: Fundamentos dos dispositivos semicondutores – O diodo Eletrônica de Potência I

WD (t ) = ∫ v(t)i(t )dt = (1.23)

∫V To i(t)dt

Ou (1.24)

WD (t ) = ∫ v(t)i(t )dt = ∫ (VTo + rD i(t ) )i(t )dt

Figura 12 – Modelos estáticos para diodos. (a) Queda de tensão constante; (b) Queda de tensão em
função da corrente.

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Exercícios para fixação do conteúdo:

1. O que são semicondutores dopados? Quais são os tipos de dopagem?

2. Desenhe a curva característica de um diodo e descreva as regiões que a

compõem.

3. O que é tempo de recuperação reversa de um diodo. Esboçar graficamente.

4. Explique qual a diferença entre diodos rápidos e diodos genéricos.

5. O tempo de recuperação reversa de um diodo é trr=3μ s e a taxa de decaimento

da corrente do diodo é di/dt=30 A/μ s. Determinar:
(a) A carga armazenada Qrr;
(b) A corrente reversa de pico.
6. Quais são os problemas na conexão série de diodos. Descreva uma solução.

7. Quais são os problemas na conexão paralela de diodos. Descreva uma solução.

8. Dois diodos são conectados em série para dividir uma tensão VD = 5 kV. As
correntes de fuga dos dois diodos são, IS1=30 mA e IS2=35 mA,
respectivamente. (a) Encontrar as tensões em cada diodo se a resistência
associada a cada diodo seja dada por, R1=R2=R=100 kΩ ; (b) Encontrar os
valores de R1 e R2 para que a tensão sobre cada diodo seja igual à metade da
tensão sobre ambos, VD1=VD2=VD/2.

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