UNIVERSIDADE FEDERAL DE

SÃO JOÃO DEL-REI

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

CIRCUITO DE DISPARO

Professor Eduardo Moreira Vicente

 Sumário
Sumário
1. Parâmetros de Qualidade

2. Potência

3. Circuito de disparo

4. Estudo de caso

5. Escala Aula Prática

6. Lista de Exercícios

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 Parâmetros de Qualidade
 Fator de forma (FF)

Este fator está relacionado com a taxa de utilização ou

de aproveitamento de um componente eletroeletrônico. Se
este fator for mínimo (FF=1 em corrente contínua constante),
significa que a potência útil (trabalho realizado) do equipamento
será realizado com a menor corrente possível.
Sua aplicação está mais relacionada com conversores
CA/CC e com medidores baseados em valores médios.

𝑉𝑅𝑀𝑆 𝐼𝑅𝑀𝑆
𝐹𝐹 = =
𝑉𝐴𝑉𝐺 𝐼𝐴𝑉𝐺

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 Parâmetros de Qualidade
 Fator de ondulação / Ripple (RF)

Este fator é a relação entre o valor eficaz da componente alternada e

a componente contínua, Vca/Vcc, e indica a presença de ondulação em uma
fonte de corrente contínua.
𝑉𝐴𝐶(𝑅𝑀𝑆)
𝑅𝐹 =
𝑉𝐴𝑉𝐺
 Distorção Harmônica Total – DHT

Este fator indica, com mais precisão, o grau de distorção de uma

onda ou a quantidade de harmônicas. Uma onda senoidal pura sem
distorção apresenta DHT=0.

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 Potência
 Potência média de saída (Po(AVG))

A potência média de saída de um circuito, é o produto da

tensão média e da corrente média na saída:
𝑃𝑜(𝐴𝑉𝐺) = 𝑉𝑜(𝐴𝑉𝐺) . 𝐼𝑜(𝐴𝑉𝐺)

 Potência na carga (PL)

Já a potência na carga é o valor de potência que será

dissipada na carga e depende do valor RMS da corrente que percorre
a mesma:

𝑃𝐿 = 𝐼𝑜(𝑅𝑀𝑆) 2 . 𝑅

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 Circuito de disparo
O circuito de disparo é o sistema responsável por acionar o
interruptor (MOSFET, TBJ, Tiristor, etc.).

O circuito de controle irá gerar o pulso PWM que, posteriormente,

deverá ser amplificado para conseguir acionar o interruptor de potência.

O amplificador de pulsos (ou driver), se faz necessário devido às

características de saída dos circuitos de comando, que apresentam baixos
valores de corrente e tensão de saída. Em geral, esses sistemas possuem uma
corrente de saída inferior a 50 mA, o que é insuficiente para acionar o
interruptor de forma adequada.

Como será apresentado a seguir, existem circuitos de disparo

isolados e não-isolados, simples e complexos, cada um adequado para um
tipo de conversor ou aplicação.
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 Circuito de disparo
O circuito de disparo básico é mostrado na Figura 6.8.

Fig. 6.8 – Circuito de disparo básico.

Para obter os elementos do circuito deve-se utilizar as informações

presentes no datasheet dos componentes e as equações vistas abaixo:

∆𝑉
𝐼𝑔 = 𝐶𝑖𝑠𝑠 . 𝑡𝑓 = 𝑡𝑟 = 2,2. 𝑅𝑔 . 𝐶𝑖𝑠𝑠
∆𝑡
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 Circuito de disparo
Além do circuito apresentado anteriormente, que é apenas didático,
existe um circuito mais adequado para o acionamento de interruptores, visto
na Figura 6.9.

Fig. 6.9a – Circuito de disparo utilizando apenas um transistor.

A vantagem desse circuito é a simplicidade na construção, pois

utiliza-se apenas um transistor. Entretanto, o sinal que chega até o gate do
MOSFET é um sinal complementar em relação á razão cíclica (1-D), devido à
característica inversora desse circuito.
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 Circuito de disparo

Fig. 6.9b – Circuito de disparo utilizando apenas um transistor.

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 Circuito de disparo

Fig. 6.9c – Circuito de disparo utilizando apenas um transistor (forma de onda do sinal de disparo e do
sinal que chega ao Gate do MOSFET).
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 Circuito de disparo
Existem também, topologias mais complexas, com um número
maior de componentes, como apresentado na Figura 6.10.

(a) (b)
Fig. 6.10 – Outros tipos de circuito de disparo não-isolados.

Apesar de possuírem algumas vantagens, como velocidade de

comutação maiores, circuitos Snubber, etc., essas topologias demandam
mais cálculos para seu dimensionamento e utilizam um número maior de
elementos.
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 Circuito de disparo
Quando existe a necessidade de isolar o sistema de controle do
circuito de potência, deve-se utilizar circuitos de disparo isolados, que irão
dar maior segurança na operação do conversor. Para isso, pode-se utilizar
transformadores de pulso (Figura 6.11), acopladores óticos, etc.

Fig. 6.11 – Circuito de disparo isolado.

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 Estudo de caso
Para exemplificar como se realiza o dimensionamento de um circuito
amplificador de pulso, tomemos como exemplo o circuito da Figura 6.12.

Fig. 6.12 – Circuito de disparo do exemplo de cálculo.

À partir dos dados do MOSFET IRFP064 e do circuito da Figura 6.12,

obtém-se os seguintes valores de projeto:
ΔV = 15 V / Δt = 250 ns / Ciss = 7400 pF
tf = 190 ns / tr = 190 ns
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 Estudo de caso
Utilizando as equações apresentadas anteriormente:

∆𝑉 15
𝐼𝑔 = 𝐶𝑖𝑠𝑠 . = 7400𝑝 = 444 𝑚𝐴
∆𝑡 250𝑛

𝑡𝑓 = 𝑡𝑟 = 2,2. 𝑅𝑔 . 𝐶𝑖𝑠𝑠 → 190𝑛 = 2,2. 𝑅𝑔 . 7400𝑝 → 𝑅𝑔 = 11,67Ω

Aproximando para os valores comerciais mais próximos, Rg = 12 Ω.

O valor de RX deve ser grande o suficiente apenas para impedir que o sinal no
gate do transistor fique flutuando. Sendo assim, escolheu-se RX = 10 kΩ.

A determinação dos resistores RB e RC exige o prévio conhecimento

dos transistores T1 , T2 e T3. Utilizaram-se transistores 2N2222 para T1 e T2
(tipo NPN) e transistor 2N2907 para T3 (tipo PNP).

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 Estudo de caso
Quando o transistor T2 está conduzindo (e T3 bloqueado), sua
corrente de coletor ICT2 equipara-se à corrente Ig de disparo do MOSFET, ou
seja, ICT2 = 444 mA.

Fig. 6.12a – Primeira etapa do circuito (transistor T2 conduzindo e T3 bloqueado).

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 Estudo de caso
Levando o valor de ICT2 às curvas do fabricante do transistor
2N2222, estima-se a corrente de base IBT2 = 44 mA e, nessa condição, a
tensão entre coletor e emissor, VCET2 = 1,6 V.

Fig. 6.12b – Características do transistor 2N2222.

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 Estudo de caso
As informações apresentadas são suficientes para o cálculo de RB e
RC. Ainda, é possível verificar que a corrente de base IBT2 do transistor T2
equivale à corrente de coletor ICT1 do transistor T1, ou seja: ICT1 = 44 mA. Mais
uma vez, recorrendo ao catálogo do fabricante, tem-se: IBT1 = 4,4 mA e
VCET1 = 0,4 V.

Ainda, com T1 em condução, o resistor RC fica submetido a uma

diferença de potencial dada por 15 - VCET1, enquanto a corrente ICT1 circula
pelo mesmo. Deste modo, determina-se:

15 − 0,4
𝑅𝑐 = −3
= 331,8 Ω
44. 10

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 Estudo de caso
Quando o transistor T1 está conduzindo, a tensão aplicada em RB
será de 5 V (saída em nível lógico alto) e a corrente que circulará por este
resistor será IBT1 = 4,4 mA, assim, considerando que a queda de tensão entre
base e emissor VBET1 do transistor T1 é 1,3 V, sendo assim:

5 − 1,3
𝑅𝐵 = −3
= 840 Ω
4,4. 10

Em virtude de os valores calculados não serem comerciais, adotam-

se: RB = 820 Ω (ou 910 Ω) e RC = 330 Ω.

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 Estudo de caso

A determinação dos resistores e transistores define completamente

o circuito de comando, porém, cabe neste ponto uma observação
importante: no simulador PSIM® não há necessidade do emprego do circuito
para disparar o MOSFET, já que os componentes utilizados são idealizados.

Portanto, para assegurar o funcionamento prático do circuito de

comando, propõe-se a simulação utilizando o software PSPICE, que
possibilita resultados muito precisos quando comparados aos obtidos
experimentalmente. A seguir são apresentadas as principais formas de onda.

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 Estudo de caso

Fig. 6.13 – Principais formas do circuito de comando.

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 Exemplo
Ex. 1) Para o circuito abaixo, calcule o valor de Ig e Rg, sabendo que:
Ciss = 700 pF
∆𝑉
VC = 15 V 𝐼𝑔 = 𝐶𝑖𝑠𝑠 .
∆𝑡
Δt = 40 ns
𝑡𝑓 = 𝑡𝑟 = 2,2. 𝑅𝑔 . 𝐶𝑖𝑠𝑠

RESP: Ig = 0,26 A e Rg ≈ 25 Ω.
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 Aula Prática
Pré-relatório – Simule o circuito do conversor Buck, a ser montado na aula
prática, utilizando o software PSIM. Faça as atividades dos itens 3.1 e 3.2 do
guia de laboratório, ajustando os parâmetros da simulação conforme as
recomendações.

Fig. 6.14 – Circuito do conversor a ser simulado.

Ao final faça um relatório, de apenas uma página, colocando as

conclusões às quais o aluno chegou (máximo de 10 linhas com fonte Arial 11
e espaçamento 1,5). O relatório deverá ser entregue no dia da aula prática.

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 Escala Aula Prática
TURMA A – Sexta-feira 14/09, às 19h.

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 Escala Aula Prática
TURMA B – Quarta-feira 19/09, às 19h.

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 Escala Aula Prática
TURMA C – Sexta-feira 14/09, às 17h.

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 Lista de Exercícios
Capítulos 2, 3 e 4 – Ahmed (Eletrônica de Potência)
 Conceitos básicos e princípio de funcionamento do diodo de
potência, TBJ / MOSFET, IGBT e SCR;
 Problemas sobre perda de potência.

Capítulo 9 – Ahmed (Eletrônica de Potência)

 Conceitos básicos dos conversores CC-CC e formas de onda
características;
 Problemas sobre conversores CC-CC (Buck, Boost, Buck-Boost, Cúk).

Capítulo 9 – Rashid (Eletrônica de Potência)

 Problemas sobre conversores CC-CC (Buck, Boost, Buck-Boost, Cúk).

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 Bibliografia
1. Apostila Sinais Senoidais: Tensão e Corrente Alternadas -
Prof. Fernando Luiz Rosa Mussoi - 3ªed. - Florianópolis –
Março, 2006.

2. Apostila Valor Médio e Eficaz – Prof. Kazuo Nakashima –

Universidade Federal de Itajubá

3. Apostila Projeto de Fontes Chaveadas – Prof. Dr. Alexandre

Ferrari de Souza.

4. R.F. Coelho, Estudo dos Conversores Buck e Boost Aplicados

ao Rastreamento de Máxima Potência de Sistemas Solares
Fotovoltaicos, Dissertação (Mestrado em Engenharia
Elétrica), Universidade Federal de Santa Catarina,
Florianópolis, 2008.
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 UNIVERSIDADE FEDERAL DE
SÃO JOÃO DEL-REI

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

CIRCUITO DE DISPARO

Professor Eduardo Moreira Vicente