1ª lista de exercícios (avaliação) de PEMO 2º quadrimestre de 2021

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parte do leitor faz parte da avaliação e o entendimento da resolução por parte do
avaliador também faz parte da avaliação.

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1) Supondo que " 𝑚𝑣#" = " 𝑘% 𝑇 , onde as letras tem seus significados usuais,
determine a velocidade térmica média de um elétron de condução em um
metal na temperatura de 295 K. Assumindo que o livre caminho médio do
elétron é aproximadamente 1 nm, calcule o tempo médio entre colisões.
2) Para um cristal de sódio com volume de 1 cm3, estime a distância média entre
os níveis de energia da banda 3s dado que a faixa de energia dos elétrons na
banda 3s é 3,22 eV. (A concentração de elétrons (n) nesse caso é: 2,65·10-28 m-
3
).
3) Calcule a energia de Fermi e a velocidade de Fermi (isto é: a velocidade de um
elétron na energia de Fermi) para o cobre sabendo que a valência do cobre é 1;
s = 6,45·107 W-1m-1; r = 1,55·10-8 Wm; n = 8,50·1028 m-3. Use a função
densidade de estados para determinar o espaçamento médio entre os níveis de
energia próximos à energia de Fermi em uma amostra de cobre de volume 1
cm3.
!
4) Assumindo que a velocidade dos elétrons de condução é dada por " 𝑚& 𝑣'" = 𝐸'
e que a temperatura ambiente apenas 3% dos elétrons de valência participam
da condutividade elétrica calcule os valores para o tempo de relaxação t e para
o livre caminho médio l do cobre a 273 K. Dados: a valência do cobre é 1; s =
6,45·107 W-1m-1; r = 1,55·10-8 Wm; n = 8,50·1028 m-3; EF = 7 eV.
5) A energia de Fermi é tipicamente muito maior que a energia térmica kBT
(exceto a níveis muito altos de dopagem do tipo p), dessa forma podemos fazer
uma aproximação conveniente para o termo [1-f(E)]na equação 𝑝 =
! )
∫ 𝑔(𝐸)[1 − 𝑓(𝐸)]𝑑𝐸 , mostre que a concentração de buracos na banda de
( *+
∗ $/"
,! -# .
valência é dada pela equação 𝑝 = 2 3 "/ℏ$
4 𝑒 *2% /-# . fazendo 1 − 𝑓(𝐸) ≈
𝑒 (2*2% )/-# . .
6) Esboce o perfil das bandes de energia e calcule o potencial de contato para
uma junção pn de silício se a energia de Fermi do lado n é 150 meV abaixo da
borda da banda de condução e a energia de Fermi do lado n é 80 meV acima da
borda da banda de valência. (O band gap do silíco é 1,11 eV.).
7) (a) Se o band gap do GaAs é 1,42 eV, o band gap do AlGaAs contendo 30% de Al
é 1,80 eV e o deslocamento (offset) da banda de valência é 0,14 eV, determine
a magnitude do deslocamento da banda de condução. (b) Os band gaps do InAs
e AlSb são 0,36 eV e 1,58 eV, respectivamente. Se o deslocamento da banda de
condução é 1,35 eV (isto é: a borda da banda de condução no AlSb é 1,35 eV
maior que no InAs), determine a magnitude do deslocamento da banda de
valencia. Em cada caso desenho o alinhamento das bandas na heterojunção e
identifique quando a a junção é do tipo I ou tipo II.
8) A corrente de deriva em uma junção pn é 20 µA. Estime o número de
portadores atravessando a zona de depleção por segundo.
9) (a) Dado que a polarizabilidade atômica dos íons K+ e Cl- medidas em
frequências ópticas são 1,48·10-40 Fm2 e 3,29·10-40 Fm2, respectivamente e que
o volume molar do KCl é 3,71·10-5 m3, use a fórmula de Clausius-Mossotti para
determinar a constante dielétrica óptica eopt para o KCl. (b) Assumindo que as
polarizabilidades atômicas são as mesmas no caso estático às frequências
ópticas, use os dados da parte (a) para determinar a amplitude dos
deslocamentos dos íons no KCl quando colocados em um campo elétrico
estático de 105 Vm-1. (A constante dielétrica estática do KCl é 4,84.).
10) Se o tipo de plástico usado para isolamento de fios elétricos tem a rigidez
dielétrica de 5·107 Vm-1, determine a espessura mínima requerida para o
isolamento de instalações onde a tensão fornecida é de 220 V. Compare esse
resultado (maior, menor, quanto maior ou menor?) com a espessura real
utilizada na prática que é tipicamente de aproximadamente 0.5 mm.