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CLUBE DA ELETRÔNICA ELETRÔNICA GERAL

O TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR

Introdução

Durante o período de 1904 até 1947, a válvula era sem dúvida o O primeiro transistor
dispositivo eletrônico de maior interesse na industria de eletrônica.
Porém em 23 de dezembro de 1947, no Laboratórios da Beel
Telephone, Jonh Bardeen e Walter H. Brattain, apresentavam um
dispositivo de estado sólido de três terminais o transistor de junção.
Suas vantagens sobre a válvula eram inegáveis.

Em setembro de 1951, a Bell anuncia a criação do transistor. A


partir daí começava uma industria bilionária dos semicondutores.

Estrutura física do transistor

O transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor como


o diodo porém possui de três terminais, sendo duas camadas de
material tipo "N" e uma de tipo "P" ou de duas de material tipo "P" e
uma de tipo "N". Formando assim os transistores NPN e PNP.

Transistor NPN Transistor PNP

Conceitos básicos

Emissor ⇒ é constituído por semicondutor densamente dopado; sua função é emitir elétrons, ou injetar
elétrons na base.

Base ⇒ é um semicondutor levemente dopada e muito fina permite que a maioria dos elétrons
injetados pelo emissor passe para o coletor.

Coletor ⇒ Junta ou coleta os elétrons que vem da base, é a parte mais extensa das três portanto dissipa
mais calor.

O transistor e sua representação

Com a construção física já estamos familiarizados, agora Representação real


devemos conhecer e identificar de maneira esquemática e
real cada um dos terminais presentes no transistor seja ele
NPN ou PNP.

Vejamos a simbologia utilizada.

Polarização do transistor

Polarizando o transistor de forma adequada consegue-se estabelecer um fluxo de corrente, permitindo


que o transistor seja utilizado em inúmeras aplicações.

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Polarização direta - direta


Estando as junções base emissor e base coletor
diretamente polarizada a corrente que circula
por essas junções serão altas e o transistor
funciona na região de saturação.

Polarização reversa - reversa


Polarizando reversamente as junções PN,
haverá uma baixa circulação de corrente que
será considerada nula em fins práticos e o
transistor funciona na região de corte.

Polarização direta - reversa “ O efeito transistor ”


Nesse tipo de polarização o inesperado
acontece, pois estamos esperando uma baixa
corrente na junção base coletor por estar
reversamente polarizada, porém isso não ocorre
o fluxo de elétrons injetados pelo emissor
penetram na base que é muito fina e chegam ao
coletor.

Nota : A polarização direta reversa é a de maior interesse no estudo do transistor, portanto para garantir o
efeito transistor é necessário polarizar corretamente as suas junções, vejamos a ilustração:

Junção base emissor


deve ser polarizada diretamente

Junção base coletor


deve ser polarizada reversamente

Nota: Nas representações acima


utilizamos o fluxo convencional da
corrente elétrica.

Esse tipo de polarização deve ser utilizado para qualquer transistor de junção bipolar, seja ele NPN ou
PNP.

Uma explicação simplificada

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Os elétrons injetados no emissor, após romper a


barreira de potencial ≈ 0,7 V conseguem chegar a
base.

Chegando há dois caminhos, cerca de 5% se


deslocam em direção a fonte VBB, e o restante,
95% chegam ao coletor.

Nota:

Na maioria dos transistores mais de 95% dos


elétrons que são injetados no emissor chegam a ao
coletor.

Analise de correntes e tensões no transistor

Quando um transistor é polarizado corretamente, haverá um fluxo de corrente, através das junções e que
se difundirá pelas camadas formadas pelos cristais P ou N. Para analise em transistores usaremos o sentido
convencional da corrente elétrica, ou seja o contrário do fluxo de elétrons visto na figura acima.

Transistor NPN Transistor PNP

Aplicando-se a lei de Kirchhoff das correntes (LKC), obtemos:

IE = IC + IB

Para facilitar a analise representaremos as tensões através de setas onde, a ponta da seta aponta sempre
para o potencial mais positivo ou seja contrario da corrente.

Transistor NPN Transistor PNP

Aplicando-se a lei de Kirchhoff das tensões (LKV), obtemos:

Vce = Vcb + Vbe

A junção base emissor polarizada diretamente, representa uma região de baixa impedância. A tensão de
polarização base emissor é aproximadamente 0,7 V para transistores de silício.

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Parâmetros αDC e β DC

A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende do tipo de material e
dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia de acordo com o tipo de transistor.

Alfa ⇒ é a quantidade de elétrons que saem do emissor e conseguem chegar ao coletor. Os valores
típicos de α variam de 0,9 a 0,99. Isto significa que parte da corrente do emissor não chega ao coletor.

Matematicamente, podemos dizer que α ( Alfa ) é a relação entre IC e IE, com a tensão coletor base
constante.

Vamos a um exemplo: Qual é a corrente de emissor de um transistor com α = 0.95, sabendo-se que a
corrente de coletor é 2mA?

Isso significa que 2,1 mA saem do emissor 0,1 mA fica na base e 2mA chega ao coletor.

Uma vez que a maioria dos elétrons que saem do emissor chegam ao coletor, ficando somente uma
minoria na base, aproximaremos, a fim de facilitar a analise teórica, o valor de alfa para 1 significando
que 100% da corrente que sai do emissor chega ao coletor. Matematicamente teremos que :

IC = IE

Beta ⇒ Na maioria dos transistores menos de 5% dos elétrons produzem a corrente de base IB; portanto
βDC será sempre maior que 20, ou seja, a corrente de coletor será 20 vezes maior que a corrente de
base. Matematicamente, Beta é a relação entre a corrente de coletor e a corrente de base, com VCE
constante.

Vamos a um exemplo: Um transistor BC548 possui um beta mínimo especificado em 110. Qual é a mínima
corrente de coletor, sabendo-se que a corrente de base é 100µA?

IC = IB. β ⇒ IC = 100µA .110 = 11mA

Relacionando αDC e βDC

A figura ao lado ilustra o fluxo de corrente em um transistor


NPN, observando atentamente as correntes e sendo
conhecedor das Leis de kirchhoff ( LKC ), podemos escrever :

IE = IC + IB

Dividimos ambos os lados por IC, então;

Simplificando:

Note que antes da igualdade temos o inverso de αDC e após temos βDC então, podemos reescrever a

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equação:

Com um pouco de álgebra temos:

α em função de β β em função de α

Exemplos:

a) Um transistor possui um fator α = 0,92. Qual é o fator β?

β =α/(1-α)
β = 0,92 / ( 1 – 0,92 )
β = 0,92 / ( 0,08 )
β = 11,5

b) Um transistor possui um fator β = 100. Qual é o fator α?

α = 100 / ( 100 +1 )
α = 100 / ( 101 )
α = 0,99

Funcionamento básico do transistor

Para entendermos o funcionamento do transistor, devemos conhecer suas características elétricas, ou


seja, a relação entre as tensões e correntes presentes em seus terminais. Uma das formas de entender as
relações entre tensões e correntes envolvidas na polarização do transistor bipolar é através de um
circuito bastante simples. Vejamos :

O potenciômetro serve para controlar a tensão VBB e


conseqüentemente a intensidade da corrente de
base.

Inicialmente faremos com que a corrente IB seja igual


a 0 (zero), observe que o LED esta apagado.

Região de corte ⇒ Aumentando gradativamente a tensão VBB, até o instante em que alcançarmos
aproximadamente 0,7 V o LED continua apagado. Essa é a nossa primeira região de operação do transistor
a região de corte.

Região Linear ⇒ Após rompermos a barreira dos 0,7 V o transistor começa a conduzir e o LED acende.
A medida que, aumentamos a corrente de base o brilho do LED vai ficando mais intenso, até o momento
em que o brilho estabiliza. A essa região compreendida entre a menor corrente necessária para acender o
LED e corrente necessária para atingir a estabilidade, damos o nome de região Linear.

Região de saturação ⇒ Após a corrente de coletor atingir a estabilidade não adianta mais
aumentarmos a corrente de base, pois o transistor esta operando na região de saturação.

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Curvas características
O circuito Teste
Outra maneira de se obter as relações
entre tensões e correntes envolvidas na
polarização do transistor bipolar é
através de curvas características, que
nem sempre estão nos manuais, más
podem ser obtidas através de um
traçador de curvas do transistor, ou
através do circuito teste ao lado, o qual
permite traçar curvas em gráficos (Ib x
Vbe) e (Ic x Vce).

A analise é semelhante a do exemplo anterior. O transistor só começa a conduzir após aproximadamente


0,7 V, isso nos permite traçar a curva da base em função de VBE.

Curvas da base IB = f (VBE)

A junção base emissor de um transistor, se


assemelha a um diodo, então a curva que
encontraremos será parecida com a curva do
diodo. Lembre-se é uma curva exponencial e
para fins de calculo usamos 0,7 V, como o
ponto limiar de condução.

Curvas do coletor IC = f (VCE)

Se fixarmos a corrente de base em


10µA, teremos uma corrente de
coletor de 2mA, se a corrente de base
for 20µA a corrente de coletor será
4mA, ou seja, à medida que, IB
aumenta IC aumenta. A razão desse
aumento é o βDC visto anteriormente.

Curvas do ganho de corrente

O βDC do transistor também é


chamado de ganho de corrente, não é
fixo, varia bastante isso ocorre devido
ao aquecimento que a corrente de
coletor gera em suas junções. Esse
aumento de temperatura altera os
parâmetros do transistor, portanto
devemos polarizar o transistor de
maneira que fique imune as variações
de β.

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Dissipação de potência

O transistor aquece, então uma potência será dissipada, como o coletor é a maior parte do transistor a
potência dissipada sobre será a mais importante, e pode ser dada pelo produto entre IC e VCE.
PD = IC . Vce

A quantidade de potência dissipada também pode classificar e definir o tipo de encapsulamento dos
transistores. Vejamos:

Transistores de baixa potência : São pequenos e não suportam


muito calor.

Transistores de média potência : São maiores que o anterior e


muitos vem com um furo onde pode ser parafusado um
dissipador de calor.

Transistores de alta potência : Tem o corpo grande, são


envoltos por uma carcaça que suporta grandes temperaturas.
Sempre são acompanhados de dissipadores de calor.

O dissipador de calor é uma placa metálica que deve ser


afixada em transistores de média e alta potência, a fim de
aumentar a de dissipação de calor.

Para evitar que falhas de contato entre as superfícies e


sujeira prejudiquem a transferência de calor é aconselhável
espalhar entre o transistor e o dissipador uma pasta térmica.

O gráfico abaixo ilustra as principais regiões do transistor incluindo a curva da potência.

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Estamos todos num mesmo barco, em mar tempestuoso, e devemos uns aos outros
uma terrível lealdade.
(G.K.Chesterton)

Referências bibliográficas
Malvino, A.P. Eletrônica - volume I. São Paulo: McGraw Hill , 1987.
Boylestad, R. e Nashelsky, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria dos Circuitos. Rio de Janeiro:
Prentice-Hall, 1994.
Marcus, O. Circuitos com diodos e Transistores. São Paulo: Érica, 2000
Lalond, D.E. e Ross, J.A. Princípios de dispositivos e circuitos eletrônicos. São Paulo: Makron Books,
1999.
Site: http://paginas.terra.com.br/educacao/almeida
Site: http://personales.com/brasil/saopaulo/EzeWebsite

Construção da Casa

Um homem muito rico morreu e foi recebido no céu. O anjo guardião levou-o por várias alamedas e foi lhe
mostrando as moradias que ali existiam. Passaram por uma linda casa com belos jardins. O homem,
admirado, perguntou:

- Que linda casa, quem mora aí?

O anjo respondeu:
- É o Raimundo, aquele seu motorista que morreu no ano passado.

O homem ficou pensando:


"Puxa! Se o Raimundo tem uma casa dessas, aqui deve ser muito bom!"

Logo a seguir, surgiu uma outra casa muito mais bonita e ele perguntou mais admirado ainda:

- E aqui, quem mora?

O anjo respondeu:
- Aqui é a casa da Rosalina, aquela que foi sua cozinheira.

O homem ficou imaginando que, tendo seus empregados magníficas residências, sua morada deveria ser, o
mínimo, um palácio, e estava ansioso por vê-la.

Nisso, o anjo parou diante de um barraco construído com tábuas e disse:

- Esta é a sua casa.

O homem ficou indignado!

- Como é possível? Vocês sabem construir coisa muito melhor!!!

- Sabemos, respondeu o anjo, mas nós construímos apenas a casa. O material é selecionado e enviado por
vocês mesmos. Você só enviou isso!

Cada gesto de amor e partilha com o próximo é um tijolo com o qual construímos a nossa casa na
eternidade. Tudo se decide por aqui mesmo, nas escolhas e atitudes que você faz todo dia. Por isso, é
importante nós repensarmos a respeito de nossos valores, atitudes e ações, para que, mais tarde, não
soframos por todas as conseqüências de nossos erros.

Contribua com o melhor material para erguer sua casa. Depende só de você! Assim sendo mãos à abra e
comece sendo feliz muito feliz!!!

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