TIRISTOR

Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de

potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a
un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas
características y limitaciones.

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres

uniones pn tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. La fig. 1 muestra el símbolo
del tiristor y una sección recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión.

Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las uniones J1 y J3
tienen polarización directa o positiva. La unión J2 tiene polarización inversa, y solo fluirá
una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que el tiristor está en
condición de bloqueo directo o en estado desactivado llamándose a la corriente fuga
corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a un valor lo
suficientemente grande la unión J2 polarizada inversamente entrará en ruptura. Esto se
conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura
directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarización directa, habrá un
movimiento libre de portadores a través de las tres uniones que provocará una gran
corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en estado de
conducción o activado.

Fig. 1 Símbolo del tiristor y tres uniones pn.

La caída de voltaje se deberá a la caída óhmica de las cuatro capas y será pequeña, por lo
común 1v. En el estado activo, la corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido
como corriente de enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de
portadores a través de la unión; de lo contrario, al reducirse el voltaje del ánodo al cátodo,
el dispositivo regresará a la condición de bloqueo. La corriente de enganche, I L, es la
corriente del ánodo mínima requerida para mantener el tiristor en estado de conducción
inmediatamente después de que ha sido activado y se ha retirado la señal de la compuerta.

Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conducción y ya no hay
control sobre el dispositivo. El tiristor seguirá conduciendo, porque en la unión J2 no existe
una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se
reduce la corriente directa del ánodo por debajo de un nivel conocido como corriente de
mantenimiento IH, se genera una región de agotamiento alrededor de la unión J 2 debido al
número reducido de portadores; el tiristor estará entonces en estado de bloqueo. La
corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de
enganche, IL. Esto significa que IL>IH. La corriente de mantenimiento IH es la corriente del
ánodo mínima para mantener el tiristor en estado de régimen permanente. La corriente de
mantenimiento es menor que la corriente de enganche.

Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al del ánodo, la unión J 2 tiene
polarización directa, pero las unioneJ1 y J3 tienen polarización inversa. Esto es similar a dos
diodos conectados en serie con un voltaje inverso a través de ellos. El tiristor estará en
estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga
inversa IR, fluirá a través del dispositivo.

Clasificación de los dispositivos de potencia (SCR, TRIAC, SBS, SUS,

GTO, DIAC, SBS, UTJ, IGBT)

Tiristores de control de fase o de conmutación rápida (SCR).

El miembro más importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales,

conocido también como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo
desarrolló la General Electric en 1958 y lo denominó SCR. El nombre de tiristor lo adoptó
posteriormente la Comisión Electrotécnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se
muestra el símbolo de un tiristor de tres terminales o SCR.

Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su

característica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma
que la del diodo PNPN.

Lo que hace al SCR especialmente útil para el control de motores en sus aplicaciones es
que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que
fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto
menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin
señal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente
puede activarse mediante la aplicación de una corriente a la compuerta. Una vez activado,
el dispositivo permanece así hasta que su corriente caiga por debajo de I H. Además, una vez
que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado
activo. En este estado, la caída de voltaje directo a través del SCR es cerca de 1.2 a 1.5
veces mayor que la caída de voltaje a través de un diodo directo-oblicuo común.
 Símbolo del SCR.

Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso más
común en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o
rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos
pocos amperios hasta un máximo de 3,000 A.

Un SCR.

1. Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO

2. Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente
iG, presente en el SCR
3. Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por él cae por debajo de IH
4. Detiene todo flujo de corriente en dirección inversa, hasta que se supere el voltaje
máximo inverso.

Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).

Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposición, con una
compuerta de paso común; puede ir en cualquier dirección desde el momento en que el
voltaje de ruptura se sobrepasa. El símbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El
voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la
misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los
impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC
permanece así hasta que su corriente cae por debajo de IH.

Símbolo del TRIAC.

 Circuito disparador de TRIAC.

Curva característica del TRIAC

Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).

Entre las mejoras más recientes que se le han hecho al tiristor está el apagado por
compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsación
suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Aunque
los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prácticos para
las aplicaciones de control de motores, al final de los años setenta. Estos dispositivos se han
vuelto más y más comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos
eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.
 Símbolo del GTO.

Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR
común. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del
orden de 10 A o más. Para apagarlos se necesita una gran pulsación de corriente negativa
de entre 20 y 30µ s de duración. La magnitud de la pulsación de corriente negativa debe
ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.

DIAC (Diode Alternative Current). Diodo de disparo bidireccional Control de

potencia en corriente alterna (AC)

El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseñado para disparar

TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensión).

Tiene dos terminales: MT1 y MT2.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en
formas opuesta. La conducción se da cuando se ha superado el valor de tensión del zener
que está conectado en sentido opuesto.

El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de fuga. La
conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza.

Cuando la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y entra en

conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se
utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.

La curva característica del DIAC se muestra a continuación

En la curva característica se observa que cuando

- +V o - V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un circuito

abierto
- +V o - V es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito

Sus principales características son:

- Tensión de disparo
- Corriente de disparo
- Tensión de simetría (ver grafico anterior)
- Tensión de recuperación
- Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de
0.5 a 1 watt.)

Transistor SBS

Se llama SBS (Silicon Bilateral Switch) a una clase de tiristor bidireccional. Está formado
por dos SUS conectados en antiparalelo. A diferencia de otros tiristores, el SBS, desde un
punto de vista tecnológico, no es una versión mejorada del diodo npnp, sino que es un
circuito integrado que incorpora diodos Zener conectados a la puerta, transistores y
resistencias. Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los componentes,
consiguiendo una asimetría en la tensión de disparo inferior a medio voltio. Aunque
funciona como un dispositivo de dos puertas, se ha incorporado un electrodo de puerta para
una mayor flexibilidad en el uso del dispositivo.
 Circuito equivalente de un SBS.

Catacterística V-I de un SBS. La puerta está desconectada.

Símbolo del SBS

El transistor UJT o de uni-unión

El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura siguiente.a)
aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor esta fuertemente dopado con
impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos
bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10KΩ estando el emisor abierto).

El modelo equivalente representado en la figura 12.21.b esta constituido por un diodo que
excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando
el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como

En donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y  es el factor de
división de tensión conocido como relación intrínseca. El modelo de este dispositivo
utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy similar a un
diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los transistores la caída de tensión en
R1 es muy baja. El símbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.

Transistor UJT. a) Estructura física, b) modelo equivalente,

c) circuito equivalente y d) símbolo.

Funcionamiento de un UJT

El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura 12.22

se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la
tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos críticos:
punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos
verifican la condición de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de
operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación, que se
detallan a continuación:

Características eléctricas de un UJT.

Transistor IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de potencia.

Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).

Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces,
en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas
eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin
que seamos particularmente conscientes de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión,
barco, ascensor, electrodoméstico, televisión, domótica, Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.

Características

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 KHz y ha sustituido al

BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como
fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes
módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden
manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000
voltios.

Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de

manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse
en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden
ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los
tiristores y los mosfet. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y
lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalentede un IGBT.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de

control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia
aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
Curva característica IGBT:

Aplicaciones de los tiristores

• Rectificación de corriente
• carga de baterías
• soldadura
• generación de potencia a distancia
• procesos electroquímicos
• regulación de fuentes de alimentación
Control de velocidad de motores
• máquinas herramientas
• vehículos de tracción
Sustitución de dispositivos electromecánicos
• relés
• protectores de sobre carga
• graduadores de iluminación
• sistema de encendido de motores de explosión
• control de temperatura con termopares

Control de potencia
• radar,
 • laser de impulsos
• generadores de ultrasonidos
• Circuitos lógicos
• multivibradores de potencia
• control de tiempo, contadores
• fines de carrera, detección de niveles
• circuitos de alarma
• control de alumbrado de emergencia

Principio de funcionamiento del tiristor

Un tiristor es un semiconductor utilizado como interruptor, con dos terminales de potencia,

denominados ánodo (A) y cátodo (K), y un terminal de control denominado puerta (G).

Si la tensión en el cátodo es superior a la del ánodo, el tiristor está polarizado en inversa y

bloquea el paso de la corriente.

Si la tensión en el ánodo es mayor que en el cátodo, el tiristor está polarizado en directa, y

bloquea el paso de la corriente hasta que el terminal de puerta recibe un pulso positivo
respecto al cátodo. Este pulso provoca la conducción del tiristor y la corriente circula de
ánodo a cátodo. El tiristor continua conduciendo cuando el pulso deja de aplicarse, y lo
hace hasta que la corriente se anula, momento en el cual recupera su poder de bloqueo.

Conexión en antiparalelo:

Una conexión en paralelo de dos tiristores con los terminales invertidos se denomina en
antiparalelo. En esta configuración, los tiristores pueden ser utilizados para controlar
tensiones alternas. En el semiciclo positivo, SCR1 controla la corriente que circula hacia la
carga. En los semiciclos negativos, SCR2 es el encargado de controlar la corriente
circulante.
Control de fase:

Controlando el instante de disparo de los tiristores podemos controlar el valor eficaz de la

tensión aplicada a la carga.

El control de la tensión aplicada a la carga mediante el control del disparo de los tiristores
se denomina control de fase.

Métodos de disparo para SCR y TRIAC

Disparo del tiristor
Un tiristor es encendido haciendo su puerta positiva con el respecto a su cátodo, esto hace
que circule corriente en la compuerta. Cuando el voltaje de puerta alcanza el voltaje de
umbral VGT, hace que la corriente de compuerta IGT, llegue al valor umbral dentro de un
tiempo muy corto conocido como “tiempo de encendido, controlado por compuerta”, tgt, la
corriente de carga puede fluir desde ’a’ a ’k’. Si la corriente de puerta consiste de un pulso
muy estrecho, por ejemplo menos de 1ms, su nivel de pico tendrá que aumentar para
anchos de pulso progresivamente más estrechos para garantizar el disparo efectuado de esta
manera.
Cuando la corriente de carga aumente, hasta el valor de corriente de enganche (latching) del
tiristor, la corriente de carga se mantendrá pareja después de la remoción de la corriente de
puerta. Mientras la corriente adecuada de carga continúa circulando, el tiristor continuará
conduciendo, sin la corriente de puerta. Esto es lo que denominamos tiristor disparado.
Nótese que el valor de VGT, IGT e IL de especificaciones dadas en datos están a 25 °C. Estos
parámetros aumentarán a temperaturas más bajas, así también el circuito de disparo debe
proveer voltaje adecuado, corriente y duración para la temperatura de funcionamiento mas
baja.

1º REGLA. Para disparar un tiristor (o triac), una corriente de compuerta / IGT debe
aplicarse hasta que la corriente de carga sea / IL. Esta condición debe encontrarse también
al bajar la temperatura de funcionamiento esperada.

El tiristores de puerta sensible (sensitive gate), tal como el BT150 puede ser proclive a
dispararse por corriente de fuga (ánodo a cátodo), a altas temperaturas. Si la temperatura de
juntura TJ es incrementada por encima de Tjmax, en este punto las corrientes de fuga son
tales que pueden alcanzar la corriente de disparo del tiristor o triac. Por lo cual puede ser
conveniente su reemplazo o bien tener en cuenta este efecto al momento de su utilización.
Para resolver los problemas de los disparos no deseados (espurios o aleatorios) se pueden
seguir algunos de los siguientes métodos:

1- Asegurar que la temperatura no exceda a Tjmax.

2- Utilizar un tiristor con compuerta menos sensible por ejemplo el BT151, o reducir la
sensibilidad del tiristor existente por una resistencia de 1kohm o menor entre el cátodo y la
compuerta (resistencia de desensibilización).
3- Si esto no es posible utilizar un tiristor de menor sensibilidad en compuerta, aplicar en la
compuerta una pequeña señal negativa durante los periodos de inactividad del tiristor en
cuestión. Esta señal tiene el efecto de incrementar IL Durante la circulación de corriente
negativa, debe tenerse una particular atención a fin de minimizar la potencia disipada en
compuerta.

Disparo por corriente continua.

En este caso la tensión de disparo proviene de una fuente de tensión continua

aplicada al TRIAC a través de una resistencia limitadora de la corriente de puerta. Es
necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo
encargado de la función de control, que puede ser un simple interruptor mecánico o un
transistor trabajando en conmutación.

Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrónicos

alimentados por tensiones continuas cuya función sea la de control de una corriente a partir
de una determinada señal de excitación, que generalmente se origina en un transductor de
cualquier tipo.

Disparo por corriente alterna.

El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un

transformador que suministre la tensión de disparo, o bien directamente a partir de la propia
tensión de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta adecuada y algún
elemento interruptor que entregue la excitación a la puerta en el momento preciso.
Disparo del SCR

Métodos de disparo:

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unión ánodo - cátodo debe estar polarizada
en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para
permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL, corriente
necesaria para permitir que el SCR comience a conducir.

Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción deberá circular una
corriente mínima de valor IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de
bloqueo directo.

Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:

• Por puerta.
• Por módulo de tensión. (V)
• Por gradiente de tensión (dV/dt)
• Disparo por radiación.
• Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por módulo y
gradiente de tensión son modos no deseados, por lo que los evitaremos en la medida de lo
posible.

Disparo por puerta

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicación en

la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y cátodo a la
vez que mantenemos una tensión positiva entre ánodo y cátodo.

Una vez disparado el dispositivo, perdemos el control del mismo por puerta. En estas
condiciones, si queremos bloquearlo, debemos hacer que VAK < VH y que IA < IH

Disparo por módulo de tensión

Este método podemos desarrollarlo basándonos en la estructura de un transistor: si
aumentamos la tensión colector - emisor, alcanzamos un punto en el que la energía de los
portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos portadores
en la unión de colector, que hacen que se produzca el fenómeno de avalancha.

Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada;

sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobretensiones anormales en los
equipos electrónicos.

Disparo por gradiente de tensión

Si a un tiristor se le aplica un escalón de tensión positiva entre ánodo y cátodo con tiempo
de subida muy corto, los portadores sufren un desplazamiento para hacer frente a la tensión
exterior aplicada. La unión de control queda vacía de portadores mayoritarios; aparece una
diferencia de potencial elevada, que se opone a la tensión exterior creando un campo
eléctrico que acelera fuertemente a los portadores minoritarios produciendo una corriente
de fugas.

Disparo por radiación

La acción de la radiación electromagnética de una determinada longitud de onda provoca la

elevación de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor crítico, obligando al
disparo del elemento.

Los tiristores fotosensibles (llamados LASCR o Light Activated SCR) son de pequeña
potencia y se utilizan como elementos de control todo - nada.

Disparo por temperatura

El disparo por temperatura está asociado al aumento de pares electrón - hueco generados en
las uniones del semiconductor. Así, la suma (α 1+α 2) tiende rápidamente a la unidad al
aumentar la temperatura. La tensión de ruptura permanece constante hasta un cierto valor
de la temperatura y disminuye al aumentar ésta.

Ángulos de conducción

• La corriente y tensión media de un SCR dependen del ángulo de conducción

• A mayor ángulo de conducción, se obtiene a la salida mayor potencia.
• Un mayor ángulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ángulo de
conducción.

Ángulo de conducción = 180º - ángulo de disparo

• Conociendo la variación de la potencia disipada en función de los diferentes

ángulos de conducción podremos calcular las protecciones necesarias.
Ángulos de retardo de disparo

Los términos populares para describir la operación de un SCR son ángulo de conducción y
ángulo de retardo de disparo. El ángulo de conducción es el numero de grados de un ciclo
de ca durante los cuales el SCR esta encendido. El ángulo de retardo de disparo es el
numero de grados de un ciclo de ca que transcurren antes de que el SCR sea encendido. Por
supuesto, estos términos están basados en la noción de que el tiempo total del ciclo es igual
a 360 grados.

En la figura 3 se muestran las formas de onda de un circuito de control con SCR para un
ángulo de retardo de disparo. Al momento que el ciclo de ca inicia su parte positiva, el SCR
esta apagado. Por tanto tiene un voltaje instantáneo a través de sus terminales de ánodo y
cátodo igual al voltaje de la fuente. Esto es exactamente lo que se vería si se colocara un
interruptor abierto en un circuito en lugar del SCR. Dado que el SCR interrumpe en su
totalidad el suministro de voltaje, el voltaje a través de la carga (VLD) es cero durante este
lapso. La extrema derecha de las ondas ilustran estos hechos. Mas a la derecha en los ejes
horizontales, se muestra el voltaje de ánodo a cátodo (VAK) cayendo a cero después de
aproximadamente un tercio del semiciclo positivo. Esto es el punto de 60°. Cuando VAK cae
a cero, el SCR se ha "disparado", o encendido. Por tanto, el ángulo de retardo de disparo es
de 60°. Durante los siguientes 120° el SCR se comporta como un interruptor cerrado sin
voltaje aplicado a sus terminales. El ángulo de conducci6n es de 120°. El ángulo de retardo
de disparo y el ángulo de conducci6n siempre suman 180°.

Formas de ondas ideales del voltaje de la terminal principal (VAK) y el voltaje de carga de un SCR. Para un
ángulo de retardo de disparo de unos 60o, un ángulo de conducción de 120o.

En la igura observamos la forma de onda del voltaje de carga muestra que, al dispararse el
SCR, el voltaje de la fuente es aplicado a la carga. El voltaje de carga entonces sigue al
voltaje de la fuente por el resto del semiciclo positivo, hasta que el SCR nuevamente se
apaga. El estado OFF ocurre cuando el voltaje de la fuente pasa por cero.
En general, estas formas de onda muestran que antes de que el SCR se dispare, el voltaje es
retirado de entre las terminales del SCR, y la carga ve un voltaje cero. Después de haberse
disparado el SCR, la totalidad del suministro de voltaje es retirado a través de la carga, y el
SCR presenta voltaje cero. El SCR se comporta como un interruptor de acción rápida.

Circuitos de disparo de un SCR con UJT

Conclusiones

En los procesos industriales se tienen un sin número de aplicaciones las cuales requieren
que se entregue una cantidad de potencia eléctrica variable y controlada, dentro de las
cuales podemos mencionar la iluminación, el control de velocidad o par de motores
eléctricos, soldadura eléctrica etc.

El tiristor es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador componente idóneo para

manejar potencia eléctrica.

Podemos encontrarlo del tipo SCR en un rectificador como elemento principal de control
de la energía, la acción de control sobre éste permitirá variar a voluntad el valor medio
de la tensión entregada por el rectificador.