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Fontes de Alimentação
Tipos de Fontes
■ Fonte de Tensão
■ Baixa Impedância de Saída
■ Varia Corrente, Mantém Tensão
■ Fonte de Corrente
■ Alta Impedância de Saida
■ Varia Tensão, Mantém Corrente
Fonte de Tensão
■ Não Regulada
■ Regulada
■ Série
■ Paralelo
■ Linear
■ Chaveada
Regulador de tensão tipo Paralelo
Tensão
não Tensão
RS regulada
regulada
Elemento de
controle Circuito de
amostragem
Tensão de Elemento
referência comparador
Sinal de
realimentação
Regulação Paralelo Básica
■ Características:
VSaidaMax = VZ
VSaidaMin = V+ * RL/(R1+RL)
R
L
Regulação Paralelo Básica
■ A tensão na carga é determinada pelo diodo zener e pela tensão de base-emissor
do transistor.
■ Se a resistência de carga diminui (aumenta carga), menos corrente entra
em Q1 (menos corrente de coletor) e mais corrente vai para a carga,
mantendo a tensão constante.
IL VSaidaMax = VZ + Vbe
IS
Considere: V be = 0,7 V
Regulação Paralelo Básica
▪ Requisitos da Fonte de tensão:
▪ VSaida = 5,6V .. 6,0V
▪ ICarga = 0 .. 100 mA
▪ Regulação Paralela
■ Dispositivos:
■ Diodo zener BZX55C – 5V1
IL
■ Transistor BC546 IS
Ic
VSaidaMax = VZ + Vb = 5,1+0,7=5,8V
IL = 100 mA
RL = V L/I L= 5,8V/100mA = 58 Ω Ib R
β VL
L
R1 = V+-V L/I S = (15-5,8)V/100mA= 92 Ω
Vbe
IS = IL+IC +Ib
Comportamento do circuito
■ Curva de carga do transistor
V+ = Is.R s+Vce => V + = (Il+Ic+Ib).Rs+Vce
■ Lembrando que:
■ IC = Ib*β
■ Para cálculo da curva de carga:
a) Cálculo IC (corrente de saturação), fazemos VCE = 0:
IC + IB = (V+ - V CE)/R S – I L => IC (1+1/β) = (V+ - V CE)/R S – I L
I C= (V+/R S)/(1+1/β)
Ganho ≈
240
Regulação Paralelo Básica – circuito alternativo
Ic
VSaidaMax = VZ + Vb = 5,1+0,7=5,8V
IL = 100 mA
RL = V L/I L= 5,8V/100mA = 58 Ω Ib R
β VL
L
R1 = V+-V L/I S = (15-5,8)V/100mA= 92 Ω
Vbe
IS = IL+IC +Ib R2
R2 ≤ V BE/I Zmin
Regulação Paralelo Básica – circuito
alternativo
Tensão Tensão
não Elemento de regulada
regulada controle
Circuito de
amostragem
Tensão de Elemento
referência comparador
Regulador de tensão tipo Série
1. Se a tensão de saída diminui, as tensão
base-emissor aumenta, fazendo com que
o transistor conduza mais, e dessa forma,
aumente a tensão de saída.
R
Elemento série de IZ ≈ 5 L
controle mA
5,1
V
Tensão de
referência
Considere: V be = 0,7 V
Regulação Série Básica
V + = 15 V V CE = 10,6 V
IE = IC = IL=100mA
VL = (Vz-V be ) = 4,4 V
0,7
R1 = (15-5,1)/6mA V
IB = I E / β
R1 = 1650 Ω
IB ≈ 1mA
R1 ≈ 1K2 Ω RL = V L/I L = 44 Ω
IZ ≈ 5
mA
5,1
V
Considere: V be = 0,7 V
β = 100
Curva de carga
■ Curva de carga do transistor
V+ = IE.R L+Vce; mas IC ≈ IE => V + = Ic.R L+Vce
■ Lembrando que:
■ IC = Ib*β
a) Cálculo IC (corrente de saturação), fazemos VCE = 0:
IC = (V+ - V CE)/R L
b) Cálculo V CE, para IC =0, Ib =0:
VCE = V+
Regulação Série Básica
▪ Requisitos da fonte:
VSaida = 9.8V .. 10.2V
ICarga = 0 .. 100 mA
Regulação Série
■ Dispositivos:
■ Diodo zener BZX55C – 5V1
■ Transistor BC546
R
R4
L
Regulação Série Básica
Características:
IR2 = IR3 ≥ 10* I bQ2
(+15V
IL = 100 mA Transistores:
) β=10 IC1 = IL
0
IB1 = IL/ β 1
0,7
V IC2 ≈ IB1
IB2 = IC2 / β 2
β=10
0 R4
0,7 R Assim:
V
L
IB2 = IL/β1 / β2 = IL / β1 .β 2
Resistores:
V Z = 5,1V R3 = (Vz+Vbe ) / IR3
R2 = (VSaida – VR3) / IR2
R4 = (Vz-V Z) / IR4
Considerar:
R1>>RL
• IR1 = IR3 ≥ 10* I bQ1
IL=V+/RL IbQ1
• IbQ1 = IL/hfemin
• R1 = (VR2+Vbe )/ IR1
• R3 = V+ - (V R2+Vbe )/ IR3
Atividades
Projetar as seguintes fontes de tensão: