ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE
POTÊNCIA – INTERRUPTORES
ESTÁTICOS
Grupo de Eletrônica de Potência
Depto. de Eletrônica e Biomédica - DEEB
Objetivo da Apresentação
Apresentar os dispositivos eletrônicos semicondutores que atuam
como interruptores (chaves) de potência, abordando os tópicos:

• Chaves eletrônicas em Eletrônica de Potência;

• Tipos de chaves eletrônicas;

• Quadrantes de operação;

• Controlabilidade de disparo e bloqueio;

• Associação de chaves eletrônicas.

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Organização da Apresentação
• Utilização de Chaves Eletrônicas em E.P.
• Controlabilidade das Chaves Eletrônicas
• Aplicabilidade e Capacidades Máximas
• Característica Estática
• Associação de Chaves Semicondutoras
• Conclusões

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• Utilização de Chaves Eletrônicas em E.P.
• Controlabilidade das Chaves Eletrônicas
• Aplicabilidade e Capacidades Máximas
• Característica Estática
• Associação de Chaves Semicondutoras
• Conclusões

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 Utilização de Chaves Eletrônicas em E.P.
Uma Chave Ideal não i=0P=V*I=0
possui Perdas ! + v -
v=0P=V*I=0
i

Uma Chave Ideal não requer

• Objetivos da Chave: potência para ser comandada!

- Atuar sobre o fluxo da Energia Elétrica, modificando sua forma e

controlando-a com o mínimo de perdas.

• Parâmetros de Atuação:
- Estado: Ligado (on) ou Desligado (off);
- Tempo de Permanência em cada um dos estados;
- Frequência de Comutação entre os estados ligado e desligado.
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• Utilização de Chaves Eletrônicas em E.P.
• Controlabilidade das Chaves Eletrônicas
• Aplicabilidade e Capacidades Máximas
• Característica Estática
• Associação de Chaves Semicondutoras
• Conclusões

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Controlabilidade das Chaves de Potência
BLOQUEIO

Espontâneo Comandado
Espontâneo DIODOS
DISPARO
Comandado SCR, TRIAC IGBT, MOSFET, GTO, IGCT, BJT

• Simbologia
SCR TRIAC
DIODOS
Obsoleto
em E.P.!

IGBT POWER MOSFET GTO IGCT BJT

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Classificação dos Interruptores Estáticos de Potência
(com relação à controlabilidade)

São ”parcialmente”
Interruptores Estáticos de Potência controláveis.

Diodos

Tiristores SCR

TRIAC

Chaves Controláveis Transistor IGBT

IGCT

GTO

Transistor Power MOSFET

Transistor Bipolar - BJT

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• Utilização de Chaves Eletrônicas em E.P.
• Controlabilidade das Chaves Eletrônicas
• Aplicabilidade e Capacidades Máximas
• Característica Estática
• Associação de Chaves Semicondutoras
• Conclusões

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Áreas de Aplicação das Chaves Estáticas

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Capacidades de Condução e Bloqueio

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Características dos Dispositivos
Dispositivos
MOSFET IGBT BJT SCR GTO IGCT TRIAC
Comandado por: Tensão Tensão Corrente Corrente Corrente Corrente Corrente
Potência necessária para
↓↓ ↓↓ ↑↑ ↓ ↑↑ ↑ ↓
comandar:

Complexo (pulsos de

Complexo, porém
(curtos pulsos de
(IB permanente)

alta corrente)

integrado ao
dispositivo
Complexo

corrente)
Simples
Simples

Simples

Simples
Circuito de disparo:

Velocidade de comutação: ↑↑↑ ↑ ↑ ↓↓↓ ↓ ↓ ↓↓↓

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• Utilização de Chaves Eletrônicas em E.P.
• Controlabilidade das Chaves Eletrônicas
• Aplicabilidade e Capacidades Máximas
• Característica Estática
• Associação de Chaves Semicondutoras
• Conclusões

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Diodos de Potência
Símbolos Característica Estática Idealizada
VF entre iF
Diodo PiN:
(1,2V e 2,2V) ON
• Camada adicional de
VF v AK
semicondutor intrínseco (i);
OFF 0
Diodo PiN Diodo Schottky • Maior capacidade de
bloqueio de tensão.

Menor VF:
(0,3V a 0,8V)
Diodo Schottky:
• Junção metal (n)-
semicondutor (p);
• Maior velocidade de
comutação;
• Menor queda de tensão
Grande direta;
variedade de • Maior corrente de fuga.
tipos de
encapsulamento.
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Tiristores
SCR TRIAC Estado “on” Características Estáticas Idealizadas

A MT2 A iA iMT2
TRIAC
SCR
VT ON (+iG) ON (+/- iG)

vAK vMT1-MT2
0 0
K MT1 K
G G ON (+/- iG)

Não há como efetuar o

bloqueio pelo terminal
de gatilho!

Hoje em dia os tiristores são aplicados somente em

baixa frequência (50/60Hz)! 15
Transistor Bipolar de Potência - BJT
Símbolo Estado “on” Característica Estática Idealizada
iC
C IC C
ON
ON/OFF (+ib / 0)
B VCEsat
v CE
0 OFF
IB E E

O transistor bipolar está praticamente extinto em

aplicações de potência (não são mais utilizados).

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Transistor MOSFET de Potência
Símbolo Diodo Estado “on” Característica Estática Idealizada
iD intrínseco
D D iD

+
RDSon ON ON/OFF (+vGS/0)
v
DS
G OFF v
DS
+ - S OFF 0
v
GS -

ON/OFF (+vGS/0) * ON
S

A aplicação de uma tensão VDS negativa faz com

que o diodo intrínseco do MOSFET conduza
espontaneamente, não permitindo o controle da
corrente ID nessa direção;

(*) Se estiver com ordem de comando, o MOSFET

real poderá conduzir uma corrente ID negativa.
Se a tensão VDS resultante (=ID*RDSon) polarizar
diretamente o diodo (0,7V), a corrente ID se
dividirá entre o canal e o diodo intrínseco.
17
O Transistor Bipolar de Porta Isolada - IGBT
Símbolos do IGBT Estado “on” Característica Estática Idealizada

C iC C iC iC
C
ON
ON/OFF (+vGE/0) O transistor IGBT
+ +
vCE G vCE vCE revolucionou a
G VCEsat 0
+ - + -
OFF
Eletrônica de Potência!
vGE - vGE - E
E
E

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IGCT - Integrated Gate Commutated Thyristor
Símbolos Estado “on” Característica Estática Idealizada
iA

A A
A ON É desligável pelo
ON/OFF (+iG/-iG)

VT v AK
G
K
G
K
0
OFF
terminal de gatilho!
K

IGCT – 5SHX 14H4502 IGCT 5SHY 30L6010 – 6000V / 3000A

4500V / 1100A (ITAV = 415A) ITAV = 1300A

Tiristor Gate Driver do IGCT

Tiristor

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• Utilização de Chaves Eletrônicas em E.P.
• Controlabilidade das Chaves Eletrônicas
• Aplicabilidade e Capacidades Máximas
• Característica Estática
• Associação de Chaves Semicondutoras
• Conclusões

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 Aumento da Capacidade de Condução de Corrente
• Associação em paralelo de dispositivos semicondutores:
I
• IQ1 = IQ2 apenas se Q1 e Q2 são idênticos entre si;
Q1 IQ1 Q2 IQ2
• Na prática, isso é impossível!
𝐼 =𝐼 𝐼=𝑄1𝐼𝑄1
+ 𝐼𝑄2
• IGBT e MOSFET: Coeficiente positivo de
rDS,1 rDS,2
temperatura (“positive temperature coefficient” -
PTC). Contribui no sentido de balancear as
Queda de tensão a 25 A
correntes em Q1 e Q2;

• A chave que liga primeiro conduz toda a

Queda de tensão (V)

MOSFET
corrente, ainda que momentaneamente.

IGBT Fonte: Application Note AN-983 – “IGBT

Characteristics”. International Rectifier,
julho de 2012.
Temperatura (°C) 21
Aumento da Capacidade de Bloqueio de Tensão
• Associação série de dispositivos semicondutores:

Q1 + +
• VQ1 = VQ2 apenas se Q1 e Q2 são idênticos entre si;
VQ1 • Na prática, isso é impossível!

rDS,1 - 𝑉𝑉
𝑉= =𝑄1𝑉𝑄1
+ 𝑉𝑄2 • A chave que desliga primeiro bloqueia toda a
V tensão, ainda que momentaneamente.
+
Q2

VQ2

rDS,2 - -

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 Ampliação da Característica Estática
• Associação mista de dispositivos semicondutores:
Exemplo 1:
Característica
D1 D2 Estática Idealizada • Há sempre dois elementos
• Q1 e Q2 desligados
iAB
conduzindo corrente.
A B ON (Q1) • Q1 + D 2
Q1 Q2 0
vAB • Q1 e Q2 conduzem
ON (Q2) • Q2 + D 1 alternadamente entre si.

Exemplo 2:
Característica
D1 D3
Estática Idealizada • Q1 desligado • Há sempre três elementos
conduzindo corrente.
iAB
• D 1 + Q1 + D 2
Q1 ON (Q1) • Q1 necessariamente deve
A B 0
vAB
• D 3 + Q1 + D 4 estar em condução.
ON (Q1)
D4 D2
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• Utilização de Chaves Eletrônicas em E.P.
• Controlabilidade das Chaves Eletrônicas
• Aplicabilidade e Capacidades Máximas
• Tipos de Chaves Semicondutoras
• Associação de Chaves Semicondutoras
• Conclusões

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Conclusões
• Esta apresentação introduziu os interruptores estáticos de potência,
suas características básicas e regiões de operação;
• Foi apresentado brevemente que:
• As chaves dos conversores são implementadas por dispositivos
semicondutores de potência;
• Esses dispositivos são aproximações das chaves ideais;
• Existem diversos tipos de dispositivos que variam em capacidade de tensão,
corrente e velocidade de comutação;
• ...

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Conclusões
• Foi apresentado brevemente que:
• ...
• Os diversos tipos de dispositivos podem ser não controláveis, ter apenas o
disparo controlável ou serem totalmente controláveis;
• É possível associar dispositivos para se aumentar a capacidade de tensão
ou corrente e/ou obter chaves com característica estática ampliada.

• Há muitos detalhes construtivos e operacionais sobre cada dispositivo

que precisam ser conhecidos.

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OBRIGADO!
Grupo de Eletrônica de Potência
DEEB/CEFET-MG