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ROTEIRO DE

APRENDIZADO ATIVO
Eletrônica Analógica
Engenharias Transistores de Semana 05
Híbridas Efeito de Campo 07/06 - 11/06/2021

VÍDEO-POCKET LEARNING

Fala pessoal! Estamos aqui mais uma vez para o nosso encontro
telepresencial e vamos lá para o nosso roteiro.

No encontro de hoje iremos falar sobre os transistores de efeito de campo,


em especial sobre o MOSFET, que é um FET de campo metal-óxido-semicondutor.
Nas atividades propostas iremos fazer análises sobre as perdas de potências
que ocorrem nesses transistores enquanto estiverem ligados, desligados ou em
chaveamento (de ligado para desligado e vice-versa).

Você pode conferir um spoiler da nossa atividade de hoje assistindo ao vídeo-


pocket learning abaixo.

https://youtu.be/3FTd_qKdxUY
MÃO NA MASSA

Nesse encontro vamos dar início aos estudos dos transistores de efeito de
campo, semana que vem, como vocês podem acompanhar nos capítulos do livro,
iremos finalizar esses dispositivos abordando sua polarização.
Os transistores de efeito de campo se assemelham com os transistores
bipolares quando fazemos aquela analogia de uma válvula que irá controlar o fluxo
de passagem de um determinado “líquido”.
Como já vimos, os transistores bipolares controlam a saída de corrente
(coletor) através de uma corrente de base. Já o transistor de efeito de campo,
irá controlar a saída de corrente através de um campo elétrico produzido por
uma tensão aplicada na sua porta (gate).

Figura 01

Dentre os modelos vistos, iremos trabalhar no roteiro de hoje com o MOSFET,


que são os transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor. Eles
recebem esse nome pois o gate é isolado da pastilha que compõe o canal, por
meio de uma fina camada de (dióxido de silício), que é o mesmo vidro que
conhecemos.

Figura 02
O MOSFET pode operar como um transistor de chaveamento rápido,
caracterizado por uma alta impedância de entrada, apropriado para pequenas
potências e para aplicações de alta frequência, em torno de 100 kHz. Um MOSFET
tem aplicações importantes em fontes de alimentação chaveadas, nas quais
frequências altas de chaveamento necessitam de componentes menores e mais
econômicos.
O que irá controlar a condição de ligado ou desligado do transistor será a
tensão aplicada no gate, se não houver tensão aplicada, a chave estará
desligada.

Figura 03

Esse transistor de efeito de campo consegue transições mais rápidas entre os


estados ligado e desligado do que os transistores bipolares, esse é um dos motivos
que fez com que o MOSFET tomasse o lugar dos BJTs em aplicações de alta
frequência de chaveamento.
Quando utilizado em altas frequências, as perdas de chaveamento do
MOSFET são muito pequenas quando comparadas às do BJT. Contudo, a
queda de tensão no durante o estado ligado é alta, o que gera uma perda também
alta.
Existem 4 situações de perdas de potência no chaveamento do MOSFET, as
mesmas que vimos nos transistores bipolares, são elas: perdas nos estados
ligado e desligado e as perdas nos processos de ligação e desligamento da
chave.
Formulário para as atividades
𝑡ON = 𝑑 . 𝑇

𝑊ON = 𝐼 D2 . 𝑅DS(ON) . 𝑡ON

𝑃 = 𝑊.𝑓
𝑉𝐷𝑆 . 𝐼𝐷 . 𝑡𝑟
𝑊𝑆𝑊−𝑂𝑁 =
6
𝑉𝐷𝑆 . 𝐼𝐷 . 𝑡𝑓
𝑊𝑆𝑊−𝑂𝑓𝑓 =
6
𝑡𝑜𝑛
𝑃𝑂𝑁 = 𝐼𝐷2 . 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) .
𝑇
𝑡𝑜𝑓𝑓
𝑃𝑂𝐹𝐹 = 𝑉𝐷𝑆 . 𝐼𝐷𝑆𝑆 .
𝑇
𝑉𝐷𝑆 . 𝐼𝐷 . 𝑡𝑓
𝑊𝑂𝐹𝐹 =
6
𝑃𝑆𝑊𝑂𝑁 = 𝑊𝑂𝐹𝐹 . 𝑓
𝑉𝐷𝑆 . 𝐼𝐷 . 𝑡𝑟
𝑊𝑂𝑁 =
6
𝑃𝑆𝑊𝑂𝑁 = 𝑊𝑂𝑁 . 𝑓
Atividade 01

No ciicrcuito acima, a fonte de tensão DC Vs = 120V e a resistência de carga


𝑅𝐿 = 10Ω. Os parâmetros do MOSFET são tr = 1,5μs e 𝑅𝐷𝑆𝑂𝑁 = 0,1Ω. Se o ciclo
de trabalho for igual a d = 0,6 e a frequência de chaveamento for igual a 25 kHz,
determine:
a) a perda de potência no estado ligado.
b) a perda de potência durante o tempo de ligação.

Atividade 02
Um MOSFET tem os seguintes parâmetros 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 2𝑚𝐴, 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) = 0,3Ω, ciclo
de trabalho de 50%, 𝐼𝐷 = 6𝐴, 𝑉𝐷𝑆 = 100𝑉, 𝑡𝑟 = 100𝑛𝑠 𝑒 𝑡𝑓 = 200𝑛𝑠. Determine a
perda total de potência para uma frequência de chaveamento de 40kHZ e para
uma de 100kHZ.

REFERÊNCIA

GENTILIN, F. A. Eletrônica Analógica. Maringá-PR: UniCesumar, 2021.

MATERIAIS
EQUIPE PEDAGÓGICA
Livro didático, calculadora, lápis,
caneta e borracha HÍBRIDOS ENGENHARIAS

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