UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-ÁRIDO

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

Disciplina: Circuitos Eletrônicos II

Professor: Juan Rafael Filgueira Guerra

PRIMEIRA LISTA DE ATIVIDADE

BEATRIZ KARINE ALVES DE OLIVEIRA

MATRÍCULA: 2019023258

CARAÚBAS-UFERSA
AGOSTO, 2021

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1. Explique como ocorre o funcionamento de um FET. Determine os três tipos de FET, em
seguida estabeleça os desenhos que representam as distribuições das camadas para os três
casos, para isso, desenhe as distribuições das camadas de todos os tipos e explique como
ocorre a obtenção das regiões de operações de cada um dos dispositivos.
Resposta:
O Transistor de efeito de campo (FET) é um dispositivo de três terminais utilizado em
várias aplicações. Sendo que um desses terminais controla a corrente entre os outros dois.

Para o FET a corrente ID será em

função da tensão VGS aplicada ao
circuito de entrada, como mostra a
Figura 1. O FET é um dispositivo
unipolar que depende unicamente
da condução de elétrons (canal n)
ou lacuna (canal p).

Figure 1: Transistor de efeito de campo.

Existem três tipos de FET: o transistor efeito de campo de junção (JFET), o transistor
efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) e o transistor efeito de campo metal-
semicondutor (MESFET).
• o transistor efeito de campo de junção - JFET:

2. Explique o conceito de pinch-o, ele é aplicado a quais tipos de FET?

Resposta:

3. Diante do funcionamento do FET, quais as principais diferenças entre o TBJ e o FET?

Resposta:

• TBJ é um dispositivo controlado por corrente enquanto o JFET é um dispositivo

controlado por tensão.
• O FET possui uma alta impedância de entrada. Por outro lado, o transistor TBJ tem
sensibilidade muito maior as variações de sinais aplicados.
• Os ganhos de tensão CA dos amplicadores TBJ são geralmente muito maiores do
que aqueles com FET.
• Os FETs são mais estáveis, em termos de temperatura, e normalmente são menores
que os TBJs, o que os torna particularmente úteis na construção de chips de circuitos
integrados.
4. Justique o fato da corrente do gate IG, ser sempre aproximadamente igual a zero.
Resposta:

5. Explique a preferência do uso do circuito de polarização dos três tipos de FET por divisor
de tensão. Realize, a análise dos três tipos, de acordo com o livro base da disciplina.
Resposta:

6. Por quê, não é possível realizar a análise total do circuito FET por divisor de tensão de
forma analítica? sendo necessário utilizar a curva de transferência.
Resposta:

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 7. Explique qual a função dos capacitores de acoplamento, presentes no circuito quando a
aplicação do transistor envolve sinais alternados, aplicação como amplicador.
Resposta:

8. Explique o conceito e a dedução da equação de transcondutância gm.

Resposta:

9. Esboce o circuito equivalente AC para os três tipos de FET estudados. Explique o conceito
de impedância de saída Ro , e a representação da fonte de corrente dependente utilizada.
Resposta:

10. Resolva as seguintes questões do livro base da disciplinas:

• 12, 13, 14, 15, 23 do capítulo 7;