SEMANA 1: Materiais

semicondutores
Os materais para essa aula são baseados em imagens extraídas dos
livros Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Robert Boylestad e
Eletrônica vol. 1, Malvino.
Prof. Marcus Vinicius
Condutores
• São materiais que permitem a corrente fluir facilmente.
• São exemplos, cobre, prata e ouro.
Semicondutores
• Materiais que tem condutividade intermediária
Semicondutores de interesse: Silício e
Germânio
Níveis de energia
Tipos de semicondutores
• Semicondutor intrínseco: Semicondutor puro.
• Semicondutor extrínseco: Uma impureza é adicionada ao silício ou ao
germânio.
 • As características elétricas do silício e do germânio são
melhoradas pela adição de materiais em um processo
denominado dopagem.
• Há somente dois tipos de materiais semicondutores
dopados:

tipo n tipo p
Materiais do tipo n contêm Materiais do tipo p contêm
excesso de elétrons na um excesso de lacuna na
banda de condução. banda de valências.
Material do tipo N
O semicondutor intrínseco é dopado como elemento pentavelente.
São exemplos de dopantes para este material: Fósforo, arsênio e antimônio.
 Material do tipo P
O semicondutor intrínseco é dopado como elemento trivalente.
São exemplos de dopantes para este material: Boro, alumínio e gálio.
Junções p-n
• Uma extremidade de um cristal de silício ou germânio pode ser
dopada como um material do tipo p e a outra extremidade como um
material do tipo n.

• O resultado é uma junção p-n

Junções p-n

• Na junção p-n, o excesso de elétrons na banda de condução no lado do tipo n é

atraído para as lacunas na banda de valência no lado do tipo p.

• Os elétrons no material do tipo n migram ao longo da junção para o material do

tipo p (fluxo de elétrons).

• A migração de elétrons resulta em uma carga negativa no lado do tipo p da junção e

em uma carga positiva no lado do tipo n da junção.
Junções p-n
• O resultado é a formação de uma região de depleção em torno da junção.
Diodo semicondutor:
• Componente eletrônico, formado pela união de um cristal do tipo N a
um cristal do tipo p.
• Um diodo tem três condições de operação:

o Ausência de polarização.

o Polarização direta.

o Polarização reversa.
• O diodo é um dispositivo de dois terminais.

• Idealmente, um diodo conduz somente em uma única direção.

 Região de condução Região de não condução

• A tensão ao longo do diodo é de 0 V • Toda a tensão fica ao longo do diodo

• A corrente é infinita • A corrente é de 0 A
• A corrente direta é definida pela • A resistência reversa é definida pela
fórmula RF = VF / IF fórmula RR = VR / IR
• O diodo se comporta como um curto • O diodo se comporta como aberto
Condições de operação do diodo

_ _ _
+ + +_ + _ __
• Ausência de polarização
+ + _ +_ _ _
o Nenhuma tensão externa é aplicada: VD = 0 V. + + + +
o Não há corrente no diodo: ID = 0 A.

o Só uma modesta depleção.

Condições de operação do diodo
+ + _ _
• Polarização reversa
+ + _ _
o A tensão reversa faz com que a
área da região de depleção aumente. + + _ _

o Os elétrons no material do tipo n

são atraídos para perto do terminal
positivo da fonte de tensão.

• As lacunas no material do tipo p são atraídos para perto do

terminal negativo da fonte de voltagem.
 Condições de operação do diodo
• Polarização direta _ _
o A tensão direta faz com que a área da
+ + _ _
região de depleção diminua.
+ + _ _
o Os elétrons e lacunas são empurrados
+ +
em direção à junção p-n.

• Os elétrons e lacunas têm energia suficiente para cruzar a junção

p-n.
Características reais do diodo

• Observe que na região as

condições são de ausência de
polarização, polarização reversa
e polarização direta.

• Observe atentamente a escala

para essas condições.

ID = Is(𝑒 𝑉𝐷/𝑛𝑉𝑇 − 1)
 ID = Is(𝑒 𝑘𝑉𝐷/𝑇𝐾 − 1)

Is é a corrente de saturação reversa;

VD é a tensão de polarização direta aplicada ao
diodo
K=11600/𝜂 com 𝜂 = 1
TK=𝑇𝐶 + 273°

VT = kTK/q
Onde
k é a constante de Boltzmann = 1,38 × 10–23 J/K TK é a
temperatura absoluta em Kelvin = 273 + temperatura
em °C
q é a magnitude da carga eletrônica = 1,6 × 10–19 C
Portadores majoritários e minoritários

• Duas correntes ao longo de um diodo:

o Portadores majoritários
• Os portadores majoritários em materiais do tipo n são elétrons.
• Os portadores majoritários em materiais do tipo p são lacunas.

o Portadores minoritários
• Os portadores minoritários em materiais do tipo n são lacunas.
• Os portadores minoritários em materiais do tipo p são elétrons.
Região Zener

• A região Zener fica na região de polarização reversa do diodo.

• Em um certo momento, a voltagem da polarização reversa é tão

alta que o diodo é rompido e a corrente reversa aumenta
drasticamente.
• A tensão reversa máxima que não levará um diodo à região Zener é
denominada tensão de pico inversa ou tensão de pico reversa.

• A tensão que faz com que um diodo entre na região Zener de

operação é denominada tensão Zener (VZ).
Região Zener
Tensão de polarização direta

• O ponto no qual o diodo muda da condição de ausente de

polarização para a condição de com polarização direta ocorre
quando os elétrons e as lacunas fornecem energia suficiente para
cruzar a junção p-n. Essa energia vem da tensão externa aplicada ao
longo do diodo.
• A tensão de polarização direta necessária para um:
o Diodo de arseneto de gálio  1.2 V
o Diodo de silício 0.7 V
o Diodo de germânio  0.3 V
Efeitos da temperatura

• À medida que a temperatura aumenta, é adicionada energia ao

diodo.
• Ela reduz a tensão de polarização direta necessária para condução
de polarização direta.
• Ela aumenta a quantidade de corrente reversa na condição de
polarização reversa.
• Ela aumenta a tensão máxima de avalanche da polarização reversa.
• Os diodos de germânios são mais sensíveis a variações de
temperatura que os de silício ou de arseneto de gálio.
Níveis de resistência

• Semicondutores reagem de modo diferente a correntes CC e CA.

• Há três tipos de resistência:

o Resistência CC (estática).
o Resistência CA (dinâmica).
o Resistência CA média.
Resistência CC (estática)

• Para um tensão CC específica

aplicada (VD), o diodo tem uma
corrente específica (ID) e uma
resistência específica (RD).

VD
RD =
ID
 Resistência CA (dinâmica)

A derivada de uma função em um ponto é igual à inclinação da

linha tangente traçada nesse ponto.

𝜕 𝜕 11600 11600
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑘𝑉𝐷/𝑇𝐾 − 1 𝑘= = = 11600
𝜕𝑉𝐷 𝜕𝑉𝐷 𝜂 1
A temperatura ambiente=
𝜕𝐼𝐷 𝑘
= (𝐼𝐷 + 𝐼𝑆) TK=TC+273 = 25+273= 298°C
𝜕𝑉𝐷 𝑇𝑘

𝐾 11600
= = 38,93
Como ID é ≫ IS 𝑇𝐾 298
Invertendo o resultado para definir uma
razão de resistência (R = V/I), teremos 𝜕𝐼𝐷
𝜕𝐼𝐷 𝐾 = 38,98 𝐼𝐷
𝜕𝑉𝐷
= 𝐼𝐷
𝜕𝑉𝐷 𝑇𝐾
Invertendo o resultado para definir uma razão de resistência (R
= V/I), teremos

𝜕𝑉𝐷 0,026
=
𝜕𝐼𝐷 𝐼𝐷

26𝑚𝑉
𝑟𝑑 =
𝐼𝐷
Resistência CA (dinâmica)

• Na região de polarização direta:

26 mV
rd = + rB
ID
• A resistência depende da quantidade de corrente (ID) no diodo.
• A tensão ao longo do diodo é razoavelmente constante (26 mV
para 25C).
•rB varia de típico 0,1  para dispositivos de alta potência a 2  para
baixa potência, diodos de uso geral. Em alguns casos o rB pode ser
ignorado.
Resistência CA (dinâmica)

• Em região de polarização reversa:

rd = 

• A resistência é efetivamente infinita. O diodo se comporta como um aberto.

Resistência CA média

ΔVd
rav = pt. to pt.
ΔI d

• A resistência CA pode ser

calculada utilizando-se a corrente
e a tensão marca dois pontos na
curva característica do diodo.
Circuito equivalente do diodo
Capacitância do diodo

• Quando reversamente polarizada, a camada de depleção fica

muito grande. As fortes polaridades negativa e positiva do diodo
criam capacitância (CT). A quantidade de capacitância depende da
tensão reversa aplicada.

• Quando polarizada diretamente, a capacidade de armazenamento

ou a capacidade de difusão passa a existir à medida que a tensão do
diodo aumenta.
Capacitância do diodo
Tempo de recuperação reversa (trr)

• Tempo de recuperação reversa é o tempo necessário para um

diodo para de conduzir quando sua polarização é alternada de direta
para reversa.
Folhas de dados do diodo

• Folhas de dados do diodo contêm informações-padrão, fazem

comparações de diodos para verificar se necessitam ser substituídos
ou se seu design precisa ser melhorado.
1. Tensão direta (VF) a uma corrente e temperatura específicas.
2. Corrente direta máxima (IF) a uma temperatura específica.
3. Corrente de saturação direta (IR) a uma tensão e temperatura
específicas.
Folhas de dados do diodo

4. Taxa de tensão reversa, PIV ou PRV ou V(BR), a uma temperatura

específica.
5. O valor máximo de dissipação de potência a uma temperatura
específica.
6. Níveis de capacitância.
7. Tempo de recuperação reversa, trr.
8. Faixa de temperatura de operação.
Símbolo de diodo e
embalagem

• A abreviação de ânodo é a letra A.

• A abreviação de cátodo é a letra K.

Teste do diodo

• Diodos são comumente testado utilizando-se um desses tipos de

equipamento:

o Testador do diodo.
o Ohmímetro.
o Traçador de curva.
Testador do diodo

• Muitos multímetros digitais têm uma função de teste de diodo. O

diodo deve ser testado fora de circuito.
• Um diodo normal exibe sua tensão direta da seguinte forma:

o Arseneto de gálio  1.2 V

o Diodo de silício  0.7 V
o Diodo de germânio  0.3 V
Ohmímetro

• Um ohmímetro ajustado em um baixa escala de Ohms pode ser

utilizado para testar um diodo. O diodo deve ser testado fora do
circuito.
Traçador de curva

• Um traçador de curva exibe a curva característica de uma diodo no

circuito-teste.
• Essa curva pode ser comparada às especificações do diodo de uma
folha de dados.
Outros tipos de diodo

• Há muitos tipos de diodo além do padrão, o diodo de junção p-n.

Três dos mais comuns são:

o Diodos Zener.
o Diodos emissores de luz.
o Diode arrays.
Diodo Zener

• Um diodo Zener é aquele desenvolvido para

operar de modo seguro em sua região Zener, ou
seja, polarizado em uma tensão Zener (VZ).

• Faixas comuns de tensão de um diodo Zener

ficam entre 1.8 V e 200 V
Diodo emissor de luz (LED)

• Um LED emite luz quando está polarizado diretamente, o que pode

acontecer num espectro infravermelho ou visível.

• A tensão polarizada direta fica geralmente na faixa de 2 V a 3 V.

Diodo Arrays

• Múltiplos diodos podem ser embalados juntos em um circuito

integrado (CI).

• Está disponível no mercado uma

grande variedade de configurações
de diodo.