Aula 1 – Dispositivos Semicondutores II

Prof.: Juliano Machado

Tiristores:

Definição:

O nome Tiristor engloba uma família de

dispositivos semicondutores multicamadas, que operam em regime de
chaveamento, tendo em comum uma estrutura de no mínimo quatro camadas
semicondutoras numa seqüência P-N-P-N (três junções semicondutoras),
apresentando um comportamento funcional. Os tiristores permitem por meio da
adequada ativação do terminal de controle, o chaveamento do estado de
bloqueio para estado de condução, sendo que alguns tiristores (mas não todos)
permitem também o chaveamento do estado de condução para estado de
bloqueio, também pelo terminal de controle. Como exemplo de tiristores,
podemos citar o SCR e o TRIAC. No caso do tiristor SCR este se assemelha a
uma fechadura pelo fato da corrente poder fluir pelo dispositivo em um único
sentido, entrando pelo terminal de anodo e saindo pelo terminal de catodo. No
entanto difere de um diodo porque mesmo quando o dispositivo está
diretamente polarizado ele não consegue entrar em condução enquanto não
ocorrer a ativação do seu terminal de controle (terminal denominado porta, ou
gate em inglês).

Os Tiristores mais comuns são:

• UJT - unijunction transistor

• SCR
• TRIAC

Exemplo de encapsulamento de um tiristor:

Transistor Unijunção

O transistor unijunção (UJT) ou transistor de dupla base é um dispositivo

semicondutor com três terminais (Base 1, Base 2, Emissor) e uma junção,
construído a partir de uma barra de material N (P no complementar), levemente
dopada, na qual existe uma ilha de material P, fi gura 1.

Um dos terminais é chamado de emissor (E) e é de material tipo P. Entre as

extremidades da barra existem dois terminais, a base 2 (B2) e a base1 (B1).
Entre essas extremidades o dispositivo apresenta uma resistência ôhmica
chamada resistência interbases (RBB) cujo valor está compreendido entre 5K e
10K. Entre B2 e a junção existe uma resistência Rb2 e entre a junção e B1 uma
resistência Rb1. A soma dessas duas resistências é igual a RBB (resistência
interbases).
Com o emissor aberto, a resistência entre o emissor e a base 2 (Rb2) é menor
do que a resistência entre emissor e base 1 (Rb1).
O circuito equivalente e a polarização do UJT estão indicados na figura 2.

Acessem o link do youtube para aprofundar os estudos:

https://www.youtube.com/watch?v=5KRC2MxMBRI&feature=youtu.be