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UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-ÁRIDO

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

Disciplina: Laboratório de Circuitos Eletrônicos


Professor: Juan Rafael Filgueira Guerra

Prática 03 - Polarização CC de Transistores de Junção Bipolar I

Alicia Mayra Araújo de Oliveira


Beatriz Karine Alves de Oliveira
Édney Matheus Viana Freitas

CARAÚBAS-UFERSA
AGOSTO, 2021

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1 Primeiro Experimento - Polarização CC de Transistores de
Junção Bipolar I (Identificação de um transistor por meio do
multímetro digital)
1.1 Objetivo
Esse primeiro procedimento visa a compreensão do funcionamento do TBJ e suas caracterís-
ticas físicas que possibilitam a identificação do seu tipo, PNP ou NPN.

1.2 Procedimento Experimental


Foi utilizado o software Proteus com o objetivo de análisar o funcionamento de transistores
TBJ. Os transistores utilizados no estudos foram o BC548 e o BC558, ilustrados na Figura 1.

Figure 1: Transistores de Junção Bipolar.

1.3 Análise dos dados e questionários


1. Esse primeiro procedimento visa a compreensão do funcionamento do TBJ e suas caracterís-
ticas físicas que possibilitam a identificação do seu tipo, PNP ou NPN.
Resposta:
Para o teste de transistores do tipo PNP e NPN, podemos considerar o transistor como
um arranjo de dois diodos e esse teste é feito com o multímetro. Para isso, é só verificar se as
suas junções conduzem quando polarizadas diretamente, e não conduzem quando polarizadas
indiretamente.
Quando o transistor é do tipo NPN, quer dizer que a base é do tipo P, então será o único
terminal que irá conduzir para os outros terminais. Na junção base-coletor do tipo NPN, a
base conectada na ponteira positiva e o coletor na ponteira negativa, deve haver uma tensão
de condução e com polarização invertida não irá ter condução. Na junção base-emissor ocorre
o mesmo processo, irá ter condução quando a base estiver conectada positivamente o emissor
negativamente, caso contrário não irá conduzir.
Quando a junção é do tipo PNP, quer dizer que a base é do tipo N. Nesse caso, a base
deve está conectada no nevativo, nas duas junções base-coletor e base-emissor para haver uma
tensão de condução. Os valores de tensão obtidos no teste variam entre 0,5V e 0,7V.
Para verificar se os terminais coletor-emissor não estão em curto é preciso conectar o
positivo no coletor e negativo no emissor e com isso não pode haver condução, então indica
que o transistor está em bom estado.

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2. De acordo com os valores das resistências apresentados nas Tabelas 3 e 4, defina quais são os
terminais Coletor, Base e Emissor. Comente como foi possível a partir das Tabelas 3 e 4.
Resposta:
Para identificar os terminais base, coletor e emissor usando os valores das resistências,
é preciso medir primeiramente a resistência, dois a dois, dos terminais trocando a posição
da ponta de prova do multímetro. Aqueles dois terminais que possuem maiores resistências,
serão coletor e emissor, então o que sobra de menor resistência é a base.
Conhecendo o terminal base, agora é possível encontrar o coletor e o emissor mais facil-
mente. Medindo a resistência entre a base e o outro terminal e encontrando uma resistência
mais baixa, temos que esse terminal é emissor. Se encontrar uma resistência mais alta esse ter-
minal é o coletor. Ou seja, a resistência entre a base e coletor é mais alta do que a resistência
entre a base e o emissor.

3. De acordo com todas as conclusões retiradas do experimento, esboce um circuito equivalente


ao funcionamento do transistor utilizando diodos.
Resposta:
Os terminais de um transistor se comporta como diodos semicondutores, conduzindo a
corrente num sentido e em outro não. Os transistores podem ser comparados a dois diodos
ligados em oposição, ilustrado na Figura 2 e 3.

Figure 2: Circuito equivalente a um transistor NPN.

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Figure 3: Circuito equivalente a um transistor PNP.

2 Segundo Experimento - Polarização CC de Transistores de Junção


Bipolar I (Polarização CC configuração emissor comum)
2.1 Objetivo
O segundo procedimento consiste no entendimento de como ocorre a polarização CC por meio
de circuito divisor de tensão e configuração emissor comum.

2.2 Procedimento Experimental


Desenvolveu-se o circuito da Figura utilizando o software Proteus. O transistor utilizado
foi um de configuração NPN, onde a junção emissor/base é diretamente polarizado e a junção
base/coletor é inversamente polarizado.

Figure 4: Polarização CC de transistores por divisor de tensão

Utilizando três configurações de resistências diferentes, obtivemos os valores de:

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• Queda de tensão em cada resistor:

Valores medidos VR1 VR2 VRC VRE


Primeiros Valores 9, 74 V 2, 26 V 5, 54 mV 1, 73 V
Segundos Valores 9, 74 V 2, 26 V 11, 7 mV 1, 72 V
Terceiros Valores 0, 54 V 11, 5 V 73, 9 mV 10, 9 V

Tabela 1: Valores obtidos através da simulação.

• Tensão elétrica entre os terminais do transistor:

Valores medidos VBE VCE VCB


Primeiros Valores 0, 52 V 10, 3 V 9, 74 V
Segundos Valores 0, 54 V 10, 3 V 9, 73 V
Terceiros Valores 0, 59 V 1, 06 V 0, 47 V

Tabela 2: Valores obtidos através da simulação.

• Correntes no coletor, base e emissor:

Valores medidos IC IB IE
Primeiros Valores 3, 68 µA 0, 01 µA 3, 69 µA
Segundos Valores 7, 77 µA 0, 02 µA 7, 80 µA
Terceiros Valores 49, 2 µA 0, 20 µA 49, 4 µA

Tabela 3: Valores obtidos através da simulação.

2.3 Análise dos dados e questionários


1. De acordo com as correntes medidas, definia o ganho β para cada um dos conjuntos de valores.
Esboce a curva de ponto quiescente para cada caso.
Resposta:
O ganho β é dado pela Equação 1.
IC
β= (1)
IB
• Primeiros valores:

3, 68
β= = 368
0, 01

• Segundos valores:

7, 77
β= = 388, 5
0, 02

• Terceiros valores:

49, 2
β= = 246
0, 20

5
Os pontos quiescentes são os pontos de operação dentros das curvas características de um
transistor. Eles são analisados utilizando o gráfico da curva característica (VCE × IC ). Com
isso, com os valores de VCE e IC os pontos quiescentes podem ser "plotados".
Com os valores obtidos da simulação observado nas Tabelas 2 e 3, pode-se demostrar
os pontos em gráfico. Como os valores das correntes do coletor são muito pequenas (mi-
croampere) e o gráfico usado, retirado do datasheet do BC548, se encontra em uma escala em
miliampere, os resultados não foram muitos animadores pelo fato da observação ser limitada.

Figure 5: Pontos quiescentes dos três circuitos

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2. Realize, para cada caso, o cálculo teórico de correntes e tensões para cada resistor utilizando
um ganho β = 100. Compare os valores com os medidos, explique as possíveis divergências.
Resposta:

• Primeiros valores:

A Figura 6, ilusta o circuito com os primeiros valores de resistências fornecidos no relatório,


diante disso, foi possível calcular todos os valores teóricos de tensões e correntesa através da
polarização por divisor de tensão.

Figure 6: Circuito com os primeiros valores de resistências.

Fazendo a análise aproximada e utilizando β = 100, temos:

βRE ≥ 10R2 (2)

100 · 470K ≥ 10 · 5, 1K
47M ≥ 51K

Tensão em cima do R3 :

R3 · Vcc
VR3 = (3)
R1 + R3

5, 1K · 12
V R3 = = 2, 26 V
22K + 5, 1K

A queda de tensão no resistor do emissor:

VR4 = VR3 − VBE (4)

Considerando que a tensão entre os terminais da base para emissor é igual a 0, 7 V , temos:

VR4 = 2, 26 − 0, 7
VR4 = 1, 56 V

7
Corrente através do emissor:

V R4 1, 56
IE = = (5)
RE 470K

IE = 3, 32 µA

Corrente através da base:

IE 3, 32µ
IB = = (6)
β+1 100 + 1

IB = 0, 033 µA

Corrente através do coletor:

IC = β · IB (7)

IC = 100 · 0, 033µ = 3, 32 µA

Queda de tensão no coletor:

VR2 = IC · RC (8)

VR2 = 3, 32µ · 1, 5K = 4, 92 mV

Queda de tensão no resistor R1 :

R1 · Vcc 22K · 12
V R1 = = (9)
R1 + R2 22K + 5, 1K

VR1 = 9, 74 V

Queda de tensão entre os terminais do coletor/emissor:

VCE = VCC − IC · (RC + RE ) (10)

VCE = 12 − 3, 32µ · (1, 5K + 470K)


VCE = 10, 43 V

Queda de tensão entre os terminais coletor/base:

VCE = VBE + VCB (11)

VCB = 10, 43 − 0, 7
VCB = 9, 73 V

8
• Segundos valores:

A Figura 7, ilusta o circuito com os segundos valores de resistências fornecidos no relatório,


diante disso, foi possível calcular todos os valores teóricos de tensões e correntesa através da
polarização por divisor de tensão.

Figure 7: Circuito com os segundos valores de resistências.

Fazendo a análise aproximada e utilizando β = 100, temos:

βRE ≥ 10R2 (12)

100 · 220K ≥ 10 · 5, 1K
22M ≥ 51K

Tensão em cima do R3 :

R3 · Vcc
VR3 = (13)
R1 + R3

5, 1K · 12
V R3 = = 2, 26 V
22K + 5, 1K

A queda de tensão no resistor do emissor:

VR4 = VR3 − VBE (14)

Considerando que a tensão entre os terminais da base para emissor é igual a 0, 7 V , temos:

VR4 = 2, 26 − 0, 7
VR4 = 1, 56 V

Corrente através do emissor:

V R4 1, 56
IE = = (15)
RE 220K

9
IE = 7, 1 µA

Corrente através da base:

IE 7, 1µ
IB = = (16)
β+1 100 + 1

IB = 0, 0703 µA

Corrente através do coletor:

IC = β · IB (17)

IC = 100 · 0, 0703µ = 7, 03 µA

Queda de tensão no coletor:

VR2 = IC · RC (18)

VR2 = 7, 03µ · 1, 5K = 10, 53 mV

Queda de tensão no resistor R1 :

R1 · Vcc 22K · 12
V R1 = = (19)
R1 + R2 22K + 5, 1K

VR1 = 9, 74 V

Queda de tensão entre os terminais do coletor/emissor:

VCE = VCC − IC · (RC + RE ) (20)

VCE = 12 − 7, 03µ · (1, 5K + 220K)


VCE = 10, 44 V

Queda de tensão entre os terminais coletor/base:

VCE = VBE + VCB (21)

VCB = 10, 44 − 0, 7
VCB = 9, 74 V

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• Terceiros valores:

A Figura 8, ilusta o circuito com os terceiros valores de resistências fornecidos no relatório,


diante disso, foi possível calcular todos os valores teóricos de tensões e correntesa através da
polarização por divisor de tensão.

Figure 8: Circuito com os segundos valores de resistências.

Fazendo a análise aproximada e utilizando β = 100, temos:

βRE ≥ 10R2 (22)

100 · 220K ≥ 10 · 470K


22M ≥ 4, 7M

Tensão em cima do R3 :

R3 · Vcc
VR3 = (23)
R1 + R3

470K · 12
VR3 = = 11, 46 V
22K + 470K

A queda de tensão no resistor do emissor:

VR4 = VR3 − VBE (24)

Considerando que a tensão entre os terminais da base para emissor é igual a 0, 7 V , temos:

VR4 = 11, 46 − 0, 7
VR4 = 10, 76 V

Corrente através do emissor:

V R4 10, 76
IE = = (25)
RE 220K

IE = 48, 90 µA

11
Corrente através da base:

IE 48, 90µ
IB = = (26)
β+1 100 + 1

IB = 0, 4842 µA

Corrente através do coletor:

IC = β · IB (27)

IC = 100 · 0, 4842µ = 48, 42 µA

Queda de tensão no coletor:

VR2 = IC · RC (28)

VR2 = 48, 42µ · 1, 5K = 72, 64 mV

Queda de tensão no resistor R1 :

R1 · Vcc 22K · 12
V R1 = = (29)
R1 + R2 22K + 470K

VR1 = 0, 54 V

Queda de tensão entre os terminais do coletor/emissor:

VCE = VCC − IC · (RC + RE ) (30)

VCE = 12 − 48, 42µ · (1, 5K + 470K)


VCE = 1, 27 V

Queda de tensão entre os terminais coletor/base:

VCE = VBE + VCB (31)

VCB = 1, 27 − 0, 7
VCB = 0, 57 V

Todos os valores calculados encontram-se nas Tabelas 4, 5 e 6.

Valores teóricos VR1 V RC V R3 V R4


Primeiro valores 9, 74 V 4, 92 mV 2, 26 V 1, 56 V
Segundos valores 9, 74 V 10, 53 mV 2, 26 V 1, 56 V
Terceiros valores 0, 54 V 72, 64 mV 11, 46 V 10, 76 V

Tabela 4: Queda de tensão calculada nos resistores.

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Valores teóricos VCE VCB VBE
Primeiro valores 10, 43 V 9, 73 V 0, 7 V
Segundos valores 10, 44 V 9, 74 V 0, 7 V
Terceiros valores 1, 27 V 0, 57 V 0, 7 V

Tabela 5: Queda de tensão calculada entre os terminais do transistor.

Valores teóricos IC IB IE
Primeiro valores 3, 32 µA 0, 033 µA 3, 32 µA
Segundos valores 7, 03 µA 0, 0703 µA 7, 1 µA
Terceiros valores 48, 42 µA 0, 4842 µA 48, 90 µA

Tabela 6: Correntes do coletor, base e emissor calculadas.

3. De acordo com todos os valores obtidos na prática, defina as regiões de corte, ativa e saturação
do transistor, e com o auxilio do datasheet, conclua a região correspondente a cada combinação
de circuito.
Resposta:
Observando a Figura 5, podemos deduzir que o primeiro e o segundo circuito ficaram na
região de corte, e divergindo dos demais, deduzimos que o terceiro circuito ficou na região ativa.
Não foi possível afirmar em quais regiões os circuitos estavam operando pois o desempenho deu
abaixo do esperado, em consequência disso, não foi possível observar com clareza as regiões
de operação no gráfico disponibilizado pelo datasheet do transistor.

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