CENTRO FEDERAL DE EDUCAÇÃO TECNOLÓGICA CELSO

SUCKOW DA FONSECA – CEFET/RJ

PRÁTICA DE ELETRÔNICA II: RELATÓRIO 1

Prática do aluno(a):

Isaac Nogueira Páscoa

Grupo: Isaac Nogueira Páscoa, Matheus Amaral Kovaleski, Vitória Araujo R. de Oliveira

Professora: Professora: Milena Faria Pinto

Rio de Janeiro
Julho de 2021

1. Introdução
Nessa prática de Eletrônica II, foi abordado o uso do transistor bipolar de junção npn. O TBJ
possui em sua forma de construção três terminais, a base, coletor e o emissor. O TBJ é
controlado por corrente elétrica, onde uma pequena corrente na base pode provocar um fluxo
de corrente muito maior no emissor.

Um dos fatores que influencia a operação de um TBJ é a sua variação térmica. Por serem muito
sensíveis a temperatura, os dispositivos semicondutores sofrem alteração no seu ponto de
operação. Por esse motivo, a polarização na base por divisão de tensão, no circuito da prática,
é utilizada, pois ela ameniza as variações térmicas do semicondutor no circuito.

Esse tipo de circuito é usado para forçar uma polarização direta na junção base-emissor. Dessa
forma, faz-se com que o transistor não dependa tanto do ganho (β).

O circuito feito no MicroCap ficou desta forma:

Figura 1: circuito no MicroCap

Para facilitar o cálculo das correntes e tensões na base, emissor e coletor, faremos uma análise
do circuito e demonstraremos as etapas do cálculo. Decidimos atacar o circuito por meio do
método de Thévenin
 Primeiramente, achamos o V TH e RTH , sendo:

V 1× R 2 R 1× R 2
V TH = ∧R TH =
R 1+ R 2 R 1+ R 2

Pela Lei de Kirchhoff da tensão, faremos as seguintes análises:

→ Base-emissor

V TH −V Rth −V BE −V R 4=0

V TH −( I B × RTH ) −V BE −( I E × R 4 ) =0

( 1 ) I E=I C + I B( 2 ) I C =I B × β( 3 ) I E =I B × ( 1+ β )( 4 ) V BE=constante

I B × [ RTH + ( β +1 ) × R 4 ]=V TH −V BE

V TH −V BE
I B=
RTH +( β +1)× R 4

→ Coletor-emissor

12−V RC −V CE −V BE=0

12−( I C × R 3 ) −( I E × R 4 )−V BE=0

( 1 ) I C ≅ I E( 2 ) V E =I E × R 4

V CE =12−I C × ( R 3+ R 4 )

V C =V CE +V E
2. Realizando a prática
Para achar o valor das tensões e correntes da base, coletor e emissor (Figura 1), na prática,
usamos o programa MicroCap, e chegamos aos seguintes resultados:

Figura 2: Circuito no Micro-Cap

IB 2,06µA VB 1,51V
IE 867,47µA V E 867,47mV
IC 865,41µA V C 6,12V

Para realizar a segunda medição das tensões, agora com um resistor de 220Ω em paralelo
com o resistor R4, foi construído um novo circuito:
 Figura 3: Circuito com novo resistor de 220Ω
Com isso, os novos resultados de tensão encontrados, foram:

VB 982mV
VE 317,6mV
VC 381mV

Os resultados das correntes fora: I B=52,53 μA ; I E =1,76 mA ; I C =1,71 mA . Esses resultados

foram usados para calcular a comparação do ganho entre os circuitos.

3. Resultados

Sobre o seu funcionamento, foi possível verificar que as três tensões baixam muito quando
inserido resistor em paralelo com o R4 no primeiro circuito, principalmente a tensão do
coletor. É possível visualizar também como o β diminui consideravelmente em relação ao
primeiro circuito. Embora o β dependa do transistor, ele pode sofrer variações de acordo
com o valor de I C. Assim, para valores muito elevados de corrente, o β diminui. Ainda com
relação às especificações de correntes, o fabricante fornece, às vezes, os valores limites das
correntes de base e de emissor. Isso significa que o β de um transistor nos informa quantas
vezes ele pode ampliar a corrente que seja forçada a circular pela sua base na configuração
indicada, num circuito de corrente contínua.

Após colocar um novo resistor em paralelo com R4, pode-se perceber que a resistência
equivalente no emissor diminui muito, consequentemente, o valor da corrente na base
( I ¿¿ B) ¿aumenta, devido a relação descrita anteriormente. Como I B influencia diretamente
I C, a corrente no coletor também sofre variação. Por isso, pode-se concluir que alterando os
valores de R4, mesmo que colocando um resistor em paralelo com uma resistência
relativamente pequena, provoca grande diferença no circuito.

Outro ponto importante que é valido ressaltar é a grande variedade de transistores e suas
propriedades, o que dificulta a aproximação entre o valor calculado e o valor esperado na
prática.

I C 865
Em relação ao ganho, podemos afirmar que primeiramente, seu valor é: β=
≅ ≅ 432,5
IB 2
e quando colocado o resistor de 220Ω, o ganho sofre variação muito grande:
1,71× 10−3
β= =32,55.
52,53× 10−6

VERSÃO FINAL