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UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO

Instituto de Física

FGE 213 – FÍSICA EXPERIMENTAL 3


Prof. Leandro Romero Gasques

Experiência 3 – Curvas características


Eduardo, Roberto, Sebastian

O objetivo desta experiência é obter as curvas características para os elementos resistivos


não lineares, filamento de uma lâmpada, LED e transistor e para a célula solar.

1. Introdução
Um gráfico da corrente elétrica I em função da tensão V é chamado curva característica do
bipolo, se este gráfico servir para caracterizar o comportamento do bipolo sob determinadas condi-
ções ambientais. A curva característica de um bipolo é somente obtida em condições de temperatura,
luminosidade, pressão, entre outros, constantes e independentes da corrente aplicada.

1.1. Lei de Stefan-Boltzmann


Qualquer corpo aquecido a uma temperatura T, usualmente transfere calor para o ambiente
por meio dos seguintes mecanismos:
• Emissão de radiação eletromagnética conforme a lei de Stefan-Boltzmann;
• Condução de calor aos corpos sólidos adjacentes;
• Condução de calor a um fluido adjacente e convexão do fluido aquecido.
Conforme a lei de Stefan-Boltzmann, a potência irradiada para fora de um corpo ã tempera-
tura absoluta T é dada por

Pem = ε ⋅ S ⋅ σ B ⋅ T 4 (Eq. 1)

onde σB é a constante de Stefan-Boltzmann, S é a área e ε é a emissividade total da superfície emis-


sora. A emissividade ε é uma quantidade adimensional que assume o valor entre 0 e 1. Para uma
superfície perfeitamente refletora ε = 0 (espelho perfeito) e para uma superfície perfeitamente absor-
vedora ε = 1 (corpo negro ideal). A temperatura deve ser dada em kelvin.
Se o corpo estiver a uma temperatura T0, os corpos vizinhos também emitem radiação ele-
tromagnética de acordo com a mesma lei. Assim, o corpo aquecido também estará absorvendo uma
potência

Pabs = ν ⋅ S ⋅ σ B ⋅ T0
4
(Eq. 2)

onde ν é um coeficiente adimensional chamado absortividade total, que assume valores semelhantes
à emissividade total. Mas, em geral, a absortividade total ν e a emissividade total ε são diferentes,
para temperaturas T e T0 diferentes.
Portanto, a potência liqüida que é irradiada por um corpo à temperatura T é dada por

(
Pir = Pem − Pabs = S ⋅ σ B εT 4 − νT0
4
) (Eq. 3)

Estando o corpo à mesma temperatura T0 de seus vizinhos e ν = ε, potência líqüida irradia-


da é nula. Isto é, a potência emitida pelo corpo é igual à potência absorvida.
No caso em que o corpo está a uma temperatura bem maior que T0, o termo proporcional a
4
T0 pode ser desprezado da Eq. 3 e obtém-se

Pir ≅ Sσ B εT 4 (Eq. 4)

1.2. Filamento de uma lâmpada


Em uma lâmpada comum, o filamento de tungstênio permanece em um invólucro de vidro
que contém um gás inerte a baixa pressão. O gás deve proporcionar pressão suficiente para que o
filamento não sublime, evitando assim o enegrecimento do vidro. No entanto, a condutividade térmica
E3 – Curvas características

e a pressão do gás devem ser suficientemente baixas para reduzir as perdas de calor por condução e
convexão. Desta forma o filamento pode atingir altas temperaturas sem se oxidar nem queimar, sem
sublimação e com pequenas perdas por condução e convexão do gás.
A potência elétrica de um circuito para o filamento de uma lâmpada com corrente I e sob
tensão V é

Pel = VI (Eq. 5)

A energia correspondente transforma-se em calor no filamento e, em regime estacionário, o


calor é transferido do filamento para o meio ambiente por irradiação, condução de calor para os ter-
minais de suporte do filamento ou convexão pelo gás residual na lâmpada. Devido à baixa pressão,
baixa condutividade térmica do gás e à geometria do filamento, pode-se desprezar a condução e a
convexão de calor, admitindo-se assim que toda potência elétrica é irradiada, conforme a lei de Ste-
fan-Boltzmann, ou seja

Pel ≅ Pir ≅ Sσ B εT 4 (Eq. 6)

1.3. LED (light emitting diode)


O diodo ideal é um elemento que conduz perfeitamente a corrente elétrica em um sentido e
não conduz no sentido contrário. No caso de corrente direta, a resistência é nula, enquanto que para
corrente reversa a resistência é infinita. Sua maior utilidade consiste em direcionar o fluxo de energia
somente em um único sentido, uma espécie de válvula.
O diodo real apresenta algumas limitações,
• Tensão direta não nula, o que significa resistência não nula para corrente direta, logo
há dissipação de potência no próprio diodo;
• Resistência reversa finita, significando que existe uma pequena corrente reversa;
• Existe um valor máximo para a tensão reversa, além do qual o diodo conduz significati-
vamente.
Um LED é um diodo construído de forma a emitir luz visível ou infravermelha sob tensão di-
reta.

1.4. Célula solar


A célula solar é um gerador fotovoltaico, um gerador que converte energia luminosa em
energia elétrica. A força eletromotriz depende da incidência de luz sobre a célula. Sob iluminação ela
não é um elemento resistivo, já que não obedece a uma relação do tipo V=RI. Basta observar que a
célula solar gera força eletromotriz mesmo quando não há corrente.
Sob condições ambientais fixas, principalmente luminosidade e temperatura, uma célula so-
lar tem curva característica definida. Uma caracterização completa poderia ser feita por meio de “fa-
mílias de curvas características” para diferentes condições de luminosidade e diferentes temperatu-
ras.

1.5. Transistor
O transistor é um semicondutor de
três terminais, sendo eles o coletor C, o emis- C E
sor E e a base B, representados na figura 1. O
transistor permite que passe uma corrente en-
tre o coletor e o emissor caso haja uma tensão B
específica na base. Uma espécie de porteiro
para a corrente elétrica. Figura 1. Esquema de um transistor NPN
A curva característica de um transis-
tor mostra sua região de operação, tais como
região de saturação, de corte, ativa e de ruptura.

2
E3 – Curvas características

2. Arranjo experimental
A figura 1 demonstra um circuito para
a obtenção das curvas características de um
elemento resistivo. No entanto existe um desvio
da corrente para o voltímetro. Como trata-se de
um elemento de resistência interna R=10MΩ,
ocorre uma diferença de 2µA para tensões na
casa de 20V, que esta será desprezada na
maioria dos casos salvo para resistências de
valor muito elevado.
A resistência R no circuito da figura
ao lado é somente utilizada como resistência
de proteção para alguns circuitos. Recomenda-
se utilizar esta resistência nos casos em que o Figura 2. Circuito usual para obter-se a curva
componente X não suporte tensão maior que característica de um elemento resistivo
alguns volts.

2.1. Célula solar


Para obter a curva característica de
uma célula solar utiliza-se o circuito ilustrado na
figura 2. Utilizando-se diversos valores para a
resistência RC, lê-se diretamente a tensão V na
a bateria solar e a corrente é obtida pela lei de
Ohm, desprezando-se a corrente no voltímetro.
Durante o experimento obtém-se os
dados com o uso de uma caixa de resistores,
mantendo a iluminação sobre as células sola-
res fixa. Controlando sempre a temperatura e a
intensidade da luz, mantendo a bateria “em
aberto”, ou seja RC = ∞. Figura 3. Circuito para obter a curva característica
da célula solar.
Os resultados são tratados a seguir.

2.2. Transistor
Para obter a curva característica de
um transistor, é necessário montar um circuito
como o da figura 4. São tomados os dados
para duas curvas para correntes diferentes na
base do transistor, utilizando-se os dois poten-
ciômetros para ajustá-las.

Figura 4. Circuito para obter a curva característica


do transistor.

3
E3 – Curvas características

3. Dados e Resultados

3.1. Filamento de uma lâmpada


Para obter a curva característica, foi utilizado o circuito representado pela figura 1 sem re-
sistência de proteção R. No entanto, para poder determinar a resistência RL0 da lâmpada à tempera-
tura ambiente utiliza-se uma resistência de proteção R suficientemente alta, (10±5%)kΩ, de modo que
a tensão e a corrente na lâmpada atinjam valores mínimos para que possam ser medidos.
A tabela 1 mostra os dados obtidos para determinar a resistência RL0 da lâmpada em tem-
peratura ambiente.
Tensão Corrente
(V±0,5%)V (I±1%) A
0,0120 0,00050
0,0242 0,00100
0,0363 0,00150
0,0461 0,00190
0,0588 0,00240
0,0773 0,00314

Tabela 1. Tensão e corrente sob a lâmpada.


Com os dados acima e com o auxílio da curva característica ilustrada no gráfico 1, é possí-
vel determinar o valor da resistência da lâmpada por regressão linear.

0,09

0,08

0,07

0,06

0,05
Tensão [V]

0,04

0,03

0,02

0,01

0,00
0,0005 0,0010 0,0015 0,0020 0,0025 0,0030 0,0035
Corrente [I]

Gráfico 1. Curva característica para determinar resistência da lâmpada.

O coeficiente angular da reta ajustada sobre a curva característica é o valor da resistência


da lâmpada RL0=(24,5±0,1)Ω.

4
E3 – Curvas características

Prosseguindo a análise da relação entre corrente e tensão para uma lâmpada, será constru-
ída a curva característica para tensões entre 0 e 32V. Através da relação entre a resistência da lâm-
pada sob certa corrente e sua resistência RL0 pode-se estimar a temperatura consultando-se tabelas
e gráficos em literatura técnica.
Tensão Corrente Potência Temperatura
(V±0,5%)V (I±1%)A (P±1,1%) W (T±1)*10 K
0,50 0,01365 0,00683 37
1,01 0,01810 0,01828 52
2,00 0,02320 0,04640 78
2,10 0,02370 0,04977 78
2,98 0,02800 0,08344 92
5,01 0,03680 0,18437 113
8,36 0,04920 0,41131 138
9,94 0,05440 0,54074 151
13,96 0,06600 0,92136 169
17,26 0,07530 1,29968 180
19,72 0,08140 1,60521 189
22,20 0,08700 1,93140 198
24,40 0,09200 2,24480 204
26,20 0,09610 2,51782 210
28,10 0,09990 2,80719 213
31,50 0,10690 3,36735 222

Tabela 2. Tensão, corrente, potência e temperatura sob a lâmpada

35

30

25

20
Tensão [V]

15

10

0
0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,07 0,08 0,09 0,10 0,11 0,12
Corrente [A]

Gráfico 2. Curva característica da lâmpada.

5
E3 – Curvas características

Esta curva tem um comportamento bastante próximo a uma função de polinômio de grau
baixo. Para verificar a lei de Stefan-Boltzmann deve-se verificar a relação entre a potência elétrica da
lâmpada e a temperatura do filamento.

4,0

3,5

3,0

2,5
Potência [W]

2,0

1,5

1,0

0,5

500 1000 1500 2000 2500


Temperatura [K]

Gráfico 3. Relação entre potência elétrica e temperatura.

A curva acima não é conclusiva, portanto será traçada a curva log(P) x log(T) para a relação
entre a potência e a temperatura seja mais expressiva.

6
E3 – Curvas características

0,5

0,0
Potência [log(W)]

-0,5

-1,0

-1,5
2,9 3,0 3,1 3,2 3,3 3,4
Temperatura [log(K)]

Gráfico 4. log(P) x log(T).

Nota-se que a reta ajustada encaixa-se bem nos pontos experimentais, obtendo-se a se-
guinte função,

log(P ) = (4,05 ± 0,06) log(T ) − (13,1 ± 0,2)


O coeficiente angular da reta ajustada é experimentalmente igual ao valor esperado, lembrando-se da
expressão da eq. 6. A partir da expressão da reta ajustada podemos obter ainda,

10 −13,1± 0, 2 2
εS = m ,
σB
sendo que conhecendo-se a superfície do filamento, pode-se determinar a emissividade ε da lâmpa-
da.
3.2. LED
Para a obtenção da curva característica do LED, é utilizado uma resistência de proteção
para evitar que a corrente ultrapasse 40mA. O limite de 8V também fora respeitado para a tensão
reversa. Todos os dados foram obtidos para um LED de cor amarela.
Tensão Corrente
(V±0,5%) V (I±1%) A
0,792 0,000001
0,924 0,000006
0,994 0,000010
1,117 0,000025
1,435 0,000050
1,590 0,000100
1,642 0,000200

7
E3 – Curvas características

Tensão Corrente
(V±0,5%) V (I±1%) A
1,667 0,0003
1,692 0,0005
1,727 0,0010
1,750 0,0015
1,767 0,0020
1,792 0,0030
1,813 0,0040
1,843 0,0060
1,871 0,0080
1,907 0,0120
1,932 0,0150
1,961 0,0190
1,984 0,0220
2,01 0,0300

Tabela 3. Tensão e corrente sob LED amarelo, tensão direta.

2,1
2,0
1,9
1,8
1,7
1,6
1,5
Tensão [V]

1,4
1,3
1,2
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,000 0,005 0,010 0,015 0,020 0,025 0,030 0,035
Corrente [A]

Gráfico 5. Curva característica do LED amarelo, tensão direta.

Ajustando-se uma função exponencial aos pontos, obtém-se a seguinte expressão,

I = 5,19 ⋅ e 8,97V .
Este é um resultado que não deve ser considerado correto, pois a função não está bem ajustada aos
pontos experimentais. Teoricamente a função deveria ter um comportamento exponencial que não
pode ser observado perfeitamente, tornando os resultados da curva característica do LED sob tensão
direta não conclusivos.

8
E3 – Curvas características

Aplicando-se tensão reversa sobre o LED observa-se o que segue,

-1,5
-2,0
-2,5
-3,0
-3,5
-4,0
-4,5
-5,0
Tensão [V]

-5,5
-6,0
-6,5
-7,0
-7,5
-8,0
-8,5
-9,0
-9,5
-6 -7 -7 -7 -7 -7 -7 -7 -7
-1,0x10 -9,0x10 -8,0x10 -7,0x10 -6,0x10 -5,0x10 -4,0x10 -3,0x10 -2,0x10
Corrente [A]

Gráfico 6. Curva característica do LED amarelo, tensão reversa.

Nota-se que para tensão reversa o LED possui características resistivas lineares. Ajustan-
do-se uma reta aos pontos obtém-se uma resistência RLED = 9MΩ.

9
E3 – Curvas características

3.3. Célula solar


De acordo com o arranjo experimental ilustrado na figura 2, obteve-se os seguintes dados
para a bateria solar.
Tensão Corrente Potência
-3 -3
(V±0,5%) V (I±1%)·10 A (P±1,1%)·10 W
0,07 0,775 0, 054
0,16 0,770 0, 123
0,31 0,763 0, 236
0,46 0,768 0, 353
0,61 0,760 0, 463
0,75 0,760 0, 570
1,50 0,690 1,035
1,78 0,563 1,002
2,23 0,477 1,063
2,40 0,350 0,840
2,47 0,314 0,776
2,58 0,260 0,671
2,70 0,131 0,354
2,77 0,094 0,260
2,86 0,025 0,072
2,88 0,014 0,040
2,90 0,010 0,029
2,91 0,070 0,204
2,92 0,0060 0,018
2,93 0,0055 0,016
Tabela 4. Corrente e tensão sob célula solar.

3,0

2,5

2,0
Tensão [V]

1,5

1,0

0,5

0,0
0,0 -4
1,0x10
-4
2,0x10
-4
3,0x10
-4
4,0x10
-4
5,0x10
-4
6,0x10
-4
7,0x10
-4
8,0x10
Corrente [A]

Gráfico 7. Curva característica da célula solar

10
E3 – Curvas características

Nota-se que a curva característica da célula solar não possui comportamento linear, polino-
mial nem exponencial. A curva que melhor descreve os valores obtidos, de acordo com o Microcal™
Origin™, é a sigmoidal da forma,

I=
(0,0012 ± 0,0001) − (0,0004 ± 0,0001) .
 V -(2,66 ± 0,07 ) 
 0,41± 0,04 
1+ e  

O mais importante, no entanto, é que, aparentemente, a célula solar possui uma corrente limite de
aproximadamente Imax = 0,770±0,006 mA.

0,0011

0,0010

0,0009

0,0008

0,0007
Potência [W]

0,0006

0,0005

0,0004

0,0003

0,0002

0,0001

0,0000
0 100k 200k 300k 400k 500k 600k
Resistência [Ohm]

Gráfico 8. Relação entre resistência e potência da célula solar.

O comportamento do gráfico 8 é claramente de decaimento exponencial, cuja expressão


não foi possível obter adequadamente, mas certamente é da forma
 (R − R0 )n 
− 
 
P = a⋅e +b.
 k 

Entretanto, percebe-se que existe uma potência máxima exercida sobre a célula fotovoltaica quando
a resistência possui um valor aproximado de R=3kΩ.

11
E3 – Curvas características

3.4. Transistor
Abaixo os dados obtidos para a curva característica do transistor com corrente IB de 20µA e
50µA na base do mesmo.
IB = 20µA IB = 50µA
Tensão Corrente Tensão Corrente
(V±0,5%) V (I±1%) A (V±0,5%) V (I±1%) A
0,20 0,00358 0,40 0,01309
0,40 0,00538 0,60 0,01362
0,80 0,00545 0,80 0,01403
1,40 0,00551 1,00 0,01423
2,00 0,00557 1,20 0,01430
2,40 0,00558 1,40 0,01439
2,60 0,00561 1,60 0,01448
2,85 0,00563 1,80 0,01454
3,40 0,00566 2,00 0,01464
3,60 0,00569 2,20 0,01470
4,00 0,00571 2,40 0,01475
4,20 0,00573 2,60 0,01482
4,40 0,00575 2,80 0,01489
4,60 0,00576 3,00 0,01497
5,20 0,00581 3,20 0,01500
5,60 0,00586 3,40 0,01508
6,00 0,00588 3,60 0,01512
6,40 0,00590 3,80 0,01520

Tabela 5. Tensão e corrente no transistor com correntes distintas na base.

0,016
IB=50µA
0,015
0,014
0,013
0,012
0,011
0,010
Corrente [A]

0,009
0,008
0,007
0,006
0,005 IB=20µA

0,004
0,003
0,002
0,001
0,000
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
Tensão [V]

Gráfico 9. Curva característica do transistor para correntes de base diferentes.

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E3 – Curvas características

A partir do gráfico 9, percebe-se que existe uma área bem definida, a primeira sendo deno-
minada região de saturação em que tensão e corrente possuem relações específicas. Esta região
localiza-se entre as tensões de 0V a 1,5V aproximadamente. A partir daí, para tensões superiores a
1,5V, nota-se uma relação praticamente linear entre a tensão e a corrente, cujo coeficiente angular
varia conforme a corrente na base. Esta região denomina-se região ativa.
Dependendo do uso que se faz do transistor, deve-se optar pela operação dentro das res-
pectivas regiões. Para utilizá-lo como chave eletrônica, opta-se normalmente pela operação na região
de saturação. Para amplificadores usualmente é aplicada a região ativa.
Comparemos as correntes IB da base e do coletor IC.
Corrente na base Corrente no coletor
(IB±1%) µA (IC±1%) mA
15,3 4,26
18,8 5,29
21,9 6,23
24,2 6,95
25,9 7,47
28,5 8,27
30,3 8,87
30,8 8,96
33,7 9,93
38,5 11,34
38,8 11,5
45,1 13,42
46,8 13,93

Tabela 6. Correntes na base e no coletor de um transistor.

0,015
Corrente coletor [A]

0,010

0,005

0,000
0,00000 0,00001 0,00002 0,00003 0,00004 0,00005 0,00006
Corrente base [A]

Gráfico 10. Relação entre as correntes da base e do coletor de um transistor.

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E3 – Curvas características

A relação entre as correntes da base e do coletor é claramente linear e pode ser caracteri-
zada, a partir do ajuste da reta aos pontos medidos, ilustrados no gráfico 10.

I C = (307,5 ± 0,9) ⋅ I B − (4,7 ± 0,2) ⋅ 10 −4 .


Portanto o coeficiente β para o transistor da experiência é β=307,5±0,9.

4. Conclusão
Pode-se através destas experiências determinar as curvas características para elementos
resistivos, tanto lineares quanto não lineares. No caso do LED não foi possível expressar a relação
entre a tensão e a corrente adequadamente.
Estas curvas tornam-se uma ferramenta importantíssima para construir circuitos eletrônicos
eficientes e que executem as funções desejadas e também para conhecer as limitações técnicas do
componente, como é possível observar claramente no caso da célula solar. Também é possível de-
terminar a característica da lei de Stefan-Boltzmann para irradiações.

5. Bibliografia
a
J. H. Vuolo, Complementos de Física Experimental – 1 parte, 2001.

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