FACULDADE SUL FLUMINENSE

CURSO DE ENGENHARIA ELETRÔNICA

Pedro Henrique Corrêa Lomeu

Ricardo Pardal Ribas
Luís Felipe Braga

FÍSICA IV

CONDUÇÃO DE ELETRICIDADE NOS SÓLIDOS

2021
1. Introdução

Todo equipamento é projetado conforme a sua necessidade: condução térmica,

condução elétrica, condução sonora, etc. Portanto, é necessário que o projetista conheça
as características de cada material afim de obter o resultado satisfatório da aplicação dos
materiais em cada dispositivo. Os materiais são classificados como isolante, condutor e
semicondutor. Para o entendimento da condução elétrica nestes matérias é necessário
conhecer também as propriedades elétricas básicas que os definem.
Entretanto, o estudo tem por objetivo apresentar um breve conhecimento sobre uma
das características nos materiais sólidos cristalinos: a condução de eletricidade nos sólidos.

2. Fundamentação Teórica

Os materiais sólidos cristalinos são caracterizados por apresentarem uma disposição

regular dos átomos da sua estrutura tridimensional, formando estruturas com
configurações geométricas bem definidas as quais são conhecidas como rede espacial ou
rede cristalina. 1

Redes Cristalinas.

A condutividade elétrica de cada material pode ser relacionada através de 3 parâmetros:

a resistividade, o coeficiente de temperatura da resistividade e a concentraçãode portadores
de carga. 2
A resistividade, ou resistência especifica, ρ, é uma propriedade do material, portanto é
diferente da resistência que trata da propriedade de um dispositivo. Cada tipo de material
possui sua resistividade que remete a oposição que o material apresenta à passagem da
corrente elétrica. Portanto, diferentes materiais com mesmas dimensões possuem
resistividades diferentes, quanto maior a resistividade, menor será a corrente fluindo
através do material. A unidade no sistema internacional é o ohm-metro.3

Material Resistividade (Ω.m) Uso

Prata 1,64x10-8 Condutor
Cobre 1,72x10-8 Condutor
Germânio 47x10-2 Semicondutor
Silício 6,4x102 Semicondutor
Mica 5x1011 Isolante
Vidro 1012 Isolante
Quadro 1: Resistividade dos Materiais.
Fonte: ALEXANDER, Charles K.; SADIKU, Matthew N. O. Fundamentos de circuitos elétricos. Porto alegre: Bookman, 2003.
 A temperatura pode variar a resistência especifica do material. Entretanto, ao aumentar
a temperatura do material, menor será a resistividade, do mesmo jeito que ao diminuir a
temperatura, maior será a resistividade.4 A partir disso, através de diversas medições da
resistividade, em diferentes temperaturas, é possível determinar o coeficiente de
temperatura da resistividade α. No SI, a unidade de medida é o inverso de kelvin (K-1). 5

𝛼 = (1/𝜌)(𝑑𝜌/𝑑𝑇)

A concentração de portadores de carga n é outro fator relevante na determinação da

condutividade elétrica dos materiais e define o número de portadores de cargas (elétrons
ou lacunas) por unidade de volume, sua unidade no SI é dado pelo inverso do metro cúbico
(m-3).
Cada átomo isolado possui elétrons distribuídos em diferentes níveis discretos de
energia ao redor do núcleo composto por prótons e neutros, sendo que para cada elemento
químico, o número de elétrons, prótons e neutros é diferente.6

Níveis Discretos de Energia no Átomo.

Entretanto, a interação entre dois átomos faz com que cada um desses níveis sejam
duplicados. A partir disso, a interação de X átomos estabelece uma rede cristalina, onde
cada nível de um átomo isolado da estrutura seja desdobrado em X níveis, formando então
uma banda de energia, separados por bandas proibidas em que nenhum elétron pode
ocupar.

Bandas de energia em um sólido cristalino.

As bandas de energia possuem alguns eletro-volts de largura. Como X pode ser da ordem
de 1024, os níveis no interior de uma banda estão muito próximos e a banda pode ser
considerada praticamente contínuas pelo fato de ocorrer superposição das funções de
ondas dos elétrons de cada átomo isolado. Contudo, as bandas de menor energia são mais
estreitas por estarem mais próximas do núcleo atômico e sofrerem uma pequena
superposição com as funções de onda dos elétrons correspondentes dos átomos adjacente.
 A condutividade elétrica está diretamente relacionada com existência de elétrons livres
presentes nas últimas camadas dos átomos que compõe cada material. Basicamente,
quanto mais distantes do núcleo do átomo estiver o elétron, menor será a interação do
elétron com o núcleo do átomo, e portanto, melhor será a condutividade elétrica do
material. A partir disso, é possível classificar os materiais como isolante, condutor e
semicondutor. 7
Nos materiais condutores, a camada de valência é composta, por no máximo três
elétrons, pois estes necessitam de pouca energia para deixar sua orbita. Já os materiais
isolantes possuem entre 5 e 8 elétrons, sendo estes mais difíceis de se movimentarem ou
deixar sua orbita na estrutura atômica. Na intermediária, os materiais semicondutores
possuem 4 elétrons na camada de valência, ficando a resistência desses elétrons entre a
resistência dos elétrons dos materiais condutores e isolantes, por isso são denominados
semicondutores.8

2.1. Isolantes

Os materiais sólidos são formados por redes cristalinas que provocam o desdobramento
dos níveis de energia de um átomo isolado, formando as bandas de energia. Entretanto, nos
materiais sólidos isolantes, a última banda de energia contendo elétron é totalmente
preenchida por elétrons, o que impossibilita a mudança de nível pelos elétrons do material.
Contudo, mesmo havendo uma diferença de potencial aplicada entre os terminais do
material, nenhuma corrente elétrica é gerada, pois para que exista corrente elétrica, é
necessário que a energia cinética média dos elétrons do material aumente. Porém, para que
ocorra o aumento de energia cinética é necessário que alguns elétrons saltem para níveis
mais elevados de energia.9
Há ainda, outras bandas de energia acima da última banda permitida ocupada pelos
elétrons do material. Porém, para que os elétrons alcancem essas bandas é necessário
adquirir muita energia afim de ultrapassar a banda proibida e encontrar a próxima banda
permitida.
Embora seja difícil, é possível um elétron obter energia e saltar para a próxima banda
de energia ultrapassando a região proibida, ocorrendo uma pequena condução,
caracterizando a ruptura do dielétrico.10

Bandas de Energia de um Isolante.

Ao aplicar uma tensão entre os terminais de um material isolante, as cargas são

deslocadas, porém não são liberadas dos átomos, ocorrendo a formação de um dipolo
elétrico. Por essa característica, os isolantes, também conhecidos como dielétricos, são
utilizados no projeto de capacitores.11

2.2. Metais

Diferentemente dos isolantes, um condutor elétrico é considerado um material que

possibilita que as partículas eletrizadas se movimente facilmente entre seus terminais. Nos
materiais sólidos condutores(metais), a última banda de energia contendo elétron não é
totalmente preenchida, o que possibilita que alguns elétrons sejam excitados e atinjam um
nível maior de energia dentro dessa mesma banda. Com isso, aplicando uma diferencia de
potencial entre os terminais do material é possível criar uma corrente elétrica, já que a
energia cinética média dos elétrons é aumentada pelo movimento de excitação dos
mesmos.12

Bandas de Energia de um Metal.

2.3. Semicondutores

A estrutura de bandas de energia de um semicondutor é semelhante a estrutura de

bandas de um isolante, o que diferencia é a distância entre a banda de valência e a banda
de condução em cada caso. Enquanto nos isolantes os elétrons na banda de valência
necessitam de uma grande quantidade de energia para atravessar a região proibida e
alcançar a banda de condução, nos semicondutores a energia necessária para atravessar a
região proibida é bem menor, pois a região proibida é menor.13

Bandas de Energia de um Semicondutor.

Como visto, os materiais condutores possuem grande capacidade de condução de

corrente elétrica e os isolantes uma baixa capacidade de conduzir corrente. Contudo, os
materiais semicondutores possuem características intermediaria, ou seja, possui um nível
de condutividade entre os extremos de um isolante e de um condutor.
2.4. Semicondutores Dopados

As características dos materiais semicondutores podem ser consideravelmente

alteradas pela adição de determinados átomos de impurezas no material semicondutor
intrínseco. Embora adicionadas apenas uma porção infinitesimal, essas impurezas podem
alterar suficientemente a estrutura de banda para modificar por completo as propriedades
elétricas do material. Após a dopagem, o material semicondutor é chamado de material
extrínseco.14
Como os átomos dos materiais tendem a se estabilizar com oito elétrons na camada de
valência, e os semicondutores possuem apenas quatro, os átomos dos materiais
semicondutores são organizados de forma simétrica, caracterizando uma estrutura
cristalina através de ligações covalentes.

Estrutura Cristalina Semicondutor Silício.

Através da Figura 7, é possível notar que existe uma ligação covalente entre dois ou mais
átomo de silício do material e que cada átomo externo possui alguns elétrons de valência
para construção de uma nova ligação com outros átomos de silício.
Entretanto, é possível manipular a estrutura intrínseca dos semicondutores adicionando
algumas impurezas, este processo é denominado dopagem e tem por característica
adicionar átomos de elementos que possuem três ou cinco elétrons na camada de valência,
dependendo do tipo de material desejado.15
Na microeletrônica existem dois tipos de materiais extrínseco importantes na fabricação
de dispositivos semicondutores: o material do tipo n e o material do tipo p.
Adicionar aos materiais semicondutores impurezas contendo 3 elétrons na camada de
valência faz com que a estrutura ao se organizar, apresente uma lacuna entre as ligações,
ou seja, surgirá uma lacuna em consequência da falta de elétron para completar o número
de elétron necessário para que sejam feitas todas as ligações entre o átomo do material
intrínseco e o átomo de impureza, que nesse caso é denominado impureza do tipo P.

Semicondutor com impurezas tipo P.

 Os elementos químicos mais utilizados como impurezas na formação de um material do
tipo P são: Alumínio (Al), Índio (In), Boro (B) ou o Gálio (Ga) que é utilizado no exemplo da
Figura 8.
Ao contrário do que acontece quando é adicionado impurezas contendo 3 elétrons na
camada de valência à estrutura cristalinas dos materiais semicondutores, adicionar
impurezas com 5 elétrons na camada de valência ao semicondutor, faz com que a estrutura,
ao se organizar, contenha um elétrons sobrando, ou seja, um elétron livre pois, quando
todas as ligações são estabelecidas para que aconteça a estabilidade do material, o quinto
elétron da impureza, denominada impureza do tipo N, não encontra um par para
estabelecer uma ligação.

Semicondutor com impurezas Tipo N.

Para formação de um material do tipo N, os elementos químicos utilizados são:

Antimônio (Sb), Arsênio (As) e o Fósforo (P).
Ao adicionar impurezas na estrutura semicondutora de um material, este deixa de ser
intrínseco passando a ser denotado como extrínseco de um determinado tipo.
Nos materiais extrínsecos do tipo N, existem mais elétrons do que lacunas, logo o
primeiro é tido como portador majoritário e o segundo como portador minoritário. Nos
materiais extrínsecos do tipo P, essas denominações são invertidas já que as lacunas estão
em maior número em relação aos elétrons.
Basicamente, os diodos semicondutores são formados através da junção entre um
material do tipo P com outro do tipo N, produzindo uma junção PN.
Ao conectar o material do tipo P com outro do tipo N, as lacunas e os elétrons próximos
a junção tendem a se combinarem, formando então uma região denominada região de
depleção, onde nesta, verifica-se a ausência de portadores livres.

Figura 10: Junção PN.

Entretanto, pode-se analisar o funcionamento dos diodos semicondutores, a partir da

sua estrutura interna formada pela junção PN aplicando entre seus terminais três tensões
de formas diferentes denominadas: nenhuma polarização, polarização direta e polarização
reversa.16
 Ao aplicar uma tensão com valor zero sobre a junção PN nada vai mudar em relação a
sua configuração inicial, portanto permanecerá como na Figura 10. Porém, aplicar uma
tensão positiva sobre os terminais de uma junção PN, de forma que esta fique diretamente
polarizada, ou seja, o terminal N do material seja associado ao potencial negativo faz com
que os elétrons livres contidos no material do tipo N sejam afastados em direção à região
de depleção, assim como as lacunas em relação ao terminal positivo da tensão aplicada
sobre o material do tipo P, forçando por consequência que estas lacunas e elétrons sejam
recombinados contribuindo para a diminuição da região de depleção, também denominada
zona de depleção.

Junção PN polarizada diretamente.

Analisando a Figura 11, nota-se que a região de depleção presente na junção PN é menor
que aquela apresentada na Figura 10 pelo fato dos elétrons e lacunas serem forçados a se
recombinarem, diminuindo essa região de resistência ao fluxo de corrente dos portadores
majoritários, viabilizando assim um fluxo mais intenso dos mesmos.
Invertendo a polarização indicada na Figura 11, caracterizando uma polarização reversa,
aumenta-se a zona de depleção, pois os elétrons livres e lacunas, neste caso, são atraídos
pelos terminais da fonte, causando um aumento dessa região, responsável por dificultar o
fluxo dos portadores majoritários à zero.

Figura 12: Junção PN polarizada inversamente.

O fluxo de corrente ID no diodo pode ser ainda representado algebricamente pela

seguinte equação:

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆(𝑒𝐾𝑉𝐷⁄𝑇𝐾 − 1)

onde IS é a corrente de saturação reversa, K uma constante definida a partir do tipo de

material constituinte do diodo, dada por 11.600/n, com n valendo 1 para o germânio e 2
para o silício e TK a temperatura em kelvin.17
Portanto, como a corrente através do diodo depende do material utilizado, e esta cresce
exponencialmente em relação ao aumento da tensão aplicada sobre os terminais do
dispositivo, pode-se ainda representar seu funcionamento de forma gráfica.
 Figura 13: Funcionamento dos diodos de Silício e Germânio.

Nota-se que, para os diodos de silício, a tensão de polarização direta necessária para que o
dispositivo chegue ao estado de máxima condução, é aproximadamente 0,7 volts. Porém, nos diodos
de germânio essa tensão cai para valores próximos a 0,3 volts, ou seja,a partir desses valores de
tensão, denominada tensão offset, a corrente através do diodo começa a se tornar perceptível, ou
significante.
 3. Referências

1 Ciência dos materiais. Estrutura Cristalina. Disponível em

<http://www.cienciadosmateriais.org/index.php?acao=exibir&cap=6>. Acessado em 27/01/2014.

2 HALLIDAY, David; RESNICK, Robert; WALKER, Jearl. Fundamentos de física: Óptica e física moderna. 9. Ed.
Rio de janeiro, RJ: LTC, c2012. p. 269.

3 Tecnologia do globo. O que é resistividade ou resistência especifica. Disponível em

<http://www.tecnologiadoglobo.com/2011/08/o-que-e-a-resistividade-ou-resistenciaespecifica/>.
Acessado em 27/01/2014.

4 Tecnologia do globo. O que é resistividade ou resistência especifica. Disponível em

<http://www.tecnologiadoglobo.com/2011/08/o-que-e-a-resistividade-ou-resistenciaespecifica/>.
Acessado em 27/01/2014.

5 HALLIDAY, David; RESNICK, Robert; WALKER, Jearl. Fundamentos de física: Óptica e física moderna. 9. Ed.
Rio de janeiro, RJ: LTC, c2012. p. 270.

6 MARQUES, Angelo Eduardo B.; CRUZ, Eduardo César Alves; CHOUERI JUNIOR, Salomão. Dispositivos
Semicondutores: diodos e transistores. 3. Ed. São Paulo: Érica, 1998. p. 7.
7 Curso de eletrônica básica, análise de circuitos e digital. Condutores, isolantes e semicondutores.
Disponível em <http://www.cursoeletronica.com.br/artigos/condutores-e-isolantes-e-
semicondutores>. Acessado em 27/01/2014.

8 GRAÇA, Cláudio. Física Geral e Experimental III. Disponível em

<http://coral.ufsm.br/cograca/graca5_3.pdf>. Acessado em 28/01/2014.

9 HALLIDAY, David; RESNICK, Robert; WALKER, Jearl. Fundamentos de física: Óptica e física moderna. 9. Ed.
Rio de janeiro, RJ: LTC, c2012. p. 271.

10 MARTINS, Marcos Nogueira. Condutores, isolantes e semicondutores. Disponível em

<http://plato.if.usp.br/1-2007/fnc0376n/marcos/Aula24.pdf>. Acessado em 29/01/2014.

11 MARTINS, Marcos Nogueira. Condutores, isolantes e semicondutores. Disponível em

<http://plato.if.usp.br/1-2007/fnc0376n/marcos/Aula24.pdf>. Acessado em 29/01/2014.

12 HALLIDAY, David; RESNICK, Robert; WALKER, Jearl. Fundamentos de física: Óptica e física moderna. 9.
Ed. Rio de janeiro, RJ: LTC, c2012. p. 272.

13 HALLIDAY, David; RESNICK, Robert; WALKER, Jearl. Fundamentos de física: Óptica e física moderna. 9.
Ed. Rio de janeiro, RJ: LTC, c2012. p. 278.

14 BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8. ed. São Paulo:
Pearson Prentice Hall, 2004. p. 6.

15 Mundo Físico. Semicondutores. Disponível em

<http://www.mundofisico.joinville.udesc.br/index.php?idSecao=110&idSubSecao=&idTex to=49>.
Acessado em 1/02/2014.

16 BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8. ed. São Paulo:
Pearson Prentice Hall, 2004. p. 8.

17 BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8. ed. São Paulo:
Pearson Prentice Hall, 2004. p. 10.
18 BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8. ed. São Paulo:
Pearson Prentice Hall, 2004. p. 11.