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• Diodo ideal
• Operação física dos diodos
• Correntes no diodo
• Efeito da temperatura
• Capacitância de depleção e de difusão
J 1
J 2
1
Simbologia
J 3
Fonte: Boylestad 8th edição
Resistor limitador
Análise baseada
no diodo ideal!
J 4
2
Aplicação:
Retificador
J 5
J 6
3
Análise com o modelo do diodo ideal
Suponha que vI tem um valor de pico de 10 V e R = 1 kΩ.
Calcule o valor de pico de iD e a componente cc de vO .
J 7
J 8
4
Equação de Shockley para o Diodo Ideal
i
i = I S ( ev nVT − 1)
v
kT
VT =
q
IS corrente de saturação reversa
n é o coeficiente de emissão ou fator de idealidade 1 ≤ n ≤ 2
VT a tensão termodinâmica
k é a constante de Boltzmann, k=1,38E-23 [J/K]
T a temperatura em Kelvin
q a carga do elétron 1,60E-19 [C]
portanto VT @ temperatura ambiente = 25 mV
J 9
• Diodo em aberto
J 10
5
Junção p-n
Diodo em aberto: eΦ
N+N−
Φ = Vn − V p = VT ln D 2 A
ni
J 11
WP WN
Largura total: WT
2ε 0ε Si Φ N A + N D 2
WT = Wdep = WN + WP =
q N AND
J 12
6
Aproximação de depleção
Valida para (-Wp<x<Wn)
qN ( x ) dE ( x) d 2V ( x)
= =−
ε dx dx 2
Aproximação de depleção: a) dopagem, c) campo elétrico
b) densidade de carga espacial d) potencial eletrostático
J 13
Junção polarizada
Reversa
2ε ( Φ + VA ) N A + N D 2
1
WT =
q N A ND
Dentro de certos limites:
i = −IS
Direta
i = I S ( ev nVT )
J 14
7
Polarização reversa
2ε s 1 1
Wdep = + (V + VR )
q NA ND 0
Capacitância de depleção
dq j
Cj =
dVR VR =VQ
J 16
8
Junção pn na região de ruptura
Efeito Zener
• O campo elétrico da camada de depleção
pode aumentar até um ponto capaz de
quebrar ligações covalentes gerando pares
elétron-lacuna
VZ ≤ 5 V
106 V/cm
J 18
9
Avalanche
• Portadores minoritários cruzam a região de
depleção e ganham energia cinética
suficiente que podem quebrar ligações
covalentes
V ≥7 V
Ionização por impacto
J 19
Polarização direta
ID – IS = I
10
Polarização direta
Perfil dos portadores minoritários
difundidos em cada região
J 21
Polarização direta
• A concentração de excesso de portadores
minoritários em cada borda da camada de
depleção é dada pela relação de Boltzmann
n2 ni2
n p ( x p ) = i expV /VT pn ( xn ) = expV /VT
NA ND
Dp é a constante de difusão
J 22
11
Lacunas difundidas através da junção
para dentro da região n
pn ( xn ) = pn 0 expV /VT
pn ( x) = pn 0 + [ pn ( xn ) − pn 0 ] exp
− ( x − xn )/L p
Lp é o comprimento de difusão
J 23
pn ( xn ) = pn 0 expV /VT
Decaimento da concentração
pn ( x) = pn 0 + [ pn ( xn ) − pn 0 ] exp
− ( x − xn )/L p
Dp − ( x − xn )/L p
Jp = q pn 0 (expV /VT − 1) exp
Lp J 24
12
Dp − ( x − xn )/L p
Jp = q pn 0 (expV /VT − 1) exp
Lp
O decaimento é devido à recombinação com os elétrons majoritários
Dp
Jp = q pn 0 (expV /VT − 1)
Lp
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J 26
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Corrente total
Dp Dn
Jp = q pn 0 (expV /VT − 1) Jn = q n p 0 (expV /VT − 1)
Lp Ln
D p pn 0 qDn n p 0
I = A q + (exp T − 1)
V /V
Lp Ln
Substituindo pn0 = ni2/ND e np0 = ni2/NA
Dp Dn
I = Aqni2 + (expV /VT − 1)
L p N D Ln N A
Corrente de saturação:
Dp Dn
IS = Aqni +
2
Lp ND LnN A
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J 28
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Efeito da temperatura em IS
Dp Dn
IS = Aqni +
2
Lp ND LnN A
µ ∝ T −n L= Dτ
J 29
T [K]
30
J
15
Curiosidade
J 31
Capacitância de Difusão
τ
Cd = T I
VT
τT é chamado tempo
médio de trânsito do
diodo
J 32
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Capacitâncias em um diodo dQ
C=
dV
Capacitância de Difusão Capacitância de Depleção
• Predominante na • Predominante na
polarização direta polarização reversa
• Acúmulo de portadores • Acúmulo de cargas na
minoritários nas regiões camada de depleção
quase neutras
εs A C j0
Cj = = 1
Wdep
VR 2
τ 1 +
Cd = T I V0
VT
Aproximação na polarização direta:
C j = 2C j 0 33
J
Sugestão de estudo
• Sedra/Smith Cap. 3 até seção 3.3.6
– Exercícios e problemas correspondentes
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17