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EE530 Eletrônica Básica I

Prof. Fabiano Fruett


Aula J - Diodos

• Diodo ideal
• Operação física dos diodos
• Correntes no diodo
• Efeito da temperatura
• Capacitância de depleção e de difusão

J 1

Polarizações reversa e direta


(diodo ideal)

J 2

1
Simbologia

Fotografia de diodos discreto

J 3
Fonte: Boylestad 8th edição

Resistor limitador

Análise baseada
no diodo ideal!

J 4

2
Aplicação:
Retificador

J 5

Retificador (diodo ideal)

Característica de transferência Forma de onda de vD


de vO versus vI

J 6

3
Análise com o modelo do diodo ideal
Suponha que vI tem um valor de pico de 10 V e R = 1 kΩ.
Calcule o valor de pico de iD e a componente cc de vO .

J 7

Detalhamento da Característica i – v de um diodo de


junção de silício

J 8

4
Equação de Shockley para o Diodo Ideal
i
i = I S ( ev nVT − 1)
v
kT
VT =
q
IS corrente de saturação reversa
n é o coeficiente de emissão ou fator de idealidade 1 ≤ n ≤ 2
VT a tensão termodinâmica
k é a constante de Boltzmann, k=1,38E-23 [J/K]
T a temperatura em Kelvin
q a carga do elétron 1,60E-19 [C]
portanto VT @ temperatura ambiente = 25 mV

J 9

Processos físicos envolvidos

• Diodo em aberto

• Diodo em polarização reversa

• Diodo em polarização direta

J 10

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Junção p-n

Diodo em aberto: eΦ

 N+N− 
Φ = Vn − V p = VT ln  D 2 A 
 ni 
J 11

Limites da região de depleção


WP N A = WN N D

WP WN
Largura total: WT

 2ε 0ε Si Φ N A + N D  2
WT = Wdep = WN + WP =  
 q N AND 

Sendo que ε 0ε Si = ε corresponde a constante dielétrica do silício


( =1,04×10-12 F/cm) e φ é o potencial da junção

J 12

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Aproximação de depleção
Valida para (-Wp<x<Wn)

qN ( x ) dE ( x) d 2V ( x)
= =−
ε dx dx 2
Aproximação de depleção: a) dopagem, c) campo elétrico
b) densidade de carga espacial d) potencial eletrostático

J 13

Junção polarizada
Reversa
 2ε ( Φ + VA ) N A + N D  2
1

WT =  
 q N A ND 
Dentro de certos limites:
i = −IS

Direta

i = I S ( ev nVT )

J 14

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Polarização reversa

Difusão de majoritários ID < IS Deriva de minoritários


J 15

Carga armazenada em ambos os lados da


camada de depleção como função da
tensão reversa VR
NA ND
qJ = q AWdep
NA + ND

 2ε s   1 1 
Wdep =   + (V + VR )
 q  NA ND  0

Capacitância de depleção

dq j
Cj =
dVR VR =VQ

J 16

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Junção pn na região de ruptura

Além de um certo valor de tensão


reversa (que depende do diodo)
• Efeito Zener
ocorre a ruptura, e a corrente
aumenta rapidamente com um
• Efeito Avalanche
pequeno aumento correspondente
da tensão.
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Efeito Zener
• O campo elétrico da camada de depleção
pode aumentar até um ponto capaz de
quebrar ligações covalentes gerando pares
elétron-lacuna
VZ ≤ 5 V

Junções com alta dopagem

Região de depleção reduzida

Campos elétricos intensos

106 V/cm
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Avalanche
• Portadores minoritários cruzam a região de
depleção e ganham energia cinética
suficiente que podem quebrar ligações
covalentes
V ≥7 V
Ionização por impacto

J 19

Polarização direta

ID – IS = I

A fonte externa fornece


Redução da camada de depleção
portadores majoritários
para os dois lados Aumento da corrente de difusão
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10
Polarização direta
Perfil dos portadores minoritários
difundidos em cada região

J 21

Polarização direta
• A concentração de excesso de portadores
minoritários em cada borda da camada de
depleção é dada pela relação de Boltzmann

n2 ni2
n p ( x p ) = i expV /VT pn ( xn ) = expV /VT
NA ND

• A recombinação destes portadores depende do


comprimento de difusão

τp é o tempo de vida dos


Lp = D pτ p portadores minoritários D p = ( kT / q ) µ p

Dp é a constante de difusão
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Lacunas difundidas através da junção
para dentro da região n

pn ( xn ) = pn 0 expV /VT

pn ( x) = pn 0 + [ pn ( xn ) − pn 0 ] exp
− ( x − xn )/L p

Lp é o comprimento de difusão

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Densidade da corrente de difusão de lacunas


dpn ( x )
J p = − qD p
dx
Concentração de portadores minoritários em xn

pn ( xn ) = pn 0 expV /VT

Decaimento da concentração

pn ( x) = pn 0 + [ pn ( xn ) − pn 0 ] exp
− ( x − xn )/L p

Densidade da corrente de difusão em função do


decaimento da concentração

Dp − ( x − xn )/L p
Jp = q pn 0 (expV /VT − 1) exp
Lp J 24

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Dp − ( x − xn )/L p
Jp = q pn 0 (expV /VT − 1) exp
Lp
O decaimento é devido à recombinação com os elétrons majoritários

O máximo na densidade de corrente de lacunas ocorre em x=xn, e vale:

Dp
Jp = q pn 0 (expV /VT − 1)
Lp

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Para o lado p tem-se:

Máximo na densidade de elétrons:


Dn
Jn = q n p 0 (expV /VT − 1)
Ln

Sendo que Ln é o comprimento de


difusão dos elétrons minoritários

J 26

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Corrente total
Dp Dn
Jp = q pn 0 (expV /VT − 1) Jn = q n p 0 (expV /VT − 1)
Lp Ln

 D p pn 0 qDn n p 0 
I = A q +  (exp T − 1)
V /V
 Lp Ln
 
Substituindo pn0 = ni2/ND e np0 = ni2/NA

 Dp Dn 
I = Aqni2  +  (expV /VT − 1)
 L p N D Ln N A 
 
Corrente de saturação:
 Dp Dn 
IS = Aqni  +
2

 Lp ND LnN A 
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Dependência da relação v vs. i


com a temperatura

J 28

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Efeito da temperatura em IS
 Dp Dn 
IS = Aqni  +
2

 Lp ND LnN A 

ni2 ∝ T 3 exp(− qVg / kT ) D = ( kT / q ) µ

µ ∝ T −n L= Dτ

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Efeito da temperatura em um diodo operando em


polarização direta com corrente (i) constante
kT i
v= ln
q IS
Vg0 = 1,16 V
Vg0 λ ≈ -2 mV/K

T [K]
30
J

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Curiosidade

• Sensores de temperatura são baseados


em junções semicondutores polarizadas
diretamente.

• Fotodiodos e outros sensores de


radiação luminosa são baseados em
junções semicondutoras polarizadas
reversamente.

J 31

Capacitância de Difusão

Carga de portadores minoritários armazenada em excesso

Q = Aq × área embaixo da exponencial pn(x)


= Aq × [ pn ( xn ) − pn0 ]L p

τ 
Cd =  T  I
 VT 

τT é chamado tempo
médio de trânsito do
diodo

J 32

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Capacitâncias em um diodo dQ
C=
dV
Capacitância de Difusão Capacitância de Depleção
• Predominante na • Predominante na
polarização direta polarização reversa
• Acúmulo de portadores • Acúmulo de cargas na
minoritários nas regiões camada de depleção
quase neutras
εs A C j0
Cj = = 1
Wdep
 VR  2

τ  1 + 
Cd =  T  I  V0 
 VT 
Aproximação na polarização direta:
C j = 2C j 0 33
J

Sugestão de estudo
• Sedra/Smith Cap. 3 até seção 3.3.6
– Exercícios e problemas correspondentes

J 34

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