Universidade Federal da Bahia

Escola Politécnica
Departamento de Engenharia Elétrica e de Computação

Dispositivos Eletrônicos – ENGC41

Semestre 2021.2
Aluno(a): Fredson Menezes Sumi Barreto

Avaliação 2

Orientações gerais:

 A avaliação é individual.
 Cada estudante tem um conjunto de especificações que pode ser encontrado na Tabela I.
 As simulações devem ser realizadas no simulador gratuito LTspice, cujo link para
download está no Moodle da disciplina e as orientações de uso podem ser encontrados na
aula sobre esta avaliação.
 Os arquivos do LTspice com o transistor, seu modelo, e as simulações solicitadas já
configuradas foram fornecidos no Moodle da disciplina (todos os arquivos devem ser
extraídos para a mesma pasta do computador). Não é necessário alterar as configurações
dos esquemáticos fornecidos, basta inserir os valores dos componentes.
 Sugere-se a edição e utilização deste documento .doc para adicionar as repostas (gráficos
e cálculos). Não há necessidade de incluir revisões teóricas, introdução, metodologia,
conclusão ou referências às respostas.
 O documento com as repostas deve ser enviado no formato PDF através do link
disponibilizado no Moodle da disciplina.
 A data limite de entrega é 01-12-2021.

Tabela I – Especificações de AV, Rin e P.

Projeto Aluno AV [V/V] Rin [Ω] P [W]
1 ALCIDES AUGUSTO BEZERRA NETO 7 50k 3.5m
2 AYRAN DE FREITAS ANDRADE 6 50k 3.5m
 3 BRUNNA LARISSA BISPO EVANGELISTA 5 30k 3.5m
4 ENRIQUE DE JESUS CAVALCANTE 5 30k 4.5m
5 FREDSON MENEZES SUMI BARRETO 7 30k 3.5m
6 HERBERT DE JESUS 7 50k 3.0m
7 ISAAC DAS NEVES BATISTA 7 40k 4.5m
8 JOAO RIOS COSTA SILVA JUNIOR 5 40k 3.0m
9 JOÃO VICTOR MOURA DOS SANTOS 6 30k 3.0m
10 LEON LIMA SANTOS 5 50k 4.5m
LEONARDO TADEU FERREIRA SANTOS 7 50k 4.5m
11 SOUZA
12 MAURICIO DOS SANTOS DE JESUS 7 40k 3.0m
13 PEDRO HUGO PASSOS DA SILVA CARLOS 7 30k 3.0m
14 PEDRO REUTER ESQUIVEL 5 50k 3.0m
15 RICARDO GONCALVES PINTO 6 40k 3.5m
16 VICTOR GERIN DE LACERDA 6 50k 4.5m
1 – O circuito da Figura 1 pode ser utilizado para obter as características de saída I D x VDS
parametrizadas por VGS para a configuração fonte comum do MOSFET NMOS.

Figura 1 – Circuito para obtenção da característica ID x VDS parametrizadas por VGS.

a) Simule o circuito da Figura 1 utilizando o esquemático do arquivo q1.asc (ver orientações

geais) e apresente os gráficos ID x VDS. (0,5)
 b) Obtenha da característica ID x VDS os valores de VA, VT0 e μC’ox para o transistor fornecido
sabendo que ele tem W = 15 µm e L = 1 µm. Apresente os cálculos e preencha as Tabelas
II, III e IV com os valores obtidos da simulação e calculados. (3,5)

Cálculos:
1.0 Encontrando V A
Sabemos que:
Δ V DS
ro =
Δ ID
Utilizando Vgs = 4, e escolhendo a região de saturação observando a curvatura no gráfico
gerado, temos que, escolhendo os pontos próximos P1(4.36V, 8.9632459mA), P2(4.37V,
8.9639667mA):
ΔV DS V DS 2−V DS 1 ( 4.3 7−4.36 ) V
ro = = =
Δ ID I D 2−I D 1 ( 8.9639667−8.9632459 ) ⋅10−3 A
≈ 13.87 k Ω
Utilizando o ponto P1 , encontramos que:
V A =r o I D 1−V D 1=13.87 ⋅ 8.9639667−4.37=119.960218129 V
2.0 Encontrando V T 0
Sabemos que no ponto de saturação,
V DB=V GB −V T 0
Porém, como na configuração apresentada o terminal de fonte está conectado no
terminal de substrato,
V DS=V DB → V D S =V GB−V T 0
Escolhendo V GS=4 e encontrando o ponto de saturação, temos que:
2.9 V =4 V −V T 0 → V T 0 ≈ 1.1V
Tabela II – Tensões e corrente obtidos das simulações para cálculos de VA.
VGS VDS1 ID1 VDS2 ID2
4 4.36 V 8.9632459 mA 4.37V 8.9639667 mA

Tabela III – Tensões e corrente obtidos das simulações para cálculos de VT0 e μC’ox.
VGS1 VDS1 ID1 VGS2 VDS2 ID2
 Tabela IV – Parâmetros calculados.
VA VT0 μC’ox,
119.960218129 V
2 – Considere o circuito amplificador da Figura 2.

Figura 2 – Amplificador de tensão.

a) Projete o amplificador para AV, Rin, e consumo máximo P de acordo com a Tabela I.
Assumir Rfonte = 50 Ω, n =1, W = 15 µm, L = 1 µm, V DD = 5 V, VRS = 200 mV e VB = 0. O
circuito opera em f = 100 kHz. Utilize VA, VT0 e μC’ox, obtidos no item 1-b). Apresente os
cálculos e anote os valores dos componentes, das tensões e das correntes na Tabela V.
(3,5)
 Tabela V – Resultados teóricos e de simulação para o ponto de operação DC.
Teórico Simulado
ID
IRB1
VD
VG
VS
R1
R2
RS
RD
C1
C2

b) Simule o circuito projetado para obter seu ponto de operação DC utilizando o arquivo
q2b.asc e substituindo no esquemático os valores dos componentes calculados. Anote as
tensões e correntes de polarização obtidas da simulação na Tabela V. (0,5)
c) Simule o circuito projetado para obter a resposta em frequência (simulação AC) utilizando o
arquivo q2c.asc e substituindo no esquemático os valores dos componentes calculados.
Apresente o gráfico da resposta em frequência e identifique o valor de Rin e do ganho AV,dB
para a frequência de operação f = 100 kHz. Converta o valor do ganho (A V,dB) para unidades
absolutas AV = Vout/Vin. (1,0)
c) Ao conectar uma carga RL = 750 Ω à saída do circuito projetado, um capacitor de
acoplamento AC também deverá ser incluído, como na Figura 3. Explique porque isso é
necessário, calcule C3 e o novo ganho AV. (1,0)

Figura 3 – Amplificador de tensão com carga.