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CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSÍSTOR

Laboratório de Circuitos Eletrônicos I Prática N o 4

Fundação Universidade Federal de Rondônia - Campus José Ribeiro Filho Núcleo de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica - DEE Bacharelado em Engenharia Elétrica - Displina de Eletrônica I

I. OBJETIVOS

Levantar as curvas características de trabalho de um transístor, operando com diferentes correntes de base;

Conhecendo os valores das tensões e correntes, simular o circuito no programa Multisim;

Comparar os valores obtidos através da simulação, com os valores obtidos em laboratório;

II. INTRODUÇÃO

A. História do transístor

Com o passar dos anos, as indústrias de dispositivos semi- condutores foi crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por William Bradford Shockley Junior, apresentou um dispositivo formado por três camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junções. O dispositivo recebeu o nome de Transístor.

B. Ideia geral do transístor

O princípio do transístor é poder controlar uma corrente. Ele

é montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo

a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo, intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relação à sua função na operação do transístor. As extremidades são chamadas de emissor e colector, e a camada central é chamada de base.

emissor e colector, e a camada central é chamada de base. Figura 1. Transístor BC546. C.

Figura 1.

Transístor BC546.

C. Funcionamento do transístor

Polarizando diretamente a junção base-emissor e inversa- mente a junção base-coletor, a corrente de colector Ic passa a ser controlada pela corrente de base Ib. Um aumento na corrente de base Ib provoca um aumento na corrente do coletor Ic e vice-versa. A corrente de base sendo bem menor que a corrente do coletor, uma pequena variação de Ib provoca uma grande variação de Ic, isto significa que a variação da corrente de coletor é um reflexo amplificado da variação da corrente na base. Neste experimento traçaremos as curvas características de um transistor npn conectado a uma configuração emissor- comum.

III. MATERIAIS UTILIZADOS

01 Gerador de Tensão DC Instrutherm FA - 3030 ;

01 Multímetro ICEL MD - 6601;

01 Resistor de 1KΩ;

01 Resistor de 10KΩ;

01 Potenciômetro de 10KΩ;

01 Transistor NPN BC546A;

01 Protoboard;

IV. EXPERIMENTO

A. Curva de entrada IB ×𝑉 BE

Monte a seguinte configuração no protoboard;

× 𝑉 BE Monte a seguinte configuração no protoboard; Figura 2. Configuração 1. Após a montagem

Figura 2.

Configuração 1.

Após a montagem da primeira configuração e com o auxílio de um voltímetro, conectado afim de obter a tensão VBE do

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circuito, ajuste o potenciômetro para obter as tensões citadas na tabela I. E com a ajuda do amperímetro obtenha as correntes de base (IB) referentes as tensões (VBE) da tabela I.

VBE [V]

0,40

0,50

0,55

0,60

0,62

0,64

0,66

0,68

IB [mA]

               

Tabela I

VALORES DE IB EM FUNÇÃO DE VBE.

Com a tabela completada construa a curva de entrada IB×𝑉 BE;

completada construa a curva de entrada I B × 𝑉 BE ; Figura 3. Esboço da

Figura 3.

Esboço da curva de entrada IB x VBE.

B. Curva de saída IC ×𝑉 CE

Monte a seguinte configuração no protoboard;

× 𝑉 CE Monte a seguinte configuração no protoboard; Figura 4. Configuração 2. Com a configuração

Figura 4.

Configuração 2.

Com a configuração montanda na protoboard ajuste poten- ciômetro (R2) até obter uma corrente de base (IB) igual a 10𝜇𝐴, ou seja, a tensão sobre o resistor R1 deverá ser de

100mV.

Agora tendo a corrente de base (IB) igual a 10𝜇𝐴 varie a tensão na fonte (V2) até obter uma tensão no coletor-emissor (VCE) igual a (0,2V; 0,4V; 0,6V; 2V; 4V; 6V; 8V; 10V; 12V) conforme mostrado na tabela II.

Com o voltímetro mensure a tensão sobre o resistor R3 e calcule a corrente do coletor (IC) para todos os valores de VCE e IB e anote os mesmos na Tabela II. A corrente de coletor é calculada por;

𝐼C = 𝑉 𝑅 3

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(1)

Repita o procedimento anterior, calculando a corrente do coletor IC para todos os valores de VCE e IB, preenchendo a Tabela II.

𝑅

VCE [V]

0,2

0,4

0,6

2,0

4,0

6,0

8,0

10,0

12,0

IB=10𝜇𝐴

                 

IB=20𝜇𝐴

                 

IB=30𝜇𝐴

                 

IB=40𝜇𝐴

                 

IB=50𝜇𝐴

                 

Tabela II

VALORES DE IC EM FUNÇÃO DE VCE E IB.

Ao término do preenchimento da tabela II, construa a curva de saída IC x VCE do transístor NPN;

construa a curva de saída I C x V CE do transístor NPN; Figura 5. Esboço

Figura 5.

Esboço da curva de saída IC x VCE.

Após a construção da curva de saída IC x VCE, calcule o ganho (𝛽) do transístor para VCE = 6V para cada corrente IB. O ganho (𝛽) é calculado por;

Ic

𝛽 =

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Ib E preencha a Tabela III, com os seus respectivos ganhos;

IB

10 [𝜇𝐴]

20 [𝜇𝐴]

30 [𝜇𝐴]

40[𝜇𝐴]

50[𝜇𝐴]

𝛽

         

Tabela III

VALORES DE 𝛽 EM FUNÇÃO DE IB.

Realize uma conclusão sobre as curvas características de um transistor NPN. Compare os resultados obtidos com o experimento em laboratório, com os resultados obtidos a parti da simulação do experimento em um software, com isso apresente uma tabela com seus respectivos erros para as duas configurações.

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REFERÊNCIAS

de

[1] Dispositivos

BOYLESTAD, 8 a edição, volume 1. [2] http://www.eletronica24h.com.br;

Eletrônicos

e

Teoria

Circuitos,

ROBERT

L.