λλ

RC
1k

RB

47k

CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO
COM TRANSISTOR

Resumo
A apostila apresenta um estudo inicial sobre transistores de junção bipolar
operando no corte e na saturação, ou seja, o transistor operando como chave.
Conceitos básicos do circuito de chaveamento com transistor.

Edson Dozza d’Avila

 Sumário

CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO COM TRANSISTOR ................................................. 2

Introdução ............................................................................................................................... 2

Exercícios de fixação .............................................................................................................. 3

Resolução exercício 1 ............................................................................................................. 5

Cálculo da resistência do Resistor Rc ..................................................................................... 5

Cálculo da resistência do Resistor RB .................................................................................... 5

Escolha de valores padronizados para resistores ................................................................ 5

Tensões e correntes para a chave CH na posição 1 e 2 ...................................................... 7

Referências bibliográficas ...................................................................................................... 8

Edson Dozza d’Avila – Professor Titular do Departamento de Elétrica – DEL - SPO/DEN-SPO - IFSP
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CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO COM TRANSISTOR

Introdução
O transistor, dependendo do projeto, pode operar como um amplificador de sinais ou
como uma chave do tipo liga-desliga (on-off). A Figura 1 apresenta um circuito de chaveamento
com um transistor de junção bipolar – TJB (bipolar junction transistor - BJT). O transistor Q1
opera como uma chave e o circuito inverte o sinal da entrada, ou seja, trata-se de um circuito
inversor com chaveamento por transistor.

No circuito inversor a saída Vout está defasada 180º em relação a Vin. O transistor opera
em dois pontos, corte ou saturação. O resistor RB ajusta o valor de IB de tal modo a garantir que
o transistor sature, ou seja, a tensão entre o coletor e o emissor seja próximo de zero. Quando
IB = 0 (A) o transistor está no corte e também Ic ≅ 0 (A) e a tensão Vout = Vcc. Pode-se dizer
em outras palavras que na saturação o transistor conduz oferendo baixa dificuldade a passagem
de corrente, como em uma chave fechada, e que entre o coletor e o emissor a tensão é próxima
de 0V. No corte o transistor se comporta como uma chave aberta e não permite a passagem da
corrente elétrica entre coletor e emissor e a tensão entre coletor e emissor é a mesma da fonte
de alimentação VCE = Vcc.

Figura 1 - Circuito inversor com um transistor operando como chave

1k VRC

VRB

47k VCE Vout

VBE
Vin

Fonte: Proteus Labcenter

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 A Figura 2 apresenta as formas de onda Vin e Vout. Enquanto Vin excursiona entre 0 e 5
volts, Vout excursiona entre 12 e aproximadamente 0 volts.

Figura 2 - F.O. de Vin e Vout - inversor com chaveamento transistorizado

Vin

Fonte: Proteus Labcenter

Exercícios de fixação
1. Calcular os valores de Rc e RB da Figura 3 para que o transistor opere como chave. Com
a simulação no Proteus, obter as tensões em RB; Rc; VLED; VCE; IC e IB com chave “CH”
na posição 1 e posição 2. Utilizar um LED que emita luz no comprimento de onda de λ
= 595 nm. Limitar a corrente no LED em IF = 10 mA. Para os cálculos considerar VCEsat
= 0,15 V e VBEsat = 0,7 V; Ganho de corrente DC (DC Current Gain) βmin = 110
(FAIRCHILD, 2002, p. 1).
Os resistores são de filme de carbono de uso geral - CR25 com faixa de valores da Série
E-24 (PHILIPS, s.d.).

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Figura 3 - Transistor operando como chave – liga e desliga LED

VRC

VF VCC

VCE

Fonte: Proteus Labcenter

Tabela 1 - Tensões diretas (VF -forward voltage) em função da cor do LED

Cor VF λ (nm)
Infravermelho 1,5 V 940
Infravermelho 1,7 V 880
Infravermelho 1,7 V 850
Vermelho 1,8 V 660
Vermelho
2,0 V 635
(alta eficiência)
Super Vermelho 2,2 V 633
Super Laranja 2,2 V 620
Laranja 2,2 V 612
Laranja (2) 2,1 V 605
Super Amarelo 2,2 V 595
Amarelo 2,1 V 585
Branco incandescente 3,3 V 4500 K
Amarelo pálido 3,6 V 6 500 K
Branco 3,6 V 8 500 K
Amarelo “Lime” 2,4 V 574
Verde “lime” 2,0 V 570
Verde Alta Eficiência 2,1 V 565
Verde super puro 2,1 V 560
Verde Puro 2,1 V 555
Ver Água 3,5 V 525
Azul-Verde 3,5 V 505
Super Azul 3,6 V 470
Ultra Azul 3,8 V 430
Fonte: Instituto NCB, s.d.

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Resolução exercício 1
Da tabela 1 para o comprimento de onda λ = 595 nm, a tensão VF = 2,2 V.

Cálculo da resistência do Resistor Rc

𝑉𝑉𝑅𝑅𝑅𝑅 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐹𝐹 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑅𝑅𝐶𝐶 = = = (12 – 2,2 – 0,15) / 10.10-3 = 965 Ω (1)
𝐼𝐼𝐶𝐶 𝐼𝐼𝑐𝑐

Cálculo da resistência do Resistor RB

𝑉𝑉𝑅𝑅𝑅𝑅 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 −𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝑅𝑅𝐵𝐵 = = 𝐼𝐼𝑐𝑐 = (6 – 0,7) / (10.10-3 / 110) = 58.300 Ω (2)
𝐼𝐼𝐵𝐵
𝛽𝛽

Escolha de valores padronizados para resistores

Da equação (1) obtém-se o RCcalculado = 965 Ω, da Tabela 2, para a Série 24, sabe-se que
o valor comercial mais próximo é RCcomercial = 1 kΩ.

Da equação (2) obtém-se RBcalculado = 58.300 Ω, da Tabela 2, para a Série 24, sabe-se
que o valor comercial RBcomercial = 56 kΩ. Da tabela 3, sabe-se que a tolerância dos valores
resistivos é de ± 5% e que a dissipação máxima Pmax = 0,33 W.

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Tabela 2 - Valores padronizados para resistores IEC-63

Fonte: Philips, s,d.

Tabela 3 - Resistores de filme de carbono - dados técnicos resumidos

Faixa de valores 1 a 10MΩ (série E-24)
Tolerância dos valores resistivos ± 5%
Máxima dissipação à temperatura
0,33 W
ambiente Tamb = 70oC
Especificação básica IEC-115-1 e 115-2
Categoria climática 55/155/56
Fonte: Philips, s,d., p. 23

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Tensões e correntes para a chave CH na posição 1 e 2

Figura 4 - Tensões e correntes com a chave na posição 1

Fonte: Proteus Labcenter

Figura 5 - Tensões e correntes com a chave na posição 2

Fonte: Proteus Labcenter

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Referências bibliográficas

BOURGERON, R. 1300 esquemas e circuitos eletrônicos. 4ª ed. São Paulo: Hemus, 2002.
Tradução do Frances (1300 schémas et circuit electroniques. Éditions Radio, 1985).

BOYLESTAD, Robert L. ; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de

circuitos. 11ª ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.

BRAGA, Newton C. Alimentando corretamente seus LEDs (ART1437). S.d. Instituto NCB.
Disponível em: <https://newtoncbraga.com.br/index.php/projetos/8162-alimentando-
corretamente-seus-leds-art1437>. Acesso em: set. 2020.

CAPUANO, Francisco Gabriel; MARINO, Maria Aparecida Mendes. Laboratório de

eletricidade e eletrônica: teoria e prática. 6ª ed. São Paulo: Érica, 1997.

FAIRCHILD. BC546/547/5 48/549/550: NPN Epitaxial Silicon Transistor. Fairchild

Semiconductor, 2002. Disponível em: < https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/50731/FAIRCHILD/BC548.html>. Acesso em: set. 2020

HOUPIS, Constantine H.; LUBELFELD, Jerzy. Técnica de pulsos: teoria e solução detalhada
de 310 problemas. Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos, 1972. (Coleção Técnica),
Título do original em inglês: Pulse circuits.

OLIVEIRA, Ivanor N. de; et al. Estudo das propriedades do Diodo Emissor de Luz (LED)
para a determinação da constante de Planck numa maquete automatizada com o auxílio da
plataforma Arduino. Revista Brasileira de Ensino de Física, vol. 42, e20190105, 2020.
Disponível em: <https://www.scielo.br/pdf/rbef/v42/1806-9126-RBEF-42-e20190105.pdf>.
Acesso em: set. 2020.

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