Atualmente, os transistores bipolares e principalmente os transistores MOS têm sido

CAPÍTULO 3 empregados em sistemas de potência, principalmente devido a sua velocidade de resposta

Dispositivos de Potência
Prof. Dr. Sérgio Takeo Kofuji
Prof. Dr. Emílio del Moral Hernandez
Prof. Dr. Antonio Carlos Seabra
(chaveamento), facilidade de acionamento e a sua compatibilidade com os circuitos de
controle.
Uma chave simples a transistor bipolar npn é vista na figura 2a e a transistor bipolar pnp
na figura 2c. A onda quadrada v A(t) (sinal de controle) comuta o transistor da condição de
corte à de saturação e vice-versa. Nessas condições, a corrente pela carga passa
alternadamente de zero a VCC /RC no caso do transistor npn e de zero a – VCC/ RC no caso
do transistor pnp .

3.1 INTRODUÇÃO

Neste Capítulo, será estudado uso de transistores bipolares para chaveamento de potências e
um outro dispositivo normalmente utilizado para controlar potências em diversas classes de
aplicações: o Retificador Controlado de Silício (SCR).
Figura 2: Transistor bipolar como chave

3.2 TRANSISTORES BIPOLARES COMO CHAVE É importante notar que a corrente de base durante o estado fechado deve ser suficientemente
Uma chave ideal exibe as propriedades de no estado 1 (fechada ) apresentar resistência elevada para levar o transistor bipolar à saturação, ou seja, para o estado (1,1). Estamos
zero e no estado 0 (aberta ) apresentar resistência infinita entre seus terminais. Em termos de atribuindo 1 para a junção em condução e 0 para a junção em corte. Assim, temos para o
corte (junção base-emissor, junção base-coletor) = (0,0) e para a saturação (BE,BC) =
tensão–corrente, a característica de uma chave ideal (figura 1a) consistiria de linhas retas
representando os estados 1 e 0 (figura 1b). (1,1).
Deixando o caso ideal e passando à realidade, uma análise do circuito em termos de suas
I
características de Ebers-Moll mostra que, muito embora excelente, o desempenho do
I
transistor bipolar como chave não é ideal pelas seguintes razões:
a) existe no estado fechado (1) da chave uma pequena queda de tensão no transistor;
+
Controle V V
b) circuito de entrada (controle da chave) dissipa uma pequena potência;
G c) mesmo no estado de chave aberta há passagem de corrente pelo transistor.
chave chave
desligada ligada Justifiquemos as afirmações acima, analisando diversas condições de operação da chave
(fig. 3):
Ic
(a) (b) (c) satura•‹o IB 4
Figura 1: Características de uma chave ideal
Vcc/R
IB 3
Devemos notar que a parte correspondente à saída da chave ideal não apresenta IC s at Tr ligado
perdas pois o produto VxI é sempre nulo. Associada à chave propriamente dita, temos o regi‹o ativa
circuito de controle, visto na figura 1a, que impõe ao dispositivo comutar entre os dois IC Q IB 2
estados possíveis. Chaves eletrônicas têm diversas aplicações, tais como em lógica digital, Tr desligado
controle, eletrônica de potência, fontes chaveadas, etc. IB 1
Um tipo de transistor que não será estudado neste capítulo mas que é muito empregado corte
como chave em circuitos lógicos é o transistor de efeito de campo (TECMOS). Com o I B =0
advento de novas tecnologias o transistor MOS também passou a ser empregado como Vcc V CE
VC Es at V C Q
chave em circuitos de potência.
Figura 3: Características de saída de um transistor bipolar npn

Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3- 1 Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3 -2
Suponhamos inicialmente a corrente de base de valor tal que corresponda ao ponto de O tempo de subida ts (rise time t r) representa o intervalo de tempo que a corrente de
funcionamento Q. O transistor bipolar neste ponto está na região ativa (normal). A tensão do coletor leva para ir de 10% a 90% de I Csat.
coletor (fig. 3) será VCQ e a corrente de coletor I CQ. Estamos, nestas condições, em um estado O tempo de armazenamento tA ( storage time ts ) representa o intervalo de tempo que
intermediário entre chave aberta e chave fechada. Ao aumentarmos a corrente de base, a decorre do instante em que a corrente de base chaveia para cortar o transistor e o instante em
tensão entre coletor e emissor diminui até alcançar VCEsat. A partir daí, um aumento de I B não que a a corrente de coletor reduz-se a 90% de I Csat.
implica diminuição sensível de VCE. Diz-se que o transistor bipolar está O tempo de descida td (fall time tf) representa o intervalo de tempo que a corrente de
saturado, apresentando resistência entre coletor e emissor coletor leva para ir de 90% a 10% de I Csat.
relativamente pequena (Rs) . Seria o caso de compararmos o transistor bipolar a uma Adotando-se a definição dos fabricantes de componentes eletrônicos, define-se ainda o
chave fechada . tempo de ligamento (turn on time ) como a soma de ta e ts e o tempo de desligamento
Ao diminuirmos o valor da corrente de base, a corrente de coletor irá diminuir, tendendo ( turn off time ) como a soma de t A e tf (estes dois últimos tempos costumam ser definidos
a I C0 . Nessa condição, a tensão VCE é bastante grande (aproximadamente VC C) enquanto a de outra forma em circuitos digitais).
corrente I C é muito pequena. Diz-se que o transistor bipolar está cortado,
apresentando resistência entre coletor e emissor relativamente alta . vA
Pode-se entender o transistor bipolar nessa condição como equivalente a uma chave
V2
aberta .
Devemos observar ainda que, tanto no corte como na saturação, as potências 0
t
dissipadas no transistor bipolar são bastante pequenas . Das análises feitas, V1
concluímos que o transistor bipolar pode, sob certas condições, atuar como uma chave quase
iC ts td
ideal. ta
Para efeito de análise do ponto de vista do circuito externo, o transistor bipolar operando 0,1I Csat t
no corte (chave aberta) pode ser substituído por um circuito aberto (figura 4a). Por outro ICsat
lado, o transistor bipolar operando na saturação (chave fechada) pode ser substituído por 0,9I Csat
duas fontes de tensão contínuas, uma representando VBE sat ( ≈ 0,7V para Si) e outra tligamento
tA
representando VCEsat ( ≈ 0,3V para Si) (figura 4b). iB tdesligamento
IB2

E E 0
t

IC = 0 VEB sat ≈ 0 , 7 V VEC sat ≈ 0 , 3 V IB1

IE = 0
Figura 5: Formas de onda da corrente de base e de coletor e respectivos tempos de chaveamento para um circuito
B IB = 0 C B C empregando transistor bipolar pnp.

a) b)
Figura 4: a) Modelo externo equivalente de um transistor bipolar pnp operando no corte (chavea aberta); b) Modelo
externo equivalente de um tr. bipolar operando na saturação (chave fechada).

Outra característica muito importante observada na prática (e que limita a velocidade de

chaveamento) é que o transistor bipolar necessita de algum tempo para chavear do corte para
a saturação ou da saturação para o corte, como mostra a figura 5.
Existem quatro intervalos de tempo importantes para o chaveamento de um transistor
bipolar. Eles serão descritos baseando-se no circuito da figura 5, e serão determinados a
partir das formas de onda da corrente de base (entrada) e da corrente de coletor (saída).
A corrente de coletor iC(t) excursiona de iC(t) = I C0 ≈ 0 até i C(t) = I Csat = VCC /RC .
O tempo de atraso ta (delay time t d ) representa o intervalo entre o instante em que a
corrente de base chaveia para saturar o transistor e o instante em que a corrente de coletor
atinge 10% de I Csat.

Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3- 3 Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3 -4
3.3 O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO (SCR) PNPN. Pode -se portanto fazer a analogia com dois transistores interligados, um PNP e outro
NPN, como indicado na figura 2. Na figura 2b pode-se observar que a corrente de base do
Já vimos anteriormente que diodos semicondutores são fabricados a partir da junção de
transistor PNP é a corrente de coletor do transistor NPN. A corrente de base do NPN é a
duas camadas semicondutoras (pn ) e que transistores bipolares são fabricados a partir da
corrente de coletor do PNP mais a corrente de gatilho. Existe portanto uma situação de
junção de três camadas semicondutoras (pnp ou npn ). Existe uma classe muito importante
realimentação positiva (processo regenerativo): um aumento de IB1 provoca um aumento de
de dispositivos eletrônicos que é fabricada a partir da junção de quatro camadas
I C1 = IB2 que por sua vez ocasiona novo aumento de IC 2 = IB 1 e assim por diante, num
semicondutoras ( pnpn ); são os chamados tiristores.
processo que tende a aumentar I A cada vez mais.
Tiristores são dispositivos largamente empregados no controle de altas tensões e altas
correntes (existem tiristores capazes de controlar corrrentes da ordem de 5000A ou de
5000V). Até pouco tempo atrás o controle de altas tensões ou correntes utilizando
dispositivos eletrônicos de estado sólido era feito por meio de vários dispositivos de baixa
potência associados em paralelo pois não se dominavam as técnicas necessárias para a
fabricação de dispositivos de alta potência. Hoje em dia os dispositivos de alta potência são
largamente empregados em fontes de alimentação de propósito geral, em controladores de
velocidade para motores CA ou CC, em controles de motores de passo e servo-motores,
etc.
Dentro da classe dos tiristores o dispositivo conhecido como Retificador Controlado de
Silício (SCR) é um dos mais empregados e através do seu estudo podemos entender o
princípio de funcionamento dos tiristorese a sua utilização no controle de tensões e correntes
elevadas.
Figura.2: Analogia de dois transistores de um SCR
O SCR é basicamente um diodo, onde temos um terceiro terminal para controlar a sua
condução no sentido direto. A construção básica, seu símbolo e sua curva característica são
apresentados na figura 1. Basicamente, para VA K < 0, o dispositivo se comporta como um
diodo reversamente polarizado. No entanto, para VA K > 0, o dispositivo somente irá Lembrando-se que:
conduzir se a tensão VAK atingir um valor de disparo, que depende da corrente de gatilho (ou
porta), conforme representado na figura 1. Observe que para IG = 0, o disparo somente I C = βF I B + (β F + 1)I CBO e IE = IB + IC
ocorre para uma tensão VA K = VBO (tensão de avalanche direta do dispositivo) e que a
tensão VAK necessária para fazer o dispositivo conduzir diminui a medida que aumentamos a E observando-se a figura 2:
corrente de gatilho I G. Para IG = IG T , o SCR se comporta como um diodo comum. βF 2
IC 2 = I E2 + I CBO2
β F2 + 1
(1)

I E1
e I B1 = − I CBO1 (2)
βF1 + 1

Como I B1 = I C2 , temos:
IA βF 2
− I CBO = I A + I CBO2 (3)
β F1 + 1 β F2 + 1

Figura 1: Curva característica de um SCR.

3.3.1 Teoria de Operação

Para explicar o princípio de funcionamento de um SCR será feita uma analogia com
transistores. Como mencionado anteriormente, um SCR possui quatro camadas distintas,

Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3- 5 Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3 -6
Portanto, que a corrente IA pode ser escrita como:
(βF1 + 1)(β F 2 + 1)(I CBO1 + I CBO 2 )
IA = (4)
1 − β F1β F 2
A equação (4) nos dá a chave do funcionamento do SCR. Como vimos no Capítulo 3,
Polarização de Transistores, o ganho de corrente β F depende da corrente IC (figura 3).
Observe que para baixos valores de IC , β F assume valores extremamente baixos,
aumentando à medida que a corrente I C aumenta.
Figura 3: Dependência de βF com IC
Mesmo que o SCR esteja diretamente polarizado, os dois transistores estão cortados,
circulando pelos seus coletores as correntes IC B O. Sendo estas correntes em geral
extremamente baixas, pelo gráfico de β F em função de IC , podemos ver que os β Fs terão
valores bastante baixos, fazendo com que o produto β F1 β F2 da expressão (4) seja baixo,
menor que 1. No entanto, se por algum motivo o produto β F1 β F2 aproximar-se da unidade, a
corrente de anodo IA aumenta até ser limitada pelo circuito externo (reta de caraga externa).
Veremos a seguir os diversos meios de disparo do SCR.
3.3.2 Métodos de Disparo de um SCR
3.3.2.1 Disparo por Pulso de Gatilho (Porta)
Se injetarmos uma corrente de gatilho, elevaremos a corrente de base I B2 , que fará aumentar
IC 2 , e consequentemente de IB1 , e IC 1 . Como IB2 é a soma corrente de gatilho mais IC1 , IB2
aumentará. Temos um processo regenerativo onde as correntes vão aumentando até a
saturação dos transistores. Mesmo que deixemos de aplicar a corrente de gatilho, uma vez
iniciado o processo, o dispositivo se manterá em condução pois cada transistor alimenta o
outro. Em termos da expressão (4), podemos dizer que o aumento de IB2 fez aumentar o
produto β F1 β F2 até próximo de 1, fazendo disparar o dispositivo.
A corrente de anodo IA para a qual temos a estabilização do processo regenerativo é
denominado corrente de partida (em inglês, "latching current").
Este é o processo geralmente empregado para disparar o dispositivo.
3.3.2.2 Disparo por Sobretensão
Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3- 7
Já vimos que se elevarmos a tensão a VA K até um determinado valor, que depende da
corrente de gatilho aplicada, o dispositivo entrará em condução. Para o terminal de gatilho em
aberto (IG = 0), a tensão VAK de disparo é denominada V(BO)F (do inglês "break-over
forward"). Para entendermos este processo, vamos nos reportar à figura 2. Observe que na
polarização direta, temos as junções J1 e J3 diretamente polarizadas e a junção J2
reversamente polarizada. A medida que aumentamos a tensão VA K aumentamos cada vez
mais a polarização reversa de J2 , a tal ponto que pode se estabelecer o processo de ruptura
por avalanche da junção. Temos então um aumento da corrente de anodo e a condução do
dispositivo.
3.3.2.3 Disparo por dV/dt
Toda junção PN possui uma capacitância associada. No circuito da figura 4, ao fecharmos a
chave CH1, circulará uma corrente pela capacitância da junção reversamente polarizada. Se
o dV/dt associado a carga da junção for maior que um valor máximo especificado pelo
fabricante, poderá ocorrer o disparo do dispositivo devido à brusca variação da tensão VA K.
Este método de disparo é conhecido como disparo por dv/dt, e se deve basicamente à
corrente i = C dV/dt necessária para suprir a variação de cargas na capacitância da junção
J2 . Assim, se o dV/dt for suficientemente elevado, a corrente poderá atingir um valor que
colocará o dispositivo em condução.
Figura 4: Disparo por dV/dt
Normalmente este disparo é indesejado, sendo empregado um circuito amortecedor RC
(um resistor em série com um capacitor) em paralelo com o SCR (conhecido como circuito
"snubber") para evitar que a tensão VAK varie muito bruscamente.
3.3.2.4 Diparo por Temperatura
A corrente IC B O aproximadamente dobra a cada aumento de 10°C de temperatura, assim se
a temperatura for muito elevada, as correntes IC B O 1 e I C B O 2 poderão atingir valores tais que o
produto β Flβ F2 tenda a 1 fazendo disparar o dispositivo. É oportuno lembrar também que os
próprios β F aumentam com a temperatura.
3.3.2.5 Disparo por Luz ou Radiação
Outra maneira de disparar o dispositivo é através de aplicação de luz ou radiação no gatilho
através de uma janela especialmente colocada no encapsulamento para este fim. A idéia é que
a luz ou radiação provoque a criação de pares elétrons-lacunas, aumentando a corrente de
gatilho e fazendo disparar o dispositivo. SCRs que podem ser disparados por luz recebem o
nome de LASCR (light activated SCR ).
É importate observar que o acionamento por luz possibilita o completo isolamento elétrico
entre o circuito de disparo do SCR e o circuito a ser comandado (que usualmente opera com
altas tensões e/ou correntes). Além disso, utilizando-se a luz como forma de disparo evita-se
que pulsos espúrios de tensão, muito comuns em circuitos de alta potência, venham a disparar
inadvertidamente o SCR.
3.3.2.6 Métodos de Comutação de um SCR
Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3 -8
A comutação de um SCR consiste no processo de levá-lo ao estado de bloqueio, de maneira
que a reaplicação de uma tensão positiva VAK não o faça reconduzir (a menos que um dos
fatores de disparo discutidos anteriormente estejam presentes).
O SCR leva algum tempo para assumir a condição de bloqueio. Se aplicarmos uma
tensão VA K positiva antes desse tempo, podemos eventualmente fazer o SCR voltar a
condução. Este tempo pode ser facilmente explicado através do modelo de 2 transistores.
Quando o SCR encontra-se em condução, os 2 transistores estão em saturação, e cargas são
acumuladas nas bases dos transistores. Para fazer os transistores retornarem ao corte estas
cargas precisam ser retiradas, como veremos no Capítulo 6, "Transistor como Chave".
Tipicamente um SCR leva em torno de dezenas de microssegundos para comutar, o que
impõe uma frequência máxima de operação para este dispositivo.
Vamos estudar a seguir as técnicas para comutar um SCR para o estado de bloqueio.
3.3.2.7 Comutação Natural
A comutação natural consiste na redução da corrente de anodo abaixo de um valor mínimo IH
conhecida como corrente de manutenção (em inglês "holding current").
Figura 5: Circuito de Comutação natural
3.3.2.8 Comutação Forçada
Outra técnica comumente utilizada para comutar um SCR é através da aplicação de uma
tensão negativa entre anodo e catodo.
Esta técnica é conhecida como técnica de comutação forçada.
Figura 6: Circuito de Comutação Forçada
Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3- 9
3.3.3 Valores Nominais do SCR
Vamos apresentar a seguir alguns parâmetros de interesse de um SCR, empregando a
terminologia recomendada pelo JEDEC ("Joint Electronic Device Engineering Council"), um
organismo internacional de padronização.
a) VBO : Tensão de Disparo. É a tensão VAK que provoca a avalanche do SCR com a
corrente I G = 0. Outras notações: VFBO , V(BO)F , V (BR)F
b) VR R M : Pico Repetitivo da Tensão Reversa. É o máximo valor instantâneo repetitivo
permissível entre os terminais do SCR. Outras notações: VR B , V RM(rep), VROM(rep)
c) dV/dt max: Taxa Máxima de Crescimento da Tensão no Estado de Bloqueio, acima da
qual o SCR dispara mesmo se IG = 0 e VAK < VB O .
d) IH : Corrente de Anodo-Catodo de Manutenção, abaixo da qual o SCR comuta.
e) I L: Corrente de de Anodo-Catodo de Partida, acima da qual o SCR dispara.
f) di/dt max: Taxa Máxima de Crescimento da Corrente no Estado de Condução. É o
valor máximo da taxa de crescimento da corrente do estado de condução, que o
SCR pode suportar sem ser danificado.
g) I GT: Corrente de Gatilho de Disparo. É o valor mínimo de corrente contínua aplicada ao
gatilho, necessário para chavear um SCR do estado de bloqueio ao estado de
condução.
h) IG D: É o máximo valor de corrente continua aplicada ao gatilho, que não irá provocar o
chaveamento de um SCR do estado de bloqueio para o estado de condução.
Outra notação: IGNT
i) VGT: É a tensão CC necessária para produzir a corrente de gatilho com disparo.
j) VGD: Tensão de Gatilho sem disparo. É a máxima tensão CC que não provocará o
chaveamento do SCR do estado de bloqueio para o estado de condução. Outra
notação: VGNT
k) PG(AV): Potência Média de gatilho. É o máximo valor permitido para a dissipação de
potência de gatilho que a junção de gatilho do dispositivo pode suportar. Este valor é
obtido fazendo-se a média da potência por um ciclo completo.
Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3- 10
3.3.4 Circuito de Disparo características do SCR, principalmente o dv/dt máximo em dispositivos de alta potência,
embora acarrete um aumento substancial da corrente de gatilho.
Na figura 7 temos mostrado um circuito com SCR e a sua característica I A X VAK superposta
com a reta de carga (imposta pelo circuito externo). Consideremos inicialmente IG = 0. Na
figura 7.b, como VAK é menor que a tensão VB O o SCR não irá disparar, permanecendo o
circuito no ponto de operação estável (1).

Figura 9: Circuitos equivalentes de gatilho

Podemos simplificar o modelo equivalente após o disparo do SCR, substituindo o diodo por
uma bateria de valor constante VD (fig. 9b). Note que nesta situação, se o terminal da gatilho
ficar com uma polarização negativa, fluirá uma corrente negativa de gatilho que poderá
eventualmente danificar o dispositivo.
3.3.4.2 Disparo CC

Figura 7: Curva de um SCR com IG=0 superposta com a reta de carga

Se elevarmos a corrente de gatilho para um valor IGl, a curva do SCR passaria a ser a da
linha tracejada mostrada na figura 8. Observe que agora o ponto de operação do circuito
passará a ser o ponto (4), que é exatamente o ponto de disparo do SCR. Portanto, o SCR
dispara e o novo ponto de operação passa a ser ponto (3) que é estável. Note que o disparo
do SCR depende portanto de VAA , RA e de IG.
Fica a cargo do aluno explicar porque o ponto (2) não é um ponto estável.
No projeto de um circuito de disparo, devemos levar em consideração os seguintes fa tores:
• a característica tensão-corrente de gatilho, aproximada por uma curva de diodo, varia de
dispositivo a dispositivo (família de curvas mostrada na figura 10) e com a temperatura;
• as especificações de tensão, corrente e potência máximas de gatilho não devem ser
ultrapassadas;
• circuito deve ser imune a disparo por sinais espúrios;
• disparo deve ocorrer apenas em uma condição especificada.
IG Dispers‹o de Curvas I G x VG
de uma fam’lia de SCRs

min tip

max

VG
Figura 8: Curva de um SCR com IGl superposta com a reta de carga
Figura 10: Dispersão da curva IG x VG
Se reduzirmos a tensão VAA ou elevarmos a resistência RA, o ponto (3) irá se deslocar na
curva do SCR até que a corrente do SCR caia abaixo da corrente de manutenção. Neste Para atender a estes requisitos, devemos seguir as restrições mostradas na figura 11. Para
instante o SCR comuta para o corte. assegurar que o disparo ocorra independente de dispersões de característica de dispositivo e
da tensão VA K, devemos aplicar uma polarização de gatilho que esteja situada fora da região
3.3.4.1 Circuito Equivalente de Gatilho (Porta)
hachuriada, mas obedecendo os limites de tensão, potência e corrente máximas. Isto é, dado
Para facilitar a análise de circuitos com SCRs, podemos representar a junção gatilho-catodo o circuito de disparo CC da figura 12a, o ponto de operação deve localizar-se como
por um circuito equivalente composto por um diodo e uma resistência, como mostrado na mostrado na figura 12b.
figura 9a. A resistência RL representa a resistência lateral da região P de gatilho da figura 1. A
resistência RC E representa qualquer curto -circuito de emissor, intencional ou não, colocado
entre gatilho e catodo. Esta resistência, quando intencional, tem a função de melhorar algumas

Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – C a p . 3-1 1 Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3- 12
 IG

min tip

max
M‡xima corrente
de gatilho

Regi‹o
apropriada
para M‡xima pot •ncia
disparo de gatilho
IGT
M‡xima tens‹o
de gatilho

V GT VG

Figura 11: Restrições ao ponto de operação do gatilho

Figura 13: Circuito de Disparo CA 0 - 90 graus

Para um valor determinado de tensão de disparo, a resistência RX que é a soma de R1 com

R2 , pode ser calculada aproximadamente por (desprezando-se a queda em Rcarga, que é
muito pequena):
E G disparo − 2VD
RX =
I GT
(5)
onde os 2V D representam a queda de tensão no diodo D e na junção gatilho-catodo. Para um
valor de ângulo de disparo de 90 graus, o valor má ximo RX é dado por:

Figura 12: Circuito de Disparo CC e Ponto de operação E G max − 2V D 2Vef

R X max = ≅
3.3.4.3 Disparo por Pulsos I GT I GT
(6)
Frequentemente, em vez de circuitos de disparo CC, são utilizados circuitos de disparo por Este circuito é aceitável quando as variações de parâmetros do SCR (tanto por dispersão
pulsos, onde pulsos de grande amplitude são aplicados para disparar o SCR. Como o pulso quanto por temperatura) forem baixas.
pode retornar a um valor inferior, ou mesmo a zero, após o disparo, temos a vantagem de Para ampliar a faixa de controle para 0 a 180 graus, podemos utilizar um capacitor, como
reduzir a potência dissipada na junção gatilho-catodo. Além disso, como podemos aplicar mostrado na figura 14. O diodo D2 serve para carregar negativamente o capacitor no
um pulso de grande amplitude (em geral, uma corrente 5 vezes maior que IG T), também semiciclo negativo, permitindo que o ciclo comece sempre a partir de um nível constante de
reduzimos o tempo de disparo do SCR. carga.
Uma importante vantagem deste tipo de circuito de disparo é que ele permite a fácil
obtenção de isolação elétrica entre o SCR e o circuito de disparo através de transformadores
de pulso ou acopladores optoeletrônicos. Assim, é fácil construir um circuito no qual um único
sinal de disparo é usado para disparar diversos SCRs ao mesmo tempo.
3.3.4.4 Disparo CA
Um outro circuito de disparo frequentemente utilizado na prática é o de disparo CA, onde o
sinal de disparo é extraído diretamente da fonte CA de entrada. O circuito da figura 13
exemplifica um desses circuitos. Neste circuito, através da variação de R2 , podemos variar o
ângulo de disparo de 0 a 90 graus.

Figura 14: Cicuito de Disparo CA 0 - 180 graus

Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – C a p . 3-1 3 Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3- 14
3.3.5 Análise de dois Circuitos Didáticos com SCR R A + RB
portanto Vdisp = E g senθ ≈ 0,6 (9)
RB
Vamos em seguida fazer a análise de dois circuitos simples com SCR que serão utilizados na
parte prática. Estes circuitos, embora adequados aos fins deste Capítulo, necessitam ser
utilizados com cautela na vida prática quando forem utilizados outros tipos de SCR ou ainda 3.3.7 Circuito de Disparo 0 a 180 Graus
outros valores de tensão de entrada. Isto porque nestes circuitos não foram empregados
O circuito está mostrado na figura 17. A idéia básica deste circuito é aplicar ao gatilho um
circuitos especiais de proteção e não foram levados em consideração variações de
sinal de disparo derivado do próprio sinal de entrada CA, de modo que quando o sinal de
parâmetros.
entrada atingir o valor Vdisp correspondente a um ângulo de disparo desejado, se tenha no
O SCR utilizado nestes circuitos é o TIC106, que é um dispositivo com baixíssima
gatilho do SCR uma tensão VG e uma corrente IG que disparem o SCR. O capacitor tem
corrente de disparo de gatilho, não contendo nenhum curto-circuito de emissor. Os dados
como função prover um atraso adicional de até 90 graus.
técnicos do TIC106 podem ser obtidos no apêndice A deste livro.

3.3.6 Circuito de Disparo 0-90 Graus

No circuito da figura 15 temos mostrado um circuito de disparo CA com ângulo de controle

de 0 a 90 graus.

Figura 17: Circuito de Disparo CA Didático 0-180 graus

Como no estudo do circuito anterior, determinaremos inicialmente o gerador CA equivalente

Thévenin do circuito de gatilho. Este circuito, considerando R1 >> RA está mostrado na figura
18.

Figura 15: Circuito de Disparo CA didático 0-90 graus

Podemos obter o gerador CA equivalente Thévenin do circuito de gatilho, como mostrado na

figura 16.

Figura 18: Circuito equivalente de Gatilho da fig. 17

Pode-se demonstrar que se R2 I g << VG T, podemos fazer:

E g sen [ωt − arctg(ω R A C)]R2
vg =
Figura 16: Circuito equivalente de gatilho do circuito da fig. 15
[1+ (ωR C)] (R + R )
A
2
12
1 2
(10)

Se considerarmos: (R A // R B)IG << VGT (7) portanto E sen (θ − ϕ) ≈ 0, 6

g
[1 + (ω R C )] (R +R )
A
2
12
1 2 (11)
R2
a tensão de gatilho (entre a gatilho e catodo) é dada pelo próprio gerador ideal equivalente. onde ϕ = arctg(ω R A C) e tgϕ = ωR AC .
Assim, podemos obter o valor da tensão de entrada Ve onde ocorre o disparo do SCR,
considerando que a tensão de disparo V G vale aproximadamente 0,6 V.
RB
Assim: v g = E G sen (ω t) ≈ 0,6 Volts (8) 3.4 BIBLIOGRAFIA
RB +RA
1. M. H. Rashid, Power Electronics – Circuits, Devices, and Applications,
Prentice Hall, 1993.

Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – C a p . 3-1 5 Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – Cap.3- 16
2 A. S. Sedra e K. C. Smith, Microelectronics , 4a. Ed., Oxford University Press,
1998.
5. M. H. Rashid, Power Electronics – Circuits, Devices, and Applications ,
Prentice Hall, 1993.

Eletrônica Experimental Dispositivos de Potência – C a p . 3-1 7