c

c
c
c
c

c

<


c

c

<<

c


<
<
c

c Ú

c
 
c  
c
cc  cc
c

< <

Ý
 cc cc
c

<<

<<
 

<


cc
c
c
cc
ô
 
ôô 
c

c c
Ý
Ý c

El 
  es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
El término "transistor" es la contracción en inglés de V
  V ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra
prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos
de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras,
lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc.

Ý
  
 

c

El 
 cc

c   (del inglés ’ 

 V
V , o sus siglas ’) es un dispositivo electrónico de estado
sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en
algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Ôc <
c
cc 

cc
c 
c c c
c
c 

c   c  c
c
c
c cc
c
c
c
c
c
  
c  ca
cc 
 cc

c
Ôc ’ c
c
c
c 
c
c

cc cc   c
Ôc ccc
 c
 c

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en
directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de
corte, estado de saturación y estado de actividad.

<



c

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región
del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN.
Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
 c

 c

c
 cc
c
 cc
c 
cc cc
c
 
c  c
c
c
   cc

 cc

c
c
c
 c

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de
alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base
escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de Į se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
un gran ȕ.

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que
intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el
colector con el emisor hacen que los valores de Į y ȕ en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en
modo activo; muchas veces el valor de Į en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de
dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente dopado, permitiendo
que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. La unión colector-base está
polarizada en inversa durante la operación normal. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia
de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados por la base.
Para una gran ganancia de corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor.

El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseñados
simétricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso.

Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el
colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden
ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero son caracterizados más simplemente como fuentes de corriente
controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.

Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT modernos están compuestos de silicio.
Actualmente, una pequeña parte de éstos (los transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

cÝ
Ý ccÝc
 (ü

 V
V o ü, en inglés) es en realidad una familia de transistores que
se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden
plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.

La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea
monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (V
V
V , o transistores de
película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es
como pantallas de cristal líquido o LCD).

P-channel

N-channel


V 


ü





 
 V

V !! 
 !
üV 
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-
Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).

Tienen tres terminales, denominadas puerta (
V), drenador (
) y fuente ( ). La puerta es la terminal equivalente a la base
del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en
absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras
terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay
que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.

Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal
p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción,
respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente
fundamental de los circuitos integrados o   digitales.



 


Ôc Ýc

c 
cc

c

c

c
c!""#$c
Ôc  cc
c 
%cc
c

 cc
&
c 

 c '
 $c
Ôc o

c  c
 c
c
c
c

c
Ôc <c c
  c
Ôc 
c 
c

c    
c

c
 c

c(
c

Ã
<Ý

Ý
 c#)*<Ýcc   c

ccccccccccccccccccccccÝ
 c#)*<Ýcc   c

cc

Ý son las siglas de  cc

 cccÝ
 . Consiste en un transistor de efecto de campo
basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.



 

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de
dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por
una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el
dopaje:

Ôc Ý cë
+c

 cc ccc
 cc cëc

Ôc Ý c
+c

 cc cëcc
 cc cc

Las áreas de difusión se denominan 

(source) y 
 (drain), y el conductor entre ellos es la  (gate).

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

  cc c
Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre
fuente y drenador. También se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.



c
 c

Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región de deplexión en la región que separa
la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS)
en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que
una diferencia de potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia
controlada por la tensión de puerta.

c  
c

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las
cercanías del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo eléctrico entre
ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

ô 
 

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y
nMOS complementarios. Véase Tecnología CMOS

Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

Ôc j 
c  

c cc
Ôc 
 cc 

cc  
c o< *<Ýc*j<*<Ýc $c
Ôc #& 
 cc
 
c c#)*<Ýcc c

c


  c

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los
transistores bipolares:

Ôc Consumo en modo estático muy bajo.

Ôc Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
Ôc ~ran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
Ôc Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad
que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.
Ôc Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
Ôc La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
Ôc Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Ý
Ý

c

El   (gr.:  V
) es un componente electrónico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentación interna
para producir una conmutación. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la
temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque
solamente transmiten la corriente en un único sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia eléctrica.

El dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre los mismos. Por tanto se puede modelar
como 2 transistores típicos PNP y NPN, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se crean así 3
uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está conectado a la unión J2 (unión NP).
Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio (SCR);1 otras definen al SCR como un tipo
de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC.

Este elemento fue desarrollado por ingenieros de ~eneral Electric en los años 1960. Aunque un origen más remoto de este dispositivo
lo encontramos en el SCR creado por William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el cual fue defendido y
desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. ~ordon Hall lideró el desarrollo en Morgan Stanley para su posterior comercialización
por ~.E.'s Frank W. "Bill" ~utzwiller.



 

El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico de los interruptor/ses mecánicos; por tanto, es capaz de
dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de
soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio básico puede observarse también en el diodo Shockley.

El diseño del tiristor permite que éste pase rápidamente a encendido al recibir un pulso momentáneo de corriente en su terminal de
control, denominada puerta (o en inglés, 
V) cuando hay una tensión positiva entre ánodo y cátodo, es decir la tensión en el ánodo es
mayor que en el cátodo. Solo puede ser apagado con la interrupción de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar
una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existirá una débil corriente inversa de
fugas hasta que se alcance el punto de tensión inversa máxima, provocándose la destrucción del elemento (por avalancha en la unión).

Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el ánodo, y
además debe haber una pequeña corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unión J2 para hacer que
el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el ánodo una corriente de sostenimiento,
mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejaría de conducir.

A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar así la tensión necesaria entre ánodo y
cátodo para la transición OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensión entre ánodo y cátodo dependen directamente
de la tensión de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta I~
(intensidad de puerta), tanto menor será la tensión ánodo-cátodo necesaria para que el tiristor conduzca.

También se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensión ánodo-cátodo es mayor que la
tensión de bloqueo.

 
 


  

 ! Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el número de pares electrón-hueco aumentará
pudiéndose activar el tiristor.

 
cc  ! Para un tiristor polarizado en directa, la inyección de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje
positivo entre compuerta y cátodo lo activará. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuirá el voltaje de bloqueo directo,
revirtiendo en la activación del dispositivo.

Ý" ! Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del número de pares electrón-hueco, por lo que aumentarán las
corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre ánodo y cátodo, y gracias a la acción regenerativa, esta corriente puede
llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activación podría comprender una fuga térmica, normalmente cuando en un
diseño se establece este método como método de activación, esta fuga tiende a evitarse.

 c  ! Si el voltaje directo desde el ánodo hacia el cátodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se creará una corriente de
fuga lo suficientemente grande para que se inicie la activación con retroalimentación. Normalmente este tipo de activación puede
dañar el dispositivo, hasta el punto de la destrucción del mismo.

#$! Si la velocidad en la elevación del voltaje ánodo-cátodo es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede
ser suficiente para activar el tiristor. Este método también puede dañar el dispositivo.

ô 
 

Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o voltajes muy grandes, también son comúnmente usados para controlar
corriente alterna donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexión o desconexión del dispositivo. Se puede decir
que el dispositivo opera de forma síncrona cuando, una vez que el dispositivo está abierto, comienza a conducir corriente en fase con
el voltaje aplicado sobre la unión cátodo-ánodo sin la necesidad de replicación de la modulación de la puerta. En este momento el
dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe confundir con la operación simétrica, ya que la salida es
unidireccional y va solamente del cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es asimétrica.

Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en controladores accionados por ángulos de fase, esto es una
modulación por ancho de pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna.

En circuitos digitales también se pueden encontrar tiristores como fuente de energía o potencial, de forma que pueden ser usados como
interruptores automáticos magneto-térmicos, es decir, pueden interrumpir un circuito eléctrico, abriéndolo, cuando la intensidad que
circula por él se excede de un determinado valor. De esta forma se interrumpe la corriente de entrada para evitar que los componentes
en la dirección del flujo de corriente queden dañados. El tiristor también se puede usar en conjunto con un diodo zener enganchado a
su puerta, de forma que cuando el voltaje de energía de la fuente supera el voltaje zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de
entrada proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un fusible.

La primera aplicación a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensión de entrada proveniente de una fuente de tensión,
como un enchufe, por ejemplo. A comienzo de los ¶70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensión de entrada de los
receptores de televisión en color.

Se suelen usar para controlar la rectificación en corriente alterna, es decir, para transformar esta corriente alterna en corriente continua
(siendo en este punto los tiristores onduladores o inversores), para la realización de conmutaciones de baja potencia en circuitos
electrónicos.

Otras aplicaciones comerciales son en electrodomésticos (iluminación, calentadores, control de temperatura, activación de alarmas,
velocidad de ventiladores), herramientas eléctricas (para acciones controladas tales como velocidad de motores, cargadores de
baterías), equipos para exteriores (aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrónicas...)

j 
  
 

El   c
   cc (en inglés SCR: 
 "V 

# V ) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de

material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor.

cccccccccccccccccccccc c,  cc c

Ý c

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el
ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.
Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha
tensión, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.
Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

El pulso de disparo ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo si se está trabajando en corriente alterna. En este último
caso, según se atrase o adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga. Una vez
arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por
debajo de la corriente de mantenimiento (en la práctica, cuando la onda senoidal cruza por cero)
Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor, éste puede dispararse y entrar en conducción
aún sin corriente de puerta. Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite mantener bloqueado el
SCR. Este efecto se produce debido al condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control, especialmente control de motores, debido a
que puede ser usado como interruptor de tipo electrónico.

Ý 


Un Ý 
 o Ý  c  c 
c

es un dispositivo semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con un
tiristor convencional es que éste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un
interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en antiparalelo.

Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza
aplicando una corriente al electrodo puerta.

ccccccccccccccccccccccc c,  c

 
ccÝj'-c

ô 
 
 

Ôc 
c

c c
c
c

cc  cc c

c
Ôc "
cc
cc
c
&
c  c
 c c   c

c
%
c c c
 c  c
  
cc c(c
Ôc *
  
c  c. c  cc
(c
c
c
Ôc c
&
cÝj'-cc
%
c  
cc

c

 c  c


 cc
&c  cc 
c

c  c
(  ccc c
cc  c 

&
 cc
 c c
 c c 
c

 cc
&
c c


c

c  c  c(  ccc 
c
c

 c 

c

c


c
ccÝj'-cc



c  
c
c
cc

c   cc
c 
cc c

c

Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido.

"c

 c

 (comúnmente abreviado
%% u & ), es un circuito electrónico (normalmente se
presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un
factor (~) (ganancia):
Vout = ~ (V+ V
)
El primer amplificador operacional monolítico, que data de los años 1960, fue el Fairchild 
'() (1964), diseñado por Bob Widlar.
Le siguió el Fairchild 
'(* (1965), también de Widlar, y que constituyó un gran éxito comercial. Más tarde sería sustituido por el
popular Fairchild 
'+,(1968), de David Fullagar, y fabricado por numerosas empresas, basado en tecnología bipolar.

Originalmente los
%% se empleaban para operaciones matemáticas (suma, resta, multiplicación, división, integración, derivación,
etc.) en calculadoras analógicas. De ahí su nombre.

El
%% ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un ancho de banda también infinito, una impedancia de
salida nula, un tiempo de respuesta nulo y ningún ruido. Como la impedancia de entrada es infinita también se dice que las corrientes
de entrada son cero.

9


El símbolo de un amplificador cc   c

c c-
c- !

Los terminales son:

Ôc  +c

c c 
c
Ôc +c

c 
c
Ôc )"Ý+c

c
Ôc  +c

c 
c
Ôc +c

c

c

Los terminales de alimentación pueden recibir diferentes nombres, por ejemplo en los
%% basados en FET VDD y VSS
respectivamente. Para los basados en BJT son VCC y VEE.

Normalmente los pines de alimentación son omitidos en los diagramas eléctricos por claridad.

Ý

 

 

 j
 

Ú  c
c
 c
c c

©c /c !c#0c

© c 1c !""c0c

2.c /c !c#o&c

-c /c !"""""c

- c 1c
c

Nota: Los valores reales dependen del modelo, estos valores son genéricos y son una referencia. Si van a usarse amplificadores
operacionales, es mejor consultar el datasheet o características del fabricante.
Ú
  

Ôc ~ ë ë
cëc
c 
c'

c
c

 
cccc

 
cc

cc
c
cc

c



c 
c
$c c 
,
c 2$c c
 c


c!"""""c
c!""""""c
c
Ôc Ýë
ëcëc c ëc<cc
 c ccc

 c
c

c

cc 
 
c
Ôc Ýë
ëcc
c<c
c 
ccc


c
c
(cc 
c

cc
c

cc
c 
 
c

c
c
c
c

c cc
 c  c
Ôc 
ëcc
c<c
c 
cc cc
c c

cc 
 
c
c
c
c
c

c cc

 c  c
Ôc ëccë  c
ë
c<c
c
 c 
cccc
c

cc 
 
c
c
cc
  c cc
c 
 c
Ôc 
ëcc 


ëc’
6ccë  c c
c
c 

c c
c

cc 
 
cc

 
cc
3
c
Ôc ¬


c<c
c
cc
c

cc
ccc

c
c  cc
c

cc c<c


 cc% c

 c
 c
cc.cj
cccc
c4
c c
c<c.c
cc
 c c
c

cc
 
cc
c
 ,
cc c

 c 
 
c<c

 c c 
 c
c
 c.c
$c

 c 
cc 

 ccc 
 c  
 c cc  c
c
c
 c c
c  
c
Ôc
 
ëcc

cëc c ëc

cc

cëcc
 cëc
ë6cj
cc
c

 
cc  c
 
cc
c

 
cc  c 5c