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Electrónica Digital Familias Lógicas

Profesor: Víctor Escartín Fernández

FAMILIAS LOGICAS

Objetivos:
- Conocer los aspectos eléctricos de los circuitos digitales, para poder comprender y construir sistemas y circuitos
reales.
- Conocer los principales parámetros que caracterizan a las familias lógicas.
- Conocer las características fundamentales de la familias TTL.
- Conocer las características fundamentales de la familias CMOS.

Sumario:
- Introducción.
- Parámetros más importantes.
- Familias TTL.
• Característica generales
• Integrantes de las familias TTL.
- Familias CMOS.
• Características generales.
• Integrantes de las familias CMOS.
Compuertas open collector, tres estados y Schmitt Trigger
Efecto del aumento de velocidad
Efecto de disminuir la batería.
- Problemas.

Bibliografía:
• Digital Design, Principles and Practices, John F. Wakerly, Third Edition, Prentice Hall, 2006
Tomo I, Capitulo III, Digital Circuits 79 a 170
Problemas 3.1 a 3.15, 3.19 a 3.102

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Electrónica Digital Familias Lógicas
Profesor: Víctor Escartín Fernández

Familias Lógicas.
Introducción.
La popularidad de los circuitos digitales se debe en parte a la disponibilidad de circuitos integrados (CI) baratos. Los
fabricantes han desarrollados muchas familias de CI digitales, los cuales forman grupos que pueden ser utilizados
juntos en la construcción de un sistema digital. Los CI de una familia son compatibles y fácilmente interconectados.
Los CI pueden ser hechos con transistores bipolares o MOS. Las familias CMOS (Complementary-MOS) es la más
popular de los CI digitales y utiliza transistores tecnología MOSN y MOSP. Las familias TTL (Transistor-Transistor-
Logic) en la actualidad están cada vez menos utilizada y se fabrica con transistores bipolares.
La complejidad de los CI se define como:

Nível de Cantidad de Observaciones


Integración compuertas
SSI < 12 Compuertas y Flip-Flop
MSI 12 a 99 Sumadores, contadores, decodificadores, multiplexores
LSI 100 a 9999 Calculadoras, memorias pequeñas, relojes digitales
VLSI 10000 a 99999 Microprocesadores, calculadoras avanzadas, memorias de mediana capacidad
ULSI >100 000 Microprocesadores y memorias avanzadas
< 1 000 000
GSI > 1 000 000
Aproximadamente una compuerta son 10 transistores.

El concepto de familia lógica puede tener dos posibles interpretaciones interrelacionadas. Una familia lógica desde el
punto de vista de los circuitos integrados digitales es un grupo de compuertas lógicas construidas que utilizan una
configuración circuital particular, con niveles lógicos compatibles y el mismo potencial en la fuente de alimentación.
Muchas familias lógicas pueden producir un mismo tipo de circuito integrado con una o varias compuertas que pueden
utilizarse como boque básico para crear sistemas o como “glue” o pegamento para interconectar circuitos integrados
mas complejos.

Una "Familia de lógica" también puede hacer referencia a un conjunto de técnicas utilizadas para implementar los
circuitos lógicos dentro de un circuito digital complejo como son los procesadores, las memorias, u otra función
compleja.

Realización práctica de las funciones lógicas.


La realización práctica de circuitos que hagan operaciones lógicas se basa en propiedades circuitales muy sencillas.
En la figura. 1 (a) se muestra el circuito formado por dos interruptores en serie. Si asignamos “1”al estado de los
interruptores cuando están cerrados e igual asignación al paso de la corriente, llegamos a la conclusión de que
interruptores en serie, realizan la operación AND porque todos los interruptores deben estar cerrados para que
circule la corriente. En la figura 1 (b), se muestra la operación NAND. De igual modo, los interruptores en paralelo de
la figura. 1 (c), realizan la operación lógica OR, porque basta que uno de ellos este cerrado para que haya
circulación y en la figura 1 (d) la operación NOR. Aunque al comienzo, se utilizaron interruptores mecánicos o
relevadores (relays) para construir circuitos lógicos, estos fueron sustituidos primero por válvulas de vacío y
posteriormente por transistores bipolares y transistores de efecto de campo de compuerta aislada (Metal - Oxide -
Semiconductor Field Effect Transistor MOSFET), debido a sus mejores características de velocidad, confiabilidad
y bajo consumo.

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VCC VCC VCC VCC

R
SW1 R

Vo SW1 SW2
Vo

SW2 SW1

Vo Vo
SW1 SW2

R SW2 R

a) b) c) d)
Figura 1.

La función mas elemental que puede realizarse es la negación y al circuito VCC

que la hace se le denomina INVERSOR (NOT). La figura. 2 muestra un RC


circuito sencillo para hacer esta función, utilizando un transistor bipolar. 1K

VO
Rb
Q1
VI
1.5K

Figura 2

En la figura 3 se muestra la denominada curva transferencial del inversor, que no es mas que la dependencia entre el
voltaje de salida Vo y el de entrada Vi. Para valores de Vi
Vo (V)
inferiores a 0,6 volt, el transistor no conduce y el voltaje de salida
es igual a 5 Volt. Para Vi entre 0,6 y 2 Volt el transistor está en la 5
zona activa y hay una dependencia mas o menos lineal entre Vi y
Vo. Para Vi mayor de 2 Volt, el transistor está saturado y Vo 4
permanece constante y aproximadamente igual a 0,2 Volt.
Si se escogen convenientemente los valores de los resistores de 3
colector Rc y de base Rb, puede lograrse que cuando se aplique
a la entrada un voltaje comprendido en el intervalo definido como 2
“0”, se obtenga a la salida un voltaje comprendido en el
intervalo definido como 1 y viceversa. Los valores exactos del 1
“1” y el “0”, pueden encontrarse intercambiando los ejes en la
figura 3 y volviendo a dibujar la curva transferencial. Se obtienen
así dos curvas que se cortan en tres puntos. Las coordenadas de 1 2 3 4 5 Vi (V)
cualquiera de los dos puntos extremos, representan el valor del
“1” y el “0” para este circuito. Figura 3

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Para realizar la función OR se procede a conectar transistores en paralelo unidos a un resistor común como
muestra la figura 4 (a). VCC
Basta que uno de los
transistores conduzca para VCC

que circule corriente a RC

través de Rc y el voltaje RC Vo
resultante a la salida se
corresponda al “0”, por lo Vo

3
que el circuito realmente Vb RB2 Q2
2
lo que realiza es la función
O NEGADA (NOR).

3
RB1 Q1 Q2 RB2
Conectando un inversor a Va Vb

1
2 2

la salida, se obtendría la
función OR.

3
1

1
RB1 Q1
Va
2

b)

1
a)

Figura 4

La figura 4 (b), muestra el circuito necesario para realizar la operación lógica Y NEGADA (NAND), función que se
obtiene colocando transistores en serie, pues es necesario que todos los transistores conduzcan para obtener un
“0” a la salida. Mediante un inversor conectado a continuación, se obtendría la función Y.

En las explicaciones anteriores se ha ilustrado la forma de construir circuitos lógicos que tienen solamente dos
entradas, pero en principio es factible aumentar el número de ellas añadiendo mas transistores en serie o paralelo. Los
bloques lógicos que hemos estudiado reciben el nombre de puertas, compuertas (Gates) y aunque resulte increíble,
constituyen los ladrillos fundamentales con los que ha sido construido el formidable edificio de la electrónica digital.

Niveles lógicos.
La forma mas sencilla de construir un circuito lógico consiste en utilizar un voltaje, que solo puede tomar dos
valores permitidos, como variable lógica. Para ello es necesario establecer una norma que defina qué nivel de
voltaje corresponderá al “0” y cual al “1”. Teniendo en cuenta que la variable de salida de un circuito lógico, debe
ser utilizada como variable de entrada de otro similar y que desde el punto de vista práctico hay factores como la
temperatura o las tolerancias de fabricación que provocan diferencias de comportamiento. Lo más sensato resulta
definir un intervalo de voltajes para cada estado lógico y no un valor único. La figura 5 muestra la norma actual que
mas se utiliza (TTL), que establece que el estado “0” sea representado por un voltaje que puede variar entre 0 y 0,8
volts, mientras que el estado “1” se representa por un voltaje comprendido entre 2 y 5 volt para una batería (VCC) de
5V..

Lo típico para la mayoría de los circuitos que se fabrican comercialmente es que el “0” se corresponda
aproximadamente con 0,2 volt y el “1” con 3,5 volt, lo cual ha sido representado en la figura 5 por una par de
líneas gruesas dibujadas horizontalmente.

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Rango Valor
de Típico
Voltaje
5

“1 3.5
” 2

0.8

“0 0.2
” 0

Figura 5

Pudiera parecer ventajoso a primera vista definir ambos niveles lógicos con una mayor diferencia de valor entre
ellos (de hecho se hace en algunas situaciones) para lograr mayor inmunidad al ruido electromagnético ambiente.
Sin embargo, la energía disipada por un circuito que conmuta entre ambos estados varía aproximadamente con el
cuadrado de la diferencia de voltaje entre ellos, por lo que esta idea no es buena sobre todo en circuitos donde hay
miles de transistores conmutando a la vez, debido a la excesiva potencia dinámica que se disiparía. Los valores
adoptados representan un buen compromiso entre ambas cosas.
Parámetros más importantes de las Familias lógicas.
1- Fan-out: número máximo de entradas de compuertas lógicas que pueden ser conectadas a la salida de una
compuerta lógica, sin que provoquen un cambio del nivel lógico mayor que el de salida permitido.

2- Fan-in: numero de entradas de una compuerta lógica.

3- Tiempo de propagación (demora de propagación):


a) tplh: tiempo de demora entre puntos específicos de referencia típicamente el 50%, entre la entrada y la salida
cuando esta última cambia entre su nivel bajo y el alto.
b) tphl: tiempo de demora entre puntos específicos de referencia típicamente el 50%, entre la entrada y la salida
cuando esta última cambia entre su nivel alto y el bajo.
c) Tr: tiempo de subida, tiempo transcurrido desde que la señal alcanzo el 10% de su valor final hasta que
alcanza el 90% de su valor final.
d) Tf: tiempo de caída, tiempo transcurrido desde que la señal alcanzo el 90% de su variación hasta que llega al
10% de su valor final. Siendo su variación VH – VL.
4- Consumo de potencia.
a) Estática: es el producto del valor de la batería por la corriente promedio que consume el circuito cuando en la
salida hay un cero y cuando hay un uno.
b) Dinámica: es la potencia consumida cuando la compuerta esta conmutando. Esta depende de la capacidad a la
salida del circuito, del valor de la batería y de la frecuencia de trabajo.

5- Niveles lógicos.
a) VIL(max): el máximo nivel bajo permitido en la entrada de un sistema lógico.
b) VIH(min): el menor nivel alto permitido en la entrada de un sistema lógico.
c) VOL(max): el máximo voltaje permitido a la salida de una compuerta, que pueda manejar la máxima corriente
de carga especificada (IOL).
d) VOH(min): el menor voltaje permitido a la salida de una compuerta lógica, que pueda manejar la corriente de
carga especificada como (IOH), con el menor voltaje de la batería VCC.

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6- Corriente en los terminales de entrada y salida.


e) IIL(max): corriente que fluye hacia fuera del terminal de entrada, cuando esta aplicado el voltaje bajo
especificado es decir VIL.
f) IIH(max):corriente que entra al terminal de entrada cuando el voltaje VIH esta aplicado.
g) IOL(max): corriente que entra en el terminal de salida cuando este está con el nivel VOL.
h) IOH(max): para circuitos con totem pole; es la corriente que sale del terminal de salida cuando tiene el voltaje
VOH. En el caso de salida “open colector”, es la corriente de fuga que entra por el terminal de salida cuando
hay aplicado el voltaje VOH.
i) Icc: corriente que entra por el terminal de VCC de un circuito, cuando las entradas están en las condiciones
especificadas y la salida abierta. Cuando no se especifican las condiciones en la entrada son las del peor caso.
Si el sentido de la corriente es entrando a la compuerta se considera positivo y si es saliendo es negativo.

7- Márgenes de ruido.
a) Margen de ruido para el uno; es la diferencia entre el voltaje de entrada de una compuerta (VIHmin) y el voltaje
de salida de la compuerta que la está manejando (VOHmin).
NMH = VIH(min) – VOH(min)
b) Margen de ruido para el cero; es la diferencia entre el voltaje de entrada de una compuerta (VILmax) y el
voltaje de salida de la compuerta que la está manejando (VOLmax).
NML = VIL(max) – VOL(max)

8- Slew Rate.
Es la razón de cambio en la salida (de H a L ó de L a H). Mas concretamente lo podemos definir como el tiempo
que tarda la salida de una compuerta en cambiar del 10 % al 90 % de su valor final. Si una compuerta tiene un slew
rate diferente en el cambio hacia uno con el cambio hacia cero se toma el más rápido de los dos.
DV / dt = 0.8 x (VOH – VOL) / Tr (ó Tf)

Comentarios sobre algunos de los parámetros anteriores.


En la siguiente tabla se muestra una comparación de los niveles del uno y del cero en la entrada y en la salida de una
compuerta TTL.
Tensión de salida Tensión de entrada
5 5
4 UNO 4 UNO
3 3
2.4 2.4
2 2
1 1
0.8 0.8
0.4 0.4 CERO
0.0 CERO 0.0

NMH = 2.4 - 2.0 = 0.4


NML = 0.8 – 0.4 = 0.4

En la siguiente tabla se muestra una comparación de los niveles del uno y del cero en la entrada y en la salida de una
compuerta CMOS para una batería de 5 V.

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Tensión de salida Tensión de entrada


5 Nivel del UNO 5 Nivel del UNO
(4.95V) (3.5V)
4.0 4.0
3.5 3.5
3.0 3.0
2.0 2.0
1.5 1.5 Nivel del CERO
1.0 1.0 (1.5V)
0.0 Nivel del CERO 0.0
(0.05V)

NMH = 4.95 - 3.5 = 1.45


NML = 1.5 – 0.05 = 1.45

Familias lógicas y su tecnología de fabricación.


Hay muchos modos de construir un circuito lógico. El primer circuito lógico controlado eléctricamente fue
desarrollado por los laboratorios BELL en 1930, basándose en relays. A mediados de 1940 se construyo la primera
computadora digital electrónica, la Eniac utilizando válvulas. La Eniac tenia unos 18000 válvulas, un microprocesador
hoy en día tiene unos 10 000 000 de transistores. La Eniac ocupaba volumen de 100 pies de largo, 10 pies de alto y 3
pies de fondo y consumía 140 000 watts de potencia. La invención de los diodos y transistores permitieron el
desarrollo de computadoras más pequeñas y más rápidas en la década del 50. En la década del 60 la invención de los
CI permitió poner a múltiples diodos y transistores y otros componentes en un solo dado y las computadoras resultaron
aun mejores. En 1969 se introduce también la primera familia lógica integrada. Una familia lógica es una colección de
diferentes CI que tienen entradas, salidas y características internas similares, pero que realizan diferentes funciones
lógicas. Circuitos de una misma familia pueden ser interconectados para realizar cualquier función lógica deseada. Las
compuertas lógicas fabricadas con circuitos integrados se clasifican no solamente por su operación lógica sino también
por la familia de circuitos lógicos a la cual pertenecen. Cada familia tiene un circuito electrónico básico propio,
mediante el cual se desarrollan funciones y circuitos digitales más complejos. El circuito básico de cada familia es o
una compuerta NAND, o NOR o inversor. Las componentes empleadas en la construcción de cada familia definen el
nombre de la misma. Hay muchas familias lógicas de circuitos digitales que han sido introducidas comercialmente
siendo las más populares las siguientes:

Familias lógicas
TTL Transistor Transistor Logic
ECL Emitter Coupled Lógic
MOS Metal Oxide Semiconductor
CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor

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Familias TTL.
La primera familia TTL fue desarrollada en 1964 por la Texas instruments. Muchos fabricantes construyen circuitos
digitales pertenecientes a esta serie. Como regla general identifican los circuitos de la siguiente manera:
F F 7 4T T T n n n
Donde:
FF: Siglas que identifican al fabricante en cuestión. (SN usado por Texas Instruments, LM por National
Semiconductors, etc.)
74, número que identifica a los CI que trabajan en el rango comercial de temperatura, es decir entre 0 y 70 gC.
54, número que identifica a los CI que trabajan en el rango militar de temperatura, es decir entre -55 y 125 gC.
TTT: Letras que identifican la variante tecnológica del circuito. Actualmente los circuitos mas usados llevan las
siglas LS (Low Schottky) o ALS (Advanced Low Schottky).
nnn: Números que identifican a un tipo de circuito en particular. Esta familia trabaja con una Batería de 5V ± 10
% y algunas con ± 5%
Dentro de un mismo envase se integren varios circuitos del mismo tipo, para hacer un uso más racional del número
de pines que el envase posee. En la Tabla 1 resumimos algunos de los circuitos más simples de la serie 74, su
función y cuantas compuertas hay dentro del envase.
Por ejemplo, el circuito SN74ALS02 contiene en un envase de 14 pines, 4 compuertas NOR de dos entradas y es
fabricado por Texas Instruments con tecnología avanzada de diodos Schottky. Componentes más complejos de la
serie, necesitan de envases con un mayor número de pines.

Código Función Entradas Cantidad de


Compuertas
04 Inversor 1 6
08 AND 2 4
11 AND 3 3
21 AND 4 2
00 NAND 2 4
10 NAND 3 3
20 NAND 4 2
30 NAND 8 1
32 OR 2 4
02 NOR 2 4
27 NOR 3 3
25 NOR 4 2
86 XRE 2 4
51 AOI 2-2 2

TABLA 1

En la figura 6 se muestra el esquema de la compuerta básica. Analicemos el VCC


funcionamiento de este circuito, consideremos inicialmente que Vi = 0, en Rb Rc2 Rc4
130

este caso Vbe1=0.75 y por lo tanto Q2 y Q3 están cortados se necesita al 4K 1.4K

menos que el VB1 = 0.65 + 0.65 para que la unión BC de Q1 este en directa y Q4

la unión BE de Q2 también lo este. En esta situación toda la corriente fluye


por el emisor de Q1 hacia la entrada siendo la corriente de emisor IE = (5- D1

0.75)/4K = 1 mA. Como Q2 está cortado la base de Q4 está a un potencial Vo


Vi
alto y Q4 conduce, por lo que la salida esta en el nivel correspondiente al “1” Q1
Q2

con un potencial alrededor de 5 –0.65-0.65 = 3.7 en circuito abierto. Q3

Si el voltaje Vi se aumenta, cuando alcance (Vbc1 + Vbe2 – Vbe1 ≈ 0.65V) RE

0.65 v entonces Q2 comenzará a conducir y a partir de ahí el voltaje en la 1K

base de Q4 disminuye y por lo tanto también la salida a una razón de cambio


de aproximadamente de -1.4/1 = -1.4 V / V.
Figura 6.
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Cuando el voltaje de entrada Vi llegue a (Vbe3 + Vbe2 + Vbc1 – Vbe1) ≈ 1.3V entonces Q3 comienza a conducir y la
salida disminuye mas bruscamente.

Familia de baja potencia (L).


Fue desarrollada a partir de la TTL standard aumentando las resistencias internas del circuito por un factor de 10. La
disipación de potencia de esta familia es reducida por un factor de 10 a costa de la disminución de la velocidad de
respuesta de la misma en un factor de 3.

Familia Schottky (S).


Usa diodos Schottky como limitadores de nivel para evitar que los transistores entren en la zona de saturación y utiliza
resistores con valores aproximadamente la mitad del standard. Está lógica no saturada conmuta con velocidades 3
veces mayores que la compuerta standard, pero consumen mas potencia que esta. Las compuertas de esta familia
disipan alrededor de 20 mW con una demora de propagación típica de 3 nS.

Familia Schottky de baja potencia (LS).


Utiliza resistores con valores mayores que la familia S y diodos en la entrada en vez del transistor de múltiples
emisores. Estos diodos en las entradas conmutan más rápidos proporcionando una demora de propagación típica de 10
nS y una disipación de potencia de 2 mW.

Familia Schottky de baja potencia avanzada (ALS).


Utiliza técnicas mas refinadas en su fabricación para aumentar la velocidad de conmutación y disminuir el consumo de
potencia, superando a los dispositivos LS. Tienen demora de propagación de 4 nS y una disipación de potencia de 1
mW.

Familia Schottky avanzada (AS).


Esta destinada para aplicaciones de mucha velocidad. Utiliza un circuito de salida especial para reducir el tiempo de
subida. Estas compuertas disipan en torno de 8 mW y tienen demoras de propagación típicas de 1.5 nS. Las
compuertas avanzadas de la Fairchild (FAST) usan la letra F para identificar esta familia y tienen una demora de
propagación de 3 ns con una disipación de potencia de 5 mW.

Familia LS.
En la figura 7 se muestra el esquema de la compuerta TTL(LS), es decir Schottky de baja potencia (Low Schottky). En
la misma los transistores S1 a S4 son transistores Schottky o sea son transistores que tienen un diodo Schottky entre la
base y el colector con el lado P hacia la base. Este diodo logra que el transistor apenas entre en la región de saturación
y por lo tanto hace que el tiempo de conmutación del transistor sea menor. Dada la conexión de S2 con Q5 no es
necesario que este último sea Schottky. Los diodos de entrada D3 y D4 en lugar del transistor multi-emisor lograran
VCC

120
8K
20K

D3 S2
A
Q5

D1 D5
A
4K

Vo
D6
D4 S1
B
S4

D2B 3K
12K
1.5K

S3

una mayor velocidad y un voltaje de ruptura en la entrada mayor de los 7 voltios, típico en la compuerta standard,

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elevándolo a 15 V. Los diodos D1 y D2 están puestos para que conduzcan si el voltaje de entrada es negativo con el
objetivo de disminuir las posibles oscilaciones que se produzcan en la entrada por la alta velocidad de estos circuitos.
Si el voltaje en una de las entradas es el correspondiente a un cero lógico entonces el voltaje en la base de S1 es de
alrededor de 0.3V y ni S2, S3 y S4 conducen. Estos requieren de un mínimo de Vbe3 + Vbe1 = 0.65 + 0.65 = 1.3V
para conducir. Lo que corresponde con un voltaje de entrada de alrededor de Vbe3 + Vbe1 –Vs = 1.3 – 0.5 = 0.8V
según se muestra en la figura 2.5. En este caso el transistor S4 esta cortado y S2 y Q5 conducen por lo que el voltaje en
la salida es el correspondiente al del uno lógico o sea VCC – Vbe2 ≈ 4.35V. Cuando las dos entradas estén en uno
entonces S1 y S4 estarán conduciendo fuertemente y la salida será Vce (S4) ≈ 0.3V

Figura 7 Vo (V)

5 TA = 25 gC
VCC = 5 V
4
LS

2
FAST

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Vi (V)

Característica transferencial

Tablas comparativas de las variantes de la familias TTL.


Corrientes y voltajes.
IOL IOH IIL IIH VIH VIL VOH VOL
(max) (max) (max) (max) (min) (max) (min) (max)
MA uA mA uA V V V V
Standar 16 -400 -1.6 40 2.0 0.8 2.4 0.4
L 3.6 -200 -0.18 10 2.0 0.8 2.4 0.4
H 20 -500 -2.0 50 2.0 0.8 2.4 0.4
S 20 -1 -2.0 50 2.0 0.8 2.7 0.5
LS 8 -400 -0.36 20 2.0 0.8 2.7 0.5
AS 20 -2000 -0.50 20 2.0 0.8 2.7 0.5
ALS 8 -400 -0.20 20 2.0 0.8 2.75 0.5
F 20 -1000 -0.60 20 2.0 0.8 2.7 0.5

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TdLH*** TdHL*** Potencia Velocidad** ICCH ICCL


nS nS mW MHz MA * MA *
Standar 22 15 10 15 8 22
L 60 60 1 3 0.8 2.04
H 10 10 22 50 16.8 4.0
S 4.5 5 19 75 16 36
LS 15 15 2 26 1.6 4.4
AS 4.5 4 8 105 3.2 17.4
ALS 11 8 1 34 0.85 3.0
F 6 5.3 5 100 2.8 10.2
CMOS 250 250 0.001 3.5 0.007 0.007
(*) cuatro compuertas NAND de dos entradas.
(**) Flip-Flop 74xx74 con CL = 50 pF
(***) NAND 74xx00

Velocidad Consumo de Potencia


Mas rápida AS Bajo L
⎪ F ⏐ ALS
⎪ S ⏐ LS
⎪ ALS ⏐ F
⎪ LS ⏐ AS
↓ TTL ↓ TTL
Mas lenta L Alto S

Carga unitaria.
La compuerta standard tiene una IIL(max) =1.6mA y una IIH(max) = 40 uA y estos valores se identifican como las
corrientes de entradas de una carga unitaria (UL = Unit Load).
Por ejemplo la variante LS tiene una corriente IIL(max) = 0.4 mA y una IIH(max) = 20 uA; por lo que tiene un factor
de carga en la entrada para el caso del cero de (0.4/1.6) = 0.25 UL.
Y un factor de carga en la entrada para el caso el uno de (20/40) = 0.5 UL.

Fan out.
La salida de la compuerta standard maneja una IOL (max)= 16 mA para el cero y para el uno IOH(max) = 400 uA
Por lo que tiene un factor de carga normalizado en la salida para el cero de 16/1.6 = 10 UL
Y para el uno de 400/40 = 10 UL
Para el caso de la LS en el cero es 8/1.6 = 5 UL y para el uno es 400/40=10 UL .

En la actualidad las sub familias mas utilizadas son la LS y sus derivadas (ALS, AS, etc).

Familia ECL.
Las dos variantes disponibles de esta familia son las serie 10k y la 100K. Son construidas con transistores bipolares.
Estos circuitos están diseñados para que sus transistores no trabajen en la zona de saturación, logrando con esto
tiempos de conmutación muy pequeños de 2 nS para la variante 10K y 0.75 nS para la 100K. Esta familia consume
más del doble de la compuerta TTL. La fuente de alimentación es de –5.2V lo que dificulta el acoplamiento de esta
familia con la TTL.

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Familias CMOS.
La primera variante de esta familia fue desarrollada en 1968 por la RCA (Familia 4000). Esta variante utiliza al mismo
tiempo transistores canal N y canal P (complementarios) y se conoce comercialmente con el nombre de CMOS
(Complementary MOS). La ventaja fundamental de los circuitos digitales MOS es la elevada densidad de
componentes que puede ser lograda en comparación con la tecnología bipolar, lo que permite fabricar circuitos muy
complejos. La variante CMOS tiene la ventaja adicional de que el consumo de energía es muy pequeño, por lo que
se utiliza en aplicaciones donde esta propiedad es muy apreciada como relojes digitales de pulsera, calculadoras de
bolsillo alimentadas por baterías solares, memorias de backup, etc. Además presenta una mayor inmunidad al ruido.
En la Tabla 2 se muestra una comparación, basada en algunos parámetros de interés, entre las tres tecnologías
mencionadas. La Tabla 2 debe tomarse solo como una comparación relativa, porque debido al vertiginoso
desarrollo de la tecnología, es imposible dar cifras absolutas actualizadas.

TABLA 2
TTL NMOS CMOS Unidad
Area por compuerta 13000-18000 500 750 Micrón2
Tiempo de propagación 1-5 3-20 2-15 Nanoseg
Potencia estática 2-20 0.2-0.5 0.001 Miliwatts

Como regla general puede decirse que hace unos años la tecnología MOS se utilizaba en la construcción de circuitos
muy complejos como microprocesadores y memorias de gran capacidad y la tecnología bipolar se reserva para
fabricar circuitos menos complejos pero mas veloces y que admiten cargas capacitivas mas elevadas. En la actualidad
se tiende a utilizar en todo a circuitos CMOS. La tendencia futura apunta a substituir el Silicio que ha sido el
semiconductor mas utilizado durante cuatro décadas para la fabricación de circuitos integrados, por el Arseniuro de
Galio que produce circuitos con menor tiempo de propagación.
VDD

MP

VI VO

VI
MN

En la figura anterior se muestra el circuito de un inversor CMOS, en donde el transistor superior es un MOSP y el
inferior es un MOSN.
Los niveles lógicos de las familias CMOS son típicamente una función de los valores extremos de la fuente de
alimentación.
Voh(min) = VCC – 0.1 V
Vih(min) = 70% VCC
Vil(max) = 30% VCC
Vol(max) = Ground + 0.1 V

La variantes mas vieja de estas familias es la serie 4000, en la siguiente tabla se muestran algunas características de la
misma.

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VCC Unidades
VCC De 3 a 15 V
VIH 5 3.5 V
VIL 5 1.5 V
VOH 5 4.95 V
VOL 5 0.05 V
IIH 5 1 uA
IIL 5 1 uA
IOL 5 0.36 mA
IOH 5 1.7 mA
Td 5 250 nS
Pot 5 0.002 mW
Observa el rango de valores de la batería y lo lento de su respuesta.
A continuación se muestra un resumen de los códigos de algunas compuertas de la familia 4000.

Código Función Entradas Cantidad de


Compuertas
4009 Inversor - buffer 1 6
4010 Buffer 1 6
4049 Inversor - buffer 1 6
4050 Buffer 1 6
4071 OR 2 4
4072 OR 4 2
4075 OR 3 3
4001 NOR 2 4
4025 NOR 3 3
4002 NOR 4 2
4078 NOR 8 1
4081 AND 2 4
4073 AND 3 3
4082 AND 4 2
4011 NAND 2 4
4012 NAND 4 2
4023 NAND 3 3
4068 NAND 8 1
4030 XOR 2 4
4077 XNOR 2 4
4093 NAND (ST) 2 4
4502 INV (3estados) 1 6
4503 Buffer (3 estados) 1 6

Lógica HC
Debido a la incompatibilidad de la serie de CD4000 con la familia de TTL, aparece una nueva familia que combinó lo
mejor de la familia de TTL con las ventajas de la familia de CD4000. Esta nueva familia es conocida como 74HC
(High performance silicon gate), siendo compatible sus terminales con los de la familias TTL. Puede ser usado tanto
con alimentación de 3.3V (y por lo tanto, niveles de lógica de 3.3V), y con dispositivos que usan 5V.

En la siguiente tabla se resumen las características más importantes de varias series de la familias CMOS.

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HC* HCT AC* ACT FCT FCT - T Unidades


Potencia 0.0025 0.0025 0.0025 0.005 0.0075 mW
Estática
Potencia 0.75 0.6 1.8 0.75 mW / MHz
Por MHZ
tdLH 23 25 8.5 9.5 9 nS
tdHL 23 25 7 9 9 nS
Fmax 25 22 125 85 70 MHz
VCC 2–6 4.5 – 5.5 3 – 5.5 4.5 – 5.5 4.5 – 5.5 4.5 – 5.5 V
VIH 3.85 2.0 3.85 2.0 2.0 2.0 V
VIL 1.35 0.8 1.35 0.8 0.8 0.8 V
VOH 4.4 4.0 4.4 4.4 2.4 2.4 V
VOL 0.33 0.33 0.36 0.36 0.55 0.55 V
IIH 1 1 1 1 1 5 uA
IIL 1 1 1 1 1 5 uA
IOH -4 -4 -24 -24 -8 -15 mA
IOL 4 4 24 24 48 48 mA
• VCC = 4.5 V

Las familias HC y HCT fueron diseñadas para ser compatibles pin a pin con las familias TTL. La mayoría de las
funciones TTL más algunas de las funciones de los dispositivos de la serie 4000 son duplicadas en la familia HC. Sus
demoras de propagación también son similares a los de la LS. Pero la diferencia es que la familia HC puede operar con
tensiones entre 2 a 6 voltios. Los HCT son acoplados directamente con los TTL por lo que su fuente de alimentación
está entre 4.5 y 5.5 V.
La familia AC, CMOS avanzada tiene una mayor velocidad de operación que la HC y operan con una tensión de
alimentación entre 3 y 5.5V. Los ACT se acoplan directamente con los TTL y trabajan con la misma batería o sea entre
4.5 y 5.5 V.
La familia VHC y VHCT de la Motorola son equivalentes a la AHC y AHCT de la Texas Instruments y parecidas a la
AC y ACT.
En la familia FCT también se fabrica la variante FCT – T la cual tiene limitado el swing de salida para que disipe
menos potencia. La famila FCT 2000 introduce una resistencia en serie con la salida para disminuir los p’roblemas de
acoplamiento de impedancias.

Consumo de potencia.
El consumo de potencia de un circuito CMOS cuando su salida no cambia se conoce como disipación de potencia
estática y se puede calcular como PE(L) = ICC(L) VCC cuando en la salida hay un cero y PE(H) = ICC(H) VCC. La
mayoría de los circuitos CMOS tienen una disipación de potencia estática muy baja, lo que lo hace muy atractivo en
aplicaciones en equipos portátiles. Los circuitos CMOS disipan una cantidad apreciable de potencia solo cuando
conmutan y a esta disipación se conoce como dinámica.
Una fuente de disipación de potencia dinámica ocurre cuando la salida conmuta ya que tanto el transistor MOS P como
el MOS N están una parte del tiempo que dura la conmutación trabajando los dos conjuntamente y por lo tanto se
establece transitoriamente un camino desde VCC a tierra. El valor de la potencia consumida en estas condiciones se
puede calcular como:
Pt = C PD VDD 2 F
Donde:
Pt es la potencia dinámica disipada internamente debido a la transición en la salida.
C PD es la capacidad de disipación de potencia. Esta constante es normalmente especificada por el fabricante del
circuito integrado. Tiene unidades de capacitancia pero realmente no es una capacidad.
VDD es la fuente de alimentación.
F es la frecuencia de la señal de salida.

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Otro factor que a menudo es el mas significativo esta el asociado a la carga y descarga de la capacidad total
equivalente conectada a la salida de la compuerta.

La potencia dinámica total se puede calcular como:


PD = (C PD + C L ) VDD 2 F
Donde:
C L representa la capacidad total conectada a la salida del circuito.

Algunos fabricantes de circuitos CMOS no especifican a C PD sino a I CCD o Q CCD resultando:


I Q
C PD = CCD = CCD
VDD VDD

Donde:
mA
I CCD ó QCCD es la corriente de la fuente asociada a la disipación dinámica y su unidad es
MHz

Cuidados a tener con la familias CMOS.


Para evitar que descargas eléctricas estáticas o tensiones transitorias provoquen daños en los circuitos CMOS se debe
tener los siguientes cuidados:
¾ Almacenar los CI de modo tal que sus terminales estén en contacto con materiales conductores para que no se
establezcan diferencia de tensiones entre ellos.
¾ Utilizar soldadores alimentados por baterías o aterrar la punta de los mismos.
¾ Desconectar la fuente de alimentación antes de proceder a quitar un CI de su base, o antes de suprimir alguna
conexión.
¾ Asegurar que las tensiones de entradas no excedan la tensión de la fuente de alimentación.
¾ Eliminar las señales de entradas antes de desconectar la fuente de alimentación.
¾ No dejar terminales de entradas en el aire.

Versiones mejoradas.
Con las familias HC, HCT y la LS - TTL compitiendo en el mercado se puso claro que se requerían mejoras
adicionales para crear el dispositivo "Ideal" que combinara alta velocidad, con baja disipación de potencia y
compatibilidad con familias de lógicas más viejas. Han surgido nuevas familias lógicas que utilizan tecnología CMOS.
Una breve lista de las familias más importantes es la siguiente:

Lógica LV (lower supply voltage)


Lógica LVT (lower supply voltage while retaining TTL logic levels)
Lógica ALVT (an 'advanced' version of LVT logic)

Pero hay muchas otras familias lógicas, entre ellas AC/ACT, AHC / AHCT, ALVC, AUC, AVC, CBT, CBTLV, FCT
y LVC.

BiCMOS
Una mejora muy importante fue combinar las entradas de CMOS con las salidas TTL para lograr nuevas variantes de
dispositivos lógicos identificados como BiCMOS, de los que la familias LVT y la ALVT son las más importantes. Las
familias BiCMOS tiene muchos nuevos miembros, incluyendo la lógica ABT, la ALB, la ALVT, la BCT y la LVT.

Conclusión
Por el momento las familias lógica más comunes todavía son el LS – TTL, el HC y la HCT, aunque la lógica de BCT
también está empezando a ser popular. Familias lógicas con fuentes de alimentación bajas se están poniendo cada día
más importante, con la lógica AHC ganando en popularidad. Debido a que cada fabricante no soporta todas las
familias lógicas existentes, varias familias lógicas continuarán siendo utilizadas.

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Compuertas con salida en colector abierto o con salida de tres-estados.


Normalmente, resulta imposible unir la salida de dos o más compuertas entre sí, a menos que hayan sido diseñadas
para tal tipo de conexión. Imaginemos que esto se hace y que la situación es tal que una de ellas, respondiendo a los
valores de las entradas, debe colocar la salida en “1” mientras que la otra compuerta y por idéntica razón trata de forzar
el mismo nodo a “0”. En el mejor de los casos, el voltaje real del nodo de salida tomará un valor comprendido entre
“0” y “1”, no identificable por los circuitos que siguen a continuación. En el peor caso, una de las dos compuertas
se dañará. La conclusión es que, utilizando circuitos cuya salida tiene solo dos estados (“0” y “1”), tal tipo de
conexión está prohibida.
Sin embargo y como veremos mas adelante, esa forma de conexión es muchas veces necesaria y beneficiosa,
porque simplifica extraordinariamente la arquitectura de un sistema digital, al permitirle a varios circuitos compartir
una línea común de comunicación llamada Bus. Para permitir este tipo de conexión, han sido diseñados circuitos
con cierta especificidad en la salida. Existen dos variantes:
Bajar el voltaje de la fuente de alimentación
Una característica muy importante de las familias CMOS es que trabajan con un rango más ancho de voltajes de la
fuente de alimentación generalmente desde 3 a 15V. Mientras que los circuitos integrados TTL requiere un voltaje de
alimentación 5V. Bajar el voltaje de la fuente de alimentación reduce la corriente suministrada para cargar la
capacitancia de cada nodo por lo que reduce la corriente consumida en circuitos integrados complejos. Esto reduce la
disipación de calor del procesador. Bajando el suministro eléctrico de 5V a 3.3V, el consumo de potencia es reducido
por casi un 60% (la disipación de potencia es proporcional al cuadrado del voltaje de la fuente de alimentación). Las
CPU más modernas han bajado sus voltajes de suministro eléctrico aun más.

1- Circuitos con salidas con colector abierto (Open collector).


El transistor del paso de salida no tiene resistor de carga conectado internamente, por lo que su colector está abierto,
de ahí el nombre. Varias salidas pueden entonces ser conectadas entre sí poniendo un resistor externo común. Los
transistores solo tienen la posibilidad de colocar la salida en “0” cuando conducen, pero no la pueden colocar en “1”,
por lo que desaparece la posible contradicción. Además, la propia forma de conexión, realiza la función OR entre
las diversas salidas que se conectan al resistor común. Esta es la razón por la que este tipo de conexión ha recibido
el nombre de OR ALAMBRADA (WIRED OR).
Hay compuertas de colector abierto como las 7406, 7407, 7416 y 7417 cuyos transistores de salida aguantan tensiones
superiores a los 5 v de alimentación típicas de las compuertas TTL. Estos circuitos operan con un VCC = 5 voltios
pero al transistor de salida puede conectarse una resistencia a un voltaje superior a 5 pudiendo llegar hasta 30 V, para
la 7406 y 7407 y de 15V para la 7416 y la 7417. La 7406 y la 7416 invierten la señal de entrada y las otras dos no. La
corriente que los transistores de salida de estas compuertas pueden manejar es de 40 mA.
El cálculo del resistor de carga se realiza en base a las siguientes ecuaciones:
Para garantizar un “1” lógico en el nodo común tenemos que asegurar que:
Rx(max) = [VCC(min) – VOH(min)]/[N1*IOH + N2 * IIH]
Debe tenerse en cuenta que VOH(min) = VIH(min) - NMH
Para garantizar un “0” lógico en el nodo común tenemos que asegurar que:
Rx(min) = [VCC(max) – VOL(max)]/[IOL – N2*IIL]
Debe tenerse en cuenta que VOL(max) = VIL(max) - NML
Donde N1 son la cantidad de salidas open collector conectadas a el nodo común y N2 son la cantidad de entradas
conectadas al mismo nodo.

2- Circuitos con salidas con tres estados (tri-state output).


En los circuitos que se conciben de esta manera, la salida como su nombre lo indica puede tomar tres estados; “0”,
“1” y un tercer estado “Z”, en donde el pin externo queda desconectado del interior del circuito. Esto permitiría que
otro circuito, conectado también al mismo nodo, pueda establecer el valor lógico del mismo, sin entrar en conflicto
con el primero. En la figura 8 se muestra el circuito de una compuerta con tres estados. La entrada EN permite
controlar si la salida esta activa o en tercer estado. Si EN = 0 La salida de la NAND es UNO y el MOSP de salida se
corta, además la salida de la OR es UNO y el transistor MOSN también se corta, quedando la salida flotando o en

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tercer estado.
Si EN = 1 la salida es igual a la entrada
En sistemas digitales complejos, es usual que la salida de una compuerta deba ser conectada a las entradas de otras
muchas. Uno de los problemas que esto acarrea es la elevación del nivel de voltaje correspondiente al “0”.
También se observa es un aumento del tiempo de conmutación entre los estados lógicos, producto del aumento de la
capacitancia conectada al nodo de salida.
Un circuito TTL tiene un fan-out típico entre 10 y 30, mientras que un circuito MOS puede ser conectado a 3
entradas TTL (del tipo ALS) como máximo. La regla del fan-out debe ser respetada rigurosamente si se desea
construir un sistema digital que opere confiablemente.
En la siguiente figura se muestra el esquema de una compuerta típica con salida de tres estados.
VCC

EN
U2
EN 2 Qp
1 U5
3
IN OUT
IN OUT

U3
U4 2 Qn
1
2 1 3

Figura 8.

Ejemplo de compuerta con salida de tres estados es la 74xx125 que son 4 buffers no inversores.
En la siguiente tabla se muestra un listado de diferentes tipos de compuertas con 3 estados.

Circuito Descripción Circuito Descripción


74xx125 4 buffers 75xx126 4 buffers
74xx134 Nand de 12 entradas 74xx240 8 buffers inversores
74xx241 8 buffers 74xx242 8 buffers
74xx243 8 buffers 74xx244 8 buffers
74xx245 8 buffers 74xx365 6 buffers
74xx366 6 buffers 74xx367 6 buffers
74xx368 6 buffers 74xx173 4 biestables D
74xx251 Multiplexor 74xx253 Multiplexor
74xx257 Multiplexor (4 de 2e) 74xx258 Multiplexor (4 de 2e)
74xx353 Multiplexor 74xx373 8 latchs
74xx374 8 latchs
4034 SR de 8 4043 4 latchs
4076 4 flip-flop D
Vo (V)
Compuerta Schmitt Trigger.
Es una compuerta especial cuya entrada solo reconoce como nivel 5
del uno, una tensión mayor que un valor conocido como voltaje de
transición positiva (V+) y solo reconoce como nivel cero, una 4
U6A
tensión menor de un valor conocido como voltaje de transición
negativa (V-). 3 2 3

Esta compuerta tiene la característica que cuando el voltaje en la


entrada llega a uno de los valores de conmutación, su salida 2

cambia de estado a una velocidad que es independiente de la


1
velocidad de cambio en la entrada. Esta propiedad hace de esta
compuerta muy útil en aplicaciones en donde los tiempos de

1 2 3 4 5 Vi (V)
17
V+ V-
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subida y de caída de las señales sean lentos. En la siguiente figura se muestra el símbolo empleado para identificar
cuando una compuerta es Schmitt Trigger. Ejemplo de estas compuertas son la 74xx13 (2 NAND de 4 entradas),
74xx14 (6 inversores) y 74xx132 ( 4 NAND de 2 entradas). También se fabrican estos circuitos con tecnología CMOS
como por ejemplo; 4093, puerta NAND de 2 entradas, 40106 son 6 inversores. Valores típicos son V+ = 2.9 V y V- =
2.1V, estos valores dependen de la familia lógica.
Las formas de ondas con tiempos de subida y de caída rápidas son preferidas en los circuitos digitales. Una onda
cuadrada es un ejemplo de una buena señal digital porque sus transiciones son muy rápidas. Una forma de onda como
la de una sinusoide de 60 Hz a la entrada de una compuerta lógica con tiempos de subida y de caída lentas puede hacer
que la compuerta funcione incorrectamente provocando una oscilación indeseada a su salida. Las compuertas Schmitt
Trigger, se utiliza para cuadrar una forma de onda sinusoidal.

Entradas no utilizadas.
En muchos casos hay entradas de los circuitos empleados que no son utilizadas, por ejemplo cuando se utilizan dos
entradas de una compuerta AND de tres entradas. Estas entradas no utilizadas no deben dejarse sin conectar, ya que el
voltaje indefinido en su entrada resulta en una salida no garantizada. Una regla que debe observarse es que las entradas
que no se utilizan deben conectarse a un potencial alto o bajo para evitar que estén flotando. El nivel lógico que debe
ser aplicado a una entrada en particular depende de la función de la compuerta.
Como resultado de los circuitos de entradas en la familia TTL una entrada no conectada normalmente funciona como
un uno lógico. Los circuitos CMOS tienen una impedancia de entrada tan alta que cualquier cambio en su entrada por
pequeño que este sea produce un gran cambio en su salida. Un ligero cambio en la capacitancia del terminal no
conectado por ejemplo poner la mano cerca de esta entrada produce un gran cambio en el voltaje de salida de la
compuerta.
Además estas entradas desconectadas pueden acoplarse con cualquier tipo de voltaje de interferencia.
Una posible solución es conectar esta entrada no utilizada en paralelo con una de las usadas y la función sigue siendo
la misma pero esta solución aumenta la capacidad de entrada de la compuerta y en caso de la familia TTL aumenta la
corriente de entrada.
Otra solución es aplicarle un nivel de voltaje definido a la entrada no utilizada. Si un nivel bajo es requerido la entrada
se conecta directamente al potencial de referencia o tierra. Si se requiere un uno en general se conecta al voltaje de la
batería VCC. Dispositivos con circuito de entrada multiemisores son una excepción porque su entrada no debe
sobrepasar los 5.5V porque este es el valor del voltaje de ruptura de la unión base emisor. En estos casos debe
conectarse a la batería pero via un resistor en serie (RS). Este resistor debe calcularse de modo tal que la corriente que
pase si se pone en ruptura la unión base emisor no sea mayor de 1mA. Por otro lado el valor de este resistor no puede
ser muy grande porque sino la corriente de entrada del “1” lógico provoca, que la caída en el sea muy grande y el
voltaje en este terminal caiga por debajo del nivel del uno mínimo. Para el cálculo de este resistor deben emplearse las
siguientes ecuaciones:

RS(min) = [VCCP – 5.5] / [1mA]

RS(max) = [VCC(max) – VIH(min)] / [n* IIH]


Donde n: es el número de entradas conectadas juntas; VCCP máximo pico de voltaje en la batería
Compuertas que no tienen transistor multiemisor de entradas (LS, FAST) y tienen un voltaje de ruptura de 7 V pueden
conectarse directamente sus entradas no utilizadas a VCC. Además debe tenerse en cuenta; que si de un circuito
integrado hay dispositivos que no se utilicen, sus entradas deben conectarse a un nivel lógico definido, para evitar
oscilaciones parásitas que aumentan el consumo de potencia y generan ruido innecesariamente.

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Acoplamiento entre circuitos TTL y CMOS.


En el acoplamiento entre circuitos TTL y CMOS hay que tener en cuenta tres factores fundamentales.
• El margen de ruido que se necesita para trabajar.
• El Fan-out, o sea la corriente máxima que una compuerta puede manejar en su salida.
• La carga capacitiva, esta aumenta la demora y la disipación de potencia. En las familias HC y HCT la
resistencia de salida no es muy baja por lo que la constante de tiempo de la carga y descarga de esta
capacidad no es muy chiquita y afecta. En este caso la demora aumenta alrededor de 1 ns por cada 5 pf de
capacidad. Por otro lado en el caso de la familia FCT que tiene una resistencia de salida muy baja la
demora es de alrededor de 0.1 ns por cada 5 pf.

Problema de acoplamiento de los niveles de lógicos


Interconectar dos familias lógicas puede requerir de técnicas especiales como resistores de “pull –up”, o circuitos de
interfaz fabricados con este propósito. Esto es debido a que las diferentes familias lógicas pueden usar niveles de
voltaje diferentes para representar los estados del 1 y el 0 y pueden tener otros requisitos de interfaz solamente cubierto
dentro de la familia de lógica.

Las familias lógicas TTL pueden tener niveles lógicos diferentes de los de las familias CMOS, en general una
compuerta TTL no da suficiente voltaje de salida del uno lógico como para ser reconocido como un uno lógico por una
familia CMOS. Este problema fue solucionado por el desarrollo de la familia de 74HCT de dispositivos con tecnología
CMOS pero con niveles de entradas y salidas compatibles con la TTL. Estos dispositivos funcionan solamente con una
fuente de alimentación de 5V. Son un reemplazo de la familia TTL, aunque son más lentas. (La familia HC tiene
misma velocidad que la TTL).

Acoplamiento con circuitos CMOS de bajo voltaje.


Hay dos factores importantes que empujan a la industria de los CI a bajar el voltaje de la batería
• En la mayoría de las aplicaciones la variación del voltaje de salida de una compuerta CMOS varía entre VDD y
tierra (rail to rail), la potencia disipada justamente depende del cuadrado de esta variación. Por lo que
disminuyendo el voltaje de la batería reduce considerablemente la disipación de potencia dinámica.
• Según la industria de fabricación de CI se mueve hacia menores dimensiones en los transistores, los espesores de
los óxidos cada vez son más finos y no soportan voltajes tan altos como 5V.

Dado lo anterior hay tendencia a bajar a 3.3 V ± 0.3V, 2.5 ± 0.2V ó 1.8 V ± 0.15V.

Batería de 3.3V
En la siguiente figura se muestra los niveles lógicos para distintos valores de batería.
5.0 V VCC 5.0 V VCC

4.4 V VOH

3.5 V VIH 3.3 V VCC

2.5 V VT 2.4 V VOH 2.4 V VOH 2.5 V VCC


2.0 V VIH 2.0 V VIH 2.0 V VOH
1.8 V VCC
1.7 V VIH 1.45 V VOH
1.5 V VIL 1.5 V VT 1.5 V VT
1.2 V VT 1.2 V VIH
0.8 V VIL 0.8 V VIL 0.7 V VIL 0.7 V VIL
0.5 V VOL 0.4 V VOL 0.4 V VOL 0.4 V VOL 0.45 V VOL
0.0 V 0.0 V 0.0 V 0.0 V 0.0 V

a) 5V CMOS b) 5V TTL c) 3.3V LV-TTL d) 2.5V CMOS e) 1.8V CMOS

Los valores de a) son los de las familias HC, AC


Los valores de b) son los de las familias compatibles con TTL como por ejemplo HCT, ACT, FCT

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En el caso de los valores de c) la salida de un circuito alimentado con 3.3 V puede manejar compuertas TTL
alimentadas con 5V, siempre y cuando haya acople con las corrientes. En el caso contrario o sea una TTL alimentada
con 5V puede en principio manejar una compuerta alimentada con 3.3V siempre y cuando sus entradas sean tolerante a
5V.

Entradas tolerantes a 5V
La entrada de una compuerta no necesariamente es tolerante a un voltaje mayor de VCC. Este es el problema entre
compuertas alimentadas con 5v y con 3.3V. El máximo voltaje que una compuerta aguanta en una entrada se
especifica por el fabricante como VImax, en este caso si la compuerta alimentada con 3.3V tiene un VImax > 5V se
puede conectar en caso contrario hay que utilizar circuitos de interfaz entre las compuertas.

Salidas tolerantes a 5V
También hay que tomar en cuenta la tolerancia en la salida para el caso de compuertas con tres estados que se conecten
a un bus. No todos los circuitos permiten esto, tienen que ser circuitos con salidas especiales. Esta información hay que
buscarla en los manuales del fabricante.

Resumen
• Compuertas con baterías de 3.3 v pueden manejar compuertas alimentadas con 5v garantizando que las corrientes
de salida manejen a las de entrada.
• Salidas de compuertas alimentadas con 5V pueden manejar compuertas alimentadas con 3.3 si esta ultimas tienen
entradas tolerantes a 5V
• Compuertas alimentadas con 5V y compuertas alimentadas con 3.3V pueden manejar un mismo bus si estas
últimas tienen salidas tolerantes a 5V.
A continuación analizaremos 4 casos de acoplamiento con circuitos de bajo voltaje.

Caso # 1, 5V TTL manejando 3.3V


Los niveles lógicos de ambas compuertas son los mismos pero las entradas de las compuertas de bajo voltaje deben ser
tolerante a 5V, deben aguatar en la entrada al menos a 6.5V.

Caso # 2, 3.3V manejando 5V TTL


Los niveles lógicos son los mismos y es posible acoplar sin ningún circuito extra. Hay que analizar la compatibilidad
en las corrientes.

Caso # 3, 5V CMOS manejando 3.3V


Se puede realizar este acoplamiento si las entradas del circuito de 3.3V es 5V tolerante.
Caso # 4, 3.3 manejando 5V CMOS.
En este caso el VIH > que el VOH por lo que hay que utilizar un circuito extra para realizar este acople.

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Baterías de 2.5 v y 1.8V.


Para acoplar estos circuitos con otro con batería de 3.3V se necesita de circuitos de interfaz que acoplen los niveles
lógicos.

Tabla resumen de algunas características de Familias de bajo voltaje.

Tecnología VCC VCC tpd I/O IOH IOL ICC


Rango max tolerancia max max Static
nS mA mA uA
ALB Bipolar 3.3 3 a 3.6 2.0 VCC + 0.5V 0.25 25 800

ALVT BICMOS 3.3 2.3 a 3.6 3.5 5 0.8 64 4500


LVT BICMOS 3.3 2.7 a 3.6 3.5 5 0.32 32 190

ALVC CMOS 3.3 1.65 a 3.6 3.0 VCC 0.24 24 20


LVC CMOS 3.3 1.65 a 3.6 4.0 5.5 0.24 24 10

AVC CMOS 2.5 1.1 a 2.6 2.0 3.6 0.8 8 20

AUC CMOS 1.8 0.8 a 2.7 2.0 3.6 0.8 8 10

Efecto del aumento de la velocidad en las interconexiones.


Si en las interconexiones en los circuitos ocurren demoras menores que los tiempos de subida o de caída de la señal de
salida de una compuerta, (2 Tp < tr) no hay afectaciones en la señales que se propagan en estas interconexiones.
Interconexiones cortas no se comportan como una línea de transmisión y si como una carga capacitiva. Ya que el
tiempo de subida de las diferentes familias de la TTL es conocido, se puede calcular la mayor longitud de una
interconexión sin que ocurran efectos semejantes a los de las líneas de transmisión. La velocidad de propagación de la
C
señal en un conductor se puede calcular como VP = , donde C es la velocidad de la luz, Er es la constante
Εr
dieléctrica del medio y VP es la velocidad de propagación. El tiempo que demora la señal en propagarse lo podemos
1
calcular como Tp = . El tiempo que toma la señal en ir y volver en una pista es:
Vp
T = Tp x L x 2, donde L es la distancia a recorrer, el 2 resulta de considerar que la señal va y regresa. Según lo
planteado anteriormente siempre que T < tr no habrá efecto de alta velocidad. La longitud critica a partir de la cual
trVp
ocurren efectos de la alta velocidad la podemos calcular igualando aT = Tr, lo que resulta Lc = . En la tabla
2
siguiente se muestra los resultados de estos cálculos (C = 30 cm / nS), para un PCB de FR-4 (Er = 4).

TTL Family Rise Time Máxima longitud (Lc)


(nS) (cm)
TTL 5 37.5
LS 3 22.5
AS 1.9 14.2
Interconexiones ligeramente mayores comienzan a mostrar efectos de líneas de transmisión. Cuanto mayor sea la
interconexión mayor será la posibilidad de que el sistema sea degradado debido a reflexiones y oscilaciones.

21
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Terminación de las líneas de conexión entre compuertas.


Si la longitud de la interconexión es menor que Lc no hay problemas de reflexiones. Líneas mayores que Lc están
sujetas a reflexiones y oscilaciones pudiendo inclusive hacer que el voltaje en la línea sea menor que 0 V. Para este
último caso una forma de resolver el problema es terminar la línea de interconexión por su impedancia característica.
Hay varias formas para realizar esto:
Terminación serie, la cual no es muy utilizada en circuitos TTL (bipolar), debido a la caída de voltaje en la
resistencia de terminación en el estado (Low), reduciendo el margen de ruido del receptor. Además produce un
consumo de potencia adicional. Esta terminación es ideal en arreglos de memorias de gran capacidad en donde la
corriente de carga en DC es mínima, se utilizan valores en la resistencia de terminación (RT) entre 10Ω y 50Ω.
Introduce una demora adicional.
Terminación paralelo, la cual se puede realizar en cuatro formas:
1- Zo a VCC, la cual disipa potencia cuando la salida está en el estado low.
2- Zo a GND, la cual consume corriente cuando la salida esta en el estado HIGH.
3- Terminación equivalente de Thevenin. Esta consume la mitad de la corriente de los dos casos anteriores con
respecto a la salida del transmisor, pero reduce el margen de ruido además consume corriente de VCC tanto en el
estado LOW como en el HIGH. Es utilizada en salida con tres estados e impone un voltaje de VCC/2 cuando la
compuerta están en el tercer estado.
4- Terminación AC. Se emplea una red RC con respecto a GND en donde C=3tr / Zo. No consume corriente de DC
en ningún estado. En el caso de una línea con tres estado se puede conectar a VCC o a GND para establecer el
voltaje cuando las compuertas estén desconectadas. Esta variante incrementa el consumo de potencia según la
frecuencia aumente.
5- Terminación con un diodo cercano al receptor. No hay disipación de potencia adicional ni demoras.

Hay algunos CI que tienen integrada la resistencia de salida de la terminación serie.

En las siguientes figuras se muestran las situaciones anteriormente comentadas.

U7 U8 U7 U8
R1
Zo Zo
2 1 2 1 2 1 2 1

Sin Terminación Terminación serie

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VCC

R1 = R2 = 2 Zo
R2 = Zo
R1

U7 U8 U7 U8
Zo Zo
2 1 2 1 2 1 2 1

C1

R2

R2

U7 U8
Zo
2 1 2 1

D1

Terminaciones en Paralelo

En la siguiente figura se muestra el efecto de las reflexiones cuando no está terminada la línea de conexión entre dos
compuertas. En la misma se muestra el efecto de los diodos en las entradas de los circuitos TTL y su efecto para
disminuir estas reflexiones.

Fuente de voltaje y temperatura.


La fuente de voltaje típica para los circuitos TTL es de 5V. Dispositivos con grado comercial se garantizan que
trabajen con una tolerancia en la fuente de ± 10% sobre un rango de temperatura ambiente entre 0 y 70 gC. Si la
componente tiene grado militar puede trabajar en un rango de temperatura entre –55 gC y 125 gC.
La temperatura de la unión puede calcularse multiplicando la disipación de potencia del dispositivo por la resistencia
térmica del envase y sumársela a la temperatura ambiente o temperatura del chasis del encapsulado (Tc). Por ejemplo

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un dispositivo encapsulado en cerámica DIP (θja = 100 gC/W) por ejemplo con una disipación 145 mW y para una
temperatura ambiente de +55gC la temperatura de la unión es de: 0.145*100+55 = 69.5gC.
Debe tenerse en cuenta que la temperatura en algunos puntos de un circuito puede subir bastante por encima de la
temperatura ambiente general en un sistema cerrado. Por ejemplo en un impreso de una PC la temperatura local que
rodea un CI en el medio del impreso puede ser bastante mayor que la del ambiente promedio debido al efecto del
calentamiento de todos los circuitos en su alrededor.
En la familia TTL los terminales de la fuente de alimentación se identifican como VCC y GND. Para la serie CMOS
4000 como VDD y VSS y para las series más recientes como VCC y GND.

Acoplamiento de circuitos lógicos con dispositivos simples.


Un método común para entrar información a un sistema digital es mediante interruptores, veamos a continuación como
realizar este acoplamiento con compuertas TTL y CMOS. La diferencia fundamental está en el valor de los resistores,
en el caso CMOS pueden tener un valor mayor y asi disminuir el consumo de potencia. Atención especial hay que
tener en el caso de la TTL con el resistor a tierra ya que por el circula la IIL y esta puede ser de hasta 1.6 mA y hay que
garantizar que el voltaje en esa resistencia sea interpretado como cero. Tambien hay que tener cuidado cuando el
resistor va conectado a la bateria por cuanto por el circula la IIH y produce una caída que pudiera sobrepasar el nivel
del VIH. En el caso de la TTL es mejor la variante con el resistor conectado a la bateria pues consume menos energía.

VCC VCC

R1 SW1

U1 U1

2 1 2 1

SW1 R1

a) b)

La tarea de muchos sistemas digitales es controlar dispositivos de salida simples con características de corriente y
tensión muy diferentes. La mayoría de los circuitos lógicos no tienen capacidad de corriente para manejar dispositivos
de salidas directamente. Una técnica común consiste en conectar a la salida de la compuerta lógica un transistor.
Considere el circuito de la figura, en donde se utiliza un transistor NPN como interruptor.
VCC

D1

Sirena
U1A
R1
1 2 Q1

2K2
74xx04

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Cuando la salida del inversor está en un nível bajo, el transistor no conducirá corriente y la sirena no funciona. Cuando
la salida del inversor está en un nível alto el transistor conduce y por la sirena circulará corriente y funcionará. El diodo
protege contra picos de tensiones transitorias que pueden ser producidos por la propia sirena. El inversor lo mismo
puede ser de la familia TTL como de la CMOS.

Otra variante de interfaz es la mostrada en la siguiente figura:

12V

VCC + Motor

A
K1
-
D1

U1A
R1
1 2 Q1

2K2
74xx04

Un rele es un excelente medio para aislar un elemento lógico de un circuito con tensión o corriente elevada. En la
figura anterior se muestra un circuito para manejar con un rele un motor de corriente directa.

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Ejercicio # 1.
Acoplamiento TTL – CMOS (4000), VCC = 5 V
VCC
TTL CMOS Unidades
(4000)
VCC 5 5 V
R1
10K VOH 2.4 4.95 V
IOH -0.4 1.7 mA
U1A VOL 0.4 0.05 V
1 U2A
3 1 IOL 16 0.36 mA
2 3 VIH 2.0 3.5 V
2
7400
IIH 0.04 0.001 mA
4011 VIL 0.8 1.5 V
IIL -1.6 0.001 mA
Acoplamiento TTL - CMOS
con VCC = 5V
El valor crítico en este acoplamiento es que VOH < VIH, lo que no puede ser. Esto se resuelve utilizando un resistor
según se muestra en la figura anterior. El cálculo de este resistor se realiza tomando en cuenta lo siguiente:

(VCC (min) − VH )
R1(max) =
( IF + IIH (max))

Donde:
IF es la corriente de fuga por la salida de la compuerta 7400, dato que el fabricante no especifica. Tomaremos en este
caso IF = 0.25 mA que es el valor que el fabricante especifica para una open collector.

VH = VIH(min) + NMH
Siendo MRH el margen de ruido del uno.

(VCC (max) − VL)


R1(min) =
( IOL(max) − IIL(max))

Donde VL = VIL(max) - NML


Siendo MRL el margen de ruido del cero.

Suponga un NMH = NML = 0.4V y VCC = 5 V ± 10 %

VH = 3.5 + 0.4 = 3.9V

(4.5 − 3.9)
R1(max) = = 2.39 KΩ
(0.25 + 0.001)

VL = 1.5 - 0.4 = 1.1V

(5.5 − 1.1)
R1(min) = = 0.275 KΩ
(16 − 0.001)

0.275 KΩ ≤ R1 ≤ 2.39 KΩ

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Si se selecciona el menor valor de resistencia, la disipación de potencia será relativamente alta, pero la
respuesta transitoria será rápida. En el caso contrario si se selecciona el mayor valor de la resistencia la
disipación de potencia será más pequeña pero la respuesta transitoria será más lenta.

Ejercicio # 2.
Acoplamiento TTL – CMOS (4000), VDD = 10 V
TTL CMOS Unidades
+ 10V
(4000)
VCC 5 10 V
R1
VOH <30 9.5 V
10K IOH 0.25 1.1 mA
VOL 0.4 0.5 V
U1A
U2A IOL 40 1.1 mA
1 2 1 VIH 2.0 7.0 V
3
2 IIH 0.04 0.001 mA
7406 VIL 0.8 3.0 V
4011
IIL -1.6 0.001 mA
Acoplamiento TTL - CMOS con VDD = 10V
El circuito 7406 es un buffer “open collector” que puede trabajar hasta con un voltaje máximo de 30 V con una IOL de
40 mA. Aquí se necesita de este CI o similar (7407, 7416, 7417) para generar el voltaje del VIH (min) que necesita el
circuito 4011, trabajando con VDD = 12V. La resistencia R1 se calcula como se planteo en el ejercicio anterior.

Suponga un NMH = NML = 0.4V y VCC = 10 V ± 10 %

VH = 7.0 + 0.4 = 7.4 V

(9 − 7.4)
R1(max) = = 6.37 KΩ
(0.25 + 0.001)

VL = 3.0 - 0.4 = 2.6V

(11 − 2.6)
R1(min) = = 0.21 KΩ
(40 − 0.001)

0.21 KΩ ≤ R1 ≤ 6.37 KΩ

Si se selecciona el menor valor de resistencia, la disipación de potencia será relativamente alta, pero la respuesta
transitoria será rápida. En el caso contrario si se selecciona el mayor valor de la resistencia la disipación de potencia
será más pequeña pero la respuesta transitoria será más lenta.

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Ejercicio # 3.
Acoplamiento CMOS (4000) – TTL, VDD de 5 a 15 V.
TTL CMOS CMOS CMOS Unidades
(4000) (4000) (4000)
7400 4011 4011 4049*
VCC 5 5 15 5 V
VOH 2.4 4.6 13.5 4.6 V
IOH 0.4 -0.42 -2.8 -0.58 mA
VOL 0.4 0.4 1.5 0.4 V
IOL 40 0.42 2.8 2.1 mA
VIH 2.0 3.5 11.0 4 V
IIH 0.04 0.001 0.001 0.001 mA
VIL 0.8 1.5 4.0 1 V
IIL -1.6 0.001 0.001 0.001 mA
(*) Aguanta en la entrada hasta 20 V.

VDD +5 a +15V VDD = + 5V VCC = + 5V

U1A U2A
1 U3A
3 3 2 1
2 3
2
4011 4049
7400

Acoplamiento CMOS - TTL

Valor crítico VOH (4011) y VIH (4049)

Ejercicio # 4.
Acoplamiento TTL-LS con HC
TTL CMOS Unidades
VCC = + 5V LS (HC)
VCC 5 5 V
VOH 2.7 4.4 V
R1
10K IOH -0.4 4.0 mA
U1A VOL 0.5 0.26 V
1 U2A IOL 8 4.0 mA
3 1 VIH 2.0 3.15 V
2 3 IIH 0.02 0.001 mA
2
VIL 0.8 1.35 V
74LS00
IIL -0.36 0.001 mA
74HC00

Acoplamiento TTL LS para HCMOS


Valor crítico VOH y VIH.
El cálculo del resistor se realiza igual al primer ejercicio.

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Ejercicio # 5.
Acoplamiento TTL LS – HC con VDD = 2V.
TTL CMOS CMOS Unidades
HC4049 (HC00)
VCC 5 2 2 V
VOH 2.7 1.9 1.9 V
IOH -0.4 -0.02 -0.02 mA
VOL 0.5 - - V
IOL 8 - - mA
VIH 2.0 1.5* 1.5 V
IIH 0.02 0.001 0.001 mA
VIL 0.8 0.5 0.5 V
IIL -0.36 0.001 0.001 mA

(*) Aguanta en la entrada un voltaje hasta 20V.

VCC = + 5V VDD = + 2V VDD = + 2V


U1A U2A
1 U3A
3 3 2 1
2 3
2
7400 74HC4049
74HC00
Valor crítico, el voltaje de entrada máximo de la 74HC4049.

Ejercicio # 6.
Para el circuito mostrado a continuación calcular el valor de la resistencia R1 para que por el LED circule
como máximo 10 mA con 1.8V. VCC = 5V ± 10%

El LED ilumina cuando por el circula corriente y en VCC

este caso sucede cuando a la salida de la compuerta


hay un cero.
D1
LED

R1
U?A

1 2
VI
Tenemos que R = [VCC – Vled – Vol] / Iled
7404

Considerando que se quiere que por el LED circule una corriente ≤ 10 mA debemos calcular el menor valor
de R que garantice esa corriente, para lo cual:

(VCC (max) − Vled (min) − Vol (min))


R(min) =
Iled (max)

Considerando la tolerancia del resistor R(min) = R – tol ⋅ R = R ( 1 – tol)


Por lo que R = R(min) / (1 – tol)

29
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Sustituyendo tenemos:

(VCC (max) − Vled (min) − VOL(min)


R(min) =
((1 − tol ) ILed (max))

Para una batería de 5 V ± 10 %; con un Vled(min) = 1.8V ± 0.1V ; con Vol(min) = 0; Iled(max) = 10 mA y
una tolerancia del 5% en la resistencia, tenemos:

(5.5 − 1.7 − 0) 3.8


R(min) = = = 400 Ω
((1 − 0.05)0.01) 0.0095

El valor comercial mas próximo por encima es de 420 Ω.

Calculo de la corriente minina:

(VCC (min) − Vled (max) − VOL(max)) (4.5 − 1.9 − 0.5)


Iled(min) = = =5.1 mA.
R(max) 390(1 + 0.05)

Y el valor típico de la corriente:

(5 − 1.8 − 0.2)
Iled(típico) = = 7.7 mA
390

Ejercicio # 7:
Diseñe un circuito para manejar un relay que trabaja entre 3.5 y 11 V con una resistencia en la bobina de 125 Ω.
Suponga que el transistor tiene una HFE = 200. VCC = 5V ± 10%.

IC = [VCC(max) – Vce(sat)] / Rrelay = [5.5 – 0.2] / 125 = 42.4 mA

Suponiendo una σ = 0.2 tenemos que IB = IC / (σ⋅HFE) = 42.4 / (0.2*200) = 1.06 mA

Rb = [Vo – Vbe] / IB = [3.5 – 0.7] / 1.06 = 2.64 K = 2.4 KΩ

Donde Vo es el voltaje de salida aproximado para una Io ≈ 2 mA.

Observar que hace falta una compuerta lógica que pueda entregar una IOH ≥ 1.06 mA o hay que utilizar un par
Darlington para tener una HFE mayor y lograr una IB mucho mas pequeña.

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Ejercicio # 8.
Calcule el valor de Rb para el circuito de la figura, considere un LED con una corriente de ≥ 20 mA y una
caída de 1.8 V ± 0.2V y un transistor con una HFE ≥ 200.

VCC

U2
Rb Q1 1
2 1 2
3

Rc

D1

(VCC (min) − VCE sat (max) − Vled (max)) (4.5 − 0.2 − 2.0)
RC(max) = = = 115 Ω = 110 Ω
ILED 20

IC 20
Suponiendo una σ = 0.2 tenemos que IB = = = 0.5 mA
σHFE 0.2 * 200

(VCC (min) − Vbe(max) − VOL(max)) (4.5 − 0.7 − 0.4)


Rb(max) = = = 6.8 KΩ
IB 0.5

Observar que hace falta una compuerta lógica que pueda entregar una IOH ≥ 0.5 mA o hay que utilizar un par
Darlington para tener una HFE mayor y lograr una IB mucho mas pequeña.

Ejercicio # 9.
Calcule el rango de valores del resistor R1 para garantizar el correcto funcionamiento del circuito mostrado. Suponga
un NMH = NML = 0.4V (VCC = 5 V ± 10 %) VCC

R1

U10A
U6A
1 2 1
3
2
74HCT05
74HCT00

U11B U7A
1
3 4 3
2

74HCT05 74ALS00

U8A
U11C 1
3
5 6 2

74AS00
74HCT05
U9A
1
3
2

74F00

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74HCT05 74HCT00 74ALS00 74AS00 74F00 Unidades


VCC 5 5 5 5 5 V
VOH 3.84 2.75 2.75 2.7 V
IOH 0.25 -4.0 -0.4 -2.0 -1.0 mA
VOL 0.33 0.33 0.5 0.5 0.5 V
IOL 4 4 8 20 20 mA
VIH 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 V
IIH 0.001 0.001 0.02 0.02 0.02 mA
VIL 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 V
IIL -0.001 -0.001 -0.2 -0.5 -0.6 mA

Para garantizar un “1” lógico en el nodo común tenemos que asegurar que:

(VCC (min) − VH (min))


R(max) =
( N1 * IOH (max) + IIH ( HCT ) + IIH ( ALS ) + IIH ( ALS ) + IIH ( F ))

VH(min) = VIH(min) + NMH = 2.0 + 0.4 = 2.4 V (El VIH es el peor caso (mayor) de las compuertas de carga)

( 4.5 − 2.4)
R(max) = = 2.59 KΩ = 2.4 KΩ
3 * 0.25 + 0.001 + 0.02 + 0.02 + 0.02)

Para garantizar un “0” lógico en el nodo común tenemos que asegurar que:
(VCC (max) − VL(max))
R(min) =
( IOL(max) − IIL( HCT ) − IIL( ALS ) − IIL( ALS ) − IIL( F ))

VL(min) = VIL - NML (Es el del peor caso (mínimo))

(5.5 − 0.4)
R(min) = =1.318 KΩ = 1.5 KΩ
4 − 0.001 − 0.02 − 0.05 − 0.06)
1.5 KΩ ≤ R ≤ 2.4 KΩ

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Ejercicio # 10.
Diseñe el circuito mostrado para encender o apagar un motor de corriente alterna mediante un Relay con una
resistencia en su bobina de 50 Ω y un voltaje de trabajo entre 9 y 15 V. Considere para el transistor una HFE = 10000

1 2

MOTOR

VCC
110 Vca

K1
4
3
D2 1
2

RELAY SPST

U2
Rb Q2
2 1

Q1

Tomaremos como Voltaje de alimentación del Relay 12 V, trabajaremos con los valores típicos.

VCE = VBE(Q1) + VCE sat (Q2) = 0.6 + 0.2 = 0.8 V


(VCC − VCE ) (12 − 0.8)
Calculo de IC = = = = 224 mA
R(relay ) 50

Suponiendo σ = 0.2
IC 224
Calculo de IB = = = 0.112 mA
σHFE 0.2 * 10000
(VOH − VBE (Q1) − VBE (Q 2)) (3.84 − 0.6 − 0.6)
Calculo de Rb = = = 23.57 kΩ. = 20 kΩ.
IB 0.112

Existen dos cosas a considerar cuando diseñamos un circuito que utiliza un transistor para hacer circular o no una
corriente alta. La primera es utilizar un transistor que tenga una corriente de colector lo suficientemente grande para
trabajar con la corriente que circulará por el circuito. En este ejemplo el transistor debe ser capaz de manipular por lo
menos 0.224 amp o de lo contrario puede ser destruido. La segunda hay que suministrar una corriente de base lo
suficientemente alta para saturar al transistor, lográndose con esto que el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor sea lo menor posible. Esta caída de tensión cuanto mayor sea mas potencia disipará el transistor.
La IOH de la compuerta debe ser ≥ 0.112 mA

33
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Ejercicio # 11.
Diseñar un circuito que emplee un optoacoplador para introducir una señal de 60 Hz a un circuito TTL.
VCC

R3

U5
R2
1 T1 5
Especificaciones del optoacoplador
110 Vac 2 Vac Vo
H11L1
4 8

H11L1c

INPUT LED
Min Max Unidad
VR 6 V
IR 10 uA
IF 1.6 60 mA
VF 0.75 1.5 V
OUTPUT
VCC 3 16 V
IOH 0.1 mA
VOL 0.4 V
IOL 17 mA
ton 4 uS
toff 4 uS

Calculo de R2
V(pico) = 2 * 1.4 = 2.8V
Tomando como IF = 2 mA.

R2 = [V(pico) – VF] / IF = [2.8 – 1.5] / 2.0 = 0.65K = 0.62K


R3 se calcula con las ecuaciones del problema 1.

34
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Ejercicio # 12.
Problema # 1
Determine el Fan – out y los márgenes de ruido en los casos siguientes:
1) Compuertas HCT manejando compuertas AS.
2) Compuertas HCT manejando compuertas F.
3) Compuertas HCT manejando compuertas HCT.

HCT AS F ACT Unidades


VCC 5 5 5 5 V
VOH 3.84 2.7 2.7 3.8 V
IOH -4.0 -2.0 -1.0 -24.0 mA
VOL 0.33 0.5 0.5 0.36 V
IOL 4 20 20 24 mA
VIH 2.0 2.0 2.0 2.0 V
IIH 0.001 0.02 0.02 0.001 mA
VIL 0.8 0.8 0.8 0.8 V
IIL 0.001 -0.5 -0.6 -0.001 mA

1) Familia HCT manejando AS


a) Análisis del UNO

NMH = VOH(HCT) - VIH(AS) = 3.84 – 2.0 = 1.84V

IOH ( HCT ) 4.0


Fan – Out = = = 200
IIH ( AS ) 0.02

b) Análisis del CERO

NML = VIL(AS) - VOL(HCT) = 0.8 – 0.33 = 0.47V (Peor caso)

IOL( HCT ) 4.0


Fan – Out = = =8
IIL( AS ) 0.5

El FAN – OUT (TOTAL) = 8 (Peor caso)

2) Familia HCT manejando F


c) Análisis del UNO

NMH = VOH(HCT) - VIH(F) = 3.84 – 2.0 = 1.84V

IOH ( HCT ) 4.0


Fan – Out = = = 200
IIH ( F ) 0.02

d) Análisis del CERO

NML = VIL(F) - VOL(HCT) = 0.8 – 0.33 = 0.47V (Peor caso)

IOL( HCT ) 4.0


Fan – Out = = =6
IIL( F ) 0.6
El FAN – OUT(TOTAL) = 6 (Peor caso)
35
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3) Familia HCT manejando HCT


e) Análisis del UNO

NMH = VOH(HCT) - VIH(AS) = 3.84 – 2.0 = 1.84V

IOH ( HCT ) 4.0


Fan – Out = = = 4000
IIH ( HCT ) 0.001

f) Análisis del CERO

NML = VIL(HCT) - VOL(HCT) = 0.8 – 0.33 = 0.47V (Peor caso)

IOL( HCT ) 4.0


Fan – Out = = = 4000
IIL( HCT ) 0.001

El FAN – OUT(TOTAL) = 4000

En este caso el Fan – OUT lo va a limitar la capacidad de carga y no las corrientes.

Las compuertas tienen una capacidad de entrada entre 5pF y 10 pF


CL = 4000 x 5 = 20000 pF (ó 4000 x 10 = 40000 pF) lo que resulta muy grande y por lo tanto la respuesta de la
compuerta es muy lenta. En este cálculo no se ha tenido en cuenta la capacidad que aporte la interconexión.
Típicamente los fabricantes especifican los datos de respuesta transitoria para una capacidad de 50 pF.
En el caso de la familia HCT se introduce una demora adicional de 1ns por cada 5 pF de capacidad adicional por lo que
la demora adicional en este caso esta entre 4000 y 8000 nS.

36

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