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SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

PREFÁCIO

Esta obra foi elaborada para oferecer a você um material atualizado e


ilustrado a respeito de um campo do conhecimento que vem assumindo
importância cada vez maior nos dias de hoje: A Eletrônica.
Aliado à estrutura didática do texto, apresentamos um conteúdo
relacionado ao seu dia-a-dia, de modo a lhe oferecer uma Eletrônica
contextualizada , mais próxima da realidade.
Não foi minha intenção trazer novos conhecimentos sobre o assunto e, sim
compilar e coordenar ensinamentos oriundos das diversas fontes citadas na
Bibliografia, relacionado com alguma experiência profissional.
A escolha dos assuntos leva em conta as indicações do programa oficial,
mantendo a exposição dos temas o mais simples possível de modo a facilitar a
verificação prática e experimental. Levei em conta também, os limites de tempo
à disposição para o desenvolvimento do “Curso Técnico em Eletrônica, Nível de
2o Grau”.

Aos meus filhos,


Saionara, Tatiana e Luciano
Por sua paciente amizade

O AUTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

SUMÁRIO

I – TEORIA ATÔMICA DA MATÉRIA ................................................................................ 07

1.1 Constituição da matéria ............................................................................................... 07


1.2 Natureza da eletricidade .............................................................................................. 08
1.3 Material isolante .......................................................................................................... 10
1.4 Material condutor ........................................................................................................ 10
1.5 Material semicondutor................................................................................................. 12

II – DIODO DE JUNÇÃO PN ................................................................................................. 17

2.1 Curva do diodo de junção............................................................................................ 17


2.2 Polarização do diodo de junção ................................................................................... 18
2.3 Análise do diodo de junção em circuitos elétricos ...................................................... 20
2.4 Circuitos com diodo de junção .................................................................................... 24
 Dobrador de tensão em meia-onda ....................................................................... 24
 Dobrador de tensão em onda-completa ................................................................ 25
 Triplicador de tensão ............................................................................................ 25
 Ceifadores..............................................................................................................26
 Grampeador C.C. ................................................................................................. 27
 Detetor de pico ..................................................................................................... 28
2.5 Diodos emissores de luz .............................................................................................. 29
2.6 Diodos zener ................................................................................................................ 32
 Diodo zener como regulador de tensão ................................................................ 34
 Regulador zener FFCF ......................................................................................... 35
 Regulador zener FFCV ........................................................................................ 36
 Regulador zener FVCF ........................................................................................ 37
 Regulador zener FVCV ........................................................................................ 38

III – CONVERSOR ESTÁTICO ............................................................................................. 41

3.1 Retificador estático ...................................................................................................... 41


 Retificador não controlado de meia-onda ............................................................ 46
 Retificador não controlado de onda-completa ..................................................... 50

IV – TRANSISTOR BIPOLAR ............................................................................................... 56

4.1 Polarização de um transistor ....................................................................................... 57


4.2 Parâmetros de um transistor ........................................................................................ 58
4.3 Curvas do coletor ........................................................................................................ 60
4.4 Curva da região de base .............................................................................................. 61
4.5 Curvas de ganho de corrente - cc .............................................................................. 62
4.6 Linhas de carga C.C. ................................................................................................... 62

__________________________________________________________________________ 1
SUMÁRIO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
V – CIRCUITOS POLARIZADORES DO TRANSISTOR .................................................... 64

5.1 Polarização de base ...................................................................................................... 64


 Polarização de base em circuitos digitais ............................................................. 65
 Polarização de base em circuitos de comutação ................................................... 67
5.2 Polarização com realimentação do emissor ................................................................. 67
 Configuração em emissor-comum ........................................................................ 68
 Configuração em seguidor de emissor.................................................................. 70
5.3 Polarização com realimentação do coletor ................................................................. 72
5.4 Polarização por divisor de tensão ................................................................................ 75
5.5 Polarização do emissor ................................................................................................ 79
5.6 Circuitos complementares ........................................................................................... 83

VI – CAPACITORES DE ACOPLAMENTO E DERIVAÇÃO ............................................. 84

6.1 Capacitores de acoplamento ........................................................................................ 85


6.2 Capacitor de derivação ................................................................................................ 87

VII – AMPLIFICADOR EMISSOR-COMUM (EC) ............................................................... 88

7.1 Teorema da superposição ............................................................................................ 88


7.2 Resistência C.A do diodo de emissor. ......................................................................... 89
7.3 Ganho de corrente C.A. (ca) ...................................................................................... 90
7.4 Ganho de tensão (AV) ................................................................................................. 90
7.5 Impedâncias do circuito ............................................................................................... 91
7.6 Características da configuração “EC” ......................................................................... 91
7.7 Cálculos e análise de um amplificador emissor-comum ............................................. 92
7.8 Amplificador emissor-comum com estágios em cascata ............................................. 94
7.9 Amplificador “EC” com realimentação parcial do resistor de emissor ...................... 95

VIII – AMPLIFICADORES COLETOR-COMUM (CC)........................................................ 98

8.1 Linha de carga C.C. ..................................................................................................... 98


8.2 Ganho de tensão (AV) ................................................................................................. 99
8.3 Características da configuração “CC” ......................................................................... 99
8.4 Polarização por realimentação do emissor .................................................................. 99
8.5 Polarização por divisor de tensão .............................................................................. 103
8.6 Transistores em montagem DARLINGTON ............................................................. 106
8.7 Regulador de tensão transistorizado com seguidor de emissor ................................. 111
8.8 Regulador de tensão paralelo transistorizado ............................................................ 113
8.9 Regulador de corrente transistorizado ...................................................................... 115

IX – AMPLIFICADOR BASE-COMUM (BC) ..................................................................... 121

9.1 Características da configuração “BC” ....................................................................... 121


9.2 Polarização por divisor de tensão .............................................................................. 121
9.3 Circuitos equivalentes e cálculos dos parâmetros elétricos ....................................... 122

2 __________________________________________________________________________
SUMÁRIO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
X – AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA ............................................................................125

10.1 Amplificador classe – A .......................................................................................125


 Classe – A em configuração “EC” ..................................................................125
10.2 Amplificador classe – B .......................................................................................129
 Configuração “PUSH-PULL” ........................................................................130
10.3 Acionador de classe – B .......................................................................................135
10.4 Cálculo dos parâmetros de um amplificador completo .........................................135
10.5 PUSH-PULL com par DARLINGTON ................................................................138
10.6 PUSH-PULL com par DARLINGTON/SZIKLAI ................................................139
10.7 PUSH-PULL acoplado por transformador ............................................................139
10.8 PUSH-PULL com fonte simétrica .........................................................................139
10.9 Amplificador de Áudio Estéreo 320 PMPO ..........................................................140

XI – MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CICUITOS COM TANSISTORES


LINEARES ......................................................................................................................150

11.1 Parâmetros de impedância (Z) .................................................................................150


11.2 Parâmetros de admitância (Y) ..................................................................................151
11.3 Parâmetros “G” ........................................................................................................153
11.4 Parâmetros híbridos (h) ............................................................................................154
 Parâmetros híbridos e suas especificações em folhas de dados ..........................156
 Análise dos parâmetros, para uma rede com duas porta, adicionado de carga e
fonte......................................................................................................................157
 Cálculos de circuito transistorizado em configuração “EC”, utilizando os
parâmetros híbridos ..............................................................................................159
 Cálculos de circuito transistorizado em configuração “CC”, utilizando os
parâmetros híbridos ..............................................................................................162
 Cálculos de circuito transistorizado em configuração “BC”, utilizando os
parâmetros híbridos ..............................................................................................165

XII – TIRISTORES ................................................................................................................170

12.1 A trava ideal...........................................................................................................170


12.2 Tiristor uniderecional ............................................................................................171
 Retificador controlado de silício – SCR.........................................................171
 Foto-tiristor (LASCR) ...................................................................................177
 Chave unilateral (SUS) ..................................................................................177

12.3 Tiristor bidirecional ...............................................................................................178


 Diodo para corrente A.C. (DIAC) ..................................................................178
 Triodo para corrente A.C. (TRIAC) ...............................................................180
 Chave bilateral (SBS) .....................................................................................182

XIII – SUPRESSORES DE TRANSIENTE ...........................................................................183

13.1 Supressores de transitórios primário......................................................................183


13.2 Supressores de transitórios polarizado/não polarizado ..........................................183
13.4 Supressor de transitórios dv/dt ..............................................................................184

__________________________________________________________________________ 3
SUMÁRIO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
XIV – TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (TEC) ....................................................... 185

14.1 Construção e características do TEC .................................................................. 185


14.2 Transistor de efeito de campo de junção (TECJ) ................................................ 185
 Estrutura do TECJ ....................................................................................... 185
 Características de polarização .................................................................... 186
 Parâmetros elétricos especificados em folhas de dados .............................. 188

14.3 Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor (TEC-MOS) ........ 189


 Construção e características ........................................................................ 189
 TEC-MOS de depleção................................................................................ 190
 TEC-MOS de indução ................................................................................. 191

14.4 Sistemas de polarização do TECJ ....................................................................... 193


 Polarização de porta .................................................................................... 193
• Chave analógica ..................................................................................... 194
• Chave Shunt ........................................................................................... 195
• Chave série ............................................................................................. 196
• Chopeers TECJ ....................................................................................... 197
• Multiplex analógico ................................................................................ 197
• TECJ como resistor variável (VVR) ...................................................... 197
 Auto polarização .......................................................................................... 198
 Polarização por divisor de tensão ................................................................. 201

14.5 Amplificador em configuração Fonte-comum (SC) ........................................... 204


14.6 Polarização de transistores TEC-MOS ............................................................... 207

XV – TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (TUJ) ..................................................................... 208

15.1 Parâmetros elétricos ............................................................................................ 209


15.2 Curva característica estática do emissor ............................................................. 210
15.3 Oscilador com TUJ ............................................................................................. 210

XVI – AMPLIFICADOR OPERACIONAL ......................................................................... 219

16.1 CIs monolíticos ................................................................................................... 219


 CIs de filme fino e grosso........................................................................... 222
 CIs híbridos ................................................................................................ 222
 Formas de integração .................................................................................. 222

16.2 Configuração interna do amplificador operacional ............................................. 223


 Diferencial básico ....................................................................................... 223
• Análise C.C. ........................................................................................... 225
• Análise C.A............................................................................................ 226
• Ganho de modo-comum (AVc) ............................................................. 228
• Razão de rejeição de modo-comum ....................................................... 229
• Polarização por espelho de corrente ...................................................... 229
 Amplificador operacional TL – 741 ........................................................... 230
 Amplificador operacional TL – 071 ........................................................... 233

4 __________________________________________________________________________
SUMÁRIO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
16.3 Sistemas analógicos lineares .............................................................................. 234
 Diferencial .................................................................................................... 234
 Somador........................................................................................................ 235
 Integrador ..................................................................................................... 236
• Integrador sem limitador de ganho nas baixas freqüências .................... 238
• Integrador com limitador de ganho nas baixas freqüências .................... 240
 Filtro ativo .................................................................................................... 244
• Passa-baixas ............................................................................................ 245
• Passa-baixas de 1a ordem ........................................................................ 245
• Passa-baixas de 2a ordem ........................................................................ 247
• Passa-baixas de ordens superiores .......................................................... 249
• Passa-altas ............................................................................................... 250
• Passa-altas de 1a ordem ........................................................................... 250
• Passa-altas de 2a ordem ........................................................................... 252
• Passa-altas de ordens superiores ............................................................. 253
• Passa-faixa .............................................................................................. 253
• Rejeita-faixas .......................................................................................... 254

16.4 Sistemas analógicos não lineares ........................................................................ 255


 Comparador ................................................................................................. 255
• Com sinal senoidal .................................................................................. 256
• Com sinal de desengate alterado ............................................................. 256
• Disparador SCHMITT ............................................................................ 257
• Disparador com ponto de desengate deslocado ...................................... 259
• Disparador SCHMITT não inversor ....................................................... 259
• Disparador SCHMITT não inversor com desengate deslocado .............. 260

XVII – TEMPORIZADOR 555 ............................................................................................. 261

17.1 Comparador ........................................................................................................ 261


17.2 Flip-flop RS ........................................................................................................ 262
17.3 Circuito de Temporização .................................................................................. 262
17.4 Análise do diagrama esquemático simplificado ................................................. 263
17.5 Operação mono estável ....................................................................................... 264
17.6 Operação astável ................................................................................................. 265
17.7 Aplicações do CI-555 ........................................................................................ 267
17.8 Versões do temporizador 555 ............................................................................. 268

XVIII - APÊNDICE ...............................................................................................................269


A.1 – Características de componentes ativos ..............................................................269
A.2 – Código de semicondutores e símbolos dos Parâmetros elétricos de transistores
Bipolares e TEC ............................................................................................... 270
A.3 – Sistema AWG & mm para fio esmaltado.......................................................271
A.4 – Canais de TV......................................................................................................272
• Espectro de Rádio .........................................................................................273
A.5 –Semicondutores de Potência Texas.....................................................................274
A.6 – Manual de Transistores Bipolares......................................................................283
A.7 – Transistores TECJ Canal N – 2N4223 e 2N4224..............................................289
Transistor TECMOS canal P – 3N163.............................................................290

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SUMÁRIO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

A.8 – Filtro de BUTTERWORK ................................................................................ 291


A.9 – Técnica de Fabricação de Transistores ............................................................. 292
A.10 – Parâmetros Típicos dos Amplificadores Operacionais Populares .................. 294
A.11 – Parâmetros Híbridos Transistor 2N3904 ........................................................ 295
A.12 – Características dos Transistores BC546 ao BC550
• Curva Característica do Ganho de Corrente C.C. (hFE) .......................... 296
• Curva Característica da Corrente de Base em f Temperatura de Junção 297
• Curva Característica da Tensão VCESAT em f Corrente de Coletor ..... 297
• Curva Característica da Tensão VCESAT em f Temperatura de Junção 297
• Curva Capacitância de Junção Coletor-Base ........................................... 298
• Curva Capacitância de Junção Emissor-Base .......................................... 298
• Curva de Transferência de Sinal em f da freqüência ............................. 298
• Parâmetros Híbridos (hie e hoe) ............................................................ 299
• Parâmetros Híbridos (hfe e hre) ............................................................. 300
A.13 – Símbolos
• Componentes Ativos ................................................................................ 301
• Componentes Passivos e Ativos .............................................................. 302
• Diversos ................................................................................................... 303
A.14 – Característica Técnicas de Instrumentos de Medidas em Sistemas Móveis ... 304
A.15 – Formas de Ondas, Parâmetros Elétricos (senoidal, quadrada e dente de serra)305
A.16 – Capacitores
• Valores Padrão de Capacitores ................................................................ 306
• Codificação de Poliéster Metalizado , PIN-UP e Cerâmicos................... 307
A.17 – Codificação de Diodos de Junção
• Zener ........................................................................................................ 308
• Triviais ..................................................................................................... 309
A.18 – Codificação de Resistores e Valores Padrão .................................................. 310

ELETRÔNICA GERAL 3ª Edição


Uberaba, janeiro de 2001
Fone – (034)3312-4122

Autor: Eng. Lécio G. Matos

Produção Editorial: Eng. Eliana N. O. Gonçalves

Capa: Alexandre A. do Prado

Reservado todos os direitos. É proibida a duplicação ou reprodução desta edição, ou


partes da mesma, sob quaisquer formas ou quaisquer meios (eletrônico, mecânico,
gravação, fotocópia ou outros), sem permissão expressa da Sociedade Educacional Tales
de Mileto.

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SUMÁRIO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

I - TEORIA ATÔMICA DA MATÉRIA

1.1 CONSTITUIÇÃO DA MATÉRIA


Matéria é tudo que tem massa e que ocupa lugar no espaço (Madeira, Vidro, Sal, Ferro, etc.).
A matéria se relaciona com uma variedade de coisas, sendo cada tipo de matéria uma substância.

Molécula:

É a menor partícula de uma substância, que apresenta todas as características da mesma.

Átomo:
É o que constitui as moléculas, o número de átomos que compreendem uma molécula varia
de acordo com as substâncias. É a menor partícula de um elemento.
Átomo - palavra de origem grega, “a” - não, “tomo” - divisão, (não divisível).
H2O - 2 átomos de Hidrogênio e 1 átomo de oxigênio (molécula de água)
Em 1803 foi promovida a “teoria atômica de Dalton” que diz:” Qualquer matéria é
formada por átomos indivisíveis”.
Em 1911, com as experiências de Rutherford, ficou provado que o átomo é divisível,
formado por partículas ainda menores: prótons e elétrons.

Substâncias simples:
São substâncias que possuem suas moléculas com átomos iguais.
Ferro - FE Cobre - CU Zinco - ZN
Substâncias compostas:
São substâncias que possuem suas moléculas com átomos diferentes.
Água - H2O Acido - SO4 Gás Carbônico - CO2

Elemento:

É a combinação de elétrons, prótons e neutros, para constituir um átomo.


Atualmente são conhecidos 109 tipos de átomos.
Hidrogênio - H Sódio - Na Silício - Si
Oxigênio - O Cobre - Cu Germânio - Ge

hidrogênio (H2) oxigênio (O2) água (H2O) gás carbônico (CO2)


SUBSTÂNCIAS SIMPLES SUBSTÂNCIAS COMPOSTAS

__________________________________________________________________________ 7
TEORIA ATÔMICA DA MATÉRIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

1.2 NATUREZA DA ELETRICIDADE


Estrutura Atômica De Um Elemento

.
Toda Matéria é constituída de átomos

O elemento mais simples é o Hidrogênio. Como se pode ver na figura, seu átomo tem um único
elétron em órbita ao redor do núcleo com um próton .
Um dos mais complexos elementos é o urânio, que tem 92 elétrons em órbita ao redor de um núcleo
com 92 prótons.
Cada elemento tem a sua própria estrutura atômica, porém cada átomo de um mesmo elemento tem
igual número de prótons e elétrons ( elemento balanceado ).

Elétrons : é uma partícula de átomo carregado de eletricidade negativa e são considerados


indivisíveis.

MASSA  9,11 x !0-28 Gramas


Diâmetro  56 x 10-12 mm
Carga  1,6 x 10-19 Coulombs

Prótons: É uma das dezenas de partículas contidas no núcleo. Possui carga elétrica positiva. O número
de prótons no núcleo, define o número atômico e o tipo de átomo.

Neutrons: Partículas no interior do núcleo de um átomo, que não possui cargas elétricas. “Prótons
e Neutrons” tem apenas 1/3 do diâmetro do elétron (18 x 10-12 mm), porém é mais pesado,
a massa de um próton é aproximadamente 1840 vezes maior que a massa do elétron.

1.2.1 Camadas Energéticas De Um Átomo


Formada de uma até sete camadas

camadas 10 20 30 40 50 60 70
nome K L M N O P Q
no Máximo de Elétrons 2 8 18 32 32 18 8
Tabela 1
8
__________________________________________________________________________
TEORIA ATÔMICA DA MATÉRIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Podemos notar que somente a camada periférica de um átomo pode apresentar-se incompleta; as
demais estão completas.
Existem 6 substâncias com a camada periférica completa (gases nobres ou inertes), não se combinam
com nenhum outro elemento.

Os elétrons que se encontram na camada periférica são chamados de elétrons de valência


(valência = elo, união ). Elétrons de valência são os que possuem liberdade para participar de
fenômenos químicos ou elétricos.

Cadeia de Valência:

Ocorre: quando um elétron gira em torno de dois núcleos, efetuando uma união dos átomos entre si.
Em uma substância, depois de se terem sido formados as cadeias de valência, os elétrons que não
participam das cadeias de valência, não possuem união firme e são denominados “elétrons livres”.
Quanto maior o número de elétrons livres na substância, tanto maior o fluxo de corrente de elétrons;
para uma dada “tensão” ou seja, maior será a condutividade no material.

Regra de Distribuição das Camadas Energéticas:

10 - Existem sete camadas energéticas, sendo que cada camada permite uma quantidade de
elétrons. (ver tabela 1).
20 - Quando se tem mais de 8 elétrons, na última camada, cancela-se o número escrito e coloca-
se em seu lugar o no 8 ou 18; dos dois, aquele que for imediatamente inferior ao número
cancelado.
30 - A diferença é colocada na camada seguinte.

A - Átomo de antimônio (Sb), número atômico 51:


K - L - M - N - O
2 - 8 - 18 - 23
18 - 18 - 5

B - Átomo de Sódio (Na), número atômico 11.


K - L - M
2 - 9
8 - 1

Observação: A regra de distribuição eletrônica, não é válida para a maioria dos elementos
de “transição”.

Exemplo: K - L - M - N - O - P

Ferro (Fe) - Número Atômico 26 2 - 8 - 14 - 2 - - - -


Tungstênio (W) - Número Atômico 74 2 - 8 - 18 - 32 - 12 - 2

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TEORIA ATÔMICA DA MATÉRIA
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1.3 MATERIAL ISOLANTE


Possui pouco ou nenhuma quantidade de elétrons livres; os elétrons de valência estão todos
em cadeias de valência e existem pouquíssimos elétrons livres para constituir um fluxo de corrente
de elétrons (vidro, mica, madeira). Nos materiais isolantes os seus átomos possuem 5 ou mais elétrons
em sua camada externa; ele tenta preencher sua camada de modo a alcançar uma situação estável;
seus átomos tentam adquirir elétrons, ao invés de fornecê-los, assim, o movimento de elétrons de um
átomo a outro é inibido.
Exemplo:
Enxofre (S) - número atômico 16
K-L-M
2 8 6

Camada periférica (M) com 6 elétrons de valência, apresenta uma


condição maior de alcançar uma situação estável (receber elétrons).

1.4 MATERIAL CONDUTOR


São materiais que possuem grande quantidade de elétrons livres. Seus átomos tem menos de 4 elétrons
em sua camada exterior, ele apresenta tendência em fornecê-los com facilidade; seus elétrons da
camada exterior podem se movimentar aleatoriamente de um a outro átomo.

Exemplos:
A) Cobre (Cu) número atômico 29
K- L - M - N
2 - 8 - 18 - 1
Camada periférica (N), apresenta uma tendência em fornecer um elétron com facilidade.

B) Prata (Ag) número atômico 47


K - L - M - N - O
2 - 8 - 18 - 18 - 1
Camada periférica com um elétron de valência

C) Ouro (Au) número atômico 79


K - L - M - N - 0 - P
2 - 8 - 18 - 32 - 18 - 1
Camada periférica com um elétron de valência.

Para os exemplos “B” e “C”, ambos apresentam 1 elétron de valência na camada periférica; porém,
podemos afirmar que o “ouro” ‘e melhor condutor de eletricidade que a “prata”, devido a sua camada
periférica estar mais distante do núcleo. Esta afirmação somente é válida, considerando uma análise
atômica de um elemento e para que possamos definir um bom condutor, temos que conhecer sua
resistividade elétrica. Muitos metais são bons condutores, sendo o cobre o mais utilizado. Os materiais
condutores são caracterizados por diversas grandezas, entre as quais se destacam:
• condutividade ou resistividade elétrica;
• coeficiente de temperatura;
• condutividade térmica;
• potencial de contato e força termoelétrica;
• comportamento mecânico.

10
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TEORIA ATÔMICA DA MATÉRIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Condutividade Ou Resistividade Elétricas: ()


Termo usado para comparar os níveis de resistência dos materiais.
 = R x A R= xl
l A

.
 = Resistividade elétrica do material ( cm ) R = Resistência elétrica ( )
A = Seção transversal ( cm2
) l = Comprimento do corpo condutor (cm)
 = R x 1 cm2
 = R . cm
1 cm
Coeficiente De Temperatura ()

A resistência elétrica, correlacionando correntes que circulam sob um potencial aplicado, serve
indiretamente de medida da quantidade de energia absorvida por imperfeições cristalinas e outros
fatores. Como a “Zero Grau Absoluto” a estrutura é perfeitamente simétrica, sem que seus átomos
vibrem, a resistência é teoricamente igual a Zero e praticamente possui o menor valor que pode
adquirir.
Aumentando-se lentamente a temperatura, as partículas vibram interferindo nos movimentos
dos elétrons. Uma certa influência causa perdas nos deslocamentos dos elétrons e consequentemente
aquecimento do corpo condutor. Traçando-se a Curva característica (resistência  temperatura), nota-
se que ela não obedece em toda sua extensão a uma relação constante entre ordenadas e abcissas. O
setor reto da característica, cujo declive é da ordem de 5: 1 trecho AB, é de maior interesse prático,
após esse trecho, a curva tende à horizontal.

R R2 − R1
A inclinação da reta AB é dado por Tg  = Onde: Tg  =
T T2 − T1
O coeficiente de temperatura é a relação “Tangente  da reta AB/Resistência”.
Tg R2 − R1 1
= → = 
R1 T2 − T1 R1

 RESISTIVIDADE COEFICIENTE TEMP.


NOME DO METAL . mm2 / m  = 20C
Ferro 0,098 0,0057
Alumínio 0,0262 0,0042
Ouro 0,0240 0,0037
Cobre 0,0169 0,0040
Prata 0,0162 0,0036
Nota: 1. mm2 / m = 104  . cm
__________________________________________________________________________ 11
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1.5 MATERIAL SEMICONDUTOR


São elementos que tem seus átomos contendo exatamente 4 elétrons em sua camada periférica,
ele hesita em fornecer ou aceitar elétrons prontamente. Os elementos que possuem tais átomos não
são bons condutores nem bons isolantes, portanto, são classificados como semicondutor.

1.5.1 Estrutura Atômica De Um Semicondutor:

1.5.2 Níveis De Energia

Os elétrons podem se encontrar


na 1a, 2a ou 3a órbitas, mas não
podem ser encontrados em
órbitas intermediárias. Os raios
entre r1 e r2, r2 e r3 são
proibidos (VER MECÂNICA
QUÂNTICA).
Quanto maior a órbita de
um elétron, mais alto é o seu
nível de energia ou sua energia
potencial com relação ao
núcleo. Podemos observar nos gráficos de “ENERGIA” dos materiais condutores, isolantes e
semicondutores, mostrados a uma temperatura ambiente (300oK), que há níveis de fronteira e estado
de energia máximo nos quais qualquer elétron da estrutura atômica pode-se situar, continuando
proibido a região entre a banda de valência e o nível de ionização. Devemos nos lembrar que a
ionização é o mecanismo pelo qual um elétron pode absorver energia suficiente para quebrar ligação
com a estrutura atômica e se juntar aos portadores “livres” na banda de condução.

Note que a unidade de medida apropriada para energia é o “ELÉTRON-VOLT’ (eV), pois:
W (energia) = P (potência) x t(tempo)
P = VI W =VIt I = Q/t ou Q = It
Logo : W joules = QV

Como a energia também é medida em joules e a carga de um elétron é 1,6 x 10 -19 coulomb:
1 eV = 1,6 x 10-19 Joules
12
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TEORIA ATÔMICA DA MATÉRIA
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1.5.3

Estrutura Cristalina Ou Rede Cristalina:

Os átomos de substância
semicondutora possuem uma
particularidade, que é a de se
combinarem entre si, para
formar uma estrutura crista-
lina. Esta estrutura cristalina é
uma união de vários átomos
semicondutores, cuja forma
no espaço é de um cubo
com um átomo em cada vértice. Cada átomo da estrutura está unido por uma ligação covalente aos
quatro átomos vizinhos, tomados à mesma distância.
Banda De Energia :
Ocorre na estrutura cristalina, porque a órbita de um elétron sofre influência das cargas de vários
átomos adjacentes. Todos os elétrons que se encontram nas 1as órbitas têm níveis de energia
ligeiramente diferentes, porque nenhum vê exatamente a mesma carga nas
proximidades.
Como há bilhões de elétrons nas camadas de energia, os níveis de energia
ligeiramente diferentes formam uma nuvem ou uma banda (1a banda). O
mesmo ocorre na 2a e 3a órbitas, dando origem a 2a e 3a banda.
As bandas de energia saturadas ou preenchidas, são representadas escuras;
isto porque as órbitas disponíveis já estão ocupadas por elétrons. A banda
de valência na estrutura cristalina, está preenchida porque a órbita de
valência de cada átomo possui 8 elétrons.

1.5.4 Condução Nos Cristais


Zero Absoluto
Em um cristal puro, em temperatura de zero absoluto “ Zero Kelvin ( 0 K ) ou -273,15 graus Celsius
( -273,15 0C) ”, os elétrons não podem mover dentro do cristal.
Podemos observar no gráfico banda de energia que as três primeiras faixas estão preenchidas, os
elétrons dessas bandas não podem deslocar-se com facilidade porque não há órbitas vazias.
Nesta temperatura não há quebra de ligações covalentes, mantendo a banda de condução vazia; isto
quer dizer que não pode haver nenhuma corrente no cristal de silício.

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TEORIA ATÔMICA DA MATÉRIA
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Os materiais semicondutores de aplicação


prática na eletrônica, possuem características
de nomenclatura e, além disso, a periodicidade
da estrutura não muda significativamente com
adição de impurezas no processo de dopagem.
Os dois elementos químicos de maior
aplicação na eletrônica são o germânio (Ge) e
o silício (Si), devido às suas características
atômicas. Nos últimos anos, as pesquisas tem-
se intensificado cada vez mais em relação ao
silício diminuindo em relação ao germânio,
embora, haja uma pequena produção de componentes de germânio.

Acima Do Zero Absoluto

Com o aumento de temperatura, a energia térmica quebra algumas ligações covalentes; alguns
elétrons de valência são deslocados para a
banda de condução. Sob a ação de um campo
elétrico, estes elétrons livres movem-se para a
esquerda, em direção ao terminal positivo da
fonte (diferença de elétrons). Cada vez que um
elétron é bombeado para a banda de
condução, cria-se uma lacuna na banda de
valência. Portanto, a banda de valência já não
está mais saturada ou preenchida e a banda de
condução dispõe de alguns elétrons livres,
capaz de estabelecer uma corrente elétrica.
o
À temperatura ambiente (aproximadamente 25 C), um pedaço de silício puro, não é nem bom
isolante, nem bom condutor; a esta temperatura é chamado de semicondutor.
Para uma temperatura ambiente 300oK (TK=TC + 273) um grande número de elétrons adquire energia
suficiente para entrar na banda de condução, isto é, para pular o intervalo de 1,1 eV do silício ou 0,67
eV do germânio. O nível de energia, mais baixo no germânio é devido ao número maior de portadores
em relação ao silício, à temperatura ambiente. O rompimento de uma ligação covalente por efeito
térmico, cria um par elétron-lacuna, que fica no interior do cristal. Este fenômeno é chamado “geração
térmica”. A presença destas partículas faz com que o cristal passe a conduzir eletricidade, chamado
de condutividade intrínseca.

1.5.5 Fluxo De Corrente


Em um semicondutor as lacunas também
produzem uma corrente (banda de valência);
isto é o que faz os semicondutores serem
sensivelmente diferentes de um material
condutor. O semicondutor oferece dois trajetos
para a corrente elétrica, um através da banda de
condução (elétrons) e outro através da banda de
valência (lacunas); enquanto os materiais
condutores (Cu) oferecem apenas um trajeto para a corrente elétrica, que é através dos elétrons da
camada de valência, que resulta na banda de valência ou banda de condução.

14
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1.5.6 Recombinação

É quando um elétron livre encontra e ocupa uma lacuna, restabelecendo uma ligação
covalente. A recombinação acontece constantemente num semicondutor, devido ao desprendimento
de energia térmica. Ocasionalmente, a órbita da banda de condução (elétron) de um átomo pode
interceptar a órbita de lacunas da banda de Valência de outro átomo. Ocorrendo a recombinação, a
lacuna não se desloca mais para lugar algum, ela desaparece, mas o desprendimento de energia
térmica do semicondutor evita o preenchimento de todas as lacunas.

1.5.7 Dopagem

Para se dopar um semicondutor “INTRÍNSECO” (cristal puro), é necessário injetarmos uma


certa quantidade de impureza ou de contaminação, feito a dopagem o semicondutor passa a ser
“EXTRÍNSECO”. O semicondutor extrínseco pode ser classificado como sendo do tipo P ou N.

1.5.7.1 Tipos De Impureza

a) DOADORA : Os seus átomos são pentavalentes ( 5 elétrons na camada de valência).


ELEMENTO SÍMBOLO NO ATÔMICO K L M N O
FÓSFORO P 15 2 8 5 - -
ARSÊNIO As 33 2 8 18 5 -
ANTIMÔNIO Sb 51 2 8 18 18 5

b) ACEITADORA: Os seus átomos são trivalentes ( 3 elétrons na camada de valência).


ELEMENTO SÍMBOLO NO ATÔMICO K L M N O
BORO B 5 2 3 - - -
GÁLIO Ga 31 2 8 18 3 -
ÍNDIO In 49 2 8 18 18 3

1.5.7.2 Semicondutor Tipo N

É um semicondutor puro (Si), dopado com um material pentavalente (Fósforo » impureza doadora).
Ao aplicarmos uma tensão a um semicondutor tipo N, os elétrons livres (portadores majoritários)
fornecidos pelos átomos doadores, vão fluir em direção ao terminal positivo da fonte. Entretanto,
além desses, mais alguns elétrons vão se dirigir também ao terminal positivo; esses elétrons
adicionais são produzidos pela quebra de ligações covalentes; dando origem a pares de elétrons-
lacuna. As lacunas dirigem-se para o terminal negativo.

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1.5.7.3 Semicondutor Tipo P

É um semicondutor puro (Si), dopado com um material trivalente ( Boro » impureza receptora).
Ao aplicarmos uma tensão em um semicondutor tipo P, as lacunas (portadores majoritários),
fornecidas pelos átomos receptores se movem em direção ao terminal negativo da fonte. Além das
lacunas fornecidas pelos átomos receptores, muitas outras podem ser encontradas no semicondutor
tipo P. Essas lacunas são produzidas pela quebra das ligações covalentes, dando origem a pares de
elétron-lacuna; onde as lacunas são atraídas pelo terminal negativo e os elétrons pelo terminal
positivo da fonte.

1.5.7.4 Junção PN

É um cristal , ao qual, por meio de um processo tecnológico, são adicionados, de um lado


impurezas do tipo P, e de outro lado, impurezas tipo N; a este processo denomina-se junção (união
de duas regiões). Um cristal “PN” ‘ é comumente conhecido como DIODO.

1.5.7.5 Junção PNP

É um cristal puro, ao qual, por meio de um processo tecnológico, são adicionadas impurezas
doadoras e receptoras, ficando o cristal dividido em três partes ou regiões, cada uma devidamente
dopada, sendo que, a junção “PNP” é formada por duas regiões P separadas por uma região N e a
junção “NPN” formada por duas regiões N separadas por uma região P. Um cristal com duas junções,
é comumente conhecido como “TRANSISTOR”.

P N P N P N
++++ - + + + + ----- + - - - -
++++ - + + + + ----- + - - - -
++++ - + + + + ----- + - - - -
++++ - + + + + ----- + - - - -
++++ - + + + + ----- + - - - -
++++ - + + + + ----- + - - - -
junção PNP junção NPN

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TEORIA ATÔMICA DA MATÉRIA
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II - DIODO DE JUNÇÃO PN
É um dispositivo semicondutor unidirecional.
Os diodos de junção são aplicados
em conversores, reguladores,
controle automático de freqüência,
controle de temperatura,
acoplamento de sinais, emissores
de luz, fotossensores, chave de
comutação e oscilador em alta
freqüência(micro-ondas),supressor
de transientes, etc.

2.1 CURVA DE UM DIODO DE JUNÇÃO

A) Tensão de joelho
É a tensão para a qual a corrente começa a aumentar rapidamente; esta tensão eqüivale ao potencial
da barreira. Tem como característica:
Região não-linear  < 0,7V
Região linear   0,7V
B) Tensão de ruptura:
É a tensão máxima com polarização inversa, em que o diodo é seguido de um aumento de corrente
(VBR  BREAKOVER Voltage).

C) Diodo ideal
Age como um condutor perfeito ( VD = 0V), quando polarizado diretamente e como um excelente
isolante (IOR = 0A), quando polarizado inversamente

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DIODO DE JUNÇÃO
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D) Diodo real com segunda aproximação:


Com uma polarização direta inicial, não flui nenhuma corrente até que a tensão sobre os terminais
do diodo atinja 0,7V, independente da corrente que circula. Com polarização inversa funciona
como chave aberta.

E) Diodo real com terceira aproximação:


É incluído uma resistência de corpo (rB), em série com uma fonte “V”de 0,7V. Como o valor de
rB é linear, quanto maior a corrente, maior será a tensão nos terminais do diodo.

2.2 POLARIZAÇÃO DE UM DIODO DE JUNÇÃO


A) Junção PN não Polarizada
Em uma junção PN, sem um nível de tensão externa aplicada, não pode haver circulação de
corrente, porém pequenas correntes circulam na junção.
Uma das correntes é constituída pelo movimento de alguns elétrons livres do material “N” para o
material “P” e algumas lacunas da região “P” para a região “N”, que conseguiram absorver energia
suficiente para ultrapassar a barreira de depleção. Uma outra parcela de corrente, resulta da ruptura
de ligações covalentes por “AGITAÇÃO TÉRMICA”. A corrente resultante destas circulações
denomina-se:

“CORRENTE DE FUGA (Io)”  Io = IMAJ + ICB

• Io = Corrente de fuga interna ao semicondutor, passando pela junção.


• IMAJ = Parcela de corrente interna ao semicondutor, gerado pelos portadores majoritários.
• ICB = Parcela de corrente interna ao semicondutor, gerado por agitação térmica na quebra de
ligações covalentes. ( Covalente-Band - aglutinante covalente).

B) Junção PN Com

Polarização Inversa:

Os elétrons do material “N” são atraídos pelo terminal (+) e as lacunas pelo terminal (-). Uma
corrente estabelece, porém, o fornecimento não é contínuo, devido aos poucos elétrons livres e
lacunas no interior do material. Os elétrons que saem da região N, deixam mais ions positivos
próximo à junção; e as lacunas que se afastam da região “P”, deixam mais ions negativos. Com o
aumento de ions negativos e positivos ocorre também um aumento na “Barreira de Potencial”.
Esta barreira torna-se maior até que sua diferença de potencial se iguale à tensão da fonte.
18
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DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Corrente de Fuga Em Estado de Saturação (IoS1): É uma parcela da corrente de fuga reversa,
que circula pelo interior do semicondutor, produzida pelos portadores minoritários que são criados
pela energia térmica. Esta corrente de fuga saturada só pode ser aumentada com o aumento de
temperatura. A corrente IoS1, tem o seu valor aproximadamente dobrado para cada aumento de
10oC na temperatura ambiente.
Exemplo: Um diodo de silício tem uma IoS1 de 10 nA a 25oC, caso sua temperatura de trabalho
atinja 45o, a sua corrente IoS1 atinge  40 nA.

Corrente De Fuga Superficial (IoS2): É uma parcela da corrente de fuga reversa, que circula pela
superfície do semicondutor, produzida pelos portadores de corrente criados por impureza da
superfície, que criam trajetos ôhmicos para circulação desta corrente. A IoS2, tem o seu valor
extremamente pequeno.

Corrente De Fuga Reversa (IoR): É a corrente que circula pelo semicondutor, quando polarizado
reversamente, é a soma das correntes IoS1 e IoS2. Esta intensidade de corrente pode ser alterada,
variando a temperatura do corpo do diodo ou da tensão reversa aplicada sobre seus terminais.
Exemplo: O diodo trivial 1N914, tem uma corrente reversa de 25nA para uma tensão reversa de
20V e uma temperatura ambiente de 25oC.
IoR = IoS1 + IoS2
C) Junção PN Com Polarização Direta:

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DIODO DE JUNÇÃO
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Os elétrons livres na região “N”, são repelidos pelo terminal negativo (-) e são forçados
para a junção, onde eles irão neutralizar os átomos doadores (íons positivos) na camada de
depleção. À medida que os elétrons encontram as lacunas, eles se tornam elétrons de valência e
através das lacunas caminham para a extremidade da região “P”. Atingindo a extremidade, os
elétrons de valência abandonam o cristal e escoam para o terminal positivo.
No gráfico das bandas de energia, podemos observar que os elétrons livres ao atravessar a junção
e entrar na região “P” da banda de valência, descem de um nível mais alto de energia para um
outro mais baixo. À medida que descem irradiam energia na forma de calor e luz. Os diodos
comuns são feitos de silício ou germânio e revestidos de um material opaco que bloqueia a
passagem da luz; toda energia irradiada é dissipada em forma de calor.
Para que um diodo conduza a corrente elétrica, é necessário que haja uma “QUEBRA NA
BARREIRA DE POTENCIAL”. (Elétrons da banda de condução da região N, atingem as lacunas
da banda de valência da região P).
Si  0,6V a 0,7V Ge  0,3V a 0,4V

2.3 ANÁLISE DO DIODO DE JUNÇÃO EM CIRCUITOS ELÉTRICOS


A) ANÁLISE EM CIRCUITO DE C.C.

Aplicando KIRCHHOFF na malha dada:


V= VD+VRL
Substituição VRL = IDRL, temos:
V = VD + IDRL e VD = V - IDRL

A equação apresenta duas variáveis dependentes (VD e ID) e dois valores constantes (V e RL).
Como são necessárias, no mínimo, duas equações para determinar duas variáveis dependentes
desconhecidas; a segunda equação é fornecida pela característica do elemento diodo, isto é:
ID = f(VD) Rescrevendo a equação: VD = V - IDRL
ID = _ 1 VD + V.
RL RL
   
y = m x + b equação de uma reta

Podemos observar na equação e no gráfico da linha de carga, que a inclinação da reta de carga é
negativa, (o valor de ID diminui com o aumento de VD).

20
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DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

1) Cálculo do ponto superior da reta de carga, adota-se VD = 0, logo:

−1 V 20V
ID =  VD + = 0+ = 10mA
RL RL 2K

2) Cálculo do ponto inferior da reta de carga, adota-se ID = 0, logo:


−1 V V 1
0=  VD +  =  VD
RL RL RL RL
V
VD =  RL  VD = V = 20V
RL

3) Cálculo do ponto quiescente de trabalho (Q):

−1 V −1
IQ =  VD +  IQ =  1V + 10mA = 9,5mA
RL RL 2K
Quando não se dispõe da curva do diodo, adota-se para cálculo aproximado da corrente direta
de trabalho:

IDQ = V - 0,7 0,7 V para diodos de silício


RL 0,3 V para diodos de germânio

RESISTÊNCIA ESTÁTICA

É a resistência ôhmica apresentada pelo corpo do diodo no ponto quiescente quando o mesmo opera
em C.C.; também conhecido como resistência DC.

RDC = VD RDC = 1V = 105,3


-3
ID 9,5 X 10 A

Para a região de polarização inversa de um diodo semicondutor com VD = -20V, apresenta uma
corrente inversa (IOR) de 1A, logo:

RDC = 20 = 20 M >> 105,3


1A

Uma vez determinada a resistência estática, o diodo pode ser substituído por um resistor com este
valor. Qualquer mudança na tensão aplicada ou na resistência de carga, entretanto, resultará em
um ponto quiescente diferente e, portanto, uma resistência DC diferente.

B) ANÁLISE EM CIRCUITO DE CA

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DIODO DE JUNÇÃO
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Considerando que o circuito, tem como fonte de entrada, um sinal senoidal com um nível CC.
Como o nível C.C. é muito maior do que o sinal senoidal em qualquer instante, o diodo estará
sempre diretamente polarizado e existirá continuamente uma corrente no circuito.
Conforme gráfico da reta de carga, é mostrado a resultante da entrada C.C. de 20V e também o
efeito do sinal C.A.. Note que foram traçadas duas linhas de cargas adicionais nos picos positivo
e negativo do sinal de entrada. No instante em que o sinal senoidal está no valor de pico positivo
a entrada poderia ser substituída por uma bateria C.C. de 22V e a linha de carga resultante traçada
conforme mostrado no gráfico.
Para o pico negativo, VCC = 18V.

RESISTÊNCIA DINÂMICA:

É a resistência ôhmica resultante, apresentada pelo corpo do diodo quando circula por ele uma
componente alternada.
Para cálculo da resistência dinâmica ou resistência
CA de um diodo, é necessário conhecer a variação de
tensão e corrente no diodo.
Usando o gráfico de linha de carga, determinamos
ID e VD, traçando uma linha reta tangente à
curva no ponto quiescente. A linha tangente deve
”aproximar o mais possível” as características na
região de interesse, conforme mostrado.

rd  Vd rd  0,01V = 5
Id linha tangente 2 x 10-3A

Nem sempre nos dispomos da curva do diodo, para que possamos determinar sua resistência
dinâmica. Um outro processo é utilizando o Cálculo Diferencial que estabelece que “a derivada de
uma função é igual à inclinação da linha tangente traçada naquele ponto”.
22
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DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Através da física do estado sólido pode-se demonstrar que a corrente do diodo está
matematicamente relacionada à temperatura absoluta (T) e à polarização aplicada (V) da seguinte
maneira:
Is = corrente de saturação inversa
T  TC + 273 T  temperatura absoluta da junção( Kelvin) e TC  graus celsius
q = 11.600 q  carga do elétron (1,6 x 10-19C) k constante de Boltzmann (1,38 x 10-23)
k    constante empírica, 1 para Ge e 2 para Si

Note que ID depende exponencialmente de V, o que resulta em um aumento bastante rápido


quando “V” cresce. As características de um diodo de silício (Si) de uso comercial são levemente
diferentes das características mostrada no gráfico abaixo. Isto se deve à resistência da massa, ou
volume, do material semicondutor e à resistência de contato entre o material semicondutor e o
condutor metálico externo. Elas provocarão um pequeno desvio da curva na região de polarização
direta, conforme indica a linha tracejada do gráfico.

q (Si) = 11.600 = 5.800 T = TC + 273 = 25 + 273 = 298º K


k 2
q V 0,5V
 = 5800C  = 9,732  Para V = VD = 0,5V e TC = 250 C
k T 298 0 K

I = Is (e9,732 - 1) = ( 1 x 10-6) (16848 - 1 ) = (16,85 x 10-3A)


Is = 1,0A (corrente inversa no diodo de silício à 100C)
Is = 0,1mA (corrente inversa no diodo de germânio à 100C)
tomando a derivada da equação de Shockley:
q
 kT 
qV
dI  ( I + Is)
I = Is e − 1 = k
  dV T
Sendo I  16,85mA >> que Is = 1,0 A, adota-se n = 1 para Ge e Si, na região mais vertical da curva
característica . Portanto, com a temperatura ambiente: T = 298º Kelvin

q = 11.600 = 11.600 = 11.600 dI = 11.600 x I  38,93 x I


k  1 dV 298
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DIODO DE JUNÇÃO
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Efetuando o arredondamento e fazendo I = ID, temos:


dV = 1  0,0257 r'd = 0,0257  r'd = 26mV
dI 38,93 x I I ID IDmA
A equação acima implica que a resistência dinâmica pode ser determinada simplesmente
substituindo o valor quiescente da corrente do diodo na equação. Não há necessidade de se ter as
características ou se preocupar em traçar linhas tangentes, conforme foi definido.
Já foi observado no gráfico de características do diodo semicondutor, que as características de uma
unidade comercial são levemente diferentes daquelas determinadas pelas equações, por causa da
massa e da resistência de contato do dispositivo semicondutor. Este nível de resistência adicional
deve ser incluído na equação, acrescentando-se um fator denominado “rB”. O fator rB (medido
em ohms) para diodos de uso geral pode variar tipicamente de 0,1 para dispositivos de alta potência
até 2 para alguns dispositivos de baixa potência. Adota-se para cálculos:
ID  1000mA  rB = 2 ID > 1000mA  rB = 0,1
r'd = 26mV + rB
ID(mA)
Para o exemplo dado anteriormente, onde o valor determinado graficamente é rd = 5, se
escolhermos rB = 2, então:
rd → resistência dinâmica calculada pela tangente à curva do
r'd = 26mV + 2 = 4,65 diodo.
9,8mA r'd → resistência dinâmica calculada pela fórmula da derivada
da equação de SHOCLEY.
Com a evolução das técnicas de construção, este fator adicional tem assumido importância cada
vez menor, podendo ser eliminado. A equação padronizada pela maioria dos livros técnicos, para
cálculo da resistência dinâmica, e que será utilizado em nossos estudos é:
25mV
r'd =
ID

2.4 CIRCUITOS COM DIODOS DE JUNÇÃO


2.4.1 Multiplicadores De Tensão
Diodos e capacitores podem ser associados às linhas de alimentação de modo a aumentar a
tensão de saída C.C. para um valor maior que aquele obtido por retificação. A montagem dos
multiplicadores é feita por dois ou mais retificadores de pico que produzem uma tensão contínua igual
a um múltiplo de tensão de pico de entrada (2VP, 3VP, 4VP, etc...)
Os multiplicadores de tensão são aplicados nos dispositivos de ALTA TENSÃO e BAIXA
CORRENTE, como exemplo citamos os tubos de raios catódicos (TV, Osciloscópios e telas de
computadores.

A) Dobrador de tensão em Meia-Onda

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DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

No semiciclo negativo (-), o diodo D1 está polarizado diretamente e D2 reversamente, esta


condição carrega C1 até a tensão pico (VP). No semiciclo positivo (+), diodo D1 fica polarizado
reversamente e D2 diretamente, nesta condição, o diodo D2 transfere a carga C1 (VP) acrescido de
VP da fonte, para os terminais do capacitor C2. A freqüência de oscilação do sinal armazenados
no capacitor C2 tem o mesmo valor da freqüência do sinal de entrada (Fo = Fent).
Cada diodo ficará submetido a uma tensão inversa de pico (PIV) de 2VP.

B) Dobrador de tensão em Onda Completa

No semiciclo positivo D1 conduz carregando o capacitor C1 com VP e D2 permanece em corte.


No semiciclo negativo D2 conduz carregando o
capacitor C2 com VP e D1 permanece em corte.
Nesta condição tem-se, nas extremidades dos
capacitores seriais, o potencial de 2VP, com uma
freqüência de oscilação (Fo) de 2Fent.
Cada diodo ficará submetido a uma tensão
inversa de pico (PIV) de 2VP.

C) Triplicador de tensão

É um dobrador de tensão acrescido de mais um retificador de pico.


No primeiro semiciclo negativo, D1 entra em estado de condução carregando C1 com VP. No
segundo semiciclo, positivo, o diodo D1 entra em estado de corte e D2 em estado de condução,
transferindo a carga de C1(VP) acrescido de VP da fonte, para os terminais do capacitor C2.
Estando C2 carregado com 2VP, no segundo semiciclo negativo os diodos D1 e D3 entra em estado
de condução transferindo a carga C2 para o capacitor C3. Nesta condição temos nas extremidades
dos capacitores seriais (C1 em série com C3) um potencial de 3VP com uma freqüência de
oscilação (Fo) de Fent. Cada diodo ficará submetido a uma tensão inversa de pico (PIV) de 2VP.
Podemos observar na configuração do triplicador de tensão que para cada acréscimo de um
retificador de pico, aumentamos um VP na tensão de saída.

2.4.2 Limitadores (CLIPPERS) Ou Ceifadores

Os circuitos limitadores, tem como função retirar parte do sinal aplicado à entrada, acima ou abaixo
de um dado nível, como exemplo podemos citar o “Amplificador Limitador”, que tem como
característica limitar o valor instantâneo de sua saída dentro de um máximo pré-determinado. Podem,
também, serem utilizados para alterar a forma do sinal de entrada ou proteger os circuitos que recebem
um dado sinal.
São classificados em limitadores positivos, negativos ou positivos e negativos.

__________________________________________________________________________ 25
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

A) Limitador positivo
No limitador positivo,
o diodo D1 ceifa o
semiciclo positivo e
deixa para os terminais
da carga apenas os
semiciclos negativos.
O corte do semiciclo
positivo não é feito
exatamente em “zero
volts”, devido a
barreira de potencial
do diodo de junção, para o exemplo  0,7V. Para manter o limitador como uma fonte de tensão
estabilizada, adota-se o resistor série RS, cem vezes menor que a carga (RL) conectada.
RS = RL
100
B) Limitador negativo:

No limitador negativo,
o diodo D1 ceifa o
semiciclo negativo e
deixa para os terminais
da carga apenas os
semiciclos positivos.

RS = RL
100

C) Limitador negativo polarizado:

Para o limitador polarizado, podemos deslocar o ponto de corte para (V + 0,7V), como o limitador
corta no semiciclo negativo, a tensão de corte é dado por -(V + 0,7V). Quando a tensão sobre os
terminais da carga atingir -(V + 0,7V), o diodo conduzirá e a saída será mantida em -(V + 0,7V).
Para tensões inferiores a -(V + 0,7V), o diodo deixará de conduzir e o circuito se transforma em
um divisor de tensão.

D) Limitador positivo e negativo polarizado


A associação de limitadores nos permite criar formas de ondas na saída, que se assemelhará a uma
onda quadrada, podendo ser simétrica ou assimétrica.
26
__________________________________________________________________________
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

O princípio de funcionamento é o mesmo definido nos subítens B e C.


As fontes V1 e V2 podem ser substituídas, acrescentando mais diodos de silício, sendo que cada
diodo acrescentado produzirá uma compensação de 0,7V.

2.4.3 Grampeador C.C. (CLAMPERS)

O grampeador C.C., também conhecido como “estabilizador de linha de fase” ou “restaurador C.C.”,
tem como função somar uma tensão C.C. ao sinal de entrada.
Este tipo de circuito é utilizado em TV para somar uma tensão contínua ao sinal de video (restaurador
de vídeo).
Como exemplo, citamos um sinal senoidal variando de +5V a -5V, para o grampeador positivo sua
saída idealmente oscila de 0 a +10V e para o grampeador negativo sua saída idealmente oscila de 0 a
-10V.

A) Grampeador positivo:
No primeiro semiciclo negativo, o diodo D1 entra em estado de condução e carrega o capacitor C1
com a tensão de pico da entrada (VP).
No semiciclo positivo o diodo D1 é polarizado reversamente (corte) e a tensão que aparece sobre
os terminais da carga será a soma da tensão de pico armazenada em C1 com a tensão de pico
positivo da fonte geradora de C.A.
Na primeira aproximação, considerando a resistência dinâmica do diodo de junção (RFD = 0),
temos na carga: VRL = 2VP

Numa segunda aproximação, considerando a resistência dinâmica que aparecerá sobre os


terminais do diodo (RFD  0), a queda de tensão de  0,7V (silício) sobre o mesmo, temos
nos terminais da carga:
VRL = 2VP - 0,7V
__________________________________________________________________________ 27
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

B) Grampeador negativo

O grampeador negativo tem o mesmo princípio de funcionamento do grampeador positivo, o que


o diferencia é a polaridade da tensão sobre os terminais da carga:
VRL = - (2VP - 0,7V)
2.4.4 Detetor De Pico

Formado por grampeadores C.C., ligados em cascata.


A senoide de entrada é grampeada positivamente, portanto, na saída do detetor tem um valor de
pico de 2VP. Como regra de projetos, para que o detetor obtenha um bom desempenho, a constante
de tempo RLC deve ser muito maior que o período do sinal de entrada:
RLC >> 1
Fent
Sua maior aplicação é nos voltímetros de corrente
contínua, quando se deseja medir tensões senoidais
assimétricas.
No exemplo ao lado, se utilizarmos um voltímetro C.A.
teremos uma leitura incoerente, uma vez que, os
instrumentos de medição C.A. medem valores eficazes
(RMS) de ondas senoidais simétricas.
Utilizando um voltímetro C.C., acrescentado de um
detetor de pico, teremos uma leitura do valor real do
sinal medido de pico a pico.
28
__________________________________________________________________________
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

2.5 DIODOS EMISSORES DE LUZ


Quando um diodo é percorrido por uma corrente no sentido direto, a recombinação dos portadores de
carga na junção é acompanhada de um fenômeno: parte da energia envolvida no processo é emitida
na forma de ondas eletromagnéticas.
Estas ondas eletromagnéticas tem freqüência e comprimento que dependem do material empregado
na construção do dispositivo.

Para os

diodos comuns de silício, a emissão ocorre em pequena


escala na região dos raios infravermelhos. Os diodos emissores de luz têm a capacidade de emitir luz
no espectro visível; isto ocorre quando o mesmo é polarizado diretamente, fazendo com que seus
elétrons livres atravessem a junção e combinem com as lacunas. Os primeiros diodos emissores de
luz foram feitos utilizando “Fosfeto-Arseneto de Gálio” e emitiam luz vermelha, recebendo o nome
de “Light Emitting Diodo”- diodo emissor de luz - que abreviando, em inglês, resultou na sigla
“LED”. O diodo LED é fabricado para emissão de luz com comprimento de onda que varia de 5500
Å(Angstrons) a 9100 Å.
O comprimento da onda da luz emitida depende dos elementos semicondutores aplicados, sendo que
a cor da luz irradiada pelo Led depende do comprimento da onda, que depende da quantidade de
fósforo (GaAsP).
3000
ULTRAVIOLETA

4000 VIOLETA

AZUL
5000 VE RDE A faixa de freqüência da
luz
AMARELO visível aos olhos humanos
6000 LARANJA é:
 4000 Å a 7000 Å.
VERMELHO
7000 Å  Angstrons (unidade
de comprimento de onda)
1 Å = 0,1 nm
8000 INFRAVERMELHO
 Lambda (símbolo
indica-tivo de
9000

 (Å)

__________________________________________________________________________ 29
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

A tensão de alimentação dos diodos emissores, está relacionado com a queda de tensão em seus
terminais, quando circula uma corrente através de sua junção. A queda de tensão dos diodos emissores
é a tensão capaz de vencer a barreira de potencial existente na junção quando polarizado diretamente.
Os diodos Led’s tem uma queda de tensão típica que varia de 1,4V a 3,0V, e esta variação depende
da cor e da corrente que circula por ele (ver tabela).

MATERIAL COR MAX VD (V) ID (mA)


GaP Verde 5600 Å 3,0 20
GaAsP Amarelo 5900 Å 3,0 20
GaAsP Laranja 6100 Å 2,0 20
GaAsP Vermelho 6600 Å 1,6 20
GaAs Infravermelho 9100 Å 1,4 20

Os diodos emissores suportam correntes diretas de no máximo 100mA e uma mínima corrente direta
com uma emissão de luz estável de 10mA.
Sua tensão direta (VD) de trabalho, é especificada em função de uma corrente direta (ID) de trabalho.
GaP  Fosfato de Gálio
GaAs  Arseneto de Gálio
GaAsP  Fosfeto de Arseneto de Gálio

APLICAÇÕES:
Os diodos emissores de luz substituem as lâmpadas incandescentes em várias aplicações, devido à
baixa tensão de alimentação, longa vida, baixo consumo e rápido chaveamento.
• Vida útil da lâmpada incandescente  500 horas
30
__________________________________________________________________________
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

• Vida útil da lâmpada néon  1000 horas


• Vida útil do diodo emissor de luz   , sua vida útil é reduzida quando se trabalha com uma
corrente superior à corrente nominal (20mA).
Tem um tempo de resposta 106 vezes mais rápido que a lâmpada incandescente.
Sua maior aplicação é como lâmpadas indicadoras, displays alfanuméricos e componentes
optoacopladores.
Cálculo De Circuitos Com LED

1) Resistor limitador (RS):

VF - Tensão da fonte em volts


VD - Queda de tensão no diodo (depende da cor do Led a
ser aplicado).
IF - Corrente direta que se deseja circular pelo Led ( o valor
da corrente deve estar entre a mínima de 10mA e a máxima
de 100mA).Idealmente que a corrente direta assuma o valor
da corrente nominal  20mA.

Para o exemplo, utilizando os valores típicos da corrente de VD, calcular o resistor “RS” para um
Led vermelho.

RS = 12V - 1,6V = 520 VPM = 510


20mA

Usando o mesmo exemplo, calcular o resistor limitador para que a corrente do diodo seja de 40mA.
R = 12V - 1,6V = 260
40mA VPM = 270

Para os dois casos, os resistores calculados são


indisponíveis comercialmente; por isso, adotam-se os
resistores padronizados mais próximos do calculado
(510 e 270).
VPM - Valor Padrão de Mercado
Para o caso de ligarmos Led’s em série, conforme figura,
podemos usar a seguinte fórmula:

RS = 12V - (3,0V + 2,0V + 1,4V) RS = 280  VPM = 270


20mA

2) Potência de dissipação (PD)

Sabemos que a potência dissipada pelo componente, não é totalmente convertida em luz, já que o
rendimento do dispositivo não é 100%, entretanto, para efeito de cálculo adota-se:

PD = VD x IF
Para o exemplo anterior, substituindo o resistor

__________________________________________________________________________ 31
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

calculado pelo resistor padrão.


IF = 12V - 1,6V = 20,4mA
510
PD = 1,6V x 20,4mA = 32,64mW

2.6 DIODO ZENER


É um diodo que trabalha melhor na região de ruptura e é um dos
componentes de maior importância dos reguladores de tensão;
circuitos que mantém a tensão na carga praticamente constante, apesar
das grandes variações na tensão de linha e de carga.
Podem funcionar em três regiões:

A) Região direta

Na região direta ele começa a conduzir  0,7V,


como um diodo de silício comum e estabelece uma
corrente direta (IF) pelo diodo.

B) Região de fuga

Polarizado inversamente, entre zero e a


ruptura, ele apresenta apenas uma pequena corrente de
fuga (IOR - corrente de fuga reversa).

C) Região de ruptura

Polarizado inversamente, ao atingir a tensão


de ruptura (VZ), é seguido de um aumento de
corrente praticamente na vertical com o
eixo x; (ver reta de carga).

D) Reta de carga

VZ  tensão zener é o ponto que


o diodo sai da região de fuga e entra
na região de ruptura.
A tensão zener é especificada em
função de uma corrente de teste
(IZt) e uma corrente máxima
permitida (IZMAX).

32
__________________________________________________________________________
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Para levantamento da reta de carga, definir os valores mínimos e máximos de tensão de fonte e a
tensão zener na reta horizontal do gráfico. Adota-se VE < VZ, a corrente zener igual a zero e
calcula-se a interseção vertical, considerando VZ = 0.

Para VE = 20V:
IZ = VE - VZ IZ = 20V - 0 = 20mA
RS 1K
Para VE = 30V:
IZ = VE - VZ IZ = 30V - 0 = 30mA
RS 1K

Obtemos a linha de carga superior com um ponto de interseção dada por Q1. A tensão através do
diodo zener será ligeiramente maior que a tensão do joelho na ruptura, porque a curva I(V)
inclina-se suavemente.

Ponto quiescente Q1:


IZQ = VEQ -VZQ IZQ = 20V- 12V = 8mA
RS 1K
Ponto quiescente Q2:
IZQ = VEQ - VZQ IZQ = 30V –12V = 18mA
RS IK

Comparando os pontos quiescente Q1 e Q2, veremos que há mais corrente através do diodo zener
no ponto Q2, mas aproximadamente a mesma tensão zener.

E) Potência máxima zener (PZMAX ):


É a máxima potência de dissipação, especificado pelo fabricante.
PZMÁX = VZ x IZMÁX
PZMÁX = Potência especificada (máxima)
VZ = Tensão zener
IZMÁX = Máxima corrente zener especificada

F) Corrente mínima do zener (IZMIN):


É a mínima corrente que deve circular pela junção do diodo para que o mesmo opere como
regulador de tensão. Como regra de projetos, este valor deverá estar entre 5% a 10% da corrente
máxima permitida pelo zener.
__________________________________________________________________________ 33
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

G) Resistência zener (Rzt):


É a resistência ou impedância zener de especificação, para uma corrente de teste (IZT) e uma tensão
zener de teste (VZT) .
Como exemplo, especificaremos o diodo zener 1N3020
VZT = 10V IZT = 25mA RZT = 7
Neste exemplo, o diodo zener tem uma tensão de 10V e uma resistência de 7 quando a corrente
zener for 25mA.

2.6.1 Diodo Zener Como Regulador De Tensão


É chamado de regulador de tensão porque mantém uma tensão de saída constante, mesmo que a
corrente que passe por ele varie.
Para operar como regulador zener o mesmo deve operar com polarização inversa e a tensão da fonte
deve ser maior do que a tensão zener de ruptura (VZ). Para limitar a corrente zener abaixo de sua
especificação, instala-se um resistor em série (RS) com o diodo zener.
VE  Tensão de saída da fonte a ser regulada.
VRS  Queda de tensão no resistor série.
VZ  Tensão zener ou tensão de saída regulada.

VRS = VE -VZ

Regra de cálculo para o regulador zener:

A) Tensão Thevenin (VTH)


É a tensão que aparece sobre os
terminais do diodo zener, imaginando que o diodo
zener está aberto, neste instante tem-se um divisor de
tensão, formado por RS e RL.
VTH = RL x VE
RL + RS
A relação que satisfaz o funcionamento do diodo zener na região de ruptura é:
VTH > VZ

B) Corrente quiescente no resistor série ( IRSQ)


IRSQ = VE - VZ ou IRSQ = IRL + IZ
RS
C) Corrente quiescente na carga RL (IRLQ)
IRLQ = VZ VRL = VZ
RL
D) Corrente quiescente no diodo zener (IZQ)
IZQ = IRSQ - IRLQ

E) Cálculo do resistor série RS


Para o dimensionamento do resistor “RS’, necessitamos conhecer as características da fonte de
alimentação a ser regulada e das condições operativas que o regulador deverá atuar.
Exemplificaremos quatro formas de operação:
1) Fonte fixa e carga fixa (FFCF);
2) Fonte fixa e carga variável (FFCV);
3) Fonte variável e carga fixa (FVCF);
4) Fonte variável e carga variável (FVCV).
34
__________________________________________________________________________
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

2.6.2 Regulador De Tensão Zener Com Fonte Fixa e Carga Fixa (FFCF)

IZMAX = PZ = 0,5W = 41,66mA


VZ 12V

IZMIN = IZMAX x 0,1 = 4,166mA

IRL = VZ = 12V = 24mA


RL 500

A) Dimensionamento do resistor RS :

• Menor valor ôhmico que o resistor RS pode assumir (RSMIN)


RSMIN = VE - VZ = 16V - 12V = 65
IRL + (IZMAX x 0,9) 24mA + (41,66mA x 0,9)

• Maior valor ôhmico que o resistor RS pode assumir (RSMAX)


RSMAX = VE - VZ = 16V - 12V = 142
IRL + IZMIN 24mA + 4,166mA

• Valor ôhmico ideal que o resistor RS pode assumir (RSIDE)


RSIDE = VE - VZ = 16V - 12V = 89,22
IRL + IZMAX 24mA + 20,83mA
2
VPM = 91

B) Cálculo dos parâmetros elétricos quiescente por componente:

• Resistor série RS
IRSQ = VE - VZ = 16V - 12V = 43,96mA
RS 91
PRSQ = RS x (IRSQ) = 91 x (43,96mA)2 = 175,85mW
2

• Carga RL
IRLQ = VZ = 12V = 24mA
RL 500
PRLQ = RL x (IRLQ)2 = 500 x (24mA)2 = 288mW

• Diodo zener
IZQ = IRSQ - IRLQ = 43,96mA - 24mA = 19,96mA
PZQ = VZ x IZQ = 12V x 19,96mA = 239mW

Podemos observar no projeto que suas características atendem plenamente a carga e não
sobrecarrega o diodo zener, pois sua potência máxima é de 500mW e no circuito opera próximo a
50% da mesma.
Cálculo da tensão thevenin: VTH = RL x VE = 500  x 16V = l3,54V
RL + RS 500 + 91
VTH > VZ, satisfaz a regra de cálculo para o regulador de tensão zener.

__________________________________________________________________________ 35
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

2.6.3 Regulador De Tensão Zener Com Fonte Fixa e Carga Variável (FFCV)

IZMAX = PZ = 0,5W = 41,66mA


VZ 12V

IZMIN = IZMAX x 0,1 = 4,166ma

IRL = VZ = 12V = 24mA


RL 500

A) Dimensionamento do Resistor RS

• Menor valor ôhmico que o resistor RS pode assumir (RSMIN):


RSMIN = VE - VZ = 16V - 12V = 106,68
IZMAX x 0,9 41,66mA x 0,9

• Maior valor ôhmico que o resistor RS pode assumir (RSMAX):


RSMAX = VE - VZ = 16V - 12V = 142
IRL + IZMIN 24mA + 4,166mA

• Valor ôhmico ideal para o resistor RS (RSIDE):


RSIDE = VE - VZ = 16V - 12V = 121
IZMAX + IRL 32,83mA
2
VPM = 120

B) Cálculo dos parâmetros elétricos quiescentes por componente:

• Resistor série RS
IRSQ = VE - VZ = 16V - 12V = 33,33mA
RS 120
PRSQ = RS x (IRSQ) = 120 x (33,33mA)2 = 133mW
2

• Carga RL:
IRLQ = VZ = 12V = 24mA
RL 500
PRLQ = RL x (IRLQ)2 = 500 x (24mA)2 = 288mW

• Diodo zener
Com a carga RL conectada:
IZQ = IRSQ - IRL = 33,33mA - 24mA = 9,33mA
PZQ = VZ x IZQ = 12V x 9,33mA = 111mW

Com a carga RL desconectada:


IZQ = IRSQ = 33,33mA
PZQ = VZ x IZQ = 12V x 33,33mA = 399mW
36
__________________________________________________________________________
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Podemos observar no projeto que suas características atendem plenamente a carga e não
sobrecarrega o diodo zener independente da carga RL estar ou não conectada.
Cálculo da tensão thevenin (VTH):
VTH = RL x VE = 500 x 16V = 12,9V
RL + RS 500 + 120
VTH > VZ, satisfaz a regra de cálculo para o regulador de tensão zener

2.6.4 Regulador De Tensão Zener Com Fonte Variável e Carga Fixa (FVCF)

IZMAX = PZ = 0,5W = 41,66mA


VZ 12V

IZMIN = IZMAX x 0,1 = 4,166mA

IRL = VZ = 12V = 24mA


RL 500

A) Dimensionamento do resistor RS

• Menor valor ôhmico que o resistor RS pode assumir (RSMIN)


RSMIN = VEMAX - VZ = 20V - 12V = 130
IRL + (IZMAX x 0,9) 24mA + (41,66mA x 0,9)

• Maior valor ôhmico que o resistor Rs pode assumir (RSMAX):


RSMAX = VEMIN - VZ = 20V - 12V = 142
IRL + IZMIN 24mA + 4,166mA

• Valor ôhmico ideal para o resistor RS (RSIDE):


( VEMAX - VEMIN ) ( 20V -161V)
+ VEMIN − VZ + 16V − 12 V
RSIDE = 2 = 2 = 133,8
IZMAX 41,66mA
IRL + 24mA +
2 2 VPM = 130
Podemos observar nos cálculos que a faixa entre os resistores máximo e mínimo é muito estreita
e em alguns projetos onde a fonte de entrada assume uma grande faixa de variação, os valores
calculados dos resistores máximo e mínimo tornam-se incoerentes (RSMÁX<RSMIN); desta forma,
temos duas opções para prosseguir com o cálculo do projeto:
1) aumentar a potência do zener utilizado e recalcular os resistores, fazendo RSMÁX > RSMIN.
2) manter a potência inicial do zener e fazer RSIDE = RSMIN.

B) Cálculo dos parâmetros elétricos quiescentes por componente:

1) Com a tensão máxima de entrada (VEQ=20V)


• Resistor série RS
IRSQ = VEQ - VZ = 20V - 12V = 61,54mA
RS 130
PRSQ = RS x (IRSQ)2 = 130 x (61,54mA)2 = 492mW
__________________________________________________________________________ 37
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

• Carga RL
IRLQ = VZ = 12V = 24 mA
RL 500
PRLQ = RL x (IRLQ)2 = 500 x (24mA)2 = 288mW
• Diodo zener
IZQ = IRSQ - IRLQ = 61,54mA - 24mA = 37,54mA
PZQ = VZ x IZQ = 12V x 37,54mA = 450mW

2) Com a tensão mínima de entrada (VEQ=16V)


•Resistor série RS
IRSQ = 16V - 12V = 30,77mA PRSQ = 130 x (30,77mA)2 = 123mW
130
• Carga RL
Mantém os mesmos valores calculados em “B”.
• Diodo zener
IZQ = 30,77mA - 24mA = 6,77mA PZQ = 12V x 6,77mA = 81mW

Podemos observar nos cálculos dos parâmetros elétricos que, utilizando VEMAX e VEMIN, ambos
atendem plenamente à carga e às características do diodo zener.

Cálculo da tensão thevenin : VTH = RL x VEQ


RL + RS
VTH1 = 500 x 20V =15,87V VTH2 = 500 x16V = 12,69V
500 + 130 500 + 130

VTH > VZ satisfaz a regra de cálculo para o regulador de tensão zener. Para o regulador FVCF,
quando RSMAX < RSMIN e optarmos pela opção RSIDE = RSMIN, torna-se necessário o cálculo da
tensão crítica de entrada (VC), que eqüivale à menor tensão de entrada no regulador sem que o
mesmo perca suas características de regulação.
VC = (IRLQ + IZMIN) x RS + VZ = (24mA + 4,166mA) x 130 + 12V = 15,66V

Para que o regulador opere em toda faixa de variação da tensão de entrada, temos que fazer:
VEMIN  VC

2.6.5 Regulador De Tensão Zener Com Fonte Variável e Carga Variável (FVCV)

IZMAX = PZ = 0,5W = 41,66mA


VZ 12V

IZMIN = IZMAX x 0,1 = 4,166mA

IRL = VZ = 12V = 24mA


RL 500

A) Dimensionamento do resistor RS
• Menor valor ôhmico que o resistor RS pode assumir :
RSMIN = VEMAX - VZ = 20V - 12V = 213
IZMAX x 0,9 41,66mA x 0,9
38
__________________________________________________________________________
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

• Maior valor ôhmico que o resistor RS pode assumir :


RSMAX = VEMIN - VZ = 16V - 12V = 142
IRL + IZMIN 24mA + 4,166mA
• Valor ôhmico ideal para o resistor RS:
Para os reguladores FVCV, a potência exigida pelo diodo zener, normalmente, é maior que a
potência dos zeners utilizados nos outros tipos de reguladores. Sendo assim, os cálculos do menor
e maior valor ôhmico do resistor RS podem mostrar valores incoerentes.
RSMAX < RSMIN
Para os cálculos em que RSMAX < RSMIN, adota-se as opções:

1) Aumentar a potência zener utilizada e recalcular os resistores, para fazer RS MAX > RSMIN.
Para o exemplo, substituindo o diodo zener de 0,5W para um de 1W, o resistor RSMAX torna-se
maior que RSMIN. Calcular o resistor ideal como: .
(VEMAX - VEMIN) + VEMIN - VZ
RSIDE = 2 = 6V = 111,8
IRL + IZMAX 53,66mA
2
VPM = 110

2) Manter a potência zener inicial de projeto e fazer:


RSIDE  RSMIN = 213

VPM = 200

B) Cálculo dos parâmetros elétricos quiescentes por componentes:


Para o cálculo dos parâmetros elétricos, consultar a tabela abaixo, utilizando as mesmas
fórmulas aplicadas no subitem 2.6.4.

PZ = 1,0 W PZ = 0,5W
PARÂMETROS OPÇÃO 1  RSIDE = 110 OPÇÃO 2  RSIDE = 200

VEMAX = 20V VEMIN = 16V VEMAX = 20V VEMIN = 16V

IRSQ 72,73mA 36,36mA 40mA 22,8mA

PRSQ 582mW 145mW 320mW 104mW

IRLQ 24mA 24mA 24mA 22,8mA

PRLQ 288mW 288mW 288mW 259mW

IZQ 48,73mA 12,36mA 16mA -X-

PZQ 585mW 148mW 192mW -X-

VEC 15,56V 17,53V

__________________________________________________________________________ 39
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Na opção - 1, com um aumento da potência zener de 0,5W para 1W, o regulador permite operar
em toda faixa de variações da tensão não regulada.
Para a menor tensão de entrada a carga recebe a corrente necessária para o seu funcionamento e o
diodo zener uma corrente de trabalho > IZMIN, garantindo o seu funcionamento.
Para a maior tensão de entrada a carga continua com sua tensão e corrente estáveis e o diodo zener
recebendo uma corrente de trabalho < (IZMAX x 0.9), garantindo um funcionamento estável.
Calculando a tensão crítica de entrada podemos observar, que um aumento de potência zener
permite maior faixa de oscilação na tensão de entrada.

VEC = (IRLQ + IZMIN) x RS + VZ

VEC = (24mA + 8,33mA) x 110 + 12V = 15,56V

Na opção - 2, o valor calculado da corrente no resistor série RS , com VEMIN = 16V , demonstra
que regulador perde suas características de regulador estabilizado, pois a tensão sobre os terminais
da carga será inferior a VZ e a corrente disponível para a carga, aproximadamente 20mA.

IRSQ = VEQ - VZ  16V - 12V = 20mA


RS 200
Em uma segunda aproximação, considerando que o diodo zener encontra-se fora de serviço, a
corrente sobre o resistor RS com maior precisão é:

IRSQ = VEQ = 16V = 22,8mA


RS + RL 200 + 500

Como o cálculo do regulador foi feito através da segunda opção do subitem “A”, torna-se
necessário calcular a tensão crítica de entrada, para garantir o funcionamento do zener.

VEC = (IRLQ + IZMIN) x RS + VZ = (24mA + 4,166mA) x 200 + 12V = 17,63V

A tensão VEC = 17,63V é a menor tensão que a fonte não regulada pode fornecer, sem que o
regulador zener perca suas características de regulador estabilizado.
A perda da regulação de tensão em uma fonte de alimentação de circuitos eletrônicos ocasiona
irregularidades em seu funcionamento, tornando necessário um aumento da potência zener, para
que as variações da carga e da tensão de entrada, não limite o funcionamento do regulador. Um
regulador estabilizado deve operar com o diodo zener na região de ruptura (VTH > VZ).
Outra maneira de se projetar um regulador zener estabilizado, é conhecendo a impedância zener
(RZ), aplicando-se a relação:

RZ  0,01RS e RZ  0,01RL

Sendo impossível, em certos casos, satisfazer a regra de 100 : 1 usando um regulador zener,
optamos por um regulador menos estabilizado ou um regulador transistorizado.

→ Os reguladores de tensão transistorizados, serão concatenados com os estudos dos


amplificadores transistorizados na configuração “Coletor-Comum” ou “Seguidor
de Base”.

40
__________________________________________________________________________
DIODO DE JUNÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

III - CONVERSOR ESTÁTICO


É um sistema elétrico, constituído por elementos passivos (resistores, indutores e capacitores) e
elementos ativos (interruptores), tais como diodos, tiristores, GTOs e triac’s, associados segundo uma
regra preestabelecida.
Podemos definir conversor estático, como sendo um dispositivo que transforma a corrente de um
tipo em outra ou dispositivo
para mudar uma freqüência
para outra. Os conversores
realizam o tratamento eletrô-
nico da energia elétrica e são
empregados para o controle
da energia elétrica entre dois
ou mais sistemas elétricos.
As principais funções reali-
zadas pelos conversores
estáticos estão representadas
no diagrama de bloco.
Podemos citar dentre as várias aplicações dos conversores estáticos:
• fonte estabilizada;
• controle de motores C.C. ;
• alimentação de segurança;
• carregadores de baterias;
• transmissão de corrente contínua;
• controles de motores C.A. (síncrono e de indutância).
Nesta primeira parte de nossos estudos enfocaremos os conversores retificadores.

3.1 RETIFICADORES ESTÁTICOS


Dispositivo capaz de converter uma corrente alternada (C.A.) em uma corrente contínua
unidirecional (C.C.) pulsativa e com alto nível de ruído psifométrico.
Existe um grande número de aplicações que exigem a energia elétrica sob forma de C.C., tais
como: alimentação de circuitos eletrônicos, eletrificação de ferrovias, carregadores de baterias, etc.
Cada aplicação acima requer um determinado nível de potência em função do sistema e da carga
que recebe a corrente contínua. Além disso, cada aplicação admite um determinado valor máximo de
componente alternada (ripple) na tensão retificada.
No projeto de fontes de alimentação C.C. de qualquer circuito eletrônico, devemos levar em conta
diversos parâmetros, como a tensão C.C. necessária ao seu correto funcionamento, corrente máxima
de carga e os tipos de transformadores, retificadores e capacitores adequados ao sistema tanto quanto
ao desempenho quanto ao custo.
Um dos fatores preponderantes no cálculo de uma fonte de alimentação, é a escolha do correto
valor de um capacitor de filtro, devido a sua influência na limitação da tensão de ondulação residual
ou ruído psifométrico (ripple), presente na saída dos retificadores; principalmente se esta fonte irá
alimentar circuitos eletrônicos sensíveis à tensão de ondulação, prejudicando seu funcionamento.
Em nossos estudos, analisaremos três regras para um correto dimensionamento de uma fonte de
alimentação e com baixo custo:
1) Para as baixas potências, os retificadores monofásicos satisfazem às exigências de tensão e corrente
para a maioria dos circuitos eletrônicos (corrente de carga  10A).
2) Para as cargas de alta potência, os circuitos mais adequados são os retificadores polifásicos, tendo
em vista que estes circuitos possibilitam a obtenção de níveis mais elevados de tensão e corrente,
com menor ondulação e com menor fator de utilização dos diodos retificadores (corrente de carga
> 10A).
__________________________________________________________________________ 41
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

3) Para a escolha do correto valor do capacitor de filtro, adotamos:


• equipamentos profissionais  fator de ondulação (Ko) < 10%.
• equipamentos não-profissionais  fator de ondulação 10%  KO < 25%.
Os retificadores podem ser classificados:
• quanto à forma de controle;
• quanto à forma de retificação e configuração dos diodos;
• quanto ao número de fases.
Na ELETRÔNICA-I estudaremos os retificadores monofásicos não controlados de baixa potência e
na ELETRÔNICA INDUSTRIAL os retificadores controlados e não controlados (monofásicos e
polifásicos).
Na tabela abaixo exemplificamos os tipos de retificadores.

RETIFICADOR C.A/C.C

TIPO DE NÚMERO TIPO DE NÚMERO DE NÚMERO DE MONTAGEM DA


RETIFICAÇÃO DE FASES CONTROLE DIODOS TIRISTORES RETIFICAÇÃO

MEIA ONDA 01 OU 02 NÃO 01 00 CIRCUITO SÉRIE


CONTROLADO

01 OU 02 CONTROLADO 00 01 CIRCUITO SÉRIE

03 NÃO 03 00 COM PONTO MÉDIO


CONTROLADO

03 CONTROLADO 00 03 COM PONTO MÉDIO

ONDA COMPLETA 01 OU 02 NÃO 04 00 PONTE DE GRAETZ


CONTROLADO

01 OU 02 CONTROLADO 00 04 PONTE DE GRAETZ

01 OU 02 CONTROLADO 04 00 PONTE DE GRAETZ C/


AMPLIFICADOR
MAGNÉTICO

01 OU 02 SEMI 02 02 PONTE DE GRAETZ


CONTROLADO

01 OU 02 NÃO 02 00 CENTER-TAP
CONTROLADO OU PONTO MÉDIO

01 OU 02 CONTROLADO 00 02 CENTER-TAP
OU PONTO MÉDIO

03 NÃO 03 00 COM PONTO MÉDIO


CONTROLADO

03 NÃO 06 00 PONTE DE GRAETZ


CONTROLADO

03 CONTROLADO 00 06 PONTE DE GRAETZ

03 SEMI 03 03 PONTE DE GRAETZ


CONTROLADO

42
__________________________________________________________________________
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Parâmetros Elétricos De Um Retificador:

A) Tensão média de saída aproximada - VCCA


É o valor médio da tensão de saída do retificador, considerando uma fonte de tensão ideal
(Ri=0).

B) Tensão média de saída - VCC


É o valor médio da tensão de saída do retificador, considerando uma fonte de tensão real
(Ri0), tensão disponível aos terminais da carga.

C) Tensão contínua de pico - Vp


É a máxima tensão C.C. na saída do retificador.

D) Tensão contínua mínima - Vm


É a mínima tensão C.C. na saída do retificador

E) Corrente média de saída aproximada - ICCA


É o valor médio da corrente de saída , considerando uma fonte de tensão ideal (Ri=0).

F) Corrente média de saída - ICC


É o valor médio da corrente de saída do retificador , considerando uma fonte de tensão real
(Ri0), corrente disponível à carga.

G) Tensão eficaz total de saída - VL


É a tensão em RMS (Root Mean Square) na saída do retificador, com a carga conectada, cujo
valor é medido utilizando um osciloscópio.

H) Corrente eficaz total de saída - IL


É a corrente em RMS na saída do retificador , com a carga conectada.

I) Tensão de ondulação de saída em RMS - VCA


É a tensão eficaz na saída do retificador cujo valor é medido com um voltímetro C.A.

J) Tensão primária - VP
É a tensão eficaz de alimentação do enrolamento primário do transformador.
K) Tensão secundária - VS
É a tensão eficaz nos terminais do enrolamento secundário do transformador.
L) Freqüência de ondulação - Fo
É a freqüência que ocorre à oscilação do sinal de saída do retificador.
M) Fator de ondulação de saída - Ko
É definido como sendo a relação entre a componente efetiva de C.A. e a componente média
de C.C. na saída, dado em percentual. Para os retificadores de meia onda, este fator de
ondulação corresponde a 120%, que é considerado um alto nível de ruído psifométrico.
N) Potência média de saída - PCC
É a potência média de saída do retificador, fornecida à carga.

O) Potência média de entrada - Pent


É a potência média fornecida à entrada do retificador. Para os retificadores que dispõem de
transformador de entrada, a potência de entrada é a potência fornecida ao enrolamento
primária do transformador.

__________________________________________________________________________ 43
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

P) Eficiência do retificador - 
Indica o rendimento do processo de retificação. Os rendimentos máximos que podem ser
apresentados pelos retificadores são: Meia-onda = 40,5%, Onda-completa 1= 81,1%
e Onda-completa 3  = 95,5%).

Q) Corrente direta no diodo retificador - IFD


É a corrente média direta que circula pelo diodo retificador.

R) Tensão inversa de pico - PIV


É a máxima tensão inversa de pico, sobre os terminais dos diodos retificadores.

S) Parâmetros do circuito retificador thevenizado:


Aplicando o Teorema de Thevenin no circuito retificador, podemos representá-lo por um
circuito retificador thevenizado.

 Resistência Thevenin - RTH


É a resistência thevenin, vista pela fonte thevenin para alimentar a carga.
 Tensão Thevenin C.C. - VTH
É uma fonte de tensão thevenin com resistência interna igual a zero (Ri=0), o valor desta
tensão eqüivale à tensão média retificada de saída aproximada.
• Tensão Thevenin C.A. - vth
É uma fonte de tensão thevenin C.A. com resistência interna igual a zero (Ri=0), o valor
desta tensão eqüivale à tensão eficaz do enrolamento secundário (VS).
 Resistência dos enrolamentos do transformador
As resistências dos enrolamentos variam em função da potência do transformador, quanto
maior sua potência, menor será a resistência dos respectivos enrolamentos (resistência do
enrolamento primário “RP” e resistência do enrolamento secundário “RS”). Para efetuar-se
um cálculo com precisão, recomendamos medir o valor ôhmico dos enrolamentos, utilizando
uma ponte “Wheatstone”.
 Resistência da fonte geradora - Rg
É a resistência interna da fonte de energia, responsável pela alimentação do transformador.
Para os retificadores ligados diretamente à rede de alimentação, faz-se Rg=0.
 Resistência dinâmica do diodo retificador - RFD
É o valor ôhmico de cada diodo retificador durante o processo de retificação. Conforme
estudos feitos no subitem 2.3 (B) , a resistência direta do diodo retificador (RFD), operando
em C.A. pode ser determinada utilizando a equação da resistência dinâmica do diodo.

RFD = 25 mV + rb
ID
 Resistência ôhmica de carga - RL
É o valor ôhmico da carga conectada à saída do retificador
 Relação de espiras - (n)
É a relação de espiras do transformador, calculada em relação ao número de espiras do
secundário (NS) para o primário (NP). Pode também ser determinada, em relação à tensão
secundária (VS) para a tensão primária (VP).
44
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CONVERSORES C.A. / C.C.
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FORMULÁRIO - RETIFICADOR SEM FILTRO

PARÂMETROS MEIA - ONDA ONDA COMPLETA

PONTE DE GRAETZ CENTER - TAP


VCCA = 1 0 VSmax senwt dt 1 0 VSmax senwt dt 1 0  VS1max senwt dt
2  
VCCA =
0,45 x VS 0,9 x VS 0,9 x VS1

ICCA = VCCA VCCA VCCA


RL RL RL
VS VS VS1
n= VP VP VP

RTH = n2 ( RP + RG) + RS +RFD n2 ( RP + RG) + RS +2RFD n2 ( RP + RG) + RS/2 +RFD

KA = RL . RL . RL .
RL + RTH RL + RTH RL + RTH

VCC = VCCA x KA VCCA x KA VCCA x KA

vth = VS x 0,707 VS VS1

VTH = VCCA VCCA VCCA


VL = 1,57 x VCC 1,11 x VCC 1,11 x VCC
VL = vth x KA vth x KA vth x KA

IL = VL VL VL
RL RL RL
VCA= VS x KA x 0,545 VS x KA x 0,435 VS1 x KA x 0,435

VCA = VCC x 1,21 VCC x 0,483 VCC x 0,483

Fo = FENT 2 FENT 2 FENT

Ko = VCA x 100 VCA x 100 VCA x 100


VCC VCC VCC

PCC = VCC x ICC VCC x ICC VCC x ICC

PENT VP x IL x n x 0,707 VP x IL x n VP x IL x n
= KA x 40,5% KA x 81,1% KA x 81,1%

= PCC x 100 PCC x 100 PCC x 100


PENT PENT PENT

IFD = ICC ICC ICC


2 2

PIV = VS x 2 VS x 2 (VS1 +VS2) x 2

KA  Fator de atenuação da tensão de saída, determinado em função do divisor de tensão no circuito


thevenizado (RL e RTH).

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CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

FORMULÁRIO - RETIFICADOR COM FILTRO

PARÂMETROS MEIA - ONDA ONDA COMPLETA

PONTE DE GRAETZ CENTER - TAP

VCCA = 1,41 x VS 1,41 x VS 1,41 x VS1

ICCA = VCCA VCCA VCCA


RL RL RL
VS VS VS1
n= VP VP VP

RTH = n2 ( RP + RG) + RS +RFD n2 ( RP + RG) + RS +2RFD n2 ( RP + RG) + RS/2 +RFD

KA = RL RL RL
RL + RTH RL + RTH RL + RTH

VCC = VCCA x KA VCCA x KA VCCA x KA

VTH = VCCA VCCA VCCA

VL = VCC VCC VCC

ICC=IL = VCC VCC VCC


RL RL RL

Ko = VCA x 100 VCA x 100 VCA x 100


VCC VCC VCC

VCA VCC x Ko x 0,01 VCC x Ko x 0,01 VCC x Ko x 0,01

Vm = VCC - VCA VCC - VCA VCC - VCA


Vm Vm Vm
Im = RL RL RL

Fo = FENT 2 FENT 2 FENT

PCC = VCC x ICC VCC x ICC VCC x ICC

PENT VP x 1,41 x IL x n VP x 1,41 x IL x n VP x 1,41 x IL x n

= PCC x 100 PCC x 100 PCC x 100


PENT PENT PENT

IFD = ICC ICC ICC


2 2

PIV = 2 x VS x 2 VS x 2 (VS1 +VS2) x 2


KA  Fator de atenuação da tensão de saída, determinado em função do divisor de tensão no circuito
thevenizado (RL e RTH).
Fo  Para um fator de ondulação Ko = 0%, a freqüência de ondulação assume também Fo = 0.

3.1.1 Retificador Não Controlado de Meia Onda


Em função de seu alto nível de ruído psifométrico, sua aplicação se restringe a circuitos
eletrônicos de comutação, circuitos elétricos de sinalização, iluminação e acionamento de motores
em corrente contínua. Para os circuitos de iluminação e acionamento de motores, aplica-se o
retificador de meia onda controlado, que tem a função de controlar o nível de iluminação e a
velocidade dos motores.

46
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CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

A) Retificador de meia-onda sem filtro:

Cálculo Dos Parâmetros Elétricos:


VCCA = 0,45 x 12V = 5,4V ICCA = 5,4V = 200mA
27
n= 12V = 0,1 RDF = 25mV + 2 = 2,12
120V 200mA
RTH = 0,12 (50 + 0) + 1,1 + 2,12 = 3,72 KA = 27 = 0,88
27 + 3,72

VCC = 5,4V x 0,88 = 4,75V ICC = 4,75V = 176mA


27
vth = 12V x 0,707 = 8,484V Fo = 60Hz
IL = 7,46V = 276mA
VL = 8,48V x 0,88 = 7,46V 27

VCA = 4,75V x 1,21 = 5,75V Fo = 60Hz

Ko = 5,75V x 100 = 121% PCC= 4,75V x 176mA =836mW


4,75V
PENT = 120V x (276mA x 0,1) x 0,707 = 2,34W  = 0,836W x 100 = 35,7%
2,34W
IFD = 176mA PIV = 12V x 2 = 16,97V

__________________________________________________________________________ 47
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

A.1) Retificador de meia-onda com filtro:


Para escolha do valor do capacitor de filtro, dependemos de cálculos morosos, envolvendo funções
transcendentais que podem ser não satisfatoriamente atenuadas pela utilização de ábacos (que nem
sempre temos à mão).
Com pequenas simplificações poderemos facilitar este cálculo, como veremos a seguir:

Desprezando-se o tempo de carga do capacitor de filtro, a tensão de ondulação (VCA) é dado por:
VCA = VCC - VCC x e -T/RL x C1 ou VCA = Vp - Vm

Onde a tensão média de saída retificada (VCC), pode ser considerada igual ou aproximadamente
igual à tensão de pico de saída (Vp).
VCC  Vp
T = período da forma de onda de saída do retificador
T = 1 = 1 = 16,67 ms  Retificador de meia-onda
Fo 60Hz
T = 1 = 1 = 8,33 ms  Retificador de onda-completa
Fo 120Hz
RL = valor ôhmico da carga
C1 = valor do capacitor de filtro
Expressando a equação da tensão de ondulação (VCA), como sendo a relação entre a componente
efetiva de C.A. e a componente média de C.C., na saída do retificador, temos:
VCA = 1 - e - T/RL x C1
VCC
48
__________________________________________________________________________
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Podemos observar que para pequenos valores de T/RL x C1 a relação de ondulação tende a “zero”.
Baseado neste fato podemos fazer uma nova aproximação, na qual a margem de êrro será absorvida
pela tolerância do capacitor:
VCA T T
= C1 
VCC RL  C1 VCA
RL 
VCC
Toda análise feita para o cálculo do capacitor de filtro, é aplicado também para os retificadores de
onda-completa.
Para o exemplo, considerando que se deseja projetar uma fonte de alimentação que opere com um
fator de ondulação de Ko = 8%, temos:
VCA = 0,08
VCC
Logo:
16,67ms
C1  = 7718F VPM = 10.000F
27  0,08
Podemos observar, que, para os retificadores de meia-onda, torna-se inviável o dimensionamento
do capacitor de filtro, devido ao seu alto valor de capacitância acompanhado de um alto custo.
Para este tipo de aplicação são utilizados os capacitores eletrolíticos.

Cálculo dos parâmetros elétricos:


16,97 V
VCCA = 12 V  2 = 16,97 V ICCA = = 628mA
27

n = 12V = 0,1 RDF = 25mV + 2 = 2,04


120V 628mA

RTH = 0,12 (50 + 0 ) + 1,1 + 2,04 = 3,64 VTH = VCCA = 16,97V

KA = 27 = 0,88 VCC = 16,97V x 0,88 = 14,93V


27 + 3,64

ICC = 14,93V = 553mA VL = VCC = 14,93V


27
IL = ICC = 553mA VCA = 14,93V x 0,08 = 1,19V

Ko = 1,19V x 100 = 8% Vm = 14,93V - 1,19V = 13,74V


14,93V
13,74 V
Im = = 508,8mA PCC = 14,93V  553mA = 8,26W
27
PIV = 2  VS  2 = −33,94 V
8,26W
Pent = 120v 2  553mA  0,1 = 9,38W =  100 = 88%
9,38W
Podemos observar que o retificador de meia onda quando dimensionado com filtro de ripple, sua
tensão de ondulação residual é reduzida bruscamente, enquanto que o rendimento ( ) do processo
de retificação cresce subitamente, aproximando de um rendimento ideal.

__________________________________________________________________________ 49
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
3.1.2 Retificador Não Controlado Em Onda Completa

A) Configuração Ponte de Graetz Sem Filtro:


Em função de seu baixo nível de ruído psifométrico, apresenta uma grande utilização em circuitos
eletrônicos. Possui um fator de ondulação do sinal de saída de 48,3%, podendo ser reduzido com
a utilização de filtros (capacitores e indutores) na saída do retificador e apresenta um rendimento
máximo de 81,1%. O semiciclo indicado no circuito retificador mostra D1 e D2 em estado de
condução, D3 e D4 em estado de corte. No semiciclo seguinte D1 e D2 entra em estado de corte,
D3 e D4 passa para o estado de condução.

Cálculo Dos

Parâmetros Elétricos :

VCCA = 0,9 x 12V = 10,8V ICCA = 10,8V = 400mA


27
n = 12V = 0,1 RDF = 25mV + 2,0 = 2,125
120V 200mA

RTH = 0,12 (50 + 0) + 1,1 + (2 x 2,125) = 5,85 KA = 27  = 0,82


27 + 5,85
50
__________________________________________________________________________
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
VCC = 10,8V x 0,82 = 8,86V ICC = 8,86V = 328mA
27
vth = 12V VTH = 10,8V

VL = 12V x 0,82 = 9,84V IL = 9,84V / 27 = 364mA

VCA = 8,86V x 0,483 = 4,28V VP = 16,97V x 0,82 = 13,91V

IP = 13,91V/27 = 515mA Fo = 2 x 60Hz = 120Hz

Ko = 4,28V x 100 = 48,3%


8,86V PCC = 8,86V x 328mA = 2,91W

PENT = 120V x 364mA x 0,1 = 4,37W  = 2,91W x 100 = 66,59%


4,37W
IFD = 328mA = 164mA
PIV = 12V  2 = 16,97V
2
A.1) Configuração Ponte de Graetz Com Filtro:
Apesar da configuração apresentar um baixo nível de ruído psifométrico (Ko = 48,3%), para os
circuitos eletrônicos sensíveis à tensões de ondulação, este nível de ruído passa a ser prejudicial ao
seu funcionamento. Como exemplo, iremos reduzir este fator de ondulação de Ko = 48,3% para Ko
= 8%.

__________________________________________________________________________ 51
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Sendo o retificador em onda completa, a freqüência de ondulação Fo = 120Hz, e o período da forma
de onda na saída do retificador será:
T = 1 = 1 = 8,33ms C 8,33ms = 3.856F
Fo 120Hz 27 x 0,08

Cálculo do Parâmetros Elétricos: VPM = 4700F


VCCA = 12V x 2 = 16,97V ICCA = 16,97V = 628mA
27
n = 12V = 0,1 RDF = 25mV + 2 = 2,08
120V 314mA
RTH = 0,12 (50 + 0) + 1,1 + 4,16 = 5,76 VTH = VCCA = 16,97V
KA = 27 = 0,82 VCC = 16,97V x 0,82 = 13,91V
27 + 5,76
ICC = 13,91V = 515mA VL = VCC = 13,91V
27
IL = ICC = 515mA VCA = 13,91V x 0,08 = 1,11V
Ko = 1,11 x 100 = 8% Vm = 13,91V - 1,11V = 12,8V
13,91V
Im = 12,8V = 474mA PCC = 13,91V x 515mA = 7,16W
27
Pent = 120V x 2 x 515mA x 0,1 = 8,74W  = 7,16W x 100 = 81,9%
8,74W
Podemos observar que o retificador de onda completa quando dimensionado com filtro de ripple, sua
tensão de ondulação é reduzida bruscamente, enquanto que o rendimento () do processo de
retificação cresce gradativamente, aproximando de um rendimento ideal.
B) Configuração Center - Tap Sem Filtro
Esta configuração, também, apresenta um baixo nível de ruído psifométrico e possui uma grande
utilização em circuitos eletrônicos. Apresenta as mesmas características do retificador em ponte,
com um fator de ondulação de 48,3% e rendimento máximo de 81,1%.Tem como vantagem em
relação a configuração em ponte:
• utilização de apenas dois (02) diodos retificadores;
• menor resistência thevenin;
• melhor rendimento.
Tem como desvantagem uma tensão reversa maior sobre os diodos retificadores.
O semiciclo indicado no circuito retificador mostra D1 em estado de condução, D2 em estado de
corte, e o secundário “S1” alimenta a carga via D1. No semiciclo seguinte D1 e D2 trocam de
estado e o secundário “S2” entra em serviço, alimentando a carga via D2.
Para a configuração “Center - Tap”, a relação de espiras do transformador é dado em relação a
um dos enrolamentos, (número de espiras do enrolamento S1 = número de espiras do enrolamento
S2), pois cada metade do enrolamento secundário é responsável por um dos semiciclos, sendo
assim definimos “n“ como sendo:
n = VS1 = VS2 = NS1 = NS2 ,
VP VP NP NP
onde: NP e NS  número de espiras dos enrolamentos
52
__________________________________________________________________________
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Cálculo dos Parâmetros Elétricos:

VCCA = 0,9 x 12V = 10,8V ICCA = 10,8V = 400mA


27
n = 12V = 0,1 RFD = 25 mV + 2,0 = 2,125
120V 200mA

RTH = 0,12 (50 + 0) + 2,2 + 2,125 = 3,72 KA = 27 = 0,88


2 27  + 3,72

VCC = 10,8V x 0,88 = 9,50V ICC = 9,50V = 352mA


27
vth = 12V VTH = 10,8V

VL = 12V x 0,88 = 10,56V IL = 10,56V = 391mA


27

VP = 16,97V x 0,88 = 14,93V IP = 14,93V/27 = 553mA

VCA = 9,50V x 0,483 = 4,59V Fo = 2 x 60Hz = 120Hz

__________________________________________________________________________ 53
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Ko = 4,59V x 100 = 48,3% PCC = 9,50V x 352mA = 3,34W


9,50V
PENT = 120V x 391mA x 0,1 = 4,69W  = 3,34W x 100 = 69%
4,69W
IFD = 352mA = 176mA PIV = (12V + 12V)2 = 33,9V
2

B.1) Configuração Center-Tap Com Filtro:


Apesar da configuração apresentar um baixo nível de ruído psifométrico (Ko = 48,3%), para os
circuitos eletrônicos sensíveis à tensões de ondulação, este nível de ruído passa a ser prejudicial ao
seu funcionamento. Como exemplo, irem os reduzir este fator de ondulação de Ko = 48,3% para Ko
= 8%.

Cálculo dos Parâmetros Elétricos:

VCCA = 12V x 2 = 16,97V ICCA = 16,97V = 628mA


27
n = 12V = 0,1 RDF = 25mV + 2 = 2,08
120V 314mA

54
__________________________________________________________________________
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
RTH = 0,12 (50 + 0) + 1,1 + 2,08 = 3,68 VTH = VCCA = 16,97V

KA = 27 = 0,88 VCC = 16,97V x 0,88 = 14,93V


27 + 3,68

ICC = 14,93V = 553mA VL = VCC = 14,93V


27

IL = ICC = 553mA VCA = 14,93V x 0,08 = 1,19V

Ko = 1,19V x 100 = 8% Vm = 14,93V - 1,19V = 13,74V


14,93V

Im = 13,74V = 508,8mA PCC = 14,93V x 553mA = 8,26W


27

Pent = 120V x 2 x 553mA x 0,1 = 9,38W PIV =(1 2V + 12V) x 2 = 33,9V

 = 8,26W x 100 = 88%


9,38W

Para o retificador de onda-completa em Center-tap com filtro, sua tensão de ondulação é


reduzida bruscamente, enquanto que o rendimento () do processo de retificação cresce
gradualmente, aproximando de um rendimento ideal.
O retificador em Center-tap apresenta um melhor desempenho (maior rendimento), que o retificador
em Ponte-de-Graetz; isto se deve ao fato, do retificador em Center-tap apresentar uma menor
resistência dinâmica dos componentes ativos, envolvidos no processo de retificação.

__________________________________________________________________________ 55
CONVERSORES C.A. / C.C.
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

IV - TRANSISTOR BIPOLAR
O avanço da tecnologia do estado sólido teve início com o desenvolvimento do transistor em
1948, por três cientistas (SCHOCKLEY-BARDEN-BRATTAIN), no laboratório de pesquisas da
“BEL TELEPHONE”, nos Estados Unidos. A pesquisa foi concretizada em 1951 por SCHOCKLEY,
quando foi lançado o primeiro transistor.
O nome transistor vem da redução de dois vocábulos gramaticais (contração) da língua inglesa
“TRANSFER-RESISTOR”  resistor de transferência.
Um transistor é bipolar, porque em seu funcionamento participam dois tipos de portadores
com cargas opostas (elétrons e lacunas livres).

SIMBOLOGIA

REGIÕES DO TRANSISTOR

EMISSOR: É uma parte do cristal densamente dopado, que tem a função de emitir ou injetar
elétrons na base. Sua região é de tamanho intermediária entre as regiões de base e coletor.

BASE: É uma parte do cristal levemente dopado e muito fina, tem como função permitir que
a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o coletor.

COLETOR: É uma parte do cristal com dopagem intermediária entre a dopagem da base e a
dopagem do emissor, é a região mais extensa das três. Tem como função coletar os
elétrons que vem da base, é a região que tem maior dissipação de calor.

JUNÇÕES DO TRANSISTOR

Possui duas junções, uma entre o emissor e a base que chamamos


de diodo da esquerda ou diodo emissor-base; e a outra entre
coletor e a base, que chamamos de diodo da direita ou diodo
coletor-base. Na figura, representamos um transistor em
configuração com dois diodos para melhor entendimento, mas não
podemos afirmar que é um transistor, pois a configuração apresenta três junções.

CAMADA DE DEPLEÇÃO

É a parte de um transistor que indica a presença de “ions” e a falta de portadores. Em uma junção
“PN”, devido a sua repulsão mútua, os elétrons livres do lado N difundem-se ou espalham-se em
56 ________________________________________________________________________
TRANSISTOR BIPOLAR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
todas as regiões; alguns difundem através da junção. Quando um elétron livre sai da região N a sua
saída cria um átomo carregado positivamente (um íon positivo), na região N. Além disso, à medida
que ele penetra na região P o elétron livre torna-se um portador minoritário e tem uma vida média
curta, logo depois de entrar na região P, o elétron livre preencherá uma lacuna. Quando isto ocorre, a
lacuna desaparecerá e o átomo associado torna-se carregado negativamente, (um íon negativo). Os
íons estão fixos na estrutura do cristal por causa da ligação covalente e não podem se deslocar como
os elétrons e lacunas livres.

BARREIRA DE POTENCIAL
É a diferença de potencial através da camada de depleção. A camada de depleção age como
uma barreira impedindo a continuação da difusão de elétrons livres através da junção.
O impedimento da difusão ocorre quando a diferença de potencial da camada de depleção atinge
 0,7V para junções de silício e  0,3V para junções de germânio.

Emissor-Base: Sua camada de depleção é pequena e só penetra ligeiramente na região do emissor


( densamente dopado ), porém, profundamente na base (levemente dopada).

Coletor-Base: Sua camada de depleção é grande, estende-se bem para dentro da base e penetra na
região do coletor numa quantidade menor.

4.1 POLARIZAÇÃO DE UM TRANSISTOR


4.1.1 Polarização Direta (Não Utilizada)
Os elétrons livres entram no emissor e no coletor,
juntam-se na base e fluem através do fio comum.
Como os dois diodos estão polarizados
diretamente, as correntes de emissor e coletor
assumem altos valores, limitadas pelos seus
respectivos resistores (RC e RE).

4.1.2 Polarização Reversa

Nesta situação os dois diodos estão


polarizados reversamente, constituindo apenas
um fluxo pequeno de portadores minoritários,
provocados pela fuga superficial ou
produzidos termicamente. O aumento de
portadores minoritários é dobrado para cada
10C de variação de temperatura ambiente.

________________________________________________________________________ 57
TRANSISTOR BIPOLAR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
4.1.3 Polarização Direta-Reversa

É a polarização ideal para o funcionamento de


um transistor; polarizando diretamente o
emissor e inversamente o coletor.
No instante em que a polarização direta é
aplicada ao diodo emissor, os elétrons do
emissor ainda não penetraram na região da
base, sendo VBE maior que o potencial da
barreira ( 0,7V), muitos elétrons do emissor
penetram na região de base. Os elétrons da
base, podem fluir em duas direções: descendo pela base fina e passando pelo terminal externo da
base, ou através da junção do coletor passando pela região do mesmo.
A corrente que circula pelo terminal da base é chamada de “corrente de recombinação”, ela é pequena
porque a base é pouco dopada (poucas lacunas). Mais de 95% dos elétrons injetados pelo emissor,
são coletados pelo coletor e menos de 5% preenchem as lacunas da base e fluem para fora do
transistor, através do terminal externo da base. A polarização direta do diodo emissor, controla o
número de elétrons livres injetados na base. Quanto maior o “VBE”, maior o número de elétrons
injetados na base. Na figura mostramos o gráfico das bandas de energia de um transistor, quando o
diodo emissor está polarizado diretamente e o diodo coletor polarizado inversamente. A tensão
“VBE” nos terminais do transistor, atingindo o valor suficiente para romper a barreira de potencial
da junção emissor-base (  0,7V ), os elétrons do emissor podem se difundir da banda de condução
do emissor para a banda de condução da base. Ao entrar na banda de condução da base, os elétrons
tornam-se portadores minoritários porque estão dentro de uma região P. Agora a base tem uma
densidade maior de portadores minoritários. Em quase todos os transistores, mais de 95% desses
portadores minoritários tem uma vida média suficientemente longa para se difundir pela camada de
depleção do coletor e descer pela barreira de energia do coletor.
À medida que caem
liberam energia,
principalmente na
forma de calor. O
coletor deve ser capaz
de dissipar esse calor e
por essa razão, ele é
geralmente a maior
das três regiões
dopadas. Menos de
5% dos elétrons
injetados pelo emissor
caem ao longo do
percurso de recombinação mostrado na figura, aqueles que se recombinam tornam-se elétrons de
valência e fluem através das lacunas da base para o terminal externo da base.

4.2 PARÂMETROS DE UM TRANSISTOR


4.2.1 Alfa cc - cc
Indica a aproximação das correntes de emissor e coletor. Quanto mais levemente dopada a
base, mais alto será o se cc. Idealmente, se todos os elétrons injetados fossem para o coletor, cc=1.
Muitos transistores tem cc maior que 0,99 e praticamente todos têm cc maior que 0,95. Por esta
razão podemos aproximar cc a “1” na maioria das análises: cc = IC
IE
58 ________________________________________________________________________
TRANSISTOR BIPOLAR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Exemplo:
1) Calcular o cc de um transistor, sabendo que a corrente de emissor é 5mA e corrente do coletor
4,9mA.
cc = 4,9mA = 0,98
5,0mA
2) Calcular a corrente de coletor de um transistor, sabendo que IE = 10mA e cc = 0,99.
Ic = cc x IE
Ic = 0,99 x 10mA = 9,9mA

4.2.2 Resistência De Espalhamento Da Base - r 'b

É a resistência do fino canal de base, sendo que esta resistência varia em função da polarização
reversa do diodo-coletor. Aumentando “VCB”, diminui a largura do canal de base, o que eqüivale a
um aumento em “r'b”. Em alguns casos “r'b” chega a valores elevados (1000); mas tipicamente
situam-se na faixa de 50 a 150. Os efeitos “r'b” são importantes em circuitos de altas freqüências.

4.2.3 Tensões De Ruptura - BV

É a tensão reversa aplicada aos diodos de emissor e de coletor, que podem provocar a
interrupção dos mesmos. Esta tensão “BV” depende da largura da camada de depleção e dos níveis
de dopagem.

BVBE = Tensão de ruptura entre os terminais base-emissor; nos transistores


comerciais varia de 5 a 30V.
BVBC = Tensão de ruptura entre os terminais base-coletor; nos transistores
comerciais varia de 20 a 300V.
4.2.4 Beta cc - cc
É o símbolo que indica o ganho de corrente C.C. de um transistor; define-se pela relação entre
a corrente de coletor e corrente de base. O ganho de corrente (cc) dos transistores comerciais, é
quase sempre maior que 20. Geralmente, ele se encontra entre 50 e 600, e alguns transistores tem cc
da ordem 1.000  cc = IC
IB
4.2.5 Lei De Kirchhoff Para O Transistor

Dedução Matemática:

- Dividindo ambos os lados por IC

IE = IC + IB  1 = 1 + 1__
IC IC IC cc cc
cc = cc
1 = cc + 1 
cc + 1
cc cc
logo: 1 - 1 = 1  1 - cc = 1 cc = cc
cc cc cc cc 1 - cc
________________________________________________________________________ 59
TRANSISTOR BIPOLAR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Exemplos:

Calcular o ganho de corrente C.C. de um transistor, sabendo que a corrente de coletor é 5mA e a
corrente de base 0,05mA.

cc = 5mA = 100


0,05mA

Calcular o ganho de corrente C.C. de um transistor, sabendo-se que a aproximação de IC e IE é de


0,98.
cc = cc = 0,98 = 49
1 - cc 1 - 0,98

Calcular o cc de um transistor, sabendo-se que o seu ganho de corrente C.C. é de 200.

cc = cc = 200 = 0.99


cc + 1 200 + 1

Sabendo-se que o ganho de corrente C.C. de um transistor é de 200 e sua corrente de coletor 100mA,
calcular IB, IE e cc.

IB = 100mA = 0,5mA cc = 200 = 0,995 IE = 100mA + 0,5mA = 100,5mA


200 200 + 1

4.3 CURVAS DO COLETOR DE UM TRANSISTOR


Fixamos o valor da corrente de base e variamos o valor da tensão entre coletor-emissor (VCE).
Quando VCE = 0, o diodo-coletor não está polarizado inversamente, portanto a corrente do coletor é
desprezível.
Para VCE entre “0V” e aproximadamente 1V, a corrente do coletor aumenta de forma drástica.
Acima do joelho, aumentando VCE a corrente de coletor é praticamente constante. Se aumentarmos
VCE demais, o diodo-coletor rompe-se a acaba com o seu funcionamento normal.

A - Região de Saturação: É toda curva entre a origem e o joelho. Fixando um valor de corrente
de base e mantendo o VCE =0, o diodo-coletor não está polarizado
reversamente, portanto, a corrente IC é desprezível. Para um VCE entre
0 (zero) e aproximadamente 1V, o diodo-coletor entra na polarização
reversa e a corrente IC aumenta de forma drástica.

60 ________________________________________________________________________
TRANSISTOR BIPOLAR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
B - Região ativa: É a parte plana da curva, onde o transistor funciona como uma fonte de
corrente controlada. Fixando IB e variando a tensão VCE à partir de
1V, a corrente IC permanece constante.

C - Região de Ruptura: É a parte final da curva, onde não se deve trabalhar com um transistor.
Os transistores dispõem de uma tensão limite para um correto
funcionamento (VBR). A partir deste ponto há um rompimento das
junções, ocasionando um curto-circuito entre os terminais coletor-
emissor, que gera um aumento brusco de corrente pelo seus terminais.
Tensão de Compliance:
É a faixa de tensão entre coletor-emissor, ao longo do qual o transistor funciona como uma fonte de
corrente: é a faixa de tensão VCE entre  1V e a tensão de ruptura.

4.3.1 Coletor Com Base Aberta:

ICEO - Corrente de coletor-emissor


com base aberta (pequena corrente de
fuga).
BVCEO - Tensão de Ruptura entre os
terminais de CE com base aberta.
A corrente de coletor é a corrente de
fuga do diodo-coletor, formada pelos
portadores gerados termicamente e
pela corrente de fuga superficial.

4.4 CURVA DA REGIÃO DE BASE DE UM TRANSISTOR

É um gráfico da corrente de base x tensão base-


emissor. Como a seção base - emissor de um
transistor é um diodo, o gráfico se assemelha
com a curva de um diodo. O espaço entre as
duas curvas é chamado de “EFEITO
EARLEY”, resulta da realimentação interna do
transistor do diodo-coletor para o diodo-
emissor. o espaço entre as curvas é pequeno, nem mesmo perceptível em um osciloscópio, por esta
razão ignoramos o efeito EARLEY em todas as análises preliminares.
O efeito EARLEY será incluído nas análises dos parâmetros híbridos.
No gráfico mostramos duas curvas, variando o “VCE” para um VCE mais alto, aumenta o VBE e
reduz a corrente de base.
4.5 CURVAS DE GANHO DE CORRENTE - CC

A uma temperatura fixa, cc aumenta até um valor máximo,


quando a corrente de coletor aumenta. Para aumentos da corrente
de coletor, fora do pico da curva de cc, o ganho de corrente começa
a desaparecer.

________________________________________________________________________ 61
TRANSISTOR BIPOLAR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Uma variação na temperatura ambiente, produz também uma variação do cc. Para qualquer projeto,
não se deve exigir um valor exato de cc.
No pior caso, onde tanto a corrente de coletor quanto a temperatura variam significativamente, o cc
pode variar numa faixa de 9:1.

4.6 LINHAS DE CARGA C.C. DE UM TRANSISTOR

A) Cálculo do ponto superior da linha de carga:

considera-se VCE = 0 e aplica-se a fórmula, este é o ponto de saturação do transistor.

Ponto de saturação: É a interseção da linha de carga e a curva IB = IBsat.

ICSAT = VCC - VCE ICSAT = 10V - 0V = 10mA


RC 1k

B) Cálculo do ponto inferior a linha de carga:

considera-se IC = 0 e aplica-se a fórmula, este é o ponto de corte do transistor.

Ponto de corte: é onde a linha de carga intercepta a curva IB = 0.

IC = VCC - VCE  0 = 10V - VCE


VCECORTE  VCC RC 1K
10V - VCE = 1K x 0  VCE  10V

C) Cálculo da corrente de base:

Aplicando a lei de KIRCHHOFF, podemos


afirmar que a soma das tensões ao longo da
malha é igual a zero.

IBRB + VBE - VBB = 0


IB . 220K + 0,7V - 5V = 0
IB . 220K - 4,3V = 0 IB = 4,3V = 19,5A
220K
62 ________________________________________________________________________
TRANSISTOR BIPOLAR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Com a aplicação do teorema de Kirchhoff, resulta na fórmula:

IB = VBB - VBE
RB

Associando a corrente de base, na curva de coletor, fixamos o VCE > 1,0V e definimos duas
regiões de funcionamento controlado pela corrente de base:

• Região de saturação  IB < IBSAT


• Região ativa  IB  IBSAT

A corrente de saturação de base, está relacionado com a corrente de saturação do circuito.


Como regra de projetos, para que o transistor funcione na região ativa faz-se IBSAT  ICSAT/10,
esta condição pode levar o transistor a um estado de saturação entre os terminais coletor-emissor
(VCE < 1V).
Para uma corrente de base IB < IBSAT, o transistor estará funcionando em uma região de saturação,
levando a tensão entre os terminais do coletor e emissor à valores maiores que 1 volt (VCE 1V).

No gráfico da linha de carga C.C., mostramos várias curvas da corrente de base. Estas curvas
podem ser alteradas em função do resistor de base “RB”.

D) Cálculo do ponto Q:

Este é o ponto ideal de trabalho de um transistor. O ponto “Q” é a interseção da linha de carga
C.C. com a corrente de base calculada, também chamado:

Ponto de Operação ou Ponto “QUIESCENTE”.

Para o cálculo do ponto Q, utiliza-se uma corrente de base, que corresponda, na curva, a uma
corrente de coletor de aproximadamente 50% da corrente de coletor saturada.
Para o transistor operando como “chave” (RE = 0), o ponto “Q” no meio da reta de carga torna-se
difícil de ser calculado.
Uma vez que a corrente de base atinge “um décimo” da corrente de coletor saturado, o ponto”Q”
é deslocado bruscamente para o ponto superior da reta de carga.
Para o ponto “Q” situar-se próximo ao meio da reta de carga (IC  50% de ICSAT), necessitamos
que a configuração do transistor esteja como “fonte de corrente” (RE  0).
A configuração do transistor mostrado na reta de carga, opera como “chave”, sendo assim, torna-
se impreciso situar corretamente o ponto quiescente de trabalho.
No gráfico, o ponto quiescente “Q” mostra uma tensão VCEQ próximo à VCE de corte.

________________________________________________________________________ 63
TRANSISTOR BIPOLAR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

V - CIRCUITOS POLARIZADORES DO TRANSISTOR


São circuitos que definem as formas de se polarizar um transistor para que ele funcione
linearmente, o que significa estabelecer um ponto “Q” próximo ao meio da linha de carga C.C., para
os transistores operando como “fonte de corrente”, ou um ponto “Q” na extremidade da reta de
carga C.C., para os transistores operando como “chave”.

5.1 POLARIZAÇÃO DE BASE

São usados em configuração emissor comum ou emissor à massa. Neste tipo de ligação o emissor é
comum tanto à entrada quanto à saída do circuito, ver figuras, utilizando transistores NPN e PNP.

Este tipo de polarização não é usado em circuitos lineares, devido a dificuldade de estabelecer um
ponto “Q” estável. Usando a saturação forte para ultrapassar as variações em cc, a configuração é
utilizada em circuitos digitais e circuitos de comutação, nas regiões de corte e saturação. Para
transistores nesta configuração, dizemos que o mesmo está operando como chave.
Como regra para esta configuração, considera-se o transistor saturado, a partir de uma corrente de
base que seja aproximadamente “um décimo” do valor da corrente de coletor saturado

Exemplos:
A)
A tensão de saída, com 0V na entrada é de 15V, pois nesta condição o transistor está em corte, não
havendo nenhuma queda de tensão em RC = 1K. A
tensão de saída, com 5V na entrada é de 0V pois
nesta condição o transistor está saturado, não
havendo nenhuma queda no corpo do transistor
proveniente dos terminais coletor-emissor.
Podemos afirmar que o transistor está saturado, uma
vez que a corrente de base atinge um décimo da
corrente de coletor saturado.

B) No circuito de comutação, o transistor opera como chave para ligar e desligar o diodo emissor de
luz (cor laranja - V = 2V).
O circuito foi projetado para que a chave se “feche”
(transistor NPN em estado de saturação), quando
uma tensão de entrada de controle VE = +5V for
aplicada em seus terminais.
Calcular o resistor “RC” para que a corrente no
Led seja de aproximadamente 25mA e o resistor
“RB”, sabendo que a tensão de entrada é de +5V.

64
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
ICSAT = VCC - Vled  RC = 15V - 2V  520
RC 25mA
IB  25mA  IB  2,5mA
10
Calcula-se o resistor “RB”, considerando um décimo da corrente de coletor saturado, o valor mínimo
da corrente de base (IBQ) para que o transistor entre em saturação.

IBQ = VE - VBE → RB  5 - 0,7 → RB  1,72K VPM = 1,6K


RB 2,5mA
5.1.1 Aplicação Da Polarização De Base Em Circuitos Digitais
Os circuitos lógicos transistor-transistor (TTL) é uma forma de porta lógica, que apesar de ter
componentes separados é próprio para ser fabricado na forma integrada. O desenho abaixo, mostra a
forma básica de um circuito lógico, onde cada entrada corresponde a um terminal de emissor, sendo
usado um único transistor de múltiplos emissores.
A B C Saída
0 0 0 1
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 0
Podemos observar, pela tabela de Boole, que o circuito
opera como uma porta NÃO-E lógica positiva.
Quando as entradas A, B, C estiverem abertas ou com
+ 5V (emissor com polarização reversa), o diodo de
coletor de “Q1” fica polarizado diretamente e através de RB1, transfere para a base de “Q2” uma
corrente de base suficiente para levar o transistor “Q2” para o estado de saturação, nesta condição, o
nível de saída vai para “ZERO”.
Quando uma das entradas ou toda elas assumirem “ZERO” (0V), o transistor “Q1” através de RB1
entra em estado de saturação (VCE = 0), transferindo para a base de “Q2” uma polarização reversa,
que o faz entrar em corte.
Com “Q2” em corte a saída assume o nível “UM” (1).
Os circuitos lógicos com múltiplos emissores são aplicados em circuitos integrados, porém podemos
criar circuitos lógicos digitais utilizando os transistores triviais

A S
0 1
1 0

S=A

__________________________________________________________________________ 65
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

A B S
0 0 0
S= A + B 0 1 1
1 0 1
1 1 1

A B S
0 0 0
S= A • B 0 1 0
1 0 0
1 1 1

A B S
0 0 1
S = A•B
0 1 1
1 0 1
1 1 0

5.1.2 Aplicação Em Circuitos De Comutação

O transistor com polarização de base, tem uma


ampla aplicação em circuitos de comutação de
relês. As regras de cálculo são as mesmas
aplicadas no item 5.1

66
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Exemplo:

Dimensionar o circuito de comutação para operar um relé de 15V,


com uma resistência de bobina de RL = 125. A tensão de
alimentação C.C. é de 15V e tem uma tensão de acionamento VE = +
3V.

ICSAT = VCC = 15V = 120mA IBSAT  120mA = 12mA


RL 125 10

RB  VE - VBE  3V - 0,7V  191,66 VPM = 180


IBSAT 12mA

Para circuitos eletrônicos que operam com comutação de bobinas, é recomendada a utilização do
“DIODO DE FREEWEELING” (diodo de giro livre - D1), para evitar espúrios no circuito eletrônico
proveniente da força contra-eletromotriz induzida (FCEM), gerado pela bobina do relê.
A operação de relês com indutância elevada, pode gerar tensões induzidas que somadas com a fonte
de alimentação é aplicada aos terminais do coletor e emissor do transistor, podendo ultrapassar a sua
tensão de ruptura e levar o transistor à danificação.
A tensão induzida é gerada no instante em que o transistor entra em estado de corte, contrariando a
causa que deu origem ao campo magnético.
Esta reação pode ser melhor explicado, utilizando a LEI DE LENZ: “O sentido de uma força
eletromotriz induzida é tal que ele se opõe, pelos seus efeitos, à causa que a produziu”.
Com a utilização do diodo “D1”, a tensão induzida será ceifada pelo diodo, provocando um giro de
corrente induzida entre o diodo e o enrolamento da bobina do relê.

5.2 POLARIZAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DO EMISSOR


Possui um resistor de emissor que produz uma estabilização na polarização do transistor. Toda
vez que a corrente de coletor “tender” à uma variação em sua intensidade, a tensão de emissor “VE”
varia, realimentando o sinal de entrada que gera uma variação na corrente de base (IB), que irá
compensar parcialmente as variações da corrente de coletor (IC).

As variações de cc, são compensadas através da tensão no resistor RE.

Nesta configuração o transistor funciona na região ativa, como “Fonte de Corrente”. Se cc variar
em pequena proporção, a corrente de base varia, mas a corrente de coletor permanece constante.

O emissor está amarrado (Bootstrap) à tensão de entrada.

Na seqüência lógica de realimentação temos:

T cc  IC  VE  VRB  IB  IC 

Aumento de temperatura ambiente

__________________________________________________________________________ 67
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
5.2.1 Realimentação Do Emissor Em Emissor-Comum

Lei de Kirchhoff:
O circuito é formado por duas malha:
1a malha “RC  RE”.
RCIC + VCE + REIE - VCC = 0

considerando IC IE
IC (RC + RE) = VCC - VCE

IC  VCC -VCE
RC + RE

2a malha “RB  RE”

RBIB + VBE + REIE - VCC = 0 sendo IB = IC


cc

RB IC + REIE = VCC - VBE considerando: IC  IE


cc
IC  VCC -VBE
IC ( RB + RE ) = VCC - VBE RB + RE
cc cc

Linha de carga C.C.:

A) Cálculo da corrente de coletor em saturação (ICSAT)

ICSAT = VCC ICSAT = 15V = 30,6mA


RC + RE 390 + 100

B) Cálculo da tensão entre coletor-emissor, com o transistor em corte.


VCECORTE = VCC = 15V
68
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
C) Cálculo da corrente de coletor no ponto quiescente (Q), para um transistor que varia o seu cc
entre 100 e 300.
ICQ = VCC - VBE  Para cc = 100 ICQ = 15V - 0,7V = 7,53mA
RB + RE 180K + 100
cc 100
 Para cc = 200 ICQ = 15V - 0,7V = 14,30mA
180K + 100
200

 Para cc = 300 ICQ = 15V - 0,7V = 20,43mA


180K + 100
300
D) Cálculo das tensões “VCE”, para as variações de cc:
cc = 100 cc = 200
VCE = VCC - IC (RC + RE VCE = VCC - IC (RC + RE))
VCE = 15 - 7,53mA ( 390 + 100) VCE = 15 - 14,30mA (390 + 100)
VCE = 11,3V VCE =7,99V
cc = 300
VCE = VCC - IC (RC + RE)
VCE = 15 - 20,43mA (390  + 100)
VCE = 4,99V
No exemplo, para uma variação de 3 : 1 em cc, a corrente de coletor praticamente varia na
mesma proporção. Na prática estas variações são inaceitáveis e este tipo de polarização é menos
utilizado. Podemos observar na configuração, que para um resistor de base ligeiramente inferior
ao produto “cc RC”, leva o circuito a saturação. Para operar com o transistor em saturação é
necessário fazer RB = ccRC, e teremos:

Dimensionamento Dos Resistores IC  VCC - VBE


RC + RE
Para o dimensionamento dos resistores, usaremos o circuito mostrado na linha de carga C.C.
Dados: ICMAX do transistor 100mA ICSAT que se deseja no circuito 30mA
cc do transistor à temperatura ambiente 200 VCC da fonte de alimentação +15
Sabendo que a corrente de saturação do circuito deverá assumir 30mA, idealmente, que no ponto
quiescente: ICQ = 15mA e VCEQ = 7,5V

A) Cálculo do resistor de emissor (RE)


Para o cálculo do resistor de emissor, faz-se como regra VE = VCC/10, então:
RE = VE = 1,5V = 100 VPM = 100
ICQ 15mA
B) Cálculo do resistor de coletor (RC)
Para localizar o ponto “Q” no meio da reta de carga, faz-se:
RC = 4 x RE = 4 x 100 = 400 VPM = 390
C) Cálculo do resistor de base (RB)

RB  cc(VCC - VE - VBE)  200(15V - 1,5V - 0,7V)  170,66K VPM = 180K


ICQ 15mA

__________________________________________________________________________ 69
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
5.2.2 Realimentação Do Emissor Em Seguidor De Emissor

Este tipo de polarização, tem o mesmo princípio de


funcionamento especificado no item - 7.2. A tensão de
coletor é fixada no valor positivo da fonte de
alimentação. Para VCE aproximadamente igual à
metade da tensão VCC, permitindo que a tensão de saída
varie o máximo antes que haja distorção, a tensão de
emissor (VE) deve ser fixada em torno da metade de
VCC.
VCC = VEQ + VCEQ

Lei De Kirchhoff:
O circuito é formado por duas malhas

1a Malha “VCE  REIE”


IC  IE  VCC - VCE
VCE + REIE - VCC = 0
RE
2a Malha “RB  RE”

RBIB + VBE + REIE - VCC = 0 sendo: IB = IC


cc
RBIC + REIE = VCC - VBE considerando IC  IE
cc
IC (RB + RE) = VCC - VBE IC  VCC - VBE
cc RB + RE
cc

Linha de Carga C.C.

A) Cálculo da corrente de coletor em estado de saturação (ICSAT):

ICSAT = VCC = 15V = 29,4mA


RE 510
70
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

B) Cálculo da tensão entre coletor-emissor com o transistor em corte:

VCECORTE = VCC = 15V

C) Cálculo da corrente de coletor no ponto quiescente (Q), para um transistor que varia o seu cc
entre 100 e 300.

ICQ = VCC - VBE


RB + RE
cc

Para cc = 100 ICQ = 15 V - 0,7 V = 10,07mA


91K + 510
100

Para cc = 200 ICQ = 15 V - 0,7V = 14,82mA


91K + 510
200

Para cc = 300 ICQ = 15 V - 0,7V = 17,58mA


91K + 510
300
D) Cálculo das tensões “VCE”, para as variações de cc:

cc = 100
VCE = 15V - ( 510 x 10,07mA)
VCE = 9,86V

cc = 200
VCE = VCC - REIE
VCE = 15V - (510 x 14,82 mA)
VCE = 7,44V

cc = 300
VCE = 15V - (510 x 17,58mA)
VCE = 6,03V

No exemplo, para uma variação de 3 : 1 em cc, a corrente de coletor tem uma variação inferior à
configuração emissor-comum. Este tipo de configuração apresenta maior estabilização na tensão de
base e consequentemente uma corrente de coletor mais estável. O uso mais comum para o circuito
em seguidor de emissor é como um estágio acoplador, que desempenha a função de transformação
de resistência (de alta para baixa) em uma larga faixa de freqüências, com um ganho de tensão
próximo da unidade. O seguidor de emissor tem ainda a propriedade de elevar o nível de potência de
saída.

__________________________________________________________________________ 71
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Dimensionamento Dos Resistores

Para o dimensionamento dos resistores, teremos como exemplo o circuito mostrado no levantamento
da linha de carga C.C.

Dados: ICMAX do transistor 100mA


ICSAT que se deseja no circuito 30mA
cc do transistor à temperatura ambiente 200
VCC da fonte de alimentação +15

Sabendo que a corrente de saturação do circuito deverá assumir 30mA, idealmente, que no ponto
quiescente: ICQ = 15mA e VCEQ = 7,5V

A) Cálculo do resistor de emissor (RE)

Para o cálculo do resistor de emissor, faz-se como regra VE = VCC/2, para que o ponto quiescente
fique localizado no centro da reta de carga, então:

RE = VE = 7,5V = 500 VPM = 510


ICQ 15mA

B) Cálculo do resistor de base (RB)

RB  cc(VCC - VRE - VBE)  200(15V - 7,5V - 0,7V)  90,66K VPM = 91K


ICQ 15mA

5.3 POLARIZAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DO COLETOR


Este tipo de polarização, também conhecido como ‘AUTOPOLARIZAÇÃO”, compensa
parcialmente o aumento de cc, porém apresenta vantagens sobre a polarização com realimentação
de emissor.
• Na figura -1, esquematizamos um circuito auto polarizado, levando o terminal base ao terminal do
coletor, passando por um resistor RB .

• Na figura - 2, esquematizamos um circuito auto polarizado, com o terminal base em curto com o
terminal do coletor.
• Na figura - 3, mostramos o circuito equivalente da figura - 2.

Na seqüência lógica de realimentação temos:


T cc  IC  VC VRB  IB  IC 

72
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Aumento de temperatura ambiente
Lei de Kirchhoff:

- O circuito é formado por duas malhas:

1a Malha VRC  VCE 2a Malha RC  RB  VBE

RC(IC + IB) + VCE - VCC = 0 RC (IC + IB ) + RBIB + VBE - VCC = 0

Considerando que IB << IC Considerando que IB << IC e IB = IC


cc
RCIC = VCC - VCE RCIC + RB IC = VCC - VBE
cc
IC (RC + RB ) = VCC - VBE
IC  VCC - VCE cc
RC
IC  VCC - VBE
RC + RB
cc
5.3.1 Linha De Carga CC:

A) Cálculo da corrente de coletor em saturação (ICSAT):

ICSAT = VCC = 15V = 29,40mA


RC 510

B) Cálculo da tensão entre coletor-emissor com o transistor em corte (VCECORTE):

VCECORTE = VCC = 15V

C) Cálculo da corrente de coletor para um transistor que varia o seu cc entre 100 e 300

ICQ = VCC - VBE ICQ = 15V - 0,7V = 9,47mA ICQ = 15V - 0,7V = 14,16mA
RB + RC 510 + 100K 510 + 100K
cc 100 200
ICQ = 15V - 0,7V = 16,96mA
510 + 100K
300
__________________________________________________________________________ 73
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D) Cálculo das tensões “VCE”, para as variações de cc:

cc = 100 cc = 200


VCE = VCC - RCIC VCE = VCC - RCIC
VCE = 15 - (510 x 9,47mA) VCE = 15 - (510 x 14,16mA)
VCE = 10,17V VCE = 7,78V

cc = 300
VCE =15V - (510 x 16,96mA)
VCE = 6,35

5.3.2 Dimensionamento Dos Resistores

Para o dimensionamento dos resistores temos como exemplo o circuito mostrado no levantamento
da linha de carga C.C., funcionando como “Fonte de corrente”. Para a configuração mostrada na
figura-2, realimentação do coletor com RB=0, o transistor opera como “Chave” em estado de
saturação com um VCE = VBE  0,7V. Para a configuração chave o resistor de coletor será calculado
pela formula:

RC  VCC
ICMAX X 0,9

Dados: ICMAX do transistor 100mA


ICSAT que se deseja no circuito 30mA
cc do transistor à temperatura ambiente 200
VCC da fonte de alimentação +15V
Sabendo que a corrente de saturação do circuito deverá assumir 30mA, idealmente, que no ponto
quiescente: ICQ = 15mA e VCEQ = 7,5V

A) Cálculo do resistor de coletor (RC)

Para o cálculo do resistor de coletor, faz-se como regra VRC = VCC/2, para que o ponto
quiescente fique localizado no centro da reta de carga, então:

RC = VRC = 7,5V = 500 VPM = 510


ICQ 15mA

B) Cálculo do resistor de base (RB)


VPM = 100K
RB  cc RC  200 x 510  102K

VANTAGENS APRESENTADAS NA AUTOPOLARIZAÇÃO

1) O circuito não permite a saturação do transistor, independente do valor mínimo que a resistência
de base possa ter. À medida que você diminui a resistência de base, o ponto de operação “Q”
desloca-se em direção ao ponto de saturação da linha de carga CC, mas não pode atingir o ponto
de saturação mesmo que a resistência de base seja igual a zero (RB = 0). Quando RB = 0, o
transistor está com a base em curto e o VBE = VCE = 0,7V.

74
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
2) Para uma variação de cc, a corrente de saída (IC) tem uma variação bem menor que a variação
existente nos circuitos com polarização feita através de realimentação do emissor em configuração
emissor-comum.
Em nosso exemplo, para uma variação 3 : 1 de cc, a corrente de coletor sofreu uma variação de
 2 : 1.
Podemos citar como aplicação da configuração realimentação do coletor com RB=0, nos
amplificadores de potência na configuração “Push-Pull”, onde sua função é supervisionar
variações de temperatura no invólucro do transistor de amplificação de áudio.

E) Cálculo do ponto ideal de trabalho

O ponto ideal de trabalho, “ponto Q”, mostrado no gráfico da linha de carga cc, localizado
próximo à metade da linha de carga, usa-se:
IC = VCC - VBE
RB = cc RC
2RC

5.4 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO


Este tipo de polarização é um dos mais utilizados no campo da eletrônica, também conhecido
como “Polarização Universal”.
Na figura, o divisor de tensão é formado pelos resistores R1 e R2, sendo a tensão nos terminais
do resistor R2, a responsável pela polarização direta do diodo emissor.

5.4.1 Parâmetros Elétricos


A) Queda de tensão no resistor de coletor (VRC)
VRC = ICRC
B) Tensão entre os terminais coletor-emissor (VCE)
VCE = VCC - (RCIC + REIE) ou VCE = VC - VE
Adota-se como regra para projetos: VCE  0,5 x VCC
C) Tensão de coletor (VC):
É a tensão medida entre o terminal de coletor e a massa.
VC = VCC - RCIC ou VC = REIE + VCE
D) Tensão de emissor (VE)
É queda de tensão no resistor de emissor (VRE)
VE = VRE = REIE ou VE = VB – VBE
Adota-se como regra para projetos: VE  0,1 x VCC

__________________________________________________________________________ 75
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
E) Tensão entre base-emissor (VBE)
VBE = VB - VE = 0,7V  para transistores de silício
VBE = VB - VE = 0,3V  para transistores de germânio

F) Tensão de base (VB)


VB = VE + VBE ou
VB = V2 = VR2 = VTH

G) Tensão thevenin (VTH)


É a tensão que aparece nos terminais de base em relação à massa.
VTH = R2 x Vcc
R1 + R2
H) Tensão V1
É a tensão nos terminais do resistor R1.  V1 = VR1 = VCC - VTH

I) Corrente de emissor (IE):


Nesta configuração o cc não aparece na fórmula para cálculo da corrente de emissor; isto
implica que o ponto “Q” é fixo, independente das variações de cc.

IE  VTH - VBE
RE
J) Corrente de coletor (IC).
Aplicando Kirchhoff à malha de entrada:

VR1 + VBE + VE - VCC = 0 sendo: VTH= VCC - VR1


VCC - VTH + VBE - VCC = 0
-VTH + VBE + VE = 0 sendo: VE = REIE e IC  IE
-VTH + VBE + REIE = 0 REIE = VTH - VBE 
IC  VTH - VBE IE  VTH - VBE
RE RE

K) Corrente de base (IB)  IB = IC .


cc
5.4.2 Divisor De Tensão

Cálculo do Resistor Thevenin

Aplicamos o teorema de thevenin, colocando


em curto a fonte de alimentação (VCC), nestas
condições R1 fica em paralelo com R2, e a
resistência thevenin é dada pela fórmula:

RTH = R1 x R2
R1 + R2

76
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
A)Divisor De Tensão Estabilizado
Para que um divisor seja estabilizado, faz-se R2  0,01 cc RE

B)Divisor De Tensão Firme


Faz-se R2  0,1cc RE.
Satisfazendo-se esta condição, significa que a corrente de coletor (IC) será de aproximadamente 10%
mais baixa que o valor ideal, dado pela equação: IC = VTH - VBE
RE
5.4.3 Linha De Carga CC

A) Determinar o ponto superior da linha de carga C.C., curto-cicuitando mentalmente os terminais de


emissor-coletor, nestas condições RC fica em série com RE, dando origem a uma corrente de
coletor saturado (ICSAT).

ICSAT = VCC = 30V = 8mA


RC + RE 3k + 750

B) Determinar o ponto inferior da linha de carga CC, abrir mentalmente os terminais do coletor e
emissor, e medindo nos terminais de RC e RE, a tensão VCE de corte.

VCECORTE = VCC = 30V

C) Cálculo da tensão thevenin (VTH)

Abra mentalmente o terminal de base na figura. Desse modo, você olhando para um divisor de
tensão descarregado, cuja tensão thevenin pode ser dada através das equações.

R1I1 + R2I2 - VCC = 0 sendo I1 = I2 = I


I (R1 + R2) = VCC
I = VCC
R1 + R 2

Sendo “I” a corrente que circula pelos resistores R1 e R2, e a tensão thevenin, é
a que aparece sobre os terminais do resistor R2, podemos dizer:

VTH = VCC VTH = R2 x VCC VTH = 1,1K x 30V = 3,84V


R2 R1 + R2 R1 + R 2 1,1K + 7,5K

__________________________________________________________________________ 77
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
D) Cálculo da corrente quiescente de coletor (ICQ).

ICQ = VTH - VBE = 3,84V - 0,7V = 4,19mA


RE 750

E) Cálculo da tensão quiescente de coletor (VCQ).

VCQ = VCC -RCIC VCQ = 30V - (3K x 4,19mA) = 17,43V

F) Cálculo da tensão quiescente de emissor (VEQ).

VEQ = REIE = 750 x 4,19mA = 3,14V

G) Cálculo da tensão quiescente nos terminais coletor-emissor (VCEQ).

VCEQ = VCQ - VEQ = 17,43 - 3,14V = 14,19V

No exemplo dado, o valor do resistor R2, satisfaz a equação R2  0,01 cc RE, logo:
R2 < 0,01 x 150 x 750; neste caso podemos afirmar que o divisor de tensão calculado para o
circuito, é um divisor estabilizado.

5.4.4 Dimensionamento Dos Resistores

Para projetos, onde se deseja trabalhar com o transistor próximo ao meio da linha de carga C.C.,
adotamos as fórmulas indicadas abaixo e utilizamos como exemplo o esquema dado no sub-item 5.4.3

A) Resistor de emissor:

A tensão de emissor, deve ser de aproximadamente um décimo da tensão VCC.


VE = VCC = 30V = 3,0V
10 10

RE = VE = 3,0V = 750 VPM = 750


IE 4,0mA

B) Resistor de Coletor:
O resistor de coletor, deve ser de aproximadamente quatro vezes o resistor de emissor, para que
a tensão VCE seja de 50% de VCC.

RC = 4 x RE RC = 4 x 750 = 3K VPM = 3K

C) Resistores do circuito divisor de tensão:


1 - determina-se a tensão de base que deve ser de um décimo de VCC mais a tensão VBE.

VB = VCC + VBE → VB = 30V + 0,7V = 3,7V


10 10
Como a tensão VB é a mesma tensão nos terminais de R2, podemos dizer que:

VB = V2 = 3,7V

78
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
2 - Determina-se o valor ôhmico do resistor “R2”, aplicando a fórmula do divisor desejado:

R2  0,01ccRE R2  0,01 x 150 x 750 R2  1125 VPM = 1K1

Este valor pode ser alterado numa faixa de  20% do valor calculado , sem que o divisor perca suas
características. O valor de cc utilizado para o cálculo é o valor mais baixo da especificação.

3 - Determina-se a tensão “V1”, aplicando-se a fórmula:

V1 = VCC - V2
V1 = 30V - 3,7V = 26,3V

4 - Determina-se o valor ôhmico do resistor “R1”, aplicando-se a fórmula:

R1 = V1 x R2 = 26,3V + 1,1K = 7,8K VPM = 7K5


V2 3,7V

5.5 POLARIZAÇÃO DO EMISSOR


Este tipo de polarização é usado, quando se dispõe de uma alimentação separada; como exemplo,
podemos citar as fontes de alimentação simétrica (+V - 0 - -V).
A configuração oferece um ponto “Q” bem firme, exatamente como faz uma polarização por divisor
de tensão.

LEI DE KIRCHHOFF:
O circuito é formado por duas malhas:
1a Malha “RC  RE”:
RCIC + VCE + REIE - VEE - VCC = 0 IC  VCC + VEE - VCE
IC ( RC + RE) = VCC + VEE - VCE RC + RE
2a Malha “RB  RE”:
RBIB +VBE +REIE - VEE = 0 sendo IB = IC e IC  IE
cc IC  VEE - VBE
RB + RE
IC ( RB + RE) = VEE - VBE cc
cc
O circuito apresenta um ponto “Q” fixo portanto podemos determinar a corrente de emissor, pela
fórmula:
IC  IE  VEE - VBE
RE
__________________________________________________________________________ 79
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
5.5.1 Parâmetros Elétricos:

A) Queda de tensão no resistor de coletor (VRC)


VRC = RCIC
B) Tensão de coletor (VC)
É a tensão medida entre o terminal de coletor e massa.
VC = VCC – RCIC
C) Tensão de emissor (VE)
É a tensão medida entre o terminal de emissor e massa.
VE = VEE - REIE
D) Tensão entre os terminais coletor-emissor (VCE)
VCE = (VCC + VEE) - (RCIC + REIE) ou VCE = VC - VE
E) Queda de tensão no resistor de emissor (VRE)
VRE = REIE
F) Tensão entre base-emissor (VBE)
VBE = VB - VEE - REIE
G) Tensão de base (VB)
VB = VE + VBE
H) Corrente de emissor (IE)
IE  VEE - VBE
RB + RE
cc
I) Corrente de coletor (IC)
IC  VEE - VBE
RB + RE
cc
J) Corrente de base (IB)
IB = IC
cc
5.5.2 Polarização De Emissor Estabilizado
Para que um projeto seja considerado estabilizado, é necessário que o resistor de emissor seja
de, pelo menos, 100 vezes maior que RB/cc, ou RB  0.01ccRE.
A tensão de base aproxima-se de “0V” e a tensão do emissor de aproximadamente -0,7V.
Linha De Carga CC:

80
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
A) Determinar o ponto superior da linha de carga C.C., curto-circuitando mentalmente os terminais
de emissor-coletor, nestas condições RC fica em série com RE, dando origem a uma corrente de
coletor saturada (ICSAT) do circuito.
VCC + VEE - VCE 15V +15V - 0V
ICSAT = VCE = 0 ICSAT = = 19,87mA
RC + RE 510 +1K
O ponto ICSAT do transistor, é o valor de corrente máximo admissível no transistor, definido pelo
fabricante, em nosso exemplo igual a 100mA.

B) Determinar o ponto inferior da linha de carga C.C., abrindo mentalmente os terminais do coletor
e emissor, medimos nos terminais de RC e RE, a tensão VCE de corte.

VCECORTE = VCC + VEE = 30V

C) Cálculo da corrente de coletor de trabalho (ICQ)

ICQ  VEE - VBE ICQ  15 - 0,7 = 14,3mA


RE 1K

D) Cálculo da tensão quiescente de coletor (VCQ)

VCQ = VCC - RCIC VC = 15V - (510 x 14,3mA) = 7,71V

E) Cálculo da tensão quiescente de emissor (VEQ)

VEQ = REIE - VEE VEQ = (1K x 14,3mA) - 15V= -0,7V

F) Cálculo da tensão quiescente nos terminais coletor-emissor (VCEQ)

VCEQ = VCQ - VEQ VCEQ = 7,71V - (-O,7V) = 8,41V


VCC + VEE = RC + VCEQ + RE
15V + 15V = 7,293V + 8,41V + 14,3V
30V = 30V
Podemos observar na reta de carga, que nesta configuração não é possível estabelecer o ponto “Q”
no meio da reta de carga. Isto se deve ao valor ôhmico do resistor de coletor, se RC = 0, o ponto de
saturação do circuito deslocaria para 30mA e assim o ponto “Q” estaria localizado próximo ao meio
da reta de carga. Como regra de projeto adota-se fazer o resistor de coletor próximo à metade do valor
ôhmico do resistor de emissor. Não é recomendado fazer RC extremamente baixo, pois a impedância
de saída do circuito assumiria, também, um baixo valor, o que o tornaria difícil no acoplamento com
outros estágios amplificadores. Esta configuração com RC=0 , tem grande aplicação em circuitos
amplificadores lineares (pequena oscilação no sinal de entrada).Para os amplificadores de potência,
a fonte simétrica terá sua aplicação usando dois transistores em configuração “Push-Pull”.

Dimensionamento Dos Resistores


Para o dimensionamento dos resistores, teremos como exemplo o circuito mostrado no levantamento
da linha de carga cc.
Dados: ICMAX do transistor 100mA
ICSAT que se deseja no circuito 30mA
cc do transistor à temperatura ambiente 200
+
VCC e -- VCC da fonte de alimentação +15 - 0 - - 15V
__________________________________________________________________________ 81
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Sabendo que a corrente de saturação do circuito deverá assumir 30mA, idealmente, que no ponto
quiescente ICQ = 15mA e VCEQ = 15V.
A) Resistor de emissor
VEE - VBE 15V - 0,7V 14,3V
RE = = = = 953
ICSAT 30mA 15mA
2 2 VPM = 1K
B) Resistor de coletor:
O resistor de coletor, deve ser aproximadamente a metade do valor do resistor de emissor:

RC = RE = 1K = 500 VPM = 510


2 2
C) Resistor de base:
Para um projeto estabilizado, aplica-se a fórmula:
RB  0,01 ccRE
Para cc = 70  RB  0,01 x 70 x 1K = 680
Exemplo:
1 - Calcular os valores dos resistores no circuito abaixo, para uma polarização estabilizada. A fonte
de alimentação é +10V e -10V, dimensionar o circuito para que a corrente quiescente de coletor
seja de 5mA, sabendo que o transistor tem um cc de 540.

RE = 10V - 0,7V = 1860 → VPM = 1K8


5mA

RC = 1,8K = 900  → VPM = 910


2

RB  0,01 x 540 x 1,8K = 9720 → VPM = 9K1

Desconsiderando o valor de cc:

ICQ = 10V - 0,7V = 5,16mA VCQ =10V-(5,16mA x 910) = 5,3044V


1,8K

VEQ = 10V - (5,16mA x 1,8K) = -0712V VCEQ = 5,305V + 0,712V = 6,017V

VBQ = -0,712V + 0,7V = 12mV IBQ = 5,16mA = 9,5A


540

VRB  VB  RBIB VBQ = 9,1K x 9,5a = 86,45mV

12mV  86,45mV

82
__________________________________________________________________________
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Considerando o valor de cc

ICQ = 10V - 0,7V = 9,3V = 5,12mA VCQ = 10 - (5,11mA - 910) = 5,35V


1,8K + 9,1K 1,82K
540

VEQ = (5,11mA x 1,8K) - 10V = -0,802V VCEQ = 5,35V + 0,802V = 6,152V

VBQ = -0,802V + 0,7V =102mV IBQ = 5,11mA = 9,46 A


540
VRB  VBQ  RBIB VBQ = 9,1K x 9,46 A = 86,09mV
102mV  86,09mV

NOTA: A fórmula para cálculo da corrente de coletor, considerando o cc do transistor, oferece
maior precisão nos cálculos.

5.6 CIRCUITOS COMPLEMENTARES


O transistor PNP é chamado complemento do transistor NPN. A palavra “complemento” significa
que todas as tensões e correntes são opostas às do transistor NPN. Todo circuito NPN tem um circuito
PNP complementar. Para se determinar o circuito complementar:
a) Substitua o transistor NPN por um transistor PNP
b) Inverta todas as correntes e tensões.

__________________________________________________________________________ 83
CIRCUITOS POLARIZADORES DE TRANSISTOR
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

VI - CAPACITORES DE ACOPLAMENTO E DERIVAÇÃO

CAPACITOR: Dispositivo capaz de acumular energia temporariamente, consiste


especialmente de duas superfícies condutoras, separadas por um dielétrico, tal como: papel, mica, ar,
folha plástica, óleo mineral, óleo askarel, cerâmica, óxido de alumínio e poliéster.
Basicamente suas funções em circuitos eletrônicos, são:
• Armazenar energia elétrica;
• Bloquear a passagem de corrente contínua;
• Permitir um fluxo de componente alternada dentro de certos limites, determinados pela
capacitância e pela freqüência do sinal aplicado.

A quantidade de energia armazenada por um capacitor é dado pela sua “capacitância”.

C= Q Q = carga em coulomb
V V = tensão em volts
C = capacitância em “FARAD”

A capacitância de um capacitor, está relacionada com o seu dielétrico e suas armaduras:

• Dielétrico  Material que oferece uma “ALTA” resistência à passagem da corrente elétrica
embora não se oponha à passagem de linhas de força, magnéticas ou eletrostáticas. Quanto melhor
sua característica isolante e menor a sua espessura, maior será sua capacitância.

• Armaduras  Placas condutoras de energia que desempenham a função de armazenar elétrons e


lacunas. Quanto melhor a condutividade do material e maior for sua área, maior será sua
capacitância.
SIMBOLOGIA
SÍMBOLOS CARACTERÍSTICAS DIELÉTRICOS
OPERATIVAS
papel, mica, ar, folha plástica,
Não polarizado óleo mineral, óleo askarel,
cerâmica e poliéster.
polarizado óxido de alumínio (eletrolítico)
variável ar
ajustável mica

O estudo sobre capacitores (tecnologia de construção e operação), serão considerados na


Disciplina de Circuitos Elétricos.
84
__________________________________________________________________________
CAPACITORES - ACOPLAMENTO / DERIVAÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

6.1 CAPACITORES DE ACOPLAMENTO

Dispositivo capaz de acoplar sinais alternados entrando


ou saindo de um estágio transistorizado, sem variar as
tensões de polarização C.C.
O resistor em série com a fonte de sinal, denominado de
“RS”, equivale à resistência ôhmica interna da fonte de
sinal.

Simplificando o circuito, aplicando o teorema de THEVENIN:

A intensidade da corrente alternada em um circuito “RC” com uma única malha é:


V 1
I CA = XC = f = freqüência do sinal aplicado (Herts)
R 2 + XC 2 2 fC
C = capacitância em Farad
XC = reatância capacitiva em Ohms

Para o nosso circuito RT = RS + RTH


Podemos concluir que a medida que a freqüência do sinal de entrada aumenta, XC diminui.

6.1.1 Acoplamento Estabilizado

Para que o acoplamento seja estabilizado, calcula-se o capacitor de acoplamento considerando


a freqüência mais baixa a ser acoplada e faz-se a reatância capacitiva (XC), menor ou igual a um
décimo da resistência total em série (RT).
1 1
XC  0,1R T XC = → C=
2fC 2fC  X C

Exemplo:

1 - Calcular um capacitor de acoplamento estabilizado, para um circuito transistorizado (entrada),


sabendo que sua freqüência de acoplamento varia entre 20 Hz e 30 KHz. O capacitor percebe uma
resistência total de entrada de 20K.

XC = 20K = 2K C 1  3,9 F  VPM = 4,7F


10 6,28 x 20Hz x 2K
__________________________________________________________________________ 85
CAPACITORES - ACOPLAMENTO / DERIVAÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
2 - No circuito abaixo, a fonte de C.A. pode ter uma freqüência de 50Hz a 200KHz. Para se ter um
acoplamento estabilizado ao longo desta faixa, que valor deve ter o capacitor de acoplamento?

VPM = 10F

3 - No circuito abaixo, calcular um acoplamento estabilizado para as freqüências de 500Hz a 10Hz.

VPM =10F

4 - No amplificador abaixo, calcular os capacitores de acoplamento para a entrada e saída do


circuito.

a) Circuito de entrada thevenizado

VPM = 1,5F

b) Circuito de saída thevenizado

VPM = 1,0F
86
__________________________________________________________________________
CAPACITORES - ACOPLAMENTO / DERIVAÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

6.2 CAPACITOR DE DERIVAÇÃO:

Dispositivo capaz de acoplar sinais alternados de um ponto desaterrado a um ponto aterrado.

Circuito equivalente thevenizado:

O capacitor de derivação se comporta como um curto para o sinal alternado. O ponto “A”
refere-se ao “Ponto de Terra C.A.”.
O capacitor de derivação não interfere na tensão C.C. no ponto “A” porque ele fica aberto
para as correntes C.C. e entra em curto para as correntes C.A., levando o ponto “A” à terra para as
componentes alternadas.

Para cálculo do capacitor de derivação, usa-se:

RT = RTH RTH = 10K x 2,2K = 1K8 RT = 1K8


10K + 2,2K

XC = RT = 1K8 = 180 CD  1  1,7F VPM= 2,2F


10 10 6,28K x 500Hz x 180

Um capacitor operando como derivador de componente alternada (C.A.), é semelhante a um capacitor


de acoplamento.
 O capacitor de acoplamento estabelece um entrelaçamento entre dois pontos, um composto de
corrente contínua (C.C.) e outro composto de corrente alternada (C.A.).
 O capacitor de derivação, desvia a componente alternada, de um componente passivo (resistor RE)
para um ponto de terra (C.A.).

Para o circuito em exemplo, um amplificador em configuração emissor-comum, traz o seu capacitor


de derivação em paralelo com o resistor de emissor (RE), aterrando o terminal de emissor para as
componentes C.A. que circularem pelo diodo de emissor do transistor “Q1”.
As derivações e acoplamentos capacitivos, são feitos em circuitos eletrônicos que operam com sinais
acima de 10Hz. Para sinais abaixo, torna-se inviável o acoplamento capacitivo devido às grandezas
elétrica (capacitância) e física (tamanho do componente); neste caso, adota-se os acoplamentos
diretos.

__________________________________________________________________________ 87
CAPACITORES - ACOPLAMENTO / DERIVAÇÃO
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

VII - AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)

O terminal do emissor é comum à fonte de


sinal alternado e o terminal de carga; a
tensão que alimenta a carga é colhida entre o
terminal de coletor e massa.

7.1 TEOREMA DE SUPERPOSIÇÃO


Nos amplificadores transistorizados dividimos a análise do circuito em:
Uma análise C.C. e uma análise C.A., para aplicação do teorema de superposição.

Circuito equivalente C.A. e C.C.

1- Reduza a fonte C.A. a zero, curto-circuitando uma fonte de tensão ou abrindo uma fonte de
corrente. Abra todos os capacitores. O circuito que permanece é chamado “equivalente C.C.

Parâmentros C.C. :

IE  IC  IB

VE  VC  VB

VBE  VCE  VCB

2 - Reduza a fonte C.C., curto-circuitando uma fonte de tensão ou abrindo uma fonte de corrente.
Coloque um curto em todos os capacitores (acoplamento e derivação). O circuito que permanece
é chamado “equivalente C.A.”

Parâmetros C.A. :
ie  ic  ib

ve  vc  vb

vbe  vce 

A corrente total em qualquer ramo do circuito é a soma da corrente C.C. e da corrente C.A.
através deste ramo.
A tensão total através de qualquer ramo do circuito é a soma da tensão C.A. e da tensão C.C.
através deste ramo.
88
__________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

7.2 Resistência c.a. do diodo emissor:


É a resistência apresentada pelo diodo do emissor, que aparece entre os terminais base-emissor,
em oposição à circulação de corrente alternada. Para melhor entendimento da resistência C.A. de
emissor, usaremos o circuito simplificado “MODELO EBERS-MOLL”.

r ' e = vbe / ie ou r ' e = VBE / IE


r ' e  resistência C.A. do emissor;
vbe  tensão C.A. através dos terminais
base-emissor;
ie  corrente C.A. através do emissor

VBE  pequena variação na tensão IE  variação correspondente à


base-emissor; corrente do emissor
Na ausência de sinal C.A., o transistor funciona no ponto “Q” (ver gráfico IE  VBE), geralmente
localizado no meio da linha de carga. Ao aplicarmos um sinal alternado, a corrente e a tensão do
emissor variam. O circuito é considerado “linear”, se o sinal de C.A. for pequeno e as variações de
corrente de emissor forem mais próximas do ponto “Q”. O sinal é considerado pequeno se as
oscilações de pico na corrente do emissor forem menores que 10% do valor de corrente quiescente
do emissor. Quando o sinal de entrada, gerar uma variação na corrente de emissor bem acima de 10%
da. corrente de emissor no ponto “Q”, a corrente de emissor não será mais senoidal devido à não
linearidade da curva do diodo.
No caso de um excesso de sinal alternado na entrada do
transistor, a corrente de emissor perde a linearidade da curva,
ficando alongada no semiciclo positivo e comprimida no meio
do ciclo negativo.
A resistência C.A. de um diodo de emissor é diretamente
proporcional à VBE, sendo que a inclinação da curva do diodo
emissor no ponto “Q” determina o valor de r 'e.

Variações na tensão de base-emissor


produzem variações na corrente do
emissor.

Nota: Para verificação preliminar de defeitos e projetos de amplificadores de pequeno sinal, para
qualquer transistor, utiliza-se a dedução matemática da resistência dinâmica de um diodo
de junção (subitem 2.3) e adota-se:

r 'e = 25mV
IE
__________________________________________________________________________ 89
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Exemplos:
1 - Calcular a resistência C.A. de emissor, dos circuitos abaixo:
A)

VTH = 10K x 30V = 10V


30K

IE = 10V - 0,7V = 3,44mA


2,7K

r 'e = 25mV = 7,27


3,44mA

B)

VTH = 1K x 30V = 3,85V


7,8K

IE = 3, 85V - 0,7V = 4,2mA


750

r 'e = 25mV = 5,95


4,2mA

7.3 GANHO DE CORRENTE C.A. -- BETA C.A. (CA)


É o símbolo que indica o ganho de corrente C.A. de um transistor; define-se pela relação entre
IC e IB ou pela relação entre a corrente C.A. (ic) de coletor e a corrente C.A. (ib) de base.
Nas especificações do fabricante de transistores, o ca é indicado por um parâmetro “híbrido”(hfe),
e o cc representado por hFE.

7.4 GANHO DE TENSÃO ( AV )


É a razão da tensão de C.A. de saída (vsaída) pela tensão C.A. de entrada (vent).

AV = vsaída ic = vent  ic  ie
vent r' e

vsaída = - ic Rc  vsaída  - vent Rc  AV = -- RC


r’e r’e
90
__________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
O sinal negativo indicado na tensão de saída, mostra que no semiciclo positivo da tensão de entrada,
a corrente de coletor aumenta, produzindo na saída, o semiciclo negativo. O sinal de saída está
defasado de 180o em relação ao sinal de entrada.

7.5 IMPEDÂNCIAS DO CIRCUITO


A impedância de entrada de um
amplificador, determina a quantidade de
corrente que o amplificador retira da fonte.
Para as freqüências normais de funcionamento
do amplificador, os capacitores de acoplamento
e derivação se comportam como curtos em
C.A. e todas as outras reatâncias são
desprezíveis.

7.5.1 Impedância de entrada de base (Zent b):

Zent b = vent Zent b = ca x ib x r ' e


  Zent b = ca x re
ib ib

7.5.2 Impedância de entrada (Z ent)

Z ent  RTH   Zent b

7.5.3 Impedância de saída ( Z saída):

No circuito amplificador com emissor


aterrado, no lado de saída, podemos ver uma
fonte de tensão alternada “AV x ventb”, em
série com uma impedância de saída “RC”.
Nessa primeira parte de nossos estudos ( cálculos aproximados ) , iremos considerar o
transistor como uma fonte de corrente ideal (resistência interna tendendo ao ).
Portanto, a impedância de saída é:

Z saída . RC

7.6 CARACTERÍSTICAS DA CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM:


• Impedância de entrada base (Zentb)  média - 500 à 6.000
• Impedância de saída do transistor (ZsaídaT )  média - 30K à 150K
• Ganho de corrente  grande - 10 à 500
• Ganho de tensão  médio
• Ganho de potência  alto

__________________________________________________________________________ 91
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

7.7 CÁLCULOS E ANÁLISE DE UM AMPLIFICADOR EMISSOR-COMUM

A) Circuito equivalente C. B) Tensão Thevenin

VTH = R2 x VCC  VTH = 2,2K x 10V= 1,8V


R1 + R2 12,2K

C) Corrente quiescente de coletor (ICQ)

ICQ = VTH - VBE  IC = 1,8V - 0,7V = 1,1mA


RE 1K

D) Resistência C.A. do diodo de emissor (r'e) E) Ganho de Tensão (AV)

r'e = 25mV sendo IE IC AV = RC  AV = 3600 = - 158,38


IE r'e 22,73
r'e = 25mV = 22,73
1,1mA

F) Circuito equivalente C.A. G) Impedância de entrada na base


(Zent b)

Zent b = ca x r'e


Zent b = 150 x 22,3 = 3,41K

H) Impedância de saída (Zsaída) I) Impedância de entrada (Zent)


Zent = RTH  Zent b
Zsaída  RC  3K6 Zent = 1,8K  3,41K = 1,18K
92
__________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
J) Modelo C.A. simplificado K) Tensão C.A. de entrada de base (vent b)

vent b = Zent x vent


Zent + RS

vent b = 1,18K x 10mV = 5,41mV


1,18K + 1K

L) Tensão C.A. de saída com M) Tensão C.A. de saída (vSAÍDA)


a carga desconectada (vth)
vth = ventb x AV vSAÍDA = RL x vth
RL + ZSAÍDA
vth = 5,41mV x 158,38 = 856,83mV vSAÍDA = 1,5K x 856,83mV = -252mV
1,5K + 3,6K
N) Ganho de potência no transistor (APT)

1 - Potência de entrada de base (Pent b)

Pent b = ventb x ib  ib = vent b = 5,41mV = 1,59A


Zent b 3,41K
Pent b = 5,41mV x 1,59A = 8,60nW

2 - Potência de saída (Psaida)

PSAÍDA = vth x ic ic = ib x ca ic = 1,59A x 150 = 238,5A


PSAÍDA = 856,83mV x 238,5A
PSAÍDA = 204,35W

APT = PSAÍDA  APT = 204,35W = 23761


PENTRADA 8,60nW

APT = AV x Ai sendo Ai = ca  APT = -158,38 x 150 = 23757

O) Ganho de potência do circuito (APC)

1 - Potência de entrada do circuito (Pent)


Pent = vent x is is = vent = 10mV = 4,59A
Zent + RS 1,18K + 1K
Pent = 10mV x 4,59A = 45,9nW

2 - Potência de carga (PRL)

PRL = vRL x iRL  iRL = 252mV = 168A


1,5K
PRL = 252mV x 168A = 42,34W

APC = PRL APC = 42,34 W = 922


Pent 45,9nW

__________________________________________________________________________ 93
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

7.8 AMPLIFICADOR EMISSOR-COMUM “ESTÁGIOS EM CASCATA”

A) Circuito equivalente C.C. B) Tensão thevenin (VTH)

10 e 20 estágio:

VTH = 3,9K x 15V = 2,26V


22,9K

C) Corrente quiescente de coletor (ICQ) D) Resistência C.A. de emissor (r'e)


10 e 20 estágio: 10 e 20 estágio
ICQ = 2,26V - 0,7V = 0,78mA r'e = 25mV = 32
2K 0,78mA

E) Ganho de tensão (Av) F) Circuito equivalente C.A.


10 e 20 estágio:
Av = 8,2K = - 256,25
32

G)Impedância de entrada de
base ( Zentb)
10 e 20 estágio
Zentb = 100 x 32 = 3,2k

H) Impedância de entrada (Zent) I) Impedância de saída (Zsaída)


10 e 20 estágio 10 e 20 estágio
Zent =RTH //Zentb Zsaída = 8,2K
Zent = 3,31K // 3,2K = 1,63K

J) Modelo C.A simplificado:

94
__________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
K) Tensão C.A. de entrada de base (Ventbb) L) Tensão thevenin de saída1 (vth1)
10 estágio: 10 estágio
ventb = 1,63K x 900V = 657,85V vth1 = 657,85V x 256,25 =168,57mV
1,63K + 600

M) Tensão C.A. de saída do 10 estágio  entrada do 20 estágio

vsaída1 = vent2 vsaída1 = 1,63K___ x 168,57mV = 27,95mV


1,63K + 8,2K

N) Tensão thevenin de saída2 (vth2)


20 estágio:
vth2 = 27,95mV x 256 = 7,16V

O) Tensão C.A. de saída2 (vsaída2)

vsaída2 = ____51K x 7,16V = 6,17V


51K + 8,2K

7.9 AMPLIFICADOR EMISSOR-COMUM COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL DO


RESISTOR DE EMISSOR
A resistência dinâmica do diodo de emissor de um
transistor pode variar para diferentes temperaturas e
transistores. Qualquer variação no valor de r’e irá variar
o ganho de tensão em um amplificador de emissor
aterrado. Em algumas aplicações estas variações tornam-
se inaceitáveis, e para compensar estas variações, utiliza-
se um resistor de emissor “re” em série com o resistor
C.C. de emissor(RE). A corrente C.C. de emissor, fluindo
através de “re”, produz uma tensão C.A. de emissor;
sendo “re” muito maior que “r’e”, praticamente todo o sinal de C.A. de entrada aparecerá no
emissor. Nesta configuração podemos afirmar que o emissor está amarrado à base tanto em C.C.
quanto em C.A., mantendo o mais estável possível o ganho de tensão do circuito, ver exemplo.
Para o dimensionamento dos resistores, aplica-se a mesma regra vista no subitem 5.4.4, fazendo
“re  30% do valor ôhmico total do resistor de emissor”.

Exemplo:

__________________________________________________________________________ 95
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
A) Circuito equivalente C.C. B) Tensão thevenin
VTH = ___510__ X 12V = 2,44V
2510

C) Corrente quiescente de coletor (IQ)

ICQ = VTH - VBE


RE + re

ICQ = 2,44V - O,7V = 9,67mA


150 + 30

D) Resistência C.A. de emissor (r'e) E)Ganho de tensão C.A (AV)


AV = RC
r'e = 25mA = 2,58
r'e + re
9,67mA
AV = 470 = -14,43
2,58 + 30

F) Circuito equivalente C.A. G)Impedância de entrada de base


(Zentb)

Zentb = ca( re + re )

ZentBASE = 200 (32,58) =


6,52K

H) Impedância de entrada
(Zent)

Zent = RTH  Zentb

Zent = 406,37 // 6,52K = 382,53

I) Impedância de saída (Zsaída) J) Modelo C.A. simplificado

Zsaida = RC

Zsaída = 470

K) Tensão C.A. de base (Ventb) L) Tensão thevenin de saída (vth)


VentBASE = Vent = 100mV vth = vsaída = 100mV x -14,43
vth = - 1,44V
96
__________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
M) Tensão C.A. de saída (vsaída) N) Tensão C.C. de coletor (VCQ)

vsaída= 2,2 K x -1,44V=1,19V VCQ = 12V - (9,67mA x 470)


470 + 2,2K VCQ = 7,45V

O) Tensão C.C. de emissor (VEQ) P) Tensão C.A. de emissor (ve)


VEQ = IE (re + r'e)
ie = vent = 100mV = 3,07mA
re + r'e 30 + 2,58
VEQ = 9,67mA x 180 = 1,74V ve = VRE = reie
ve = 30 x 3,07mA = 92,1mV

7.9.1 Cálculos De Comparação

1 - Ganho de tensão C.A. com o resistor “re” 2 - Ganho de tensão C.A.sem o resistor “re”
Av = 470 = - 14,43 AV = 470 = - 182
30 + 2,58  2,58

Caso a temperatura aumente e haja uma variação de 100% em r'e :

r'e = 2,58  passa a ser: r'e = 5,16

1- variação do ganho de tensão com re: 2 - variação do ganho de tensão sem re:
AV = 470 = - 13,37 AV = 470 = - 91,08
30 + 5,16 5,16

AV= 14,43 - 13,37 = 1,06 AV = 182 - 91,08 = 90,92

CONCLUSÃO

• A diminuição do ganho de tensão é menor do que 5%, mesmo que r'e aumente 100%; quando se
utiliza o resistor de realimentação parcial (re).

• Quando não utiliza o resistor “re”, o ganho de tensão é alto; mas para um aumento de r'e, o
decréscimo do ganho é grande. (-180 para -90,4).

Uma grande vantagem na realimentação parcial do diodo emissor é a redução da distorção do sinal
amplificado. A variação do ganho de tensão (AV), resulta em um sinal de saída distorcido.
Nos amplificadores de grande sinal, que não usa o encadeamento tanto em C.C. quanto em C.A., o
que significa que o ganho de tensão C.A. (AV) varia ao longo de todo o ciclo do sinal de entrada,
ocasionando uma variação no valor ôhmico da resistência dinâmica do diodo de emissor (r'e).
Para os amplificadores operarem na faixa linear de amplificação, torna-se necessário limitar uma
pequena parte da linha de carga, para evitar a distorção excessiva do sinal.
Acrescentando um resistor (re) em série com a resistência dinâmica do diodo de emissor (r'e),
podemos usar uma parte maior da linha de carga com níveis de distorção menor.
A distorção é reduzida, porque o valor ôhmico de re  r'e, e sendo r'e um resistor ativo não linear e
“re” um resistor passivo linear, praticamente todo o sinal senoidal de entrada aparece através do
resistor de realimentação “re”, isto significa que a corrente de coletor terá também uma variação
senoidal.

__________________________________________________________________________ 97
AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM (EC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

VIII - AMPLIFICADORES COLETOR-COMUM


O amplificador coletor comum “CC”, é fortemente realimentado pelo emissor, com o resistor
de coletor em curto (Rc = 0) e a retirada da tensão de saída é feita nos terminais do resistor de emissor.
O circuito também é chamado de “seguidor do emissor “, porque a tensão C.C. do emissor, segue a
tensão C.C. da base.
Vsaída = VB - VBE = VE

Com base nesta equação, podemos afirmar que a tensão alternada de saída (vsaída) está em fase com
a tensão alternada de entrada (vent).

ICQ= VB - VBE
RE

A configuração coletor-comum é usada principalmente para fins de casamento de impedância,


é como um estágio acoplador que desempenha a função de transformação de impedância (de alta para
baixa impedância), em uma larga faixa de freqüências, com um ganho de tensão próximo da unidade.
O seguidor de emissor, tem ainda a propriedade de elevar o nível de potência de saída. Para os
amplificadores de áudio, é usado o primeiro estágio em configuração “EC” para elevar o sinal de
entrada e o estágio final em configuração “CC” para diminuir a impedância a ser acoplado na carga.

8.1 - LINHA DE CARGA C.C. :

A) Determine o ponto superior da linha de carga C.C.,


curto-circuitando mentalmente os terminais de emissor-coletor, nesta condição RE fica sendo
alimentado pela tensão VCC, dando origem a uma corrente de coletor saturado (ICsat).
Icsat = VCC = 15V = 1,25mA
RE 12K
B) Determina o ponto inferior da linha de carga C.C., abrindo mentalmente o terminal de emissor, e
medimos nos terminais de coletor e emissor, a tensão VCE de corte.

VCEcorte = VCC = 15V

98
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AMPLIFICADORES COLETOR-COMUM
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
C) Cálculo da corrente quiescente de coletor (ICQ)
8,2 V − 0,7 V
ICQ = = 0,625mA
12 K
D) Cálculo da tensão VCEQ
VCEQ= VCC - REIE VCEQ = 15V - 7,5V = 7,5 V
VCEQ= VCC - Vsaída

Quando aparecer na base do transistor, uma tensão contínua e uma componente alternada, a
linha de carga C.A. é a mesma linha de carga C.C. porque IC e VCE vão apresentar uma flutuação
senoidal, conforme o sinal de entrada. Se o sinal for suficientemente grande para usar toda a linha de
carga C.A., o transistor atingirá a saturação e o corte nos picos. Para que se tenha uma excursão da
tensão de saída para um valor de pico a pico de VCC, é necessário que se faça ICQ igual a 50% de
ICSAT.

8.2 - GANHO DE TENSÃO (AV)

Para um melhor entendimento do cálculo do ganho de tensão, mostramos na figura abaixo o circuito
equivalente C.A., referente ao item 8.1.
vsaída = ie RE vent = ie (RE + re)

AV = vsaída = ieRE  AV = RE
RE + re
vent ie (RE + re)

Na maioria das configurações, o resistor RE >>


r’e e o ganho de tensão aproxima-se da unidade

8.3 - CARACTERÍSTICAS DA CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM


A- Impedância de entrada de base - ALTA -100 a 800K
B- Impedância de saída - BAIXA -10 a 100 
C- Ganho de corrente - GRANDE -10 a 500
D- Ganho de tensão - BAIXO -<1
E- Ganho de potência - BAIXO -

8.4 - CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM, COM POLARIZAÇÃO POR


REALIMENTAÇÃO DO EMISSOR

DADOS:
cc = 45
ca = 40
ICmax = 4mA

99
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AMPLIFICADORES COLETOR-COMUM
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8.4.1- Dimensionamento dos resistores

A) Resistor de Emissor ( RE )
Para se obter uma excursão da tensão de saída igual ao valor de pico-a-pico de VCC, aplica-se:
ICSAT = 0,9 x ICmax = 0,9 x 4mA = 3,6mA
RE = VCC = 9V = 2,5K VPM = 2K4
ICSAT 3,6mA

B) Resistor de Base (RB)


O resistor de base é o responsável pela definição do ponto de saturação do circuito, como em
nosso exemplo queremos que o transistor no circuito tenha uma plena utilização, usa-se:

RB  cc x RE RB  45 x 2,4K RB  108K VPM = 100K

8.4.2- Circuitos Equivalentes e Cálculos dos Parâmetros:


A) Circuito equivalente C.C. B) Corrente quiescente de coletor (ICQ)
ICQ = VCC - VBE
RE + RB
cc
ICQ = 9V - 0,7V = 1,8mA
2,4K + 100K
45
Para um cálculo aproximado podemos considerar:
ICQ  IEQ  1,80mA

C)Tensão de base quiescente (VBQ ) D) Resistência CA do diodo emissor (re)


= 25mV = 13,89
VB
VBQQ == VE
REIE+ QVBE
+ VBE r’e = 25mV 1,8mA
r’e = 14,88 
VBQ = 2,4K x 1,80mA + 0,7 ICQ
VBQ = 5,02V
E) Circuito Equivalente C.A. F) Ganho de Tensão
AV = RE = 2,4K
RE + re 2,4 K + 13,89

AV = 0,99

G) Impedância de entrada de base (Zentb)


• Zent ca (re
Comb =carga conectada:
+ RE//RL) • Com b = ca
Zentcarga desconectada:
(re + RE)

Zentb = 40 (13,89 + 21,8) Zentb = 40 (13,89 + 2,4K)


Zentb = 1,43K Zentb = 96,55K
100
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H) Impedância de entrada (Zent)
• Com carga conectada: • com carga desconectada:
Zent = Zentb //RB Zent = Zentb //RB
Zent =1,43K //100K Zent = 96,55K // 100K
Zent = 1,41K Zent = 49,12K

I) Impedância de saída (Zsaída)


Aplicando “KIRCHHOFF”, no circuito equivalente C.A. , teremos:
ie re + ie RE - vent + ib (RB//RS) = 0
ie( re + RE) + ib (RB// RS) = vent sendo ib = ie
. ca
ie (re + RE) + ie(RB // RS) = vent ie (r’e + RE + (RB // RS) = vent
ca ca
ie = vent  ie = vent  Zsaída = vent. = 
re + RE + (RB//RS) Zsaída ie
ca
Como o resistor de carga está em paralelo com o resistor “RE”, a carga não vê o resistor “RE” como
oposição à sua corrente de carga , concluímos que:

Zsaída = re + (RB// RS) Zsaída = 13,89  + (100K// 1K) = 38,64


ca 40

Conforme características da configuração “CC”, mostrado no subítem - 8.3, a impedância calculada


encontra-se dentro da faixa de especificação.

J) Modelo C.A. simplificado

K) Tensão C.A. de entrada de base (ventb)


• Com carga conectada • Com carga desconectada:
ventb = Zent x vent ventb = 49,12K x 2,0V
Zent + Rs 49,12K + 1K
ventb = 1,96V
ventb = 1,41 K x 2,0V = 1,17V
1,41K + 1K

L) Tensão C.A. de saída (vsaída)


• Com carga conectada • Com carga desconectada
RL vsaída = ventb  AV
vsaída = ventb  AV 
RL + Zsaída vsaída = 1,96V  0,99
vsaída = 1,94V
vsaída = 1,17V x 0,99 x 22 = 420mV
22 + 38,64
101
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M) Ganho de Potência
1] Potência de entrada de base com carga desconectada (Pentb)
ib = ventb ib = 1,96V = 20,3A
Zetb 99,55K

Pentb = ventb x ib Pentb = 1,96V x 20,3A = 39,79W

2] Potência de saída com carga desconectada (Psaída)


ie = ib x ca ie = 20,3A x 45 = 913,5A
Psaída = vsaída x ie Psaída = 1,94V x 913,5A = 1,77mW

3] Ganho de potência no transitor (APT)


APT = Psaída APT = 1,77mW = 44,48
Pentb 39,79W

Podemos adotar a fórmula direta:


APT = Av x ca APT = 0,99 x 45 APT = 44,55

4] Potência de entrada do circuito com carga (Pent)


is = vent = 2,0V = 829,87A
RS + Zent 1K + 1,41K

Pent = vent x is = 2,0V x 829,87A = 1,66mW

5] Potência de saída com carga (Psaída)


iRL = vsaída = 420mV = 19,09mA Psaída = Vsaída x iRL
RL 22
Psaída = 420mV x 19,09mA = 8,02mW

6] Ganho de Potência do circuito (APc)


APc = Psaída = 8,02mW = 4,83
Pent 1,66mW
8.5 - CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM, COM POLARIZAÇÃO POR
DIVISOR DE TENSÃO

DADOS:

cc = 45
ca = 40
ICmax = 4mA

102
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8.5.1- Dimensionamento Dos Resistores
A) Resistor de emissor (RE)
Para obter uma excursão de tensão de saída igual ao valor de pico-a-pico de VCC, aplica-se:
VEQ  50% de VCC
ICSAT = 0,9 x ICmax = 0,9 x 4mA = 3,6mA
RE  VCC = 9,0 = 2,5K VPM = 2,4K
ICSAT 3,6mA

B) Divisor de Tensão
Seguindo o mesmo objetivo, definido no subitem “A”, fazemos:
V2 = VE + VBE = 4,5V + 0,7 = 5,2V V1 = VCC - V2 = 9V - 5,2V = 3,8V
Para o cálculo dos resistores, podemos adotar o divisor firme (RTH  0,1 x cc x RE) ou o
divisor estabilizado (RTH  0,01 x cc x RE). Para a configuração “CC”, que tem como
característica uma alta impedância de entrada de base, aplica-se com mais freqüência o divisor
firme.
RTH  0,1 x 45 x 2,4K RTH  10,8K

R2 = 2 x RTH = 2 x 10,8K = 21,6K VPM = 22 K


R1 = V1 x R2 = 3,8V x 22K = 16,08K 22222222K
VPM = 16K
V2 5,2V 16K

8.5.2 - Circuitos Equivalentes e Cálculos Dos Parâmetros


A) Circuito Equivalente C.C. B) Tensão Thevenin (VTH)

VTH = R2 x Vcc
R1 + R2

VTH = 22 K x 9V
22K + 16K
VTH = 5,2V

C) Corrente quiescente de coletor (ICQ) D) Tensão quiescente de emissor (VEQ)

ICQ = VTH - VBE


VEQ = RE x ICQ
RE
ICQ = 5,2 - 0,7 = 1,87mA VEQ = 2,4K x 1,87mA
2,4K VEQ = 4,5V
E)Circuito Equivalente C.A. F) Resistência C.A. do diodo emisso r (re)

re = 25mV = 25 mV
ICQ 1,87mA

re = 13, 36

103
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G) Ganho de Tensão (Av)

AV = RE = 2,4 K AV = 0,994
RE + re 2,4K + 13,36

H) Impedância de entrada de base (Zentb)

A impedância de entrada de base é diretamente proporcional ao Valor Ôhmico da Carga conectada


no circuito. Sendo assim, para que possamos analisar as reações do circuito, iremos calcular as
impedâncias de entrada com e sem carga conectada.

• Com carga conectada • Com carga desconectada


Zentb = ca (RE//RL + re) Zentb = ca (RE + re)
Zentb = 40 (2,4K//22 + 13,36) Zentb = 40 (2,4K + 13,36)
Zentb = 1,41K Zentb = 96,53K
Para a configuração seguidor de emissor, observamos que a impedância de base aumenta
bruscamente, com a retirada da carga; permitindo que o circuito fique ligado apresentando um
consumo dinâmico de baixa potência.
I) Impedância de entrada (Zent)
• Com carga conectada • Com carga desconectada
Zent = RTH//Zentb Zent = RTH//Zentb
Zent = 9,26K // 1,41K Zent = 9,26K // 96,53K
Zent = 1,22K Zent = 8,45K
J) Impedância de saída (ZSAIDA)
Aplicando “KIRCHHOFF”, no circuito equivalente C.A., temos:
ie (re + RE) - Vent + ib (RS//RTH) = 0 Sendo ib = ie
ca
ie (re + RE ) + ie (RS//RTH) = Vent
ca
 RS / / RTH  ie = Vent  ie = Vent
ie ( r  e + RE) +  = Vent
 ca  re + RE + RS//RTH ZSAIDA
ca
ZSAIDA = re + RS//RTH + RE
ca
Como o resistor de carga está em paralelo com o resistor “RE”, a carga não vê o resistor “RE”
como oposição à sua corrente de carga, concluímos que:

ZSAIDA = re + RS//RTH ZSAIDA = 13,36 + 1K//9,26K ZSAIDA= 35,92


ca 40

K) Modelo C.A. simplificado

104
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L) Tensão C.A. de entrada de base (Ventb)

• Com carga conectada • Com carga desconectada


Ventb = Vent x Zent Ventb = Vent x Zent .
Zent + RS Zent + RS
Ventb = 2,0V x 1,22K Ventb = 2,0V x 8,45K . ..
1,22K + 1K 8,45K + 1K
Ventb = 1,1V Ventb = 1,79V

M) Tensão C.A. de saída (VSAIDA)


• Com carga conectada • Com carga desconectada
VSAIDA = Ventb x AV x RL VSAIDA = Ventb x AV
RL + ZSAIDA VSAIDA = 1,79V x 0,994
VSAIDA = 1,1V x 0,994 x 22 VSAIDA = 1,78V
22 + 35,92
VSAIDA = 415,31mV

N) Ganho da potência (AP)


1) Potência de entrada de base, com carga desconectada (Pentb)
ib = Ventb ib = 1,79V = 18,54A
Zentb 96,53K
Pentb = Ventb x ib Pentb = 1,79V x 18,54A = 33,19W

2) Potência de saída no transistor, sem carga (PSAIDA)


ie = ib x ca ie = 18,54A x 40 = 741,6A
PSAÍDA = vSAÍDA x ie PSAÍDA = 1,78V x 741,6A = 1,32mW

3) Ganho de potência no transistor (APT)


APT = PSAÍDA = 1,32mW = 39,77
Pentb 33,19W

Para o ganho de potência no transistor, podemos usar também o produto do ganho de tensão pelo
ganho de corrente.
APT = AV x ca APT = 0,994 x 40 = 39,76

4) Potência de saída na carga (PSAÍDA)


iRL = vsaída = 415,31mW = 18,88mA
RL 22
Psaída = vsaída x iRL = 415,31mV x 18,88mA Psaída = 7,84mW

5) Potência de entrada no circuito com carga conectada (Pent)


is = vent = 2,0V = 900,9A
RS + Zent 1K + 1,22K

Pent = vent x is = 2,0V x 900,9A Pent = 1,8mW


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6) Ganho de potência no circuito (APc)
APc = Psaída = 7,84mW = 4,35
Pent 1,8mW

A configuração coletor-comum, com um ganho de tensão < 1,0, tem na saída a propriedade
de elevar o nível de potência de saída com um baixo ganho de potência. Os exemplos de configurações
“CC” com polarização por realimentação do emissor e por divisor de tensão, apresentam suas
características conforme especificadas no subitem - 8.3. A polarização por divisor de tensão, apesar
de apresentar seu ganho de potência um pouco menor que a polarização por realimentação do emissor,
tem sua aplicação com maior freqüência em amplificadores transistorizados. Em corrente contínua o
circuito com polarização por divisor de tensão apresenta uma melhor estabilização na corrente de
coletor.

8.6- TRANSISTORES EM MONTAGEM DARLINGTON


É formado por seguidores do emissor em cascata que podem ser montados em circuitos
externos ou em um único invólucro de um semicondutor, conhecido como “PAR DARLINGTON”.A
configuração possui uma alta impedância de entrada, baixa impedância de saída e alto ganho de
corrente, sendo que todas estas características são desejáveis em um amplificador de corrente
(configuração coletor-comum), o seu ganho de tensão para a saída tomado no terminal do emissor,
será próximo da unidade (AV  1,0).
8.6.1 - Darlington em configuração externa:

cc1 = cc2 =
100
ca1 = ca2 =
90

8.6.1.1 - Dimensionamento dos resistores


A) Para o dimensionamento do resistor de emissor (RE), torna-se necessário conhecer os dados do
transistor Q2; como exemplo:
ICMAX = 100mA cc = 100 Logo:
ICSAT = ICMAX x 0,9 ICSAT = 100mA x 0,9 = 90mA

RE  VCC = 15V = 166,67


ICSAT 90mA
VPM = 180
Para o transistor Q1, adotamos:
ICMAX  ICSAT = 90mA  900A
cc2 100
B) Divisor de tensão
Para o dimensionamento do divisor de tensão, adotamos RTH 100 vezes menor que o produtor
“RE x cc1 x cc2” para o divisor estabilizado e 10 vezes menos para o divisor firme. Para o
exemplo, divisor firme:
RTH  0,1 x cc1 x cc2 x RE RTH  0,1 x 100 x 100 x 160  160K
106
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Para que se tenha uma simetria das excursões do sinal C.A. de entrada de base e a tensão C.C. de
saída próximo a 50% de VCC, faz:

V2 = VE + 2VBE = 7,5V + 1,4V = 8,9V V1 = VCC - V2 = 15V - 8,9V = 6,1V

R2 = 2 x RTH = 320K VPM = 300K

R1 = V1 x R2 = 6,1V x 300K = 205,6K VPM = 200K


V2 8,9V

8.6.1.2 - Circuitos equivalentes e cálculos dos parâmetros:


A) Circuito equivalente C.C. B)Tensão thevenin (VTH)
VTH = R2 x VCC
R1 + R2

VTH = 300K x
15V
300K + 200K
C) Corrente quiescente de coletor (ICQ) D) Tensão quiescente de emissor (VEQ)
VTH = 9,0V
VE Q = IC Q  RE
VTH − 2 VBE 9 V − 1,4 V
IC Q2 = = = 42,22 mA VE Q = 42,22 mA  180
RE 180
VE Q = 7,6V
ICQ1 = ICQ2 = 42,22mA = 422,22A
cc2 100
IBQ1 = ICQ1 = 422,2A = 4,22A
cc1 100
ICQ1 = IBQ2 = 422,2A

E) Circuito Equivalente C.A. F) Resistência C.A. do emissor (re)

re2 = 25mV = 25mV = 0,59


ICQ2 42,22mA

re1 = 25mV = 25mV = 59,21


ICQ1 422,2A

G) Ganho de tensão C.A.

Av = RE Av = 180 = 0,993.
. RE + re2 + re1 180 + 0,50 + 59,21
ca1 90

107
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H) Impedância de entrada de base (Zentb)

O cálculo individual da impedância de entrada de base do transistor Q2, torna-se


desnecessário, em nossas análises utilizaremos a impedância de entrada de base visto a partir do
transistor Q1.

• com carga conectada


Zentb = ca1 [re1 + ca2 (re2 + RE//RL)]

Zentb = 90[59,21 + 90(0,59 + 180//22)] Zentb = 168,9K

• com carga desconectada


Zentb = ca1 [re1 + ca2 (re2 + RE)]
Zentb = 90[59,21 + 90(0,59 + 180)] Zentb = 1,47M

I) Impedância de entrada do circuito (Zent)


• com carga conectada • com carga desconectada
Zent = Zentb //RTH Zent = Zentb //RTH
Zent = 168,9K // 120K Zent = 1,47M //120K
Zent = 70,15K Zent = 110,9K

J) Impedância de saída (Zsaída)


Aplicando Kirchhoff no circuito equivalente C.A., temos:
ie1r  e1 + ie2 ( r  e2 + RE) − vent + ib1 ( RS / / RTH ) = 0
sen do:
ie2 ie1 ie2
ib2 =  ib2 = ie2  ib1 =  ib1 =
ca 2 ca1 ca1  ca 2

ie2 ie2
 r  e1 + ie2( r  e2 + RE) +  ( RS / / RTH ) = vent
ca 2 ca1  ca 2

 r  e1  RS / / RTH 
 r  e1 ca1 + RS / / RTH 
ie2  + r  e2 + RE + = vent ie2 =  r  e2 + RE +  = vent
 ca 2  ca1  ca 2  ca1  ca 2 

 RS / / RTH 
 
ca1  vent
ie2 =  r  e2 + RE + r  e1 + = vent ie2 =
 ca 2   RS / / RTH 



  r  e1 + 
 ca1 
r  e2 + RE +
 ca 2 
 
 

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Como o resistor de carga está em paralelo com o resistor “RE”, a carga não vê o resistor “RE” como
oposição à sua corrente de carga, concluímos que:

 RS / / RTH 
 r  e1 + 
 ca1   59,21 + 11,02 
Zsaída = r'e2 + Zsaída = 0,59 +   = 1,37
 ca 2   90 
 
 

K) Modelo C.A. simplificado

L) Tensão C.A. de entrada de base (ventb)


• Com carga conectada • Com carga desconectada
ventb = vent x Zent ventb = vent x Zent .
Zent + RS Zent + RS
ventb = 2V x 70,15K ventb = 2V x 110,9K .
70,15K + 1K 110,9K + 1K
ventb = 1,97V ventb = 1,98V

M) Tensão C.A. de saída (vsaída)


• Com carga conectada • Com carga desconectada
vsaída = ventb x Av x RL vsaída = ventb x AV
RL + Zsaida

vsaída = 1,97V x 0,993 x 22 vsaída = 1,98V x 0,993


22 + 1,37
vsaída = 1,84V vsaída = 1,97V

N) Ganho de potência (AP)

1] Potência de entrada de base com carga desconectada (Pentb)


ib1 = ventb = 1,98V = 1,35A
Zentb 1,47M
Pentb = ventb x ib1 = 1,98V x 1,35A = 2,67W

2] Potência de saída no transistor, com carga desconectada (Psaída)


ie2 = ib1 x ca1 x ca2 = 1,35A x 90 x 90 = 10,93mA
Psaída = vsaída x ie2 = 1,97V x 10,93mA = 21,53mW
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3] Ganho de potência no transistor (APT)
APT = Psaída = 21,53mW = 8063,67
Pentb 2,67W

Para o ganho de potência no transistor, podemos usar também o produto do ganho de tensão pelo
ganho de corrente.

APT = AV x ca1 x ca2 APT = 0,993 x 90 x 90 = 8043,3

4] Potência de entrada no circuito, com carga conectada (Pent)


is = vent = 2V = 28,11A
RS + Zent 1K + 70,15K
Pent = vent x is = 2V x 28,11A = 56,22W

5] Potência de saída na carga (Psaída)


iRL = vsaída = 1,84V = 83,64mA
RL 22
Psaída = vsaída x iRL = 1,84V x 83,64mA
Psaída =153,9mW

6] Ganho de potência do circuito (APc)


APc = Psaída = 153,9mW = 2737,46
Pent 56,22W

Podemos observar que a configuração coletor-comum em “Darlington”, fornece uma alta


impedância de entrada e uma baixa impedância de saída < 10 e apresenta um ganho de potência
muito maior que a configuração coletor-comum com transistores triviais.

8.6.2 Par Darlington


É a montagem de dois transistores em configuração Darlington, dentro de um único invólucro.
Este dispositivo funciona com um ganho de corrente extremamente alto, que pode variar entre 1000
à 2000.
Para os cálculos de amplificadores com par Darlington, adota-se os mesmos parâmetros da
configuração externa, observando que o ganho de corrente especificado pelos fabricantes é o produto
do ganho 1 pelo ganho 2.

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8.7 - REGULADOR DE TENSÃO TRANSISTORIZADO COM SEGUIDOR DE


EMISSOR

O regulador de tensão transistorizado é a combinação de um “seguidor zener” com um


“seguidor de emissor”. O resistor de emissor é substituído pela carga “RL”, a tensão de emissor é a
tensão na carga “RL”. A tensão de saída será dada pela tensão “zener” menos a queda “VBE”.

Vsaída = VZ - VBE

O regulador de tensão transistorizado, também conhecido como “regulador série”, devido ao


coletor/emissor em série com a carga, apresenta vantagens em relação a regulação zener:
• menor carga no diodo zener;
• menor impedância de saída;
• aumento na corrente de carga.

O esquema elétrico do regulador de tensão série, pode ser desenhado de duas formas conforme abaixo:

8.7.1 - Circuito Equivalente e Cálculo dos Parâmetros de Um Regulador Série

A) Tensão Thevenin C.C. de saída (VTHsaída)


VTH saída = VZ - VBE VTH saída = 9V - 0,7V VTH saída = 8,3 V

B) Resistência C.A. de emissor (r’e)


Considere a tensão thevenin de saída ( VTHSAÍDA) igual à tensão regulada de saída (VSAÍDA),
para efeito de cálculo de r’e e a corrente na carga, igual a corrente de coletor.

IRL = VTHsaída IRL = 8,3V = 415mA IE  415mA


RL 20
r’e = 25mV r’e = 25mV = 0,06 
IE 415mA
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C) Impedância de saída (Zsaída)

Zsaída  r’e + RZ Zsaída  0,06 + 8 Zsaída  0,14


cc 100

D) Circuito equivalente E) Tensão C.C. de saída regulada (Vsaída)


É a tensão nos terminais da carga “RL”
Vsaída = RL x VTHsaída
RL + Zsaída
Vsaída = 20  x 8,3 V
20  + 0,14 
Vsaída = 8,2 V
F) Corrente de carga (IRL) G) Corrente de base (IB)
IRL = Vsaída IB = IC
RL cc

IRL = 8,2V = 410mA IB = 410mA = 4,10mA


20 100
IRL  IE  IC

H) Corrente Zener máxima admissível (IZ(max))


IZ (max) = PZ . IZ(max) = 0,5 W = 55,5 mA
VZ 9V

I) Cálculo do resistor série ideal (Rs)


RS = VE - VZ RS = 15V - 9V = 188  VPM = 200 
IZ (max) + IB 55,5mA + 4,15mA - VPM
2 2

J ) Corrente no resistor “RS” K) Corrente no diodo zener ( IZ)


IRS = VE - VZ IZ = IRS - IB
200 RS IZ = 30mA - 4,10mA
IRS = 15V - 9V = 30mA IZ = 25,9mA
200

L) Tensão VCE M) Potência de dissipação no transistor (PD)


VCE = VENT - Vsaída PD = VCE x IC
VCE = 15V - 8,2V PD = 6,8V x 410mA
VCE = 6,8V PD = 2,8W

Os reguladores série, apresentam como desvantagem a potência de dissipação do transistor, em


alguns casos torna-se necessário o uso de dissipadores de calor.

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8.8 - REGULADOR DE TENSÃO PARALELO TRANSISTORIZADO


O regulador de tensão paralelo, é a combinação de um “regulador zener” com um transistor
operando como “chave”. O transistor opera em paralelo com o resistor de carga. A tensão sobre os
terminais da carga (Vsaída) será dado pela fórmula:

Vsaída = VZ + VBE Vsaída = VCE

No regulador de tensão em paralelo a corrente de carga não passa pelo transistor. O regulador
de tensão em paralelo tem sua maior aplicação em alimentação de cargas que requer um potencial
maior ou igual ao potencial regulado.
Em condições normais de operação a tensão de carga (Vsaída = VZ + VBE), em condições de defeito
no regulador a tensão de carga será dado pela fórmula:

Vsaída = VENT - RSIS

Na seqüência lógica de realimentação do regulador, temos:

8.8.1 - Cálculo Dos Parâmetros Elétricos

A) Tensão de saída (Vsaída)


Tensão regulada sobre os terminais da carga
Vsaída = VCE = VZ + VBE Vsaída = 6.0V + 0,7V = 6,7V

Tensão não regulada sobre os terminais da carga.


Vsaída = VENT x RL Vsaída = 12V x 100 = 8,63V
RL + RS 100 + 39

No cálculo da tensão de saída, podemos observar que a tensão na carga assume um valor maior ou
igual à tensão regulada, dependendo do regulador estar ou não em operação.
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B) Corrente na carga (IRL) C) Corrente no resistor série (IRS)
IRL = Vsaída É a corrente total fornecida pela fonte
RL não regulada.
IRL = 6,7V = 67mA IRS = VENT - Vsaída = 12V - 6,7V
100 RS 39
IRS = 135,89mA

D) Corrente de emissor (IE) E) Corrente de base (IB)


IE = IRS - IRL IB = IE = 68,9mA = 459,33A
IE = 135,89mA - 67mA cc 150
IE = 68,9mA IB = IZ = 459,33A

F) Corrente de coletor G) Potência de dissipação no transistor


IC = IE - IB (PDT)
IC = 68,9mA - 459,33A = 68,44mA PDT = VCE x IE
PDT = 6,7V x 68,9mA = 462mW
H) Potência de dissipação no resistor série (PDRS)
PDRS = IRS2 x RS
PDRS = (135,89mA )2 x 39 = 720mW

8.8.2 - Dimensionamento Dos Componentes Passivos e Ativos

Dados:
• Tensão de saída - 6,7V
• Valor ôhmico da carga - 100 - VN = 6,7V
• Tensão de entrada não regulada = 12V

A) Componente passivo - Resistor RS

O dimensionamento do resistor série RS, depende das características da carga a ser conectada
(máxima tensão admissível sobre os seus terminais).
Como regra de projeto, uma carga deve ser dimensionada para suportar uma sobre tensão em seus
terminais de 30% acima da tensão nominal.
A carga prevista para o regulador, tem uma tensão nominal (VN) de 6,7V e suporta uma sobre
tensão (VsaídaMAX) de 8,6V.

Vsaída = 6,7V x 1,3 = 8,71V


VsaídaMAX = VN x 1,3
A máxima corrente que circulará pela carga será dado pela fórmula:

8,71V = 87,1mA logo:


IRLMAX = VsaídaMAX 100 RS  VENT - VsaídaMAX
RL IRLMAX
RS  12V - 8,71V RS  37,77 VPM = 39
87,1mA
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Para uma tensão de entrada variável, o seu máximo valor de entrada não deve ultrapassar 30%
do menor valor de tensão de entrada. Neste caso, o resistor RS é dado pela fórmula:

RS  VENTMAX - VsaídaMAX
IRLMAX

B) Componente ativo (Transistor e Diodo Zener)


A operação crítica dos componentes ativos é feita quando a carga é retirada fora de serviço.
Nesta condição circula pelo transistor a corrente fornecida pela fonte não regulada (IRS), dado
pela fórmula:
IRS = 12V – 6,7V = 135,9mA
IRS = VENT - Vsaída
39
RS
Sendo assim, o transistor a ser utilizado no projeto deve atender às características:

ICMAX  IRS x 1,1 ICMAX  135,9mA x 1,1  149,49mA

VCEO > Vsaída VCEO > 6,7V

O dimensionamento do diodo Zener é feito com base na tensão de saída, para definir a tensão
Zener (VZ) e com base na intensidade de corrente que circula na base do transistor, para definir a
potência Zener (PZ).
Considerando o ponto crítico de funcionamento do transistor ICMAX = 135,9mA e o transistor
com um ganho de corrente cc = 150, teremos na base uma corrente de:

IB = ICMAX = 135,9mA = 906A


cc 150

A corrente que deverá circular pelo diodo Zener IZ  IB  906A . Sendo assim, o diodo zener
deverá assumir as características:

VZ = 6,0V PZ = IZ x VZ = 906A x 6V = 5,4mW

Podemos observar que o diodo Zener, neste tipo de montagem, tem uma potência de dissipação
muito pequena, oferecendo ao circuito maiores recursos de regulação de tensão no seguidor Zener. A
potência Zener é inversamente proporcional ao ganho de corrente do transistor projetado.

8.9 REGULADOR DE CORRENTE TRANSISTORIZADO


O Regulador de Corrente Transistorizado é projetado na Configuração Emissor Comum (carga
conectada) no terminal do coletor, com polarização por divisor de tensão formando um componente
passivo (resistor RB) e um componente ativo (diodo zener). O regulador tem como função, manter
uma corrente fixa na carga, independente de variações na tensão de entrada e/ou do valor ôhmico da
carga, dentro de um limite preestabelecido. O regulador de corrente é aplicado em
circuitos eletrônicos que exigem uma corrente fixa de operação e dispõem de fontes de alimentação
variável e/ou valores ôhmicos variáveis na entrada dos circuitos eletrônicos.
O regulador de corrente transistorizado pode ser diferenciado como:

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A] Regulador de corrente série negativo

Nesta configuração, utilizamos um transistor NPN em série


como a carga, através do terminal negativo da fonte.

B] Regulador de corrente série positivo


Nesta configuração, utilizamos um transistor PNP em série com
a carga, através do terminal positivo da fonte.

Para uma melhor visualização do esquema, nas análises de


projetos, adotaremos o esquema mostrado no subitem 8.9.2

8.9.1 - Parâmetros elétricos de um Regulador Zener:

A] Tensão de entrada - VENT


É a tensão não regulada, disponível nos terminais de entrada do regulador de tensão.
Pode assumir os valores:
VENTMAX - máxima tensão de entrada
VENTMIN - mínima tensão de entrada
VENTQ - Tensão quiescente de entrada, num dado ponto de trabalho

B] Tensão de saída - Vsaída


É a tensão de saída nos terminais da carga.

Vsaída = RL x IC
C] Tensão entre Coletor e Emissor - VCE
É a tensão entre o coletor e o emissor do transistor. Esta tensão varia em função da tensão de
entrada (VENT).
VCEQ = VENTQ - (Vsaída + VE)
VCEMAX = VENTMAX - (Vsaída + VE) VCEMIN = VENTMIN - (Vsaída + VE)

D] Tensão de emissor - VE
É a queda de tensão sobre os terminais do resistor RS, dado por:

VE = VRS = RS x IS = RS x IE
E] Tensão de Base - VB
É a tensão de polarização do terminal de base do transistor, em relação ao terminal de
alimentação do emissor. A tensão de base eqüivale à tensão Zener (VZ).

VB = VZ
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F] Ganho de Corrente C.C. - cc
Parâmetro de especificação de Q1, indica o ganho de corrente do transistor. Este parâmetro é dado
pela curva característica do transistor, sendo especificado em função da corrente de coletor. Pode ser
calculado, usando a fórmula:
cc = IC
IB
G] Corrente de Fonte não regulada (IF)
É a corrente não regulada fornecida pela fonte de alimentação. Esta corrente varia em
função da tensão de entrada.
IFQ = IZQ +IE
IFMAX = IZMAX + IE IFMIN = IZMIN + IE

H] Corrente de Coletor - IC
É a corrente que circula pelo coletor do transistor (IC) ou pelo resistor de carga (IRL)

IC = IRL = VZ - VBE
RS

I] Corrente de Emissor - IE
É a corrente que circula pelo emissor do transistor (IE) ou pelo resistor RS (IRS)

IE = IRS = IC + IB

J] Corrente de Base - IB
É a corrente que circula pelo terminal de base (IB) do transistor.

IB = IC
cc

K] Corrente Zener - IZ
É a corrente reversa que circula pelo corpo do diodo zener.

IZQ = VENTQ - VZ
RB
IZMAX = VENTMAX - VZ IZMIN = VENTMIN - VZ
RB RB

L] Corrente no Resistor de Base -IRB


É a corrente que circula pelo resistor de base.

IRBQ = IZQ + IB
IRBMAX = IZMAX + IB IZMIN = IZMIN + IB

M] Potência de Dissipação Zener - PDZ


É a potência de dissipação do diodo zener. Pode ser diferenciado como:
 PDZN - Potência nominal de dissipação.
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 PDZMAX - Potência máxima dissipação zener, no projeto.
 PDZMIN - Potência mínima de dissipação zener no projeto.
PDTN = ICN x VCE

PDTMAX = IE x VCEMAX PDTMIN = IE x VCEMIN

N] Potência de Dissipação do Transistor - PDT


É a especificação da potência de dissipação do transistor . Pode ser diferenciado como:
 PDTN - Potência nominal de dissipação.
 PDTMAX - Potência máxima dissipação do transistor, no projeto.
 PDTMIN - Potência mínima de dissipação do transistor, no projeto.

8.9.2 – Projeto De Um Regulador Série Positivo


Os cálculos e análises feitas nesse projeto são similares para o regulador série negativo.

PDZN = IZN x VZ
PDZMAX = IZMAX x VZ PDZMIN = IZMIN x VZ

Dados necessários para o dimensionamento do projeto:

• Tensão de entrada - 7 a 20V


• Corrente fixa na carga - 80mA
• Valor ôhmico da carga - 20
Na seqüência lógica de realimentação temos:

1] Dimensionamento Dos Componentes Ativos

A) Transistor Q1

Para o dimensionamento do transistor Q1, torna-se necessário conhecer a corrente de coletor e


emissor com a base aberta (VCEO).
Sabendo que a corrente de carga a ser fixada é de 80mA e a máxima tensão de entrada no circuito
regulador é de 20V, definimos as características do transistor Q1, como:
ICMAX  IRL x 1,1
IC MAX  80,0 mA x 1,1 = 88mA
VCEO > VENTMAX VCEO > 20V
Considerando a tabela de transistores, podemos aplicar no projeto o transistor BC558, que
apresenta em sua curva característica de ganho de corrente C.C. de cc = 250, que é representado
em sua curva característica por hFE
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B) Diodo zener (D1)
Para o dimensionamento do diodo zener, utilizamos as mesmas regras do regulador zener.
Sabendo-se que a carga a ser conectada no diodo zener eqüivale à impedância de base do transistor
Q1, correspondendo a um alto valor ôhmico pois apresenta uma baixa corrente de base.

IB = IC = 80mA = 228A
hFE 350

Sendo ca corrente de base, a corrente de carga do diodo zener e que no exemplo eqüivale a um valor
extremamente baixo, a intensidade desta corrente é definida pelo hFE do transistor.
O zener a ser projetado deve atender às características:

VZ < VENTMIN e IZ  2 x IB  VZ < 7,0V

IZ  2 x 228A IZ  456A

Consultando a tabela de diodos zener, padrão de mercado, adotamos:


VZ = 6,0V e PDZN = 0,5V IZMAX = 83,33 mA
IZMIN = 8,33 mA
2] Dimensionamento Dos Componentes Passivos
A) Resistor de Base - RB
A corrente que passa pelo resistor de base é a soma aritmética das correntes de base e corrente
zener. O resistor de base deve apresentar um valor ôhmico de oposição a esta corrente, limitando
este valor, abaixo do máximo valor admissível no diodo zener e acima do mínimo valor de corrente
zener, capaz de manter o diodo zener fora do “joelho de ruptura”(em fase de regulação). Sendo a
fonte de alimentação do regulador uma fonte de tensão variável, o resistor de base deve assumir
um valor ôhmico capaz de suprir o regulador com segurança, nos pontos de máxima e mínima
tensão de entrada. Atendendo as condições citada, o resistor ideal para o projeto é definido:

( VENTMAX − VENTMIN )  0,5 + VENTMIN − VZ


RBIDE =
IZ MAX + IB
2

(20V − 7V)  0,5 + 7,0V − 6,0V


RBIDE = = 179 VPM = 180
41,66mA + 228a

B) Resistor de Emissor - RS
A corrente que passa pelo resistor RS é a soma aritmética das correntes de coletor e a corrente de
base. Sendo a tensão de emissor dado pela tensão zener acrescida de VBE, teremos no emissor
aproximadamente 5,3V. Com base nestes dados, podemos calcular o resistor RS utilizando a
fórmula:
VE 5,3V
RS  RS = = 66 VPM = 68
IC MAX + IB 88,23mA
3] Cálculo Dos Parâmetros Elétricos

IRL = 6V - 0,7V = 77,9mA IB = 77,9mA = 222,69A


68 350
119
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IZMAX = 20V - 6V = 77,78mA IZMIN = 7V - 6V = 5,55mA
180 180

IB = 77,9mA = 222,57a IE = 77,9mA + 222,57A = 78,12mA


350

IRBMAX = 77,78mA + 222,57mA = 78mA IRBMIN = 5,55mA + 222,57A = 5,77mA

VE = 68 x 78,12mA = 5,3V VRBMAX = 20V - 6V = 14V

VB = 6V VRBMIN = 7V – 6V = 1V

VCEMAX = 20V - (1,56V + 5.3V) = 13,14V VCEMIN = 7V – (1,56V + 5,3V) = 140mW

IFMAX = 77,78mA + 78,12mA = 155,9mV IFMIN = 5,55mA + 78,12mA = 83,67mV

PDZMAX = 77,78mA x 6V = 0,47W PDZMIN = 5,55mA x 6,0V = 3,33mW

PDTMAX = 13,14V x 78,12mA = 1,03V PDTMIN = 140mV x 78,12mA = 10,9mV

Conforme memória de cálculos, o projeto atende às características de um regulador estabilizado de


corrente, pois:

VENTMIN > VZ  7,0V > 6,0V

RL x IC  VENTMIN - VE 20 x 77,9mA  7V - 5,3V  1,56V < 1,7V

E apresenta como ponto crítico as condições:

• Mínima tensão de entrada, capaz de manter o regulador em operação ou tensão mínima no ponto
crítico (VENTMINC).

VENTMINC = 5,3V + 1,56V VENTMINC = 6,86V

• Máxima tensão de entrada, capaz de manter o regulador em operação, sem apresentar danificação
nos componentes ou tensão máxima no ponto crítico (VENTMAXC).

VENTMINC = VE + Vsaída VENTMAXC = 6,0V + (8,33mA x 180) = 21V

VENTMAXC = VZ + (IZMAX x RB)

120
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IX - AMPLIFICADOR BASE-COMUM ( BC )
Com a configuração BC, queremos dizer que a base é o ponto de referência para as medidas
de entrada ( emissor neste caso ) e de saída ( coletor ). O resistor de emissor “RE” é basicamente um
resistor limitador de corrente para fixar a corrente de emissor IE. O resistor de coletor “RC” é o
responsável pela impedância de saída do circuito, sendo o sinal alternado de saída, obtido em seu
terminal. O amplificador base-comum, também denominado “base aterrada”, porque sua base é
aterrada em CA. A configuração BC, pode ser esquematizada de duas formas ( Figura 1 e 2 ) em
nossos estudos utilizaremos o esquemático da Figura 2.

9.1 - CARACTERÍSTICAS DO AMPLIFICADOR BASE-COMUM:

A - Impedância de entrada de base (Zentb)- baixa - 30 a 200


B - Impedância de saída do transistor- alta - 200K a 2M
C - Ganho de corrente - menor que 1
D - Ganho de tensão - alto
E - Ganho de potência - médio

9.2 - POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE


TENSÃO
Dados:
ICMAX = 3,4mA
cc = 75
ca = 70

9.2.1 Dimensionamento dos Resistores

A ) Resistor de emissor “RE”


Para cálculo de RE, adota-se a tensão CC de emissor aproximadamente um décimo de Vcc. Para
se trabalhar com o ponto “Q” próximo ao meio da reta de carga, usamos 50% da corrente máxima de
coletor, fornecida pelo fabricante.

ICSAT = ICMAX x 0,9 = 3,4mA x 0,9 = 3mA


ICQ = 1,5mA
VE = 0,1Vcc VE = 1,5V
RE = 1,5V = 1K
1,5mA
_________________________________________________________________________________________ 121
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B ) Resistor de coletor “RC” C ) Divisor de tensão:


RC  4RE Para um divisor de tensão estabilizado, faz-se:
RC  4K VPM = 3,9K R2  0,01 cc RC.
R2  0,01 x 75 x 3,9K
R2  2,9K VPM =
2,7K
Para cálculo do resistor “R1”, primeiramente determina V2 e V1
V2 = VE + 0,7 V1 = VCC - V2
V2 = 2,2V V1 = 12,8V

V1 12,8V VPM = 15K


R1 =  R2 R1 =  2,7K = 15,7K
V2 2,2V
9.3 - CIRCUITOS EQUIVALENTES E CÁLCULO DOS PARÂMETROS
A ) Circuito equivalente CC: B) Tensão Thevenin CC (VTH):

R2
VTH =  VCC
R1 + R 2

2,7 K
VTH =  15V = 2,3V
15K + 2,7 K

C ) Corrente de coletor ( ICQ ) D) Tensão quiescente de emissor (VEQ)

ICQ  IEQ VEQ = RE x ICQ


ICQ = VTH - VBE VEQ = 1,0K x 1,6mA
RE VEQ = 1,6V
ICQ = 2,3 - 0,7V = 1,6mA
1K

E ) Resistência C.A. de emissor ( r’e ) F) Tensão quiescente de coletor (VCQ)

r’e = 25mV VCQ = VCC - RCICQ


ICQ VCQ = 15V - 3,9K x 1,6mA
r’e = 25mV = 15,6 VCQ = 8,76V
1,6mA

G ) Ganho de tensão ( AV )

O ganho de tensão tem a mesma intensidade que teria num amplificador Ec não realimentado;
somente a fase é diferente. Para o exemplo, BC tem um ganho de 250, enquanto, se utilizarmos os
mesmos componentes para EC, o ganho seria de -250.

Av = RC. Av = 3,9K = 250


r’e 15,62
H) Circuito equivalente CA
122
_________________________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR BASE-COMUM (BC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

I) Impedância de entrada ( Zent )


A impedância de entrada,
apresentada nos amplificadores BC,
é de valor ôhmico muito baixo em
relação à outras configurações. A
baixa impedância de entrada, é um
dos motivos que impede o
amplificador BC de ser usado em
baixas freqüências; ele é usado
principalmente em aplicações de
alta freqüência ( acima de 10MHz )
onde são comuns as fontes de baixa
impedância.

A configuração base-comum também é amplamente usado em circuitos integrados, na


configuração de amplificador diferencial.
Zent  r’e Zent  15,6
Para melhorar a impedância de entrada, conforme subitem 12.1. acrescenta um resistor de
realimentação parcial “re” que somado com a resistência CA de emissor ( r’e ), atinja a impedância
mínima 30.

J ) Impedância de saída ( Zsaída )

Considerando a fonte de corrente do coletor, uma fonte ideal com impedância interna infinita.
Podemos aproximar o valor da impedância de saída a RC.
Zsaída  RC
Zsaída = 3,9K

K ) Modelo C.A. simplificado

L ) Tensão CA de entrada de emissor: M ) Tensão Thevenin de saída ( vTH)


_________________________________________________________________________________________ 123
AMPLIFICADOR BASE-COMUM (BC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

ventEMISSOR = Zent x vent vTH = ventEMISSOR x Av


Zent + RS
ventEMISSOR = 15,6 x 100mV = 17,22mV vTH = 17,22mV x 250 = 4,3V
15,6 + 75

N ) Tensão C.A. de saída ( vsaída )

vsaída = RL x vTH vSAÍDA = 6,8K x 4,3V = 2,73V


RL + Zsaída 6,8K + 3,9K

O ) Ganho de potência no transistor ( APT )


1 - Potência de entrada de emissor (PentE)
vent emissor
Pent E = vent emissor  ie ie =
Zent
17,22mV
ie = = 11
, mA Pent E = 17,22 mV  11
, mA = 18,94W
15,6

2 - Potência de saída com a carga desconectada (Psaída)

Psaída = vTH x ic
ic  ie  1,1mA considerando que o ganho de corrente é igual a 1.
Psaída = 4,3V x 1,1mA = 4,73mW

3 - Ganho de potência (APT)


APT = Psaída APT = 4,73mW = 249,74
PentE 18,94W
Para esta configuração o ganho se potência é aproximadamente igual ao ganho de tensão.

P ) Potência na carga ( PRL )

PRL = Vsaída x iRL iRL = Vsaída = 2,73V = 401,47A


RL 6,8K
PRL = 4,3V x 401,47A = 1,73mW

Q ) Ganho de potência do circuito ( APC )

APC = PRL is = vent = 100mA = 1,1mA


Pent RS + Zent 75 + 15,6

Pent = vent x is Pent = 100mV x 1,1mA = 110,37W

APC = 1,173mW = 15,67


110,37W

124
_________________________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR BASE-COMUM (BC)
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
X - AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
Um sistema amplificador consiste em um transdutor captador de sinais, seguido de um
amplificador de pequenos sinais e um dispositivo transdutor de saída. O sinal de entrada do transdutor
é geralmente pequeno e deve ser suficientemente amplificado para operar o dispositivo de saída.
Portanto, os fatores de principal interesse nos amplificadores de pequenos sinais são normalmente
linearidade e ganho. Como geralmente a tensão e a corrente do sinal proveniente do transdutor de
entrada são pequenas, as questões de capacidade e eficiência em relação à potência são secundárias.
Os amplificadores de tensão fornecem um sinal de tensão suficientemente grande para os
estágios do amplificador de grandes sinais a fim de operar dispositivos de saída tais como alto-falantes
e motores. Os amplificadores de grandes sinais (potência), são aqueles que têm carga final de
aproximadamente 8 ou menos; enquanto que os amplificadores de pequenos sinais (baixa potência)
são aqueles que utilizam transistores de baixo sinal ( 1/2W) e são usados geralmente junto ao
terminal inicial de sistemas.

10.1 AMPLIFICADOR CLASSE "A":


Nos amplificadores Classe A, o transistor funciona na região ativa em todos os instantes; e sua
corrente C.A. flui durante os 360º do ciclo do sinal de entrada. Apresenta como desvantagem, a de
ter baixo rendimento de potência, entre 20% a 30% da energia consumida pelo amplificador é
entregue à carga; os restantes 70% ou 80% da energia consumida são dissipadas no estágio
amplificador, sob forma de calor.
Os amplificadores Classe A, podem ser montados nas configurações "EC", "CC" e "BC";
observando as fórmulas de cálculo da "COMPLIANCE" de saída, que é dada em função da
configuração do amplificador .

10.1.1 - Classe "A" Em Configuração EC.


2,4 K
VTH =  12 V = 2,0V
2,4 K + 12 K
2 V − 0,7 V
IC Q = = 3,25mA
400
12 V
ICSAT = = 6,0mA
2K
VCE Q = 12 V − (3,25mA  2,0K) = 5,5V

A ) Resistência C.A. de carga (rl)

É a oposição à componente C.A. detectado pelo terminal de saída (coletor) do transistor.


rl = RC//RL rl = 1,6K//1,2K = 685,71

B ) Corrente C.A. de saturação (icSAT)

É a corrente máxima, que deve circular pelo transistor , quando o sinal de entrada for
suficiente para levar o transistor para o estado de saturação.
VCEQ 5,5V
icSAT = ICQ + icSAT = 3,25mA + = 11,27mA
rl 685,71

____________________________________________________________________ 125
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
C ) Tensão C.A. de corte (vce corte)

É a tensão alternada que aparece, sobre os terminais do transistor (coletor e emissor), quando o
mesmo está em estado de corte.
vce corte = VCEQ + ICQrl
vce corte = 5,5V + (3,25mA x 685,71) = 7,73V

D ) Linhas de carga C.C. e C.A.:

E) Compliance CA de saída (PP)

Podemos observar no gráfico de


linhas de carga, que durante o semiciclo
positivo da tensão da fonte C.A., a
tensão do coletor oscila do ponto Q até
a saturação. No semiciclo negativo, a
tensão do coletor oscila do ponto Q até
o corte. A compliance CA de saída é a
tensão C.A. máxima de pico-a-pico não
ceifada que um amplificador pode produzir.

E.1 ) Excursão máxima positiva (E+) E.2 ) Excursão máxima negativa ( E- )

E+ = vce corte - VCEQ ou E+ = ICQrl E- = 0 - VCEQ


E+ = 7,73V - 5,5V = 2,23V E- = - VCEQ
E+ = 3,25mA x 685,71 = 2,23V E- = - 5,5V

126
____________________________________________________________________
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
E.3 ) Cálculo da tensão de compliance (PP)

PPC = compliance do circuito PPC = vce corte = 7,73V


PPAC = compliance admissível do circuito PPAC = 2ICQrl= 2 x 3,25mA x 685,71 = 4,46V
Podemos observar que o circuito permite uma compliance de 7,73V, porém, está limitado numa
compliance de 4,46V; isto quer dizer que o amplificador pode ultrapassar a compliance de 4,46V,
porém, o semiciclo positivo do sinal de saída fica ceifado a partir de 7,73V de VCE.

E.4 ) Tentativa de aproximação para cálculo da compliance máxima de saída:

Compliance máxima de saída, significa obter oscilações de tensão iguais nos dois sentidos. Para
obter excursões máxima positiva e máxima negativa iguais adota-se ICQrc = VCEQ.
Podemos observar no gráfico, que, quanto mais alto o ponto "Q", maior a tensão C.A. de saída
não ceifada. Portanto, em projetos de amplificadores de potência, que se deseja obter a compliance
máxima CA de saída, localize o ponto "Q" acima do centro da linha de carga CC.

10.1.2- Projeto Revisado:

10.1.2.1 - Cálculo dos Parâmetros Elétricos C.C.

A) Parâmetros quiescente ideal:


VCC 12
VCEQ = = = 3,0V Aplica - se ICQ rl = VCE Q
4 4
VCE Q 3,0
ICQ =  ICQ = = 4,37mA
rl 685,71

VTH=(400 x 4,37mA) + 0,7V = 2,45V

Sabendo que R2 deve permanecer inalterado, devido sua polarização estabilizada, fazemos:

 R2 
R1    VCC − R2
 VTH 
 2,4 K 
R1    12 V − 2,4 K  9,35K VPM=9,1K
 2,45V 

____________________________________________________________________ 127
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
B) Parâmetros quiescentes:
2,4K 2,5V − 0,7V
VTH =  12V = 2,5V → ICQ = = 4,5mA
2,4K + 9,1K 400

12V 12V
VCEQ = 12V − (4,5mA  2,0K) = 3,0V → ICSAT = = 6,0mA → I1 = = 1,04mA
2,0K 11500

IFCC = 1,04 mA + 4,5mA = 5,54 mA → PFCC = 12V  5,54mA = 66,48mW

10.1.2.2 ) Cálculo dos Parâmetros CA.

3,0V
icSAT = 4,5mA + = 8,87 mA → vcecorte = 3V + (4,5mA  685,71) = 6,1V
685,71

E + = 6,1V − 3,0V = 3,1V → E − = 0 − 3,0V = −3,0V

PPC = 3,1V + 3,0V = 6,1V → PPAC = 2  (4,5mA  685,71) = 6,17 V

ic 25mV
Ai = Ai = hFE = 150 → r'e = = 5,55
ib 4,5mA

1,6K
AVT = = −288,29 → APT = 288,29  150 = 43243
5,55

Zentb = 150  5,55 = 832,5 → Zent = 9,1K \ \2,4K \ \832,5 = 578,78

Considerando a potência máxima que o circuito pode dissipar ic=8,87mA, temos:

8,87mA
ib = = 59,13A → ventb = 59,13A  832,5 = 49,23mV
150

49,23mV
vent = = 134,23mV
578,78
578,78 + 1K

A máxima tensão C.A. que pode ser aplicada na entrada do circuito, sem gerar distorção do sinal
é 134,23mV.

Considerando o sinal de entrada, no máximo valor permitido, temos:

128
____________________________________________________________________
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
134,23mV
iS = = 85A → Pent = 49,23mV  85A = 4,18W
1578,78

1,2 K
vsaida = (49,23mV  288,29)  = 6,08VPP
1,2 K + 1,6K

A potência de pico-a-pico dissipada na carga:

vsaida pp 2 6,082 V
PL PP = PLPP = = 30,81mW
RL 1,2 K
A potência em RMS dissipada na carga:

vsaida RMS2 2,152 V


PLRMS = → PLRMS = = 3,85mW ou
RL 1,2 K

VLpp  0,707
2 VLpp2 6,082 V
PLRMS =  PLRMS = PLRMS = = 3,85mW
RL 8RL 8  1,2 K

PDTQ = VCEQ  ICQ → PDTQ = 3,0V  4,5mA = 13,5mW

A potência de dissipação do transistor “PDT = 13,5mW”, não deve exceder a especificação de


potência do transistor utilizado no circuito. Conhecendo a máxima potência em RMS dissipada na
carga e a potência gasto pela fonte de alimentação, podemos calcular o rendimento do circuito:

PLRMS 3,85mW
=  100 =  100 = 5,79%
PFCC 66,48mW

Isto implica que, 5,79% da potência


gasto pela fonte de alimentação C.C.,
alcança a saída na forma de potência de
carga C.A..
Os amplificadores em “classe A”, tem
como desvantagem, baixo rendimento do
estágio; e como vantagem, possuírem
circuitos de polarização mais simples e mais
estáveis.
Na reta de carga CC e CA, mostramos a
compliance do circuito que tem como
característica a simetria da forma de onda.

____________________________________________________________________ 129
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
10.2 - AMPLIFICADOR CLASSE "B"
Um transistor operando em "Classe B", significa que a corrente de coletor flui durante somente
180º do ciclo CA. A configuração tem como vantagem, menor dissipação de potência no transistor,
redução da corrente de alimentação e um alto rendimento.

10.2.1 - Configuração “Push – Pull”

Um transistor operando em "Classe


B", ele corta um semiciclo, resultando
uma distorção na saída. Utilizando
dois transistores em configuração
seguidor de emissor "PUSH - PULL",
podemos montar um amplificador
que apresenta baixa distorção, grande
potência de carga e alto rendimento

A ) DISTORÇÃO DE CRUZAMENTO:

É a distorção do sinal de saída, também conhecido como


distorção por "CROSSOVER", que ocorre entre o instante em
que um transistor corta o sinal e o instante em que o outro se
liga.
Nos amplificadores "PUSH - PULL", o sinal de saída
distorcido, produz somente harmônicos ímpares: fent, 3 fent,
5 fent etc...
Para se eliminar a distorção de cruzamento, precisamos
aplicar uma pequena polarização direta para cada diodo
emissor (localizar o ponto Q um pouco acima do corte).
O valor da corrente “ICQ” suficiente para eliminar a
distorção, deve estar dentro da faixa de 1 a 5% da corrente de saturação do transistor ICSAT.
Quando se desloca o ponto "Q" na reta de carga, o circuito passa a operar em Classe "AB". Como
o funcionamento está mais para Classe "B" do que Classe "A"; refere-se ao circuito como
amplificador Classe "B" sem distorção; esta consideração é feita devido a corrente de coletor fluir em
cada transistor durante mais de 180º, mas menos de 360º.

B)POLARIZAÇÃO DE UM “PUSH - PULL":

Divisor De Tensão Passivo:


Este tipo de polarização não é muito utilizado, devido à
dificuldade de se estabelecer a tensão "VBE" entre os dois
transistores. Esta dificuldade se resolve, com a substituição do
resistor "R2" por um resistor variável, porém, não resolve o
problema da variação da corrente de coletor em função da
temperatura.
Para esta configuração não existindo resistor de emissor, a
tensão VBE se altera em função da corrente de coletor, que, por
sua vez se altera em função da variação de temperatura (VBE
130
____________________________________________________________________
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
diminui 2mV por grau de aumento de temperatura); isto implica, que, a tensão de base "VBE" fixa
pelos resistores ( + 0,7) não se altera com a variação de temperatura. Com um aumento de
temperatura o "VBE" exigido pelo transistor, para manter o ICQ, diminui; como o "VBE" de
polarização é fixo força a corrente do coletor a aumentar (para cada 60mV de diferença entre o VBE
de polarização e o VBE do transistor, a corrente de coletor aumenta com um fator 10).

À medida que a corrente de coletor aumenta, a


temperatura do transistor aumenta, reduzindo ainda mais o
valor correto de "VBE". Esta situação escalonada significa
que o ponto "Q" pode "escapar", subindo ao longo da linha
de carga CC até que a potência excessiva destrua o transistor;
neste caso, dizemos que houve um escape térmico do
transistor.
As formas de se evitar o escape térmico, é com a
polarização com compensação por termistor ou com a
polarização por diodos (divisor de tensão ativo).

Divisor De Tensão Ativo:


.Compensação Por Termistor:
R2 - Termistores

Utiliza-se termistores (NTC - resistor cujo valor ôhmico


diminui quando a temperatura aumenta, pois tem um
coeficiente de temperatura negativo), para compensar às
variações da tensão "VBE". Os valores dos termistores “R2”
são escolhidos para uma temperatura ambiente, de modo a
estabelecer o ponto "Q" ligeiramente acima do corte. Com a
utilização dos termistores, à medida que a temperatura
aumenta, o "VBE" necessário diminui, mas como a resistência
dos termistores também diminui, o "VBE" de polarização
também diminui; evitando um aumento escalonado da corrente
de coletor.

. Polarização Por Diodos:


É uma das formas mais eficientes de se evitar o
escape térmico, substituindo os resistores "R2" por
diodos, que possuem curvas capazes de casar com as
curvas VBE do transistor.
Então, qualquer aumento na temperatura reduz a
tensão de polarização desenvolvida pelos diodos
compensadores.

____________________________________________________________________ 131
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Nos projetos de amplificadores de alta


potência, torna-se difícil, encontrar diodos
compensadores com curva similar à curva
"VBE" dos transistores. Neste caso, faz-se
opção com polarização por transistores em
configuração "Realimentação de Coletor".
NOTA: Para se ter uma eficiência na
polarização do circuito, torna-se necessário
uma conexão térmica entre o elemento
compensador e o transistor a ser
supervisionado.

10.2.1.1 - Cálculo De Amplificador PUSH - PULL:


Para obter excursões positivas e negativas
iguais, adota-se R1 do transistor - 1 igual ao resistor
R1 do transistor - 2.
A configuração "PUSH - PULL", permite uma
compliance de valor igual à VCC, logo, a tensão
máxima de saída C.C. nos terminais dos emissores
(VE) será de + 10V e - 10V.
Sendo a configuração do circuito montado em
“Seguidor de Emissor”, a tensão de saída segue a
tensão de base.
O divisor de tensão deve ser projetado para que
a tensão na base do transistor Q1 seja de 10,7V e na
base de Q2 seja de 9,3V; dando assim condições ao circuito de fornecer na saída (VE) uma tensão de
10V, via terminal de saída do transistor Q1 ou Q2.
- Cálculo da corrente máxima alternada que deve circular pelos transistores (este valor não deve
ultrapassar 95% da corrente máxima do transistor).
VE 10V
ICSAT = → ICSAT = = 1,0A
RL 10
- Cálculo da corrente no ponto quiescente (1 a 5% de ICSAT ). Para cálculos convencionais
adota-se 3,0%. Para o exemplo, estamos considerando que os transistores Q1 e Q2 dispõem de uma
corrente máxima de coletor ICMAX > 1,0 A.
IC Q =ICSAT x 0,03 ICQ = 1000mA x 0,03 = 30mA
- Cálculo do resistor R1:
VCC − VBE 20V - 0,7V
R1 = → R1 = = 322
2 IC Q 60mA
B ) Cálculo da corrente IC Q com os resistores R1 já definidos:
A polarização por diodo baseia-se no conceito do "ESPELHO DE CORRENTE", uma técnica de
circuito amplamente usada em circuitos integrados lineares. O conceito espelho de corrente, é
analisado através de uma configuração transistorizada, utilizando resistor e diodo como polarizadores
de base. A corrente através do resistor de base é refletida pelo circuito do coletor; a corrente de coletor
é controlada pela corrente no resistor de base.
132
____________________________________________________________________
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Para a configuração Push - Pull, utilizamos espelho NPN e PNP, e adota-se ICQ igual a IR1.

VCC − 2 VBE 20V − 1,4 V


IR1 = → IR1 = = 28,9 mA → IC Q = IR1 = 28,9 mA
2 R1 644

C ) Cálculo da tensão contínua de base (VB)

VB1 = VCC - R1I1 F ) CálculoVB da1 =corrente CA xde28,9mA)


20V – (322 saturação do
= 10,7V
VB2 = VCC - R1I1 - 2VBE ou circuito (ic
VB2SAT ):
= VB1 - 2VBE
VB2 = 20V - 9,3V - 1,4V = 9,3V
VCEQ
ICSAT = ICQ +
D ) Cálculo da tensão contínua de emissor (VE) RL
VE1 = VB1 - VBE VE1 = 10,7V - 0,7 = 10,0V
VE2 = VB2 + VBE ICSAT = 28,9 mA + 100mA = 1029 mA
VE2 = 9,3V + 0,7 = 10,0V

E) Reta de carga CC/CA

G ) Ganho de tensão (AV)

r'e → identificar na curva dos parâmetros híbridos ou calcular pela fórmula:

25mV 25mV RL 10


r'e = = = 0,86 AV = = = 0,92
ICSAT 28,9mA RL + r'e 10 + 0,86
H ) Impedância de entrada de base (Zent b)

Zentb = hfe (RL + r'e) Zentb = 120 (10 + 0,86) = 1,3K

____________________________________________________________________ 133
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
I ) Impedância de saída (Zsaída)

rB
Zsaída = r'e + rB = resistência de base vista pela carga
hfe
rB = ( R1 + r'd1) / /(R1 + r'd2) rB = 322,86 / /322,86 rB = 161,4
161,4
Zsaída = 0,86 + Zsaída = 2,2
120

r'd → é a resistência CA do diodo compensador, que tem o mesmo valor de r'e do diodo de
emissor do transistor.

J ) Circuito CA equivalente:

K ) Potência em RMS na carga (PLRMS)


VPP 2 202 V
PL = → PL = = 5W
8RL 8  10
• PLRMS= potência C.A. da carga
• Vpp = tensão de pico-a-pico na carga
L ) Dissipação de potência no transistor (PDT) • RL = resistência ôhmica da carga
Na ausência de sinal de entrada a potência dissipada é muito pequena; entretanto, na presença de
sinal, os transistores têm grandes excursões de corrente, produzindo uma dissipação de potência muito
maior. A potência dissipada no transistor depende de quanto é usado na linha de carga CA. No pior
caso, a dissipação atinge um máximo quando se utiliza 63% da linha de carga CA.
2 PD (W)
PDTMAX = PP
40RL
PP2 = 1W
40RL
20 2 V
PDTMAX = = 1W
40  10
12,6 Vpp (V)
0,63Vpp

Podemos observar no gráfico, que aumentos maiores no nível do sinal fazem a dissipação do
transistor diminuir. Como a maior dissipação possível de potência é PP2/40RL, cada transistor no
amplificador, precisa ter uma especificação de potência maior que 1W.

M ) Corrente contínua de alimentação (IFCC)

IFCC = I1 + I2
I1 = corrente C.C. através dos resistores de polarização
I2 = corrente C.C. máxima através do coletor superior.
A corrente C.C. máxima através do coletor é o valor médio da corrente máxima alternada.
ICmédio = 0,318 x icSAT I2 = ICmédio = 327,19mA
ICmédio = 0,318 x 1028,9mA = 327,19mA IFCC = 28,9mA + 327,19mA = 356,09mA
134
____________________________________________________________________
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
N ) Potência CC fornecida ao circuito (PF)

PF = VCC x IF PF = 20V x 356,09mA PF = 7,12W

O ) Rendimento do estágio ()


PL RMS 5W
=  100 → =  100 = 70,22%
PFCC 7,12W

Os amplificadores Classe B, apresentam um rendimento bem maior que os amplificadores Classe A;


sendo esta uma das razões dos circuitos Push - Pull, próximo do final de um sistema.
10.3 - ACIONADOR DE CLASSE B:
A melhor forma de se acoplar uma entrada de um amplificador Push - Pull, é com a utilização de
um "Acionador de Classe B", este acionador é montado em configuração emissor-comum, com
acoplamento direto ao amplificador Push - Pull.
O transistor Q1, R1 e R2, forma um
amplificador com realimentação parcial do
emissor, o sinal de saída em Q1 está defasado
de 180º em relação ao sinal de entrada. O
transistor Q1, funciona como fonte de
corrente, estabelecendo a tensão de
polarização através dos diodos. Ajustando R2,
podemos controlar a corrente de emissor
através de R4.
Aplicando um sinal senoidal na entrada,
no semiciclo positivo Q1 conduz, levando Q3
à saturação; no semiciclo negativo Q1 entra
em corte, levando Q2 à saturação. O sinal CA
é acoplado à resistência de carga através do
capacitor C2.
Para os cálculos dos resistores do acionador Classe B, utiliza-se os mesmos princípios de cálculo,
adotado no amplificador emissor-comum.

10.4 - CÁLCULO DOS PARÂMETROS DE UM AMPLIFICADOR COMPLETO


AMPLIFICADOR COM ESTÁGIOS EM CASCATA:

____________________________________________________________________ 135
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
- Pequeno Sinal - Q1
- Grande Sinal Classe A (Acionador Classe - B )- Q2
- Classe B - Push - Pull - Q3 - Q4.
Os transistores utilizados no circuito são os do tipos NPN e PNP, modelos BC548C e BC558C.
O ganho de corrente C.C. e C.A. (hFE e hfe), foram extraídos da curva característica dos
parâmetros híbridos dos respectivos transistores, mostrados no apêndice-A12.

10.4.1 - Cálculos dos Parâmetros elétricos CC :


1,6 K 2129,55
VTH1 =  20V = 2,76V VTH 2 =  20V = 1,63V
1,6 K + 10K 2129,55 + 24K
2,76V − 0,7V 1,63V − 0,7V
ICQ1 = = 6,87mA ICQ2 = = 136,76A
300 6800
136,76A
ICQ 3 = ICQ 4 =  550 = 37,61mA VB 3 = 20V − (68K  136,76A) = 10,7V
2
VB4 = 10,7V − 1,4V = 9,3V VE 1 = 6,87mA  300 = 2,06V
VE 2 = 136,76A  6800 = 0,93V VE 3 = VE 4 = 10,7V − 0,7V = 10V
VC1 = 20V − (6,87mA  1,2 K ) = 11,76V VC 2 = VB 4 = 9,3V
VCE 1 = 11,76V - 2,06V = 9,71V VCE 2 = 9,3V - 0,93V = 8,37V
VCE 3 = VCE 4 = 20V - 10V = 10V I1 = 1,72mA + (6,87mA x 0,318) = 3,9mA
I 2 = 0,765mA + (136,76A x 0,318) = 808,49A I 3 = I 4 = 37,61mA x 0,636 = 23,92mA
IFCC = 3,9mA + 808,49A + 23,92mA = 28,63mA PFCC = 20V  28,63mA = 572,57mW

Circuito Equivalente CC :

10.4.2 - Cálculos Dos Parâmetros CA:


25mV 1,2 K −
r ' e1 = = 3,64 AV1 = = 329,67
6,87mA 3,64

Zentb1 = 400  3,64 = 1456 Zent1 = 1456 \ \1379 = 708,23

Zsaida1 = 1,2 K ventb1 = vent = 30mV


136
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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Tensão C.A. de saída do 1º estágio com o 2º estágio desacoplado (vTH1):

vTH1 = 30mV x 329,67 = 9,89V


25mV 25mV 25mV
r ' e2 = = 182,8 → r ' d1 = r ' d 2 = = 365,6 → r ' e3 = r ' e4 = = 0,66
136,76A 68,38A 37,6mA
Zentb 2 = 395  (182,8 + 6,8K ) = 2,76M → Zent 2 = 1956//2,76M = 1954,6
Zent b3 = Zent b4 = 395(8 + 0,66 ) = 3420,7

TRANSISTOR –Q2 COMO FONTE DE CORRENTE PARA O TRANSISTOR –Q3:

RC 2 68K
AV23 = = = - 9,74 → Zsaida 23 = RC 2 = 68K
RE 2 + r ' e2 6,8K + 182,8
1954,6
ventb2 =  9,89V = 6,13V
1954,6 + 1200
Zentb 3 3420,7
ventb3 = vsaída23 = ventb 2  AV23  = 6,13V  9,74  = 2,86V
Zentb 3 + Zsaida23 3420,7 + 68K
RL 8
AV3 = = = 0,92
RL + r ' e3 8 + 0,66
vsaida3 = ventb 3  AV3 = 2,86V  0,92 = 2,63V

TRANSISTOR –Q2 COMO FONTE DE CORRENTE PARA O TRANSISTOR –Q4:

RC2 + r'd1 + r'd2 68K + 365,6 + 365,6 −


AV24 = = = 9,84
RE 2 + r'e 2 6,8K + 182,8
Zsaída24 = RC2 + r ' d1 + r ' d 2 = 68000 + 365,6 + 365,6 = 68731,2
Zentb 4 3420,7
ventb 4 = ventb 2  AV24  = 6,13V  9,84  = 2,86V
Zentb 4 + Zsaída24 3420,7 + 68731,2
AV4 = AV3 = 0,92  vsaída4 = vsaída3 = ventb 4  AV4 = 2,86V  0,92 = 2,63V
CIRCUITO EQUIVALENTE CA MODELO EBERS-MOLL :

____________________________________________________________________ 137
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

CIRCUITO SIMPLIFICADO CA

A tensão de pico de saída foi de 2,63V, quando se aplica na entrada 30mV de pico; portanto a
tensão máxima de pico de entrada que se pode aplicar, sem distorção no circuito é:
vent  excursãoMAX 30mV  10V
ventMAX = = = 114mV
vsaida 2,63V

Os transistores Q3 e Q4 estão conectados em pontos diferentes da linha de coletor do transistor


Q2, ocasionando ao circuito ganhos de tensão e impedâncias de saída diferentes.
Estas diferenças são complementares uma da outra, de maneira que a tensão de saída (ciclo
positivo ou negativo) via Q3 ou Q4 assumem os mesmos valores.
O rendimento (  ) do conjunto (classe-A e classe-B), pode ser calculado pela relação da potência
em RMS entregue à carga e a potência média gasta pela fonte de alimentação C.C.. Sabendo que a
potência média gasta pela fonte é de 572,57mW, calcula-se a potência entregue à carga:

(2,63Vx2) 2 432,3mW
PLRMS = = 432,3mW  =  100 = 75,5%
8  8 572,57mW

Para um melhorar rendimento do conjunto amplificador, temos que aumentar a intensidade do


sinal de entrada, que, resultará num aumento proporcional de potência na carga e um pequeno
acréscimo na potência da fonte de alimentação.

10.5 - PUSH - PULL COM PAR DARLINGTON:

É um amplificador Classe B, em configuração


"PUSH - PULL" utilizando "Pares Darlington".
Nesta configuração o amplificador tem um aumento
na impedância de entrada de base e uma diminuição
da impedância de saída; proporcionando em sua
saída uma potência CA de carga muito elevada.
Para os cálculos dos resistores de polarização,
adota-se os mesmos critérios do Push - Pull
Convencional; levando em consideração 2VBE.

VCC − 2 VBE 20V − 1,4 V


R1 = → R1 = = 310
2ICQ 60mA

138
____________________________________________________________________
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
10.6 - PUSH - PULL COM PAR DARLINGTON/SZIKLAI

O par SZIKLAI, às vezes chamado


"Par Darlington Complementar", age
como um transistor único do tipo "PNP"
com um ganho de corrente muito alto.
Nesta configuração utiliza-se apenas
três diodos compensadores. Uma das
maiores vantagens do circuito, é devido
aos dois transistores de saída serem do
mesmo tipo "NPN"; do ponto de vista
do projeto, isto facilita a adaptação dos
transistores de potência.

10.7 - PUSH - PULL ACOPLADO POR TRANSFORMADOR:


Utiliza-se dois transistores "NPN"
em configuração emissor-comum, com
os seus emissores amarrados, e um
diodo "D1" para polarizar as bases dos
dois transistores, ligeiramente acima do
"VCE" de corte. O sinal de CA de
entrada é acoplado por um
transformador "T1" para as bases.
No semiciclo positivo, o transistor "Q1" liga e “Q2”corta; inversamente ocorre no semiciclo
negativo. Ocorrendo o semiciclo positivo, o transistor “Q1” conduz através do enrolamento da metade
superior do transformador de saída (T2), no semiciclo negativo o transistor "Q2" conduz através do
enrolamento da metade inferior do transformador de saída. Em ambos os casos, o sinal "CA" é
acoplado pelo transformador "T2" ao resistor de carga. O sinal de saída é defasado em 180º em relação
ao sinal de entrada.

10.8 - PUSH - PULL COM FONTE SIMÉTRICA:


Nesta configuração, tanto a entrada quanto a saída,
podem ser dadas em relação ao terra. Como as
alimentações são iguais e opostas, cada transistor tem um
VCEQ igual a VCC; sendo a tensão quiescente da saída
igual a zero. Devido ao ponto quiescente ser igual a zero,
podemos fazer o acoplamento direto do resistor de carga.
A tensão quiescente entre os dois diodos compensadores
é zero; sendo este ponto, o ponto conveniente para
aplicação da tensão CA de entrada em relação à terra.
Uma das grandes vantagens deste tipo de alimentação
é a de produzir mais potência de carga sem distorção,
sendo o VCEQ de cada transistor igual a VCC, a
compliance de saída é:
PP = 2VCC
____________________________________________________________________ 139
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
10.9 – AMPLIFICADOR DE ÁUDIO ESTÉREO 320 PMPO

Descrevemos sucintamente, o funcionamento de um amplificador de áudio ESTÉREO de 320


PMPO (Potência de Pico Musical), que corresponde por canal á 160 W PMPO ou 80W RMS. A
finalidade dessa interpretação de um amplificador de áudio é tornar-se possível, a junção de todas as
técnicas estudadas das configurações transistorizadas.
Com a evolução tecnológica dos grandes laboratórios de semicondutores, começam os
mesmos a fabricarem os “Circuitos Integrados”, que tem em seu interior, agregados os transistores,
resistores, capacitores e outros componentes, formando circuitos em diversas configurações, que
podem ser usados em aplicações diversas.
O circuito transistorizado conforme o amplificador de áudio em exemplo, montado com
componentes discretos, pode ser encontrado em uma única pastilha de silício, que recebe a
denominação de CI – Circuito Integrado.
Para os amplificadores automotivos ou portáteis compactos, os CIs amplificadores são
utilizados em larga escala, podemos citar como exemplo o CI – STK2250, que pode fornecer em
suas saídas potências de 50W + 50W em RMS; porém, os amplificadores profissionais de grandes
potências, ainda são aplicados os amplificadores montados com componentes discretos.

O amplificador foi dividido em três Módulos, para facilitar nossa interpretação

10.9.1 – MÓDULO–I PRÉ-AMPLIFICADOR COM CONTROLE DE GRAVES E AGUDOS

O Módulo-I é formado pôr três etapas, sendo uma delas operando somente com a entrada de
microfone em serviço e com a chave “S1a” na posição “2a “ ; essa etapa forma um pré-amplificador
de alto ganho para microfones de baixa impedância. A montagem do pré-amplificador , é feito pôr
um BC549 (Q1.1) em configuração emissor–comum, com polarização pôr divisor de tensão.
A Segunda etapa é também formado pôr um pré-amplificador emissor-comum em cascata
(Q1-BC549 e Q2-BC548), com controle de derivação do emissor de Q1, podendo assim através da
chave “S1b” ajustar o ganho do circuito, conforme operação desejada, feito pela chave “S1a “
(terminais de entrada de sinal); esta operação nos permite amplificar e equalizar o sinal de entrada.
A terceira etapa é um amplificador em configuração coletor-comum (Q3-BC548), com
polarização pôr divisor de tensão.
O seu sinal de entrada é retirado da saída da 2º etapa. Essa etapa não amplifica, mas nos
permite fazer um controle de volume nos terminais de entrada e um controle de tonalidade do tipo
Baxandall, nos terminais de saída.
Neste circuito temos redes de realimentação seletivas, ou seja, circuitos que podem controlar
independentemente os sinais de baixas freqüências e altas freqüências.
Dependendo da posição do cursor de cada potenciômetro (P2 e P3) , podemos atenuar como
reforçar os graves e agudos.
Na posição central dos cursores, os sinais da etapa anterior passam para a seguinte sem
qualquer atenuação ou reforço das freqüências indicadas (0 dB), ou seja, na forma original.
O circuito é projetado para que o reforço máximo seja de 18dB em 50Hz para os graves e
18dB em 10KHz para os agudos. Já a atenuação será de –23dB em 30Hz para os graves e –22dB
em 13KHz para os agudos.
Na 3ª etapa, não podemos deixar de citar a função do capacitor C9, que opera como um
“Supressor de transiente de entrada (Passa-baixas)”, isso significa que para os sinais de ruídos,
que ultrapassem a freqüência de áudio (20KHz), são imediatamente drenados via C9 para terra,
evitando que a etapa dê seqüência ao sinal indesejado (ruído) e os sinais de áudio com freqüências
abaixo de 20 KHz, são direcionados para a base do transistor Q3 .

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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
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10.9.2 – MÓDULO – II  AMPLIFICADOR DE SINAL COM BALANÇO E VU-METER

O amplificador de sinal é formado pôr três etapas, sendo uma delas (2ºetapa), um
amplificador com realimentação do coletor, com ajuste do nível de sinal a ser medido pelo
galvanômetro no potenciômetro (P7); sendo o galvanômetro um micro amperímetro de
corrente contínua, o diodo D2 funciona como um retificador de meia-onda com filtro (C36)
e o diodo D3 curto circuita os ciclos negativos para á terra evitando tensões reversa (VCE)
sobre os transistores Q12 e Q13 .
A 2ª etapa pode ser definida como um circuito de medição de sinal de áudio,
alimentado pôr um potencial de 12V, formado pôr um regulador ZENER (R40 , D1 e C37);
o LED D6 conectado nessa etapa, tem a função de sinalizar a presença de potencial de
alimentação do circuito.

A primeira etapa (Q4) é um amplificador de sinal na configuração emissor-comum,


com polarização pôr divisor de tensão; essa etapa tem a função de reforçar os graves e
agudos através do capacitor “C20”, que faz, uma realimentação no controle de tonalidade
Baxandall,, via terminal “C”. O sinal de entrada é o sinal de áudio de saída do pré-
amplificador do módulo - I, via terminal “B”.O capacitor “C17” opera como um
“Supressor de Transiente de Saída (Filtro Passa-baixas)”, tem a função de realimentar
o terminal de base do transistor “Q4”, com um sinal proporcional á freqüência das
oscilações de sinal gerados no terminal do coletor de Q4. Esta realimentação ocorre em
proporções maiores, quando as oscilações do sinal ultrapassar freqüências maiores de 20
KHz; sinais estes considerados como ruídos. Ao realimentar a base do transistor Q4, com
o sinal gerado no coletor de Q4 (sinal de saída defasado de 180° do sinal de entrada), o
mesmo cancela ou atenua o sinal gerador de ruído, presente no terminal de base Q4.

A terceira etapa (Q5) é um amplificador de sinal na configuração emissor comum


com polarização pôr divisor de tensão realimentado pelo coletor e com Bootstrap em C.A.
feito pelo capacitor “C26”.
Na entrada do amplificador (3ª etapa), através do potenciômetro “P4”, o mesmo
permite fazer o balanço de sinal nas saídas via “C25”, para os amplificadores de potência.
O capacitor de derivação “C26”, já no final do processo de amplificação de sinal, nos
permite fazer um controle automático do ganho (CAG) no transistor “Q5”; sendo o ganho
de tensão Av=(R43+R44) / (r’eQ5 +( XC26 //R45)+ R46) e a reatância do capacitor “C26”
depende do sinal de saída do amplificador de potência “PUSH-PULL  MÓDULO III “,
via terminal “G”.
Aparece também na terceira etapa, o “Supressor de Transientes Primário (Filtro
Passa-baixas)”, feito pelo capacitor “C23”, que tem as mesmas funções expostas na atuação
do capacitor “C9” da 3ª etapa - Módulo-I. Para o capacitor “C24”, que opera como
“Supressor de Transientes de Saída (Filtro Passa-baixas), tem as mesmas funções
expostas na atuação do capacitor “C17” da 1ª etapa.
O capacitor polarizado (eletrolítico) “C25”, opera como um “Capacitor de
Acoplamento de sinal de saída”, tem como função, transportar a componente de áudio
amplificada, presente no terminal do coletor “Q5”, para o amplificador de potência Módulo-
III.

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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
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10.9.3–MÓDULO–III  AMPLIFICADOR DE POTÊNCIA E FONTE DE ALIMENTAÇÃO
Formado pôr duas etapas, a 1ª etapa forma o amplificador de potência na configuração
PUSH-PULL DARLINGTON QUASE-COMPLEMENTAR com polarização por divisor de
tensão, controlado pôr um acionador classe - B (Q6).
Os transistores de potência (Q10 e Q11), são transistores pares complementares,
acionados pêlos transistores pares complementares de média potência (Q8 e Q9).
O capacitor C28 funciona como um supressor de transientes nas bases de Q8 e Q9;
isto é, para sinais transientes de alta freqüência, o capacitor leva a tensão entre bases próximo
à “zero voltes” , os mesmos entrando em corte protege os transistores Q10 e Q11 contra
danificação por transientes.
O equilíbrio da etapa de potência em qualquer condição de funcionamento é garantido
por um circuito de proteção térmica (Q7), que é montado no próprio dissipador de calor dos
transistores de potência. O transistor Q7 funciona como um sensor de temperatura (NTC),
de modo que a corrente entre seu coletor e emissor passa a depender da temperatura dos
transistores de saída. O ajuste do sensor é feito no potenciômetro P6. Conforme a corrente
dos transistores de saída tenda a aumentar com a elevação de temperatura, gerando um
possível escape térmico, o transistor Q7 atua sobre a polarização de base, levando de volta a
corrente ao valor ideal. Com isso evita-se a deriva térmica que pode causar a queima dos
transistores de saída. Cada transistor de potência de saída é excitado diretamente pôr um
transistor de média potência complementar. Assim, o TIP34 que do tipo PNP é excitado pôr
um BD137 do tipo NPN.
O potenciômetro P5 ajusta a corrente “quiescente” dos transistores de saída para evitar
a distorção de CROSSOVER. Atuando no ajuste do potenciômetro “P5”, estaremos
ajustando a tensão de base do transistor “Q6”, que pôr sua vês define a intensidade de
corrente quiescente no coletor de Q6. A corrente de coletor Q6 e os ganhos de corrente CC
(CC) dos transistores Q8, Q9, Q10 e Q11, são as variáveis responsáveis pôr definir a
corrente quiescente nos coletores dos transistores Q10 e Q11.
O circuito RC formado pelo capacitor C30 e R59, atua como supressor de ruído de RF
gerado pela comutação dos transistores de saída.
O resistor R56 realimenta o amplificador de sinal módulo-II, com uma amostra do
sinal de saída do amplificador de potência, para efetuar um controle automático de ganho
(CAG) do projeto.
A tensão no ponto médio da etapa de saída, onde é ligado o alto-falante, deve ser, nas
condições de repouso (ausência de sinal de entrada) a metade da tensão de alimentação ou
30V. No entanto, nos picos positivos do sinal, quando o capacitor em série com o alto-falante
é carregado, ela vai praticamente à VCC ou 60V. Na descarga do capacitor, que corresponde
aos picos negativos, esta tensão vai praticamente a zero. Isso significa que a tensão sobre os
transistores de saída sofre uma excursão cuja amplitude chega a 60V. Para a garantia da
integridade desses transistores TIP33 e TIP34, recomendamos o tipo “B”, que suportam
120V de tensão máxima entre coletor e o emissor; os tipo “C” ou mesmo “D” também
podem ser usados com vantagens, mas custam mais caro.
Existem dois componentes importantes para a estabilidade da etapa
amplificadora: com o excesso de potência e a grande sensibilidade de entrada pode
haver uma tendência para oscilação do circuito. Os capacitores C4 e C8 ajudam na
eliminação desta tendência. Se, mesmo com estes componentes, ela ocorrer, seus
valores devem ser aumentados.
A 2ªetapa é formado por um conversor retificador estático de onda-completa
com filtro, em configuração center-tap; dimensionado para alimentação dos dois
canais.
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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
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CIRCUITO IMPRESSO - DISPOSIÇÃO DOS COMPONENTES


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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
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10.9.4 - MONTAGEM DO AMPLIFICADOR

É sempre importante alertar o montador que devem ser tomados cuidados especiais
principalmente no setor de entrada, que deve ter uma boa blindagem de modo a não ocorrerem
instabilidades ou a captação de zumbidos. O uso de caixa metálica que possa servir de blindagem é
fundamental para o êxito da montagem. O terra (0 V) da fonte deve ser ligado a esta caixa.
A placa de circuito impresso deve ser fixada na caixa pôr meio de separadores, assim como
os radiadores de calor dos transistores de potência, cuja disposição física é mostrado na placa de
circuito impresso “Disposição de componentes” .
Os transistores são montados com isoladores de mica ou plástico que devem ser untados de
pasta térmica, para facilitar a dissipação de calor pêlos radiadores. Estes isoladores são
fundamentais para isolar o transistor dos radiadores, evitando curto-circuito, já que os coletores dos
transistores de potência são conectados eletricamente a aleta do radiador. Um teste na verificação
deste isolamento com o multímetro é importante antes de se fazer sua conexão ao circuito e
experimentar o aparelho.
A caixa deve ser dotada de furos para ventilação ou então os radiadores de calor com os
transistores devem ser fixados do lado externo. Para a conexão dos transistores de potência à placa
devem ser usados fios comuns flexíveis ou rígidos encapados e os mais curtos possíveis.
Para as conexões de entrada, feitas num conjunto de jaques do tipo RCA e também à chave
seletora e potenciômetros de volume e tom, devem ser usados cabos blindados com a malha
devidamente aterrada.
Para as saídas dos alto-falantes, usar conectores apropriados e fios polarizados, para que a
conexão dos alto-falantes sejam feitas em fase, para se ter o efeito estéreo.
A 2ª etapa do Módulo –III (Fonte de Alimentação), não está incluída na placa de circuito
impresso, o aluno deve recorrer aos estudos de Conversores Estáticos – Item III pagina 41 e
montar sua própria fonte.

10.9.5 - CALIBRAÇÃO DO AMPLIFICADOR

Uma vez montado todo o conjunto, confira todas as ligações e mantém a ponte “X1 – X2”
desconectada, isto nos permitirá uma calibração pôr canal.
A calibração pode ser feito primeiramente em qualquer um dos canais, descreveremos para
entendimento o canal esquerdo, que, é também valido para o direito.
Para calibração do canal esquerdo, conectamos o potencial positivo (+) da fonte no terminal
“X1” e para calibração do canal direito conectamos no terminal “X2”, o alto-falante deve ser
conectado na saída correspondente ao canal em fase de calibração. Adote a seqüência de ensaios :
1) Antes de conectar o potencial positivo da fonte, utilizando um multímetro, medir a tensão da
fonte, que, deve estar entre 55 e 60V;
2) Conectar um multímetro com escala VCC, nos terminais do Capacitor
3) Centralizar os ajustes dos trimpots “P5” e “P6”
4) Ligar a fonte de alimentação, conectada ao amplificador e através do trimpot “P5” ajustar a
tensão nos terminais do Capacitor “C29” , num valor que eqüivale a metade da fonte VCC;
5) Desligar a fonte de alimentação e conectar um amperímetro C.C. em série com o positivo da
fonte de alimentação (escala  70 mA). Religar a fonte e calibrar com o trimpot “P7” uma
corrente de repouso de aproximadamente “35 mA”.
NOTA : Se houver aquecimento excessivo dos transistores de saída quando o amplificador
for ligado, isso indica problemas com a corrente de repouso, que deve estar muito elevada.
Após calibração dos dois canais, conectar o positivo em seu ponto correspondente e interligar
os pontos “ X1 - X2 “ .

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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
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CIRCUITO IMPRESSO - LADO COBREADO


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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
10.9.6 - LISTA DE MATERIAL PARA UM CANAL
SEMICONDUTORES: R51 - 120 
Q1 e Q1.1 - BC549 ou equivalente – transistor NPN de R52 - 47 
baixo ruído R53 - 68 
Q2 , Q3 , Q4 , Q7 , Q12 , Q13 – BC548 ou equivalente – R54 , R55 - 68  x ½ W
transistor NPN de uso geral R57 , R58 - 0,33  x 2 W – fio
Q5 - BC547 ou equivalente - transistor NPN de uso R59 - 10 
geral
R61 - 2,2 M
Q6 - BC639 - transistor NPN para 100V/1A
R62 - 5,6 K
Q8 - BD137 - transistor NPN de média potência
Q9 - BD138 - transistor PNP de média potência R63 - 1,2 K
Q10 - TIP34B - transistor PNP de potência
Q11 - TIP33B - transistor NPN de potência CAPACITORES : (cerâmicos ou poliéster para 100V
D1 - 12V ou 12V6 - diodo zener de 400mW a 1W ou mais)
D6 - Led vermelho trivial C1 , C28 - 220 pF – cerâmicos
D2, D3 – 1N34 ou equivalentes – diodos de germânio C5 - 3,9 nF - cerâmico ou poliéster
D4, D5 – 1N4004 ou equivalentes C6 - 1nF - cerâmico ou poliéster
C9 - 150 pF - cerâmico
RESISTORES VARIÁVEIS: C10 , C31 - 100 nF - cerâmicos
C12 , C13 - 33 nF - poliéster ou cerâmicos
P1 - 100 K - potenciômetro log duplo (*)
C14 , C15 - 2,2 nF - poliéster ou cerâmicos
P2 e P3 - 100 K - potenciômetro lin duplo (*)
C17 - 1,8 nF - poliéster ou cerâmico
P4 - 100 K - potenciômetro lin simples C23 , - 100 pF - cerâmico
P5 - 100 K - trimpot C24 , - 180 pF - cerâmico
P6 - 100 K - trimpot C30 - 56 nF - cerâmico ou poliéster
P7 – 470  - trimpot C34 – 100 nF – poliéster ou cerâmico
(*) - Comum aos dois canais
CAPACITORES : ( eletrolíticos )
RESISTORES (1/8W x 5%, salvo indicação C2 , C4 , C4. 1 , C7 , C16 , C18 , C19 - 47 F x 16V –
diferente) eletrolíticos
R1 , R28 , R39 , R45 - 4,7 K C3 , C3. 1 - 1F x 16 V – eletrolítico
R2 , R4 - 470 K C8 , C8 . 1 , C11 , C20 , C21 - 10F x 16 V - eletrolítico
R3 , R5 , R35 - 39 K C22 , C25 , C26 - 47 F x 25 V – eletrolíticos
R6 - 100 K C27 - 47 F x 50 V - eletrolítico
R7 , R22 - 15 K C29 - 2200 F x 70 V - eletrolítico
R8 - 1 M C32 , - 100 F x 70 V – eletrolítico
R9 , R9. 1 , R16 - 1 K C33 , C35 , C36 – 10 F x 16 V – eletrolíticos
R10 , R23 - 1,5 K C37 – 100 F x 16 V – eletrolíticos
R11 , R21 - 68 K C38 – 4700 F x 70 V ou 100 V – eletrolítico
R12 , R33 , R46 , R60 - 470 
R13 , R42 - 150 K DIVERSOS:
R14 , R26 , R27 - 220 K S1 - chave de 4 pólos x 4 posições - rotativa
R15 , R24 , R25 , R29 , R30 , R32 , R44 - 10 K Placa de circuito impresso, radiadores de calor para os
R17 - 820 K transistores, botões para os potenciômetros, jaques de
R18 - 82 K entrada, caixa para o aparelho, fios blindados, terminais
R19 - 2,2 K de saídas para os alto-falantes, separadores, parafusos,
R20 - 180 K porcas, cabo de força, suporte de fusível, fios, solda, etc.
R31 , R43 - 33 K VU-meter (material para 1 canal )
R34 , R41 - 330 K M1 – 0-200 A- microamperímetro – ver texto
R36 , R56 - 6,8 K
R37 - 560  FONTE DE ALIMENTAÇÃO (para os dois canais )
Transformador com primário de acordo com a rede
R38 - 270 
local e secundário de 36 a 42 V com 2 ou 2,5 A .
R40 - 2,7 K x 2W
F1 – 3 A – fusível
R47 - 22 K S2 – Interruptor simples ( pode ser incorporado ao
R48 - 2,7 K controle De volume )
R49 - 680  S3 – Chave de 1 pólo x 2 posições – chave de tensão.
R50 - 1,8 K

__________________________________________________________________________ 149
AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

XI - MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE


CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
Teoria dos Quadripolos: Qualquer dispositivo eletrônico, seja ele um simples circuito
resistivo, ou um complexo circuito eletrônico, pode ser representado por uma caixa contendo uma
entrada e uma saída de corrente e tensão.

As correntes de entrada e saída são representadas entrando no quadripolo, obedecendo o


sentido convencional da corrente elétrica. A partir deste modelo, podem ser efetuadas análises
envolvendo parâmetros de impedância, admitância, ou da mistura dos dois, os "PARÂMETROS
HÍBRIDOS".

11.1 - PARÂMETROS DE IMPEDÂNCIA OU PARÂMETROS (Z):


Para dedução desse parâmetro, consideramos ora entrada e ora saída como um circuito aberto
e olhando através de qualquer uma das duas portas, vemos uma impedância "Z", em série com uma
fonte de tensão. Os parâmetros de impedâncias são também conhecidos como "Parâmetro dos
circuitos abertos".

Aplicando KIRCHHOFF ao circuito elétrico equivalente:

MALHA DE ENTRADA:

Z1 i1 + Z3 i1 + Z3 i2 – V1 = 0 (Z1 + Z3) i1 + Z3i2 = V1

A) Fazendo i2 = 0 (circuito de saída aberto)


V1
( Z1 + Z3) I1 = V1 → Z1 + Z3 = onde " Z1 + Z3" é chamado de "Z11", nos estudos dos
i1 parâmetros de impedância.
Conclui-se:

V1 → Parâmetro da impedância de entrada, com a saída em circuito


Z11 =
i1 i2 = 0 aberto (Z11).

B) Fazendo i1 = 0 (circuito de entrada aberto)


V1
Z3 i2 = V1 → Z3 = onde "Z3" é chamado de "Z12", conclui-se:
i2

150
_________________________________________________________________________________________
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
V1 → Parâmetro da impedância inversa de transferência, com a entrada
Z12 =
i 2 i1 = 0 em circuito aberto (Z12).

MALHA DE SAÍDA:

Z2 i2 + Z3 i2 + Z3 i1 - V2 = 0 (Z2 + Z3) i2 + Z3 i1 = V2

A) Fazendo i2 = 0 (circuito de saída aberto)


V2 onde: “Z3” é chamado de “Z21”, conclui-se:
Z 3 i1 = V2 → Z 3 =
i1

Z21 =
V2 → Parâmetro da impedância direta de transferência com a saída em
i1 i2 = 0 circuito aberto (Z21).

B) Fazendo i1 = 0 (circuito de entrada aberto)


V2 onde: “Z2 + Z3” é chamado de “Z22”, conclui-se:
( Z2 + Z3) i2 = V2 → Z2 + Z3 =
i2

V2 → Parâmetro da impedância de saída, com a entrada em circuito aberto (Z22).


Z22 =
i2 i1 = 0

Substituindo as expressões, podemos determinar a tensão de entrada e saída:


V1 V1
Z11 = e Z12 = → V1 = Z11 i1 + Z12 i 2
i1 i2

V2 V2
Z21 = e Z22 = → V2 = Z21 i1 + Z22 i 2
i1 i2

Os parâmetros de impedância são montados, aplicando o teorema de THEVENIN. Este


sistema de análise não tem aplicação específica em circuitos transistorizados.

11.2 - PARÂMETROS DE ADMITÂNCIA OU PARÂMETROS (Y):


Teorema de Norton:

Um circuito thevenizado, pode ser substituído por um circuito equivalente "NORTON", que
tem uma fonte ideal de corrente em paralelo com a resistência da fonte; e (a resistência da fonte) tem
o mesmo valor ôhmico da resistência thevenin.
No circuito elétrico abaixo, representamos o mesmo circuito (circuito-equivalente) aplicando
os teoremas de THEVENIN E NORTON.

_________________________________________________________________________________________ 151
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

VTH = VNO e RTH = RNO

Tensão Tensão Resistência Resistência


Thevenin Norton Thevenin Norton
Para calcular a fonte de corrente de Norton, inicialmente, faça um curto entre os terminais da
carga no equivalente Thevenin, e calcule a corrente de carga, que é 0,375ma. Esta corrente em curto
é igual à corrente de Norton.

Aplicando KIRCHHOFF ao circuito elétrico equivalente:


MALHA DE ENTRADA:

i1 = Y1 V1 + (Y2 + Y3) V2

A) Fazendo V2 = 0 (circuito de saída em curto)


i1 Onde “Y1” é chamado de “Y11” nos estudos dos parâmetros de
i1 = Y1V1 → Y1 =
V1 admitância, conclui-se:
i1
Y11 = → Parâmetro da admitância de entrada com a saída em curto-
V1 V2 = 0
circuito (Y11).

B) Fazendo V1 = 0 (circuito de entrada em curto)


i1 onde “Y2 + Y3” é chamado de “Y12” nos estudos
i1 = ( Y2 + Y3) V2 → ( Y2 + Y3) =
V2 dos parâmetros de admitância, conclui-se:
i1 → Parâmetro da admitância inversa de transferência, com a
Y 12 =
V2 V1 = 0 entrada em curto-circuito (Y12).

MALHA DE SAÍDA:
i2 = Y2 V2 + ( Y1 + Y3) V1

152
_________________________________________________________________________________________
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
A) Fazendo V2 = 0 (circuito de saída em curto)
i2
i2 = ( Y1 + Y3) V1 → ( Y1 + Y3) =
V1 Onde “Y1 + Y3 é chamado de “Y21”, nos estudos dos
parâmetros de admitância, conclui-se:
i2 → Parâmetro da admitância direta de transferência, com a
Y21 =
V1 V2 = 0 saída em curto-circuito. (Y21)

B) Fazendo V1 = 0 (circuito de entrada em curto)


i2 onde “Y2” é chamado de “Y22” nos estudos dos
i2 = Y2 V2 → Y2 =
V2 parâmetros de admitância, conclui-se:
i2 → Parâmetro da admitância de saída, com a entrada
Y22 = em curto-circuito. (Y22)
V2 V1 = 0

Substituindo as expressões, podemos determinar a corrente de entrada e saída:


i1 i1
Y 11 = e Y 12 = → i1 = Y 11 V 1 + Y 12 V 2
V1 V2

i2 i2
Y 21 = e Y 22 = → i2 = Y 21 V 1 + Y 22 V 2
V1 V2

Os parâmetros de admitância são aplicados a transistores operando em alta freqüência.

11.3 - PARÂMETROS (G):


Para dedução desse parâmetro, aplica-se o teorema de Norton à porta de entrada e o teorema
de Thevenin à porta de saída. Este sistema de análise não tem aplicação específica em circuitos
transistorizados.

Aplicando KIRCHHOFF ao circuito elétrico equivalente:

MALHA DE ENTRADA:

i1 = (g1 + g3) V1 + g2 i2

A) Fazendo i2 = 0 (circuito de saída aberto)


onde “g1 + g3” é chamado de “g11” nos estudos
i1 = ( g1 + g 3 )V 1 → ( g1 + g 3 ) =
i1
V1 dos parâmetros “g”, conclui-se:

i1 → Parâmetro da admitância de entrada, com a saída em circuito


g11 =
V1 i2 = 0 aberto (g11).
_________________________________________________________________________________________ 153
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
B) Fazendo V1 = 0 (Circuito de entrada em Curto-circuito)
i1
i1 = g 2 i2 → g 2 = onde “g2” é chamado de “g12” nos estudos dos parâmetros “g”, conclui-se:
i2

i1
g12 = → Parâmetro do fator inverso de amplificação de corrente com a .
i2 V1 = 0
entrada em curto-circuito (g12).

MALHA DE SAÍDA:

V2 = (g1 + g3) i2+ g2 V1

A) Fazendo i2 = 0 (Circuito de saída aberto)


V2 onde “g2” é chamado de “g21” nos estudos dos parâmetros “g”,
V2 = g2 V1 → g2 =
V1 conclui-se:

V2 → Parâmetro do fator direto de amplificação de tensão, com a


g21 = i2 = 0
V1 saída em circuito aberto (g21).

B) Fazendo V1 = 0 (circuito de entrada em curto)

V2 = ( g1 + g3)i 2 → ( g1 + g3) =
V2 onde “g1+g3” é chamado de “g22” nos estudos dos
i2 parâmetros “g”, conclui-se:
V2 → Parâmetro da impedância de saída com a entrada em curto-
g 22 = V1 = 0
i2 circuito (g22).

Substituindo as expressões, podemos determinar a corrente de entrada e tensão de saída.

i1 i1
g11 = e g12 = → I1 = g11V1 + g12 i2
V1 i2

V2 V2
g21 = e g22 = → V2 = g21V1 + g22 i2
V1 i2

11.4 - PARÂMETROS HÍBRIDOS (H)

Os parâmetros híbridos, são decorrentes da mistura dos parâmetros de impedância ou circuito


aberto e dos parâmetros de admitância ou de curto-circuito. Para dedução desses parâmetros, aplica-
se o teorema de Thevenin à porta de entrada e o teorema de Norton à porta da saída. O termo "Híbrido"
foi escolhido porque a mistura das variáveis (v  i) em cada equação resulta em um conjunto "híbrido"
de unidades de medida para os parâmetros h. (híbrido → mistura de parâmetros diferentes).
Os parâmetros híbridos tem grande aplicação em circuitos transistorizados operando em baixa
freqüência (entre 30 a 300 KHZ).

154
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MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
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Aplicando KIRCHHOFF ao circuito elétrico equivalente:

MALHA DE ENTRADA:

V1 = (h2 + h3) i1 + h1 V2

A) Fazendo V2 = 0 (saída em curto-circuito)

V1 onde "(h2+h3)" é chamado de "h11" nos estudos dos


V 1 = ( h2 + h3) i1 → ( h2 + h3) = parâmetros híbridos, conclui-se:
i1
V1 → Parâmetro da impedância de entrada, com a saída em curto-
h11 = V2 = 0
i1 circuito (h11).

B) Fazendo i1 = 0 (circuito de entrada aberto)

V1 onde "h1" é chamado de "h12" nos estudos dos parâmetros


V 1 = h1 V 2 → h1 =
V2 híbridos, conclui-se:

h12 =
V1 → Parâmetro do fator inverso de amplificação de tensão, com a
V2 i1 =0 entrada em circuito aberto (h12).

MALHA DE SAÍDA:
i2 = (h2 + h3) V2 + h1 i1

A) Fazendo i1 = 0 (circuito de entrada aberto)

i 2 onde "(h2 + h3)" é chamado de "h22" nos estudos dos


i 2 = ( h2 + h3) V2 → ( h2 + h3) =
V 2 parâmetros híbridos, conclui-se:

i2 Conclui-se
h 22 = V2 = 0 → Parâmetro da admitância de saída, com a entrada em circuito
V2
aberto(h22).

B) Fazendo V2 = 0 (saída em curto-circuito)

i2 onde "h1" é chamado de "h21" nos estudos dos parâmetros


i 2 = h1 i1 → h1 =
i1 híbridos, conclui-se:

_________________________________________________________________________________________ 155
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i2 → Parâmetro do fator direto de amplificação de corrente com a saída
h21 = V2 =0
i1 em curto-circuito (h21).
aberto(h22).
SUBSTITUINDO AS EXPRESSÕES:

V1 V1
h11 = e h12 = → V1 = h11 i1 + h12 V2
i1 V2

i2 i2
h21 = e h22 = → i2 = h21 i1 + h22 V2
i1 V2

TABELA DOS PARÂMETROS HÍBRIDOS


Parâmetros Significado Equação Condição
h11 Impedância de Entrada V1 / i1 Saída em curto
h12 Ganho de Tensão Reverso V1 / V2 Entrada Aberta
h21 Ganho de Corrente i2 / i1 Saída em Curto
h22 Admitância de Saída i2 / V2 Entrada Aberta

11.4.1 - Parâmetros Híbridos E Suas Especificações Em Folhas De Dados:


O estudo dos parâmetros híbridos, é reformulado substituindo o numeral do parâmetro pela
primeira letra da palavra indicativa do parâmetro; esta indicação é utilizada pelos fabricantes para
especificação de seus componentes semicondutores.

i = INPUT (entrada) h11 = hi = impedância de entrada com saída em curto;


r = REVERSE (reverso) h12 = hr = ganho de tensão reverso com a entrada aberta;
f = FORWARD (direto) h21 = hf = ganho de corrente direto com saída em curto;
O = OUT PUT (saída) h22 = ho = admitância de saída com a entrada aberta.

PARÂMETROS HÍBRIDOS EM RELAÇÃO À CONFIGURAÇÃO DO TRANSISTOR


Geral EC CC BC
h11 hie hic hib
h12 hre hrc hrb
h21 hfe hfc hfb
h22 hoe hoc hob
Nas folhas de dados de componentes, os fabricantes só fornecem os dados para configuração de
transistores em emissor com (EC), em caso de outras configurações, utilizam-se de fórmulas de
conversão. Fórmulas de conversão dos parâmetros híbridos emissor/comum para coletor/comum:
hic = hie
hrc = 1 - hre
hfc = - (1 + hfe)
hoc = hoe
Fórmulas de conversão dos parâmetros híbridos emissor/comum para base/comum:
hie hie hoe - hre (1 + hfe)
D = (1 + hfe)(1 − hre) + hie hoe hib = hrb =
D D

− hfe(1 − hre) − hie hoe hoe


hfb = hob =
D D
156
_________________________________________________________________________________________
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
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11.4.2 - Análise Dos Parâmetros, Para Uma Rede Com Duas Portas, Adicionado
De Carga E Fonte:

Para o exemplo, analisaremos com os seguintes dados:


h11 = hie = 3,5K h12 = hre = 1,3 x 10-4 h21 = hfe = 120
h22 = hoe = 8,5S rl = 3,6K ri = 1K

A) Ganho de corrente do circuito (Ai):


Ganho de corrente da rede híbrida h21 = hfe = 120

i2 Ai = h21 = hfe
Ai = V2 =0
i1 Ai = ganho de corrente
i1 = Corrente C.A de Entrada
i2 = Corrente C.A de Saída

h21 i1 + h22 V 2 V2 i 2rl


Ai = = h21 + h22 sendo V2 = - i2 rl temos: Ai = h21 − h22
i1 i1 i1

h21 hfe
Ai = h21 - Aih22 rl Ai = Ai =
1 + h22 rl 1 + hoe rl

120
Para o exemplo: Ai = = 116
1 + 8,5  10 -6  3600

B) Ganho de tensão do circuito (Av):


Ganho de tensão da rede híbrida 1 1 1
= = = −7692
h12 hre 1,3  10 −4
V2 AV = ganho de tensão C.A.
AV = V1 = tensão C.A de entrada
V1
V2 = tensão C.A de saída

V2 − i 2 rl
AV = →
h11 i1 + h12V 2 h11 i1 + h12( − i 2 rl)
− rl h21
AV =  Ai = , substitui na fórmula:
h11 1 + h22 rl
− h12 rl
Ai
- rl − h21 rl − hfe rl
AV =  AV = AV =
h11 h11 + ( h11 h22 - h12 h21) rl hie + ( hie hoe - hre hfe) rl
− h12 rl
h21
1 + h22 rl
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-120  3600
Para o exemplo: AV = AV = -121,7
3500 + ( 3500  8,5  10 -6 − 1,3  10 −4  120)  3600
Dados do circuito sem carga e fonte:
1 1 1
AV = = = = −7692
h12 hre 1,3  10 −4

Ganho de tensão do circuito, após conectada a carga: AV = - 121,7

C) Impedância de entrada do circuito (Zent):

Impedância de entrada da rede híbrida h11 = hie = 3,5K


V1 h11 i1 + h12V2 h12V2
Zent = V2 =0 Zent = Zent = h11 +
i1 i1 i1

h21
Sendo: V2 = - i2 rl e Ai =
1 + h22 rl

h12( - i2 rl) h21 h12 rl hfe hre rl


Zent = h11 + = h11 − Aih12 rl  Zent = h11 − Zent = hie −
i1 1 + h22 rl 1 + hoe rl

120  1,3  10 -4  3600


Para o exemplo : Zent = 3,5K - = 3,45K
1 + 8,5  10 − 6  3600

A impedância de entrada do circuito, sem carga é de 3,5 K, conforme dados do problema e
após conectar uma carga de 3,6 K, sua impedância de entrada reduz para 3,45K.

D) Impedância de Saída do circuito(Z saída):

Impedância de saída da rede híbrida: 1 1 1


= = = 117,6K
h22 hoe 8,5s

V2 V2 - h12 V2
ZSAÍDA = = Sendo: i1 =
i 2 h21 i1 + h22 V2 ri + h11

V2 V2
ZSAÍDA = =
- h21 h12 V2 - h21 h12 V2 + ( ri + h11) h22 V2
+ h22 V2
ri + h11 ri + h11

V2 ( ri + h11)
ZSAÍDA = 
- h21 h12 V2 + ( ri + h11) h22 V2

158
_________________________________________________________________________________________
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
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ri + h11 ri + hie
Z SAIDA = Z SAIDA =
(ri + h11)h22 − h21h12 (ri + hie)hoe − hfehre

A impedância de saída do circuito, sem fonte de sinal acoplada é de 118 K; conforme dados ,
e 199K com a fonte de sinal acoplada.
1K + 3,5K
ZSAÍDA = = 199 K
(1K + 3,5K ) 8,5  10-6 − 120  1,3  10−4
11.4.3 Cálculos De Circuito Transistorizado Em Configuração “EC”, Utilizando Parâmetros
Híbridos

Parâmetros híbridos do transistor 2N3904, para operar com uma corrente quiescente de coletor
de 1mA e um ganho de corrente C.C. hFE = 200
-4
hie = 3,5 K hre = 1,3 x 10 adimensional
hfe = 120 adimensional hoe = 8,5S (micro-siemens, unidade de admitância)

11.4.3.1 Circuitos Equivalentes E Cálculo Dos Parâmetros Elétricos:

A) Circuito equivalente CA:

B) Ganho de corrente do circuito (Ai)


rl = RTH de saída → rl = RC / /RL = 1,059K

hfe 120
Ai = = = 118,93
1 + hoe rl 1 + 8,5  10-6  1,059 K

_________________________________________________________________________________________ 159
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
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C) Ganho de tensão do circuito (AVc)
hfe rl
AVc =
hie + (hie hoe - hre hfe) rl

- 120  1059
AVc = = -36,148
3500 + ( 3500  8,5  10 − 6 − 1,3  10 − 4  120)1059

D) Ganho de tensão do transistor (AVt)


RC hie 3500 3600
AVt = onde r'e = = = 29,16 AVt = = −123,5
r'e hfe 120 29,16

E) Impedância de entrada de base (Zentb):


hfe hre rl 120  1,3  10-4  1059
Zentb = hie - Zentb = 3500 - = 3,48K
1 + hoe rl 1 + 8,5  10 −6  1059
F) Impedância de entrada do circuito (Zent)

Zent = Zentb //RTH Zent = 3,48K // 1,8K = 1,19K

G) Impedância de saída do transistor (ZsaídaT)

Desconectado de fonte e carga:


1 1
ZsaídaT = = = 117,64K
hoe 8,5  10 -6 S

Conectado à fonte de sinal e uma carga:


ri = RTH de entrada( visto na saída do circuito) = 10K / /2,2 K / /1K = 643,27

ri + hie 643,27 + 3500


ZsaídaT = = = 211,2 K
( ri + hie) hoe - hre hfe (643,27 + 3500)8,5  10 −6 − 1,3  10 −4  120

H) Impedância de saída do circuito (Zsaída )

Zsaída = RC// ZsaídaT Zsaída = 3,6K // 211,2K = 3,54 K


I) Circuito Equivalente Híbrido:

160
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PARÂMETROS TRANSISTOR TRANSISTOR NO CIRCUITO


hie 3,5 K 3,48 K
hre 1,3 x 10-4 2,76 x 10-2
hfe 120 118,93
hoe 8,5S 4,73S
ri - 643,27
rl - 1,059K

1 - Cálculo do ganho de tensão reverso do transistor no circuito (hre)


1 1
hre = → hre = = 2076  10 −2
AVc 36,148

2 - Cálculo da admitância de saída do transistor no circuito (hoe).


1 1
hoe = → hoe = = 4,73S
ZsaídaT 211,2K

3 - Corrente CA de entrada (iS)

vent 100mV
iS = → iS = = 45,66A
Zent + RS 1,19K +1,0K

4 - Tensão CA de entrada de base (V1)

Zent 1,19K
V1 =  vent → V1 =  100mV = 54,34mV
Zent + RS 1,19K + 1,0K

5 - Corrente CA de entrada de base (i1)


V1 54,34mV
i1 = → i1 = = 15,61A
Zentb 3,48K
6 - Corrente C.A. no resistor Thevenin (iRTH)
V1 54,34mV
iRTH = → iRTH = = 30,18A
RTH 18
, K

7 – Tensão C.A. de saída (V2)

V2 = V1 x AVc → V2 = 54,34mV x 36,148 = 1,96V

8 - Corrente C.A. de saída (i2)

i2 = hfe i1 + hoe V2 → i2 = 118,93 x 15,61A + 4,73S x 1,96V = 1,865mA

9 - Corrente C.A. no resistor de coletor (iRC)

V2 1,96V
iRC = → iRC = = 544,44A
RC 3,6K
_________________________________________________________________________________________ 161
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
10 - Corrente C.A. no resistor de carga (iRL)
V2 1,96V
iRL = → iRL = = 1,31mA
RL 1,5K

11 - Corrente CA na impedância de saída do transistor (ihoe)

ihoe = hoe V2 → ihoe = 4,73S x 1,96V = 9,27A

12 - Corrente C.A. na fonte de Norton (iN)

iN = hfe i1 iN = 118,93 x 15,61A = 1,86mA


Para confirmar precisão dos cálculos efetuados, adota-se:
i2 = hfe i1 + hoe V2 → i2 = 118,93 x 15,61A + 4,73S x 1,96V = 1,865mA
i2 = iRL + iRC +ihoe → i2 = 1,31mA + 544,44A + 9,27A =1,864mA

11.4.4 Cálculos De Circuito Transistorizado Em Configuração "CC", Utilizando Os


Parâmetros Híbridos.

O circuito foi projetado para operar com um transistor 2N3904 , com uma corrente quiescente
próximo de 1mA e um ganho de corrente C.C. hFE = 200. Estes dados foram mantidos em função
dos parâmetros híbridos já utilizados na configuração emissor-comum.
Após a conversão dos parâmetros híbridos de “EC” para “CC”, temos os seguintes parâmetros
híbridos para análise do Circuito:

hic = 3,5K
hrc = 0,999 adimensional
hfc = -121 adimensional
hoc = 8,5S

11.4.4.1 Circuitos Equivalentes E Cálculos Dos Parâmetros Elétricos:


A) Circuito equivalente C.A.:

162
_________________________________________________________________________________________
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
B) Ganho de corrente do circuito (Ai)

rl = oposição à componente C.A. detectado pelo terminal de saída (emissor) do transistor

rl = RE / / RL → rl = 4,7K / /22 = 21,89


hfc -121
Ai = → Ai = = −120,98
1 + hoc rl 1+ 8,5  10-6  2189
, 

C) Ganho de tensão do transistor (AVT)

RE hic 3500
AVT = onde r'e = = = 28,9
RE + r'e hfc 121
4700
AVT = = 0,99
4700 + 28,9

D) Ganho de tensão do circuito (AVc)


− hfc rl
AVc =
hic + ( hic hoc - hrc hfc) rl

121  21,89
AVc = = 0,431
3,5K + ( 3,5K  8,5  10 -6 + 0,999  121) 21,89

E) Impedância de entrada de base (Zentb)


hfc hre rl (-121  0,999  21,89)
Zentb = hic - → Zentb = 3500 - = 6,14 K
1 + hoc rl 1 + 8,5  10 -6  21,89

F) Impedância de entrada do circuito (Zent)

Zent = Zentb//RTH → Zent = 6,14K//3,89K = 2,38K

G) Impedância de saída do transistor (ZsaídaT)

Desconectado de fonte de sinal e carga:


1 1
Zsaída = → Zsaída = = 117,6K
hoc 8,5  10 -6 S
Conectado a uma fonte de sinal e carga:

ri = oposição à componente C.A. detectado pelo terminal de entrada (base) do transistor.


ri = R1//R2//RS → ri = 6,8K//9,1K//1K = 795,6
ri + hic
ZsaídaT =
( ri + hic) hoc - hrc hfc

795,6 + 3500
ZsaídaT = = 35,52
(795,6 + 3500) 8,5  10 -6 S + 0,999  121
_________________________________________________________________________________________ 163
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
H) Impedância de saída do circuito (Zsaída)

Zsaída = RE//ZsaídaT → Zsaída = 4,7K//35,52 = 35,25

I) Circuito equivalente híbrido:

PARÂMETROS TRANSISTOR TRANSISTOR NO CIRCUITO


hic 3,5 K 6,14 K
hrc 0,999 2,32
hfc -121 -120,98
-3
hoc 8,5S 28,15 x 10 S
ri - 2,09K
rl - 21,89 

Para análise do circuito equivalente híbrido, utilizaremos os parâmetros híbridos do transistor no


circuito.

1) Cálculo do ganho de tensão reverso do transistor (hrc)


1 1
hrc = → hrc = = 2,32
AVc 0,43

2) Cálculo da admitância de saída do transistor (hoc).

1 1
hoc = → hoc = = 28,15mS
Zsaída T 35,52

3) Corrente C.A. de entrada (is)


vent 2V
is = → is = = 591,71A
Zent + RS 2,38K + 1K

4) Tensão CA de entrada de base (V1)


Zent 2,38K
V1 =  vent → V1 =  2V = 1,41V
Zent + RS 2,38K + 1K

5) Corrente C.A. de entrada de base (i1)


V1 1,41V
i1 = → i1 = = 229,64A
Zent b 6,14K

164
_________________________________________________________________________________________
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

6) Corrente C.A. no resistor Thevenin (iRTH)


V1 1,41V
i RTH = → i RTH = = 362,47A
RTH 3,89K

7) Tensão C.A. de saída (V2)

V2 = V1 x AVc → V2 = 1,41V x 0,431 = 608mV

8) Corrente C.A. de saída (i2)


i 2 = hfc i1 + hocV 2 → i 2 = -120,98  229,64 A + 28,15mS  608mV = 10,66mA

9) Corrente C.A. no resistor de emissor (ie)


V2 608mV
i RE = → i RE = = 129,36A
RE 4,7K

10) Corrente C.A. no resistor de carga (iRL)


V2 608mV
i RL = → i RL = = 27,64 mA
RL 22

11) Corrente C.A. na impedância de saída do transistor (ihoc)

ihoc = V2 hoc → ihoc = 608mV x 28,15mS = 17,11mA

12) Corrente C.A. na fonte de Norton (iN)

iN = hfc i1 = 120,98 x 229,6A = 27,777mA

Para confirmar precisão dos cálculos efetuados, adota-se:

i2 = hfc i1 + hoc V2 = 120,98 x 229,6A + 28,15mS x 608mV = 44,89mA


i2 = iRL + iRC + ihoc = 27,64mA + 129,36A + 17,11mA = 44,88mA

11.4.5 Cálculos De Circuito Transistorizado Em Configuração “BC”, Utilizando Os


Parâmetros Híbridos

Utilizando os mesmos princípios, vistos nos sub-itens 13.5 e 13.6, podemos calcular um circuito
transistorizado em configuração base-comum, utilizando os seus parâmetros híbridos, através das
fórmulas de conversão. O circuito foi projetado para operar com uma corrente quiescente próxima de
1mA e hfe = 200. Estes dados foram mantidos, em função dos parâmetros híbridos já utilizados na
configuração emissor-comum.

_________________________________________________________________________________________ 165
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Após a conversão dos parâmetros híbridos temos os seguintes parâmetros para análise do circuito:
hib = 28,9 hob = 0,0702S
hfb = 0,992 hrb = 1,16 x 10-4

Para o exemplo dado no item 13.5, temos:

hie = 3,5 K hoe = 8,5 S


hfe = 120 adimensional hre = 1,3 x 10-4 adimensional

Parâmetros para a configuração "BC":

D = (1 + hfe) (1 - hre) + hie hoe D = (1 + 120) (1 - 1,3 x 10-4) + 3,5 K x 8,5 x 10-6 = 121

hie 3500 hoe 8,5S


hib = → hib = = 28,9 hob = → hob = = 0,0702S
D 121 D 121

hrb =
hie hoe - hre (1 + hfe)
→ hrb =
( ) ( )
3500 8,5  10 − 4 − 1,3  10 − 4 (1 + 120)
,  10 − 4
= 116
D 121

hfb =
- hfe (1- hre) − hie hoe
→ hfb =
( )
-120 1- 1,3  10 − 4 − 3500  8,5  10 − 6
= 0,992
D 121

11.4.5.1 Circuitos Equivalentes E Cálculos Dos Parâmetros Elétricos:

166
_________________________________________________________________________________________
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
B) Ganho de corrente do circuito (AiC)

rl = oposição à componente C.A. detectado pelo terminal de saída (coletor) do transistor


rl = RC / /RL → rl = 3,9K / /1,5K = 1083,33

hfb 0,992
AiC = → AiC = = 0,991
1 + hob rl 1 + 0,0702S  1080,33

C) Ganho de tensão do transistor (AVT)

RC hib 28,9 3,9K


AVT = onde r'e = → r'e = = 29,13 → AVT = = 133,88
r'e hfb 0,992 29,13

D) Ganho de tensão do circuito (AVC)


- hfb rl
AVC =
hib + ( hib hob - hrb hfb) rll

- 0,992  1083,33
AVC = = 37,34
28,9 + (28,9  0,0702S -1,16  10 − 4  0,992)1083,33

E) Impedância de entrada de emissor (ZentE)


hfb hrb rl ,  10 −4  1083,33
0,992  116
Zent E = hib − → Zent E = 28,9 − = 28,77
1 + hob rl 1 + 0,0702S  1083,33

F) Impedância de entrada do circuito (Zent)

Zent = ZentE //RE → Zent = 28,77 // 1K = 27,96

G) Impedância de saída do transistor (ZsaídaT)

Desconectado de fonte de sinal e carga:


1 1
Zsaída T = → Zsaída T = = 14,24M
hob 0,0702S

Conectado à fonte de sinal e carga:

ri = oposição à componente C.A. detectado pelo terminal de entrada (emissor) do transistor

ri = RS // RE → 10 //1K = 9,9


ri + hib
Zsaída T =
( ri + rib) hob − hrb hfb
9,9 + 28,9
Zsaída T = = 345,35K
(9,9 + 28,9)  0,0702S − 116
,  10 − 4  0,992
_________________________________________________________________________________________ 167
MATEMÁTICA AVANÇADA PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES LINEARES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
H) Impedância de saída do circuito (Zsaída)

Zsaída = RC // ZsaídaT → Zsaída = 3,9K // 345,35K =3,86K

I) Circuito equivalente Híbrido

PARÂMETROS TRANSISTOR TRANSISTOR NO CIRCUITO


hib 28,9 28,77
hrb 1,16 x 10-4 26,78 x 10-3
hfb 0,992 0,991
hob 0,0702S 2,89S
ri - 9,9
rl - 1083,33

Para análise do circuito equivalente híbrido, utilizamos os parâmetros híbridos do transistor no


circuito:

1) Cálculo do ganho de tensão reverso do transistor (hrb)

1 1
hrb = → hrb = = 26,78  10 −3
AVc 37,34

2) Cálculo da admitância de saída do transistor (hob).

1 1
hob = → hob = = 2,89S
Zsaída T 345,35K

3) Corrente C.A. de entrada (is)

vent 100mV
is = → is = = 2,63mA
Zent + RS 27,96 + 10

4) Tensão CA de entrada de base (V1)

Zent 27,96
V1 =  vent → V1 =  100mV = 73,66mV
Zent + RS 27,96 + 10

168
_________________________________________________________________________________________
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5) Corrente C.A. de entrada de base (i1)

V1 73,66mV
i1 = → i1 = = 2,56mA
Zent b 28,77

6) Corrente C.A. no resistor de emissor (iRE)

V1 73,66mV
i RE = → i RE = = 73,66A
RE 1K

7) Tensão C.A. de saída (V2)

V2 = V1 x AVc → V2 =73,66mV x 37,34 = 2,75V

8) Corrente C.A. de saída (i2)

i 2 = hfb i1 + hob V2 → i 2 = 0,991  2,56mA + 2,89S  2,75V = 2,545mA

9) Corrente C.A. no resistor de coletor (iRC)


V2 2,75V
i RC = → i RC = = 705,13A
RC 3,9K

10) Corrente C.A. no resistor de carga (iRL)

V2 2,75V
i RL = → i RL = = 1,83mA
RL 1,5K

11) Corrente C.A. na impedância de saída do transistor (ihob)

ihob = V2 hob → ihob = 2,75V x 2,89S = 7,95A

12) Corrente C.A. na fonte de Norton (iN)

iN = hfb i1 iN = 0,991 x 2,56mA = 2,54mA

Para confirmar precisão dos cálculos efetuados, adota-se:

i 2 = hfb i1 + hob V2 → i 2 = 0,991  2,56mA + 2,89S  2,75V = 2,545mA

i 2 = iRL + iRC + ihoc → i 2 = 1,83mA + 705,13A + 7,95A = 2,543mA

_________________________________________________________________________________________ 169
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SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

XII - TIRISTORES

Dispositivo semicondutor de quatro camadas que utiliza a realimentação interna para


produzir o travamento. Ao contrário dos transistores bipolares e dos TEC´s, que podem funcionar
como amplificadores lineares ou como chaves, os tiristores só funcionam como chaves. A sua maior
aplicação está no controle de grandes quantidades de corrente de carga para motores, aquecedores,
retificadores controlados, etc. A palavra TIRISTOR (TIRatrom + transISTOR) é a designação
genérica dada aos dispositivos de estado sólido que possuem características semelhantes às da
“Válvula Tiratron”.

12.1 A TRAVA IDEAL Todos os tiristores podem ser explicados em termos de


uma trava ideal, utilizando dois transistores bipolares,
podemos explicar melhor.
O transistor Q1 é um dispositivo PNP e o transistor Q2 é
um dispositivo NPN. Na configuração mostrada, o coletor Q1
alimenta a base de Q2 e o coletor de Q2 alimenta a base de Q1,
formando um elo de realimentação.
Na configuração, temos a realimentação positiva,
também chamada regeneração. Uma variação na corrente em
qualquer ponto do circuito é amplificado e retorna ao ponto
de partida com a mesma fase.
Por exemplo, se a corrente de base de Q2 aumentar, a corrente de coletor de Q2 aumenta.
Isto força mais corrente de base através de Q1. Por sua vez, isto produz uma corrente maior no
coletor de Q1, o qual alimenta a base de Q2 mais duramente. Este aumento nas correntes continua
até que os dois transistores sejam levados à saturação. Neste caso, a trava se comporta como chave
fechada. A trava uma vez fechada, permanece indefinidamente neste estado, até alguma coisa fazer
as correntes diminuírem.

12.1.1 Disparando A Configuração Trava

Uma forma de se fechar a trava é através de um disparo, aplicando uma tensão de polarização
direta em cada base.
Para o exemplo, mostramos um disparo (um pulso estreito) atingindo a base Q2. Uma vez
iniciada a regeneração ela aumentará e levará os dois transistores à saturação. A corrente de entrada
mínima necessária para iniciar a ação chaveadora regenerativa, é chamada “corrente de disparo” .

170 _________________________________________________________________________
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

12.1.2 Desligamento Da Configuração Trava Por Baixa Corrente

Uma forma consiste em reduzir a corrente de carga a zero. Isto força os transistores a saírem
da saturação e voltarem ao estado aberto. Para que isto aconteça, podemos abrir a carga ou reduzir a
tensão de alimentação VCC a zero.
Na família dos tiristores distinguimos os seguintes tipos:

12.2 – TIRISTOR UNIDIRECIONAL

12.2.1 – Retificador Controlado de Silício -SCR → Silicon Controlled Rectifier

È um diodo de quatro camadas alternadas “PN”, conforme desenho abaixo. Sua estrutura
“PNPN”, tem um condutor ligado à base da seção “NPN”, que tem a função de controlar a corrente
que circula pelos terminais ânodo e cátodo.
A condução no sentido direto é feita de ÂNODO para CÁTODO e comandada pelo
terminal do GATILHO quando o mesmo recebe um pulso positivo em relação ao CÁTODO,
devendo estar, neste instante, o ÂNODO positivo em relação ao CÁTODO.

_________________________________________________________________________ 171
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

CARACTERÍSTICAS E VALORES NOMINAIS DO SCR

 Tensão contínua bloqueada diretamente (VFR)


É a máxima tensão que pode ser aplicada continuamente no sentido direto, com corrente de
ganho (IG – 0), sem levar o tiristor à condução. Valores típicos de 100 a 2500 volts.
 Tensão direta de ruptura (VFM ou VBO)
É a máxima tensão que pode ser aplicada instantaneamente com IG = 0 sem que o tiristor entre
em condução. Valores típicos de 100 a 2500 volts.
 Tensão de pico bloqueada reversamente (VRM)
É a máxima tensão instantânea que pode ser aplicada em sentido reverso sem que haja ruptura
por avalanche das junções, tendo IG = 0. Valores típicos de 100 a 1500 volts.
 Tensão contínua bloqueada reversamente (VRR)
É a máxima tensão que pode ser aplicada continuamente em sentido reverso sem que o
dispositivo entre em avalanche, tendo IG = 0. Valores típicos de 100 a 1500 volts.
 Corrente máxima direta (IF)
É a máxima corrente média de ânodo no sentido direto, condução em ½ ciclo (180º), para
temperatura especificada da junção. Valores típicos de 1 a 800A .
 Corrente de pico de curto-circuito (IFM)
É a máxima corrente de curto-circuito, especificada para ½ ciclo ou 1 ciclo na freqüência de
60Hz. Valores típicos de 30 a 7000A.
 Queda de tensão estática direta (VF)
É a queda de tensão entre ânodo e cátodo quando o dispositivo se encontra no estado
LIGADO. Este valor é aproximadamente constante, independente da corrente de ânodo, igual a
1,0 ou 1,5V.
 Tensão típica de gatilho (VGT)
É a tensão direta necessária para produzir a corrente de disparo no gatilho. Valores típicos de
1,5 a 3,0V.
 Corrente típica de gatilho (IGT)
É a mínima corrente direta de gatilho que o SCR necessita para disparar o dispositivo. Valores
típicos de 1 a 500mA.
 Corrente de pico de gatilho (IGM)
É a máxima corrente direta que pode ser aplicada momentaneamente no gatilho. Seu valor pode
variar de 1 a 5A.
 Máxima tensão reversa de gatilho (VGRM)
É a máxima tensão reversa que pode ser aplicada instantaneamente no gatilho sem danificar o
dispositivo. Este valor gira em torno de –5V.
172 _________________________________________________________________________
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

 Corrente direta de engate (IL)


É a mínima corrente direta de ânodo que deve ser atingido, para que o processo de travamento
seja concluído. Valores típicos de 10 a 150mA.
 Corrente de manutenção (IH)
É a mínima corrente entre ânodo e cátodo, capaz de manter o dispositivo no estado de
condução (H → HOLD → MANTER). Valores típicos de 10 a 100mA.
 Tempo de ligação e desligamento (TON e TOFF)
Tempo em que o dispositivo leva para ligar ou desligar em função de um comando. Estes
valores são dados para condições específicas de corrente e temperatura. Valores típicos
- Tempo para ligar – 1s.
- Tempo para desligar – 20s
 Corrente de fuga no sentido direto e reverso (IFX e IRX)
É a corrente de fuga existente entre ânodo e cátodo, que é especificada no sentido de
polarização direta e polarização reversa. Valores típicos de 50A a 10mA.
 Taxa crítica de crescimento da tensão no estado de bloqueio (dv/dt)
É o mínimo valor da taxa de crescimento da tensão aplicada no sentido direto, que provocará o
chaveamento do estado de bloqueio para o estado de condução. Como exemplo citamos a taxa
de crescimento do SCR TIC-126, que tem um dv/dt mínimo de 10V/s e um valor máximo de
50V/s.
 Taxa crítica de crescimento da corrente no estado de condução (di/dt)
É o valor máximo da taxa de crescimento da corrente do estado de condução que o SCR pode
suportar sem ser danificado. Para o SCR TIC-126 o di/dt é de 100A/s operando em 200V e
50A/ S operando na faixa de 600V.

DISPARO POR PULSO NO GATILHO


Este processo é o mais utilizado na prática. O tiristor requer um determinado período de
tempo para alcançar o estado de condução total, a partir do instante que recebe o pulso no gatilho.
O tempo de ligação é definido como o intervalo desde o instante em que um pulso é aplicado ao
gatilho quando o tiristor apresenta uma impedância infinita ao fluxo de corrente de ânodo, até o
instante em que é estabelecido um equilíbrio de distribuição de cargas dentro do dispositivo, quando
é alcançada a queda de tensão estática entre ânodo e cátodo (1,0V a 1,5V).
O tempo de ligação típico dos tiristores pode varia de 1 a 3s, podendo chegar a 200ns ou
menos, para tiristores ultra rápidos. Se a carga controlada for indutiva, o tempo de ligação será
maior em relação a uma mesma corrente final com uma carga puramente resistiva, porém, a
potência dissipada no dispositivo será reduzida.
Este efeito se deve ao atraso da subida da corrente em relação à descida correspondente da
tensão de ânodo, quando a carga é uma indutância, ou altamente indutiva.
A forma ideal do pulso aplicado ao gatilho é um pulso retangular com mentor tempo de
subida possível. Quanto menor for a duração do pulso, maior deverá ser sua amplitude para garantir
a ligação do dispositivo.
É importante ter em conta que mesmo um pulso de grande amplitude mas com pequena
duração não será capaz de ligar um tiristor, isto é, existe um valor mínimo de corrente de ânodo que
deve ser atingido antes que o pulso de gatilho possa ser retirado.
Este valor é denominado de corrente de “LATCH” ou corrente de travamento (LATCH → engate).
No início do processo de ligação do tiristor, a corrente circula apenas por uma pequena área das
camadas de silício, até que haja uma total distribuição e equilíbrio de cargas. O tempo necessário
para este equilíbrio ser alcançado limita a máxima taxa de variação da corrente de ânodo em relação
ao tempo (di/dt).

_________________________________________________________________________ 173
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Se di/dt é muito grande, o calor gerado em uma área reduzida


da estrutura PN-PN pode levar à danificação definitiva do
dispositivo.
Normalmente o di/dt máximo permitido durante a ligação
Indutância de está situado entre 10 e 50A/s para tiristores comuns de
amortecimento pequena capacidade. Na prática, um dos recursos que tem
para reduzir utilizado para reduzir e di/dt é a ligação de indutância em
di/dt série com o ânodo.
Com o uso deste processo reduz di/dt mas aumenta o tempo
de ligação do dispositivo.

DISPARO PELA TENSÃO APLICADA

O processo de disparo pela tensão aplicada se efetua quando a tensão entre ânodo e cátodo
atinge à tensão de ruptura (VFR).
Este método não é recomendado na prática, a menos que seja expressamente permitido pelo
fabricante.
No disparo pela tensão existe a possibilidade de grande dissipação de calor em pequenas
áreas do dispositivo, onde estão concentrados os portadores, que pode levar à ruptura definitiva das
junções por superaquecimento.

DISPARO POR dv/dt

Os diodos controlados podem ser ligados também por um aumento rápido da tensão positiva
de ânodo devido à redução das reatâncias capacitivas internas, que transmitem esta variação sob
forma de corrente para o gatilho.
Este efeito pode ser explicado com o auxílio da figura abaixo. A junção J2 está reversamente
polarizada quando o ânodo está positivo em relação ao cátodo e na ausência de sinal de gatilho.
O comportamento de J2 neste estado corresponde, portanto, ao de um condensador ligado
entre A e G.
Embora seu valor seja da ordem de picofarads, uma variação rápida da tensão de ânodo vai
injetar no gatilho uma corrente suficiente para ligar o tiristor, devido à conseqüente redução da
reatância desta capacitância interna.
Esta forma de ligar o dispositivo é obviamente indesejável, e pode ser evitada através de
uma ligação de uma rede “RC” externa entre ânodo e cátodo. O valor de C é da ordem de 0,1F e a
resistência de 20 a 100.
Com a proteção indicada, o transiente de
ânodo faz circular uma corrente por “RC”,
desviando a maior parte daquela corrente que
seria injetada no gatilho indevidamente.
O resistor R tem a finalidade de reduzir a
dissipação de calor no dispositivo no instante
que o condensador se descarrega, quando
ocorre o disparo normal pelo gatilho.
De um modo geral os tiristores comuns
podem suportar um dv/dt de 20 a 200A/s

174 _________________________________________________________________________
TIRISTORES De
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

MEIOS DE COMUTAÇÃO DO TIRISTOR

Existem três processos de desligar um tiristor:


• Comutação Natural,
• Comutação Por Polarização Reversa,
• Desligamento Pelo Gatilho.

 COMUTAÇÃO NATURAL:

Quando a corrente de ânodo cai abaixo do valor mínimo de corrente necessária para manter
o dispositivo conduzindo (IH = corrente de manutenção), ocorre o desligamento.
A corrente de manutenção pode ser até 1000 vezes menor que a corrente nominal de ânodo;
isto significa que se o circuito for alimentado em corrente contínua a comutação natural só ocorre se
for cortada a alimentação do tiristor, ou se a impedância de carga for aumentada, ou ainda se a
corrente de carga for desviada por um circuito de baixa impedância (curto-circuito) em paralelo
com o dispositivo.

 COMUTAÇÃO POR POLARIZAÇÃO REVERSA:

A polarização reversa do tiristor (aplicação de um potencial positivo no cátodo e negativo no


ânodo), quando o tiristor está conduzindo, tende a interromper a corrente de ânodo desligando o
dispositivo.
Quando o tiristor opera em circuitos alimentados por VCA, este processo de comutação
ocorre a cada ciclo, quando a polaridade de ânodo se inverte no semiciclo negativo.
Neste caso o desligamento é também chamado de comutação por fase ou comutação por
linha de CA.
Quando o tiristor opera em circuitos alimentados por CC, então será necessário um circuito
auxiliar onde um capacitor será carregado com a tensão de alimentação e descarregado sobre o
tiristor em condução, com a polaridade invertida, de modo a se conseguir a comutação.
Neste caso o processo de desligamento recebe o nome de comutação forçada.

 DESLIGAMENTO PELO GATILHO:

Alguns tiristores especiais possibilitam o desligamento através de uma corrente negativa no


gatilho.
Estes tiristores, no entanto, só têm sido fabricados para baixos valores de corrente de ânodo,
não apresentando grandes vantagens no controle eletrônico de potências elevadas.

APLICAÇÃO DO SCR

Sua maior aplicação é feita nos conversores CC, ver “CONVERSORES ESTÁTICOS DE
CORRENTE CONTÍNUA, CONTROLADO E SEMICONTROLADO”.

_________________________________________________________________________ 175
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

 COMUTAÇÃO DE CARGA POR RESSONÂNCIA

No circuito é utilizado o processo de comutação do


SCR pelo fenômeno da ressonância em paralelo, onde
o circuito “LC” é o responsável pelo desligamento do
circuito. Quando o SCR se encontra DESLIGADO, o
capacitor “C” carrega com a polaridade superior + e
inferior -, indicada, sendo a tensão na indutância igual
a “zero” no término do carregamento do capacitor.
Quando o SCR é ligado, o capacitor se descarrega através do circuito ressonante, onde a corrente
passa pelo SCR e L. Quando o capacitor muda de polaridade no sentido negativo, indicado entre
parênteses, o SCR será desligado se a corrente na ressonância for maior que a de carga. O valor do
capacitor deve ser tal que:

TOFF ( s)
RLC  TOFF C  onde C é dado em F
RL( )

 COMUTAÇÃO DE CARGA POR CAPACITOR EM PARALELO

Inicialmente o SCR T2 é ligado para conduzir a


corrente de carga e sendo assim, o capacitor “C”
carregar-se-á com a polaridade indicada via R1.
Estando “C” carregado e disparando T1 o capacitor
irá polarizar reversamente (indicado entre
parênteses) o SCR T2, cortando-o.
A corrente de descarga em T2 se inicia com um valor a:
2 VCC
i0 = Visto que "C" fica em série com a fonte, quando T1 é disparado.
RL
 −t

A tensão sobre os terminais do SCR T2 será: VT2 = VCC1 − e   RL
RLC
 
−t
O tempo gasto para que a tensão em T2 seja "0" : 0 = 1 − e RLC t = 0,69RLC

Para concluir o desligamento do SCR:

t off
t off = 0,69 RLC e C  onde TOFF  t off
0,69 R1

R → C → F t off → s
O resistor R1 atua como carga de T1 e deve satisfazer as seguintes condições:
A) Carregar “C” durante o tempo mínimo em que T2 estiver ligado
B) Tornar a corrente de T1 maior ou igual a IHMIN.
Logo R1C  TONMIN
176 _________________________________________________________________________
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Para uma maior confiabilidade, faz-se:

TON MIN
5RIC  TON MIN R1 
5C

Atendendo a condição “B”, calcula-se:

VCC
IH 1 =
R1

O valor da corrente de manutenção calculado “IH1” tem que assumir um valor maior que a corrente
de manutenção especificada pelo fabricante do SCR.
VCC
O reistor R2 limita a corrente de gatilho dos SCRs: R2 
IG MAX

Alterando a razão entre o tempo ligado e desligado de T2, podemos obter uma tensão média
variável na carga.

12.2.2 – Foto-Tiristor - LASCR (Light Active SCR)

Dispositivo semicondutor unidirecional de quatro camadas com elemento foto-sensível. O


efeito foto-elétrico, geração de elétrons-lacunas através da luz, pode disparar um LASCR.
O LASCR é um tipo de SCR, onde na região do gatilho é feito uma “janela”, ou seja, uma lente
transparente aos raios luminosos.

Tem sua aplicação em circuitos de controle de iluminação, vídeo cassete, televisão, etc.

12.2.3 – Chave Unilateral - SUS (Silicon Unidirection Switch)

Dispositivo semicondutor unidirecional de quatro camadas, projetado para fechar com um


pulso positivo na porta (GATE) e abrir com um pulso negativo.
A SUS é usada em contadores, circuitos digitais e outras aplicações nas quais se dispõe de um
disparo negativo para ser desligada.

_________________________________________________________________________ 177
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

12.3 TIRISTOR BIDIRECIONAL


Dispositivo semicondutor de quatro camadas, condutivo em dois sentidos. Esse tipo de
dispositivo pode ter um controle dessa condução ou não; quando dispões de controle é chamado de
“TRIAC” ou “GCS” e quando não dispõe de controle é denominado de “DIAC”.
12.3.1 – DIODO PARA CORRENTE A.C. - DIAC (DIODE ALTERNATIVE CURRENT)

DIAC (do inglês DIode Alternative Current) é


um semicondutor de quatro camadas montadas numa
associação paralelo-inversa, dando origem a dois
terminais: ânodo-1 e ânodo-2.
O dispositivo não dispõe de terminal de controle (porta)
mas permite o disparo em qualquer sentido. Na figura
mostramos o arranjo básico das camadas
semicondutoras e suas simbologias.
O DIAC pode ser considerado como
dois diodos em anti-paralelo: ânodo com
cátodo, permitindo a condução bidirecional. A
diferença, entretanto, é que a tensão limiar de
um DIAC, especificada como Tensão de
ruptura “VBR” (VBR1 = VBR2  10%) é
muito superior à do diodo retificador. A tensão
de ruptura de um DIAC, tipicamente varia de
22V a 36V. No esquemático, representamos a
operação de um DIAC que tem um VBR =
28V.
Analisando o primeiro semiciclo, conforme polaridade indicada, se a tensão de pico for
inferior à VBR = 28V, o DIAC não estará conduzindo e consequentemente não terá corrente na
lâmpada L1. Ao levar a tensão VCA para uma tensão de pico igual à 28V, considerando o semiciclo
positivo, o DIAC comutará através do diodo da esquerda; invertendo o semiciclo o DIAC comutará
pelo diodo da direita. Após a comutação do DIAC, a tensão entre seus terminais “VF” cai
bruscamente, sendo de aproximadamente 6V. Uma vez comutado, permanece conduzindo, a única
forma de abri-lo é através de um desligamento por baixa corrente.
No caso de um sinal alternado, entrará em comutação toda vez que o sinal atingir sua tensão
de ruptura, e deixará de conduzir toda vez que o sinal estiver passando próximo a zero. A corrente
de desligamento é especificada como corrente de manutenção (IH).

Características E Valores Nominais Do DIAC

Tensão de ruptura (VBR)

É o valor instantâneo da tensão, capaz de


comutar o DIAC (break over voltage).

Corrente de ruptura (IBR)

É o valor instantâneo da corrente no ponto


em que o DIAC começa a conduzir.

178 _________________________________________________________________________
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

DIACs
TIPO VBR (volts) IBR (A)
ST2 32  4,0 200
1N5758/MPT20 20  4,0 100
1N5760/MPT28 28  4,0 100
1N5761/MPT32 32  4,0 100
1N5762 36  4,0 100
IN5758A 20  2,0 25
1N5761A 32  2,0 25

Aplicação do DIAC
A) Controle do ângulo de fase de uma CA através de um TRIAC:
Este tipo de aplicação, será estudado juntamente com tiristor bidirecional controlado

B) Oscilador de relaxação
A freqüência de oscilação será dado pela fórmula:
1
FO =
RC
K

Neste caso, o cálculo de R e de C obedece ao mesmo princípio que vimos anteriormente no


oscilador de relaxação com UJT, porém neste caso, o fim do ciclo não será quando o capacitor tiver
alcançado 65% de sua carga, mas sim, quando a tensão entre seus terminais for de 32V
aproximadamente, quando ocorrerá o disparo do DIAC. Considerando-se que a tensão entre os
terminais de alimentação do circuito seja de 100V, o período de temporização dado pela fórmula,
RC seria correspondente ao tempo necessário para que a tensão entre as armaduras de C
alcançassem os 65% de VCC. Como o disparo do DIAC se dará antes disso, segue-se que a
temporização será mais curta; a carga de C será de apenas 36%.
Dimensionamento de um circuito oscilador, para que a freqüência de oscilação F0 = 1KHz:
1 RC 1
F0 = =
RC K F0
K

Sendo a tensão de disparo 36V e a tensão de carga no capacitor 65V, temos:

65% de VCC 65V


K= = = 2,0
VBR 32 V
logo:
RC 1 RC
= = 1mS
K 1KHz K
RC = K  1mS RC = 2 mS
Fazendo C = 20nF, teremos:
2ms
R= = 100K
20nF
Calculando o resistor “R”, verifica-se que o valor dimensionado atende às características do
DIAC.

_________________________________________________________________________ 179
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
IFC= corrente de operação no
diac , no circuito.
VCC − 6V 100V − 6V IFD= corrente admissível no
IFC = = = 0,96mA IFC < IFD
R 100K diac.

12.3.2 – Triodo Para Corrente A.C. - Triac (Triode Alternative Current)

O TRIAC (do inglês TRIode Alternative Current), pode ser considerado como dois SCR
ligados em paralelo e em oposição, mas comum só eletrodo de controle.
A corrente de porta pode
controlar as condições de
disparo em ambos os sentidos,
porém, em relação ao DIAC, o
TRIAC apresenta suas
características no primeiro e
no terceiro quadrante um
pouco diferentes das do
DIAC.
Existe uma ausência em ambos os sentidos da corrente de manutenção. No esquemático,
representamos dois SCR ligados em paralelo e em oposição, para que possamos entender a
operação de um TRIAC.

Se a tensão “V” tiver a polaridade


mostrada, aplicaremos um disparo
positivo, que leva o mesmo a fechar a
trava da esquerda. Quando “V” tem a
polaridade oposta, é preciso um disparo
negativo para que ocorra o fechamento
da trava da direita.
Característica e Valores Nominais do TRIAC:

 Máxima tensão direta repetitiva (VDRM)


É a máxima tensão que pode ser aplicada continuamente no sentido direto.
 Corrente RMS no estado de condução (IRMS)
É o máximo valor de corrente em RMS no estado de condução que pode circular pelo TRIAC.
 Máxima corrente não repetitiva no estado de condução (ITSM)
É o máximo valor de corrente não repetitiva no estado de condução que pode circular pelo
TRIAC.
 Tensão de disparo no terminal de gate (VGT)
É a tensão CC necessária para produzir a corrente de gatilho com disparo.
 Corrente de disparo no terminal de gate (IGT)
É o mínimo valor de corrente contínua aplicada ao gatilho, necessária para chavear um TRIAC
do estado de bloqueio ao estado de condução.
 Corrente de partida (IL)
É o mínimo valor da corrente de ânodo requerida para concluir o travamento do dispositivo e
permitir a remoção do pulso de gatilho.
 Corrente de manutenção (IH)
É o valor da corrente de ânodo no sentido direto, que permite que o dispositivo permaneça em
condução.

180 _________________________________________________________________________
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

T R IACs
TIPO VDRM IRMS ITSM VGT IGT IL IH Dv/dt
(volts) (A) (A) (V) (mA) (mA) (mA) (V/s)
SC116 B 200 08 100 2,5 50 100 50 150
SC116 E 500 08 100 2,5 50 100 50 150
SC147 D 400 10 110 2,5 50 100 50 150
SC147 M 600 10 110 2,5 50 100 50 150
SC260 B 200 25 250 2,5 80 100 75 150
SC260 E 500 25 250 2,5 80 100 75 150
SC265 D 400 40 300 2,5 80 100 150 150
SC265 M 600 40 300 2,5 80 100 150 150

Aplicação do TRIAC

A) Controle do ângulo de fase de uma tensão senoidal

Quando se faz o controle de potência em


circuitos de CA, é possível determinar o valor da tensão
eficaz resultante na carga em função do ângulo de
disparo do TRIAC.
No cálculo da tensão eficaz sobre os terminais da carga,
e desprezada a queda de tensão no dispositivo quando
este se encontra no estado LIGADO (VF  1,0 volts).
Supondo um ângulo de disparo igual a 90°, o TRIAC
conduz a partir de 90° do semiciclo positivo com uma
faixa de condução c = 90º e 180° + 90° = 270° para o
semiciclo negativo.

Neste caso a variação do ângulo de disparo (D) resulta numa variação do valor eficaz da
tensão de carga, uma vez que em um controle simétrico para os semiciclos positivos e negativos
resulta em uma tensão média igual a zero.

Para que possamos calcular a tensão eficaz na carga, utilizaremos a curva que relaciona
uma constante “K” em função do ângulo d. A constante “K” é dada em função da relação entre a
tensão RMS e a tensão máxima.

_________________________________________________________________________ 181
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

K
K

Logo: VRL RMS = VMAX  K

Exemplos:

1) Para o exemplo mostrado esquematizado no subitem-A , calcular a tensão eficaz na carga para
os ângulos:

 = 0  = 30  = 90  = 120

VRLRMS = 220  2  0,707 = 220V


VRLRMS = 220  2  0,68 = 211,57 V
VRLRMS = 220  2  0,5 = 155,56V
VRLRMS = 220  2  0,3 = 93,34V

12.3.3 Chave Bidirecional – SBS (Silicon Bidirection Switch)

Dispositivo semicondutor bidirecional de quatro camadas, projetado para fechar e abrir parte
da chave com pulsos positivo e negativo.
A chave bidirecional tem sua maior aplicação em circuitos inversores CC/CA e reguladores de
tensão senoidal.

182 _________________________________________________________________________
TIRISTORES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

XIII – SUPRESSORES DE TRANSIENTES

Dispositivos semicondutores, componentes ou conjunto de componentes passivos, capaz de


suprimir transientes ou sinais de espúrio em um circuito eletro-eletrônico.
Os supressores de transientes podem ser classificados:

13.1 – SUPRESSOR DE TRANSITÓRIOS PRIMÁRIO

Capacitores não polarizados (folhas de papel impregnado a óleo), instalados em paralelo


com o primário de transformadores. Sua função é amortecer transitórios de tensão que podem
ocorrer no desligamento do mesmo. Além da função do supressor, serve também, para aumentar o
fator de potência de entrada do transformador.

13.2 – SUPRESSOR DE TRANSITÓRIOS POLARIZADO


Dispositivo semicondutor, constituído de um diodo de selênio,
especialmente processado de forma a apresentar características de
diodo ZENER . Sua maior aplicação, é nos conversores estáticos de
corrente contínua controlado ou semi-controlados instalados na saída
da ponte retificadora . Sua função é impedir transitórios de tensão, que
possam ocorrer devido a comutação dos SCR´s.

13.3 – SUPRESSOR DE TRANSITÓRIOS NÃO POLARIZADO

Dispositivo semicondutor de dois eletrodos com resistência não-linear, dependente de


voltagem que cai marcadamente quando a voltagem aplicada atinge sua tensão de ruptura. Este
supressor é também conhecido como “MOV – Varistor de Óxido Metálico”.

13.3.1 – Características Dos Dispositivos MOV

 Tensão de ruptura (VBR)


É o valor da tensão em RMS, capaz de levar o varistor a reduzir marcadamente sua resistência

 Tensão de pico de ruptura (VBRM)


É o valor da tensão de pico capaz de levar o varistor a reduzir marcadamente sua resistência.

 Tensão contínua de ruptura (VBR-DC)


É o valor médio da tensão contínua capaz de levar o varistor a reduzir marcadamente sua
resistência.

__________________________________________________________________________ 183
SUPRESSORES DE TRANSIENTES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
 Potência média de dissipação por transiente (PBR)
É o valor médio da potência de dissipação no dispositivo.

 Corrente de pico em forma de pulso (IBRSM)


É o valor da corrente de pico em forma de pulso não repetitivo capaz de levar o varistor a
reduzir marcadamente sua resistência sem ser danificado.

 Energia calorífica de dissipação por transiente (EJ)


É o valor da energia calorífica dissipada pelo dispositivo durante o transiente.

13.3.2 - Aplicação Dos Dispositivos MOV

Os dispositivos MOV tem uma ampla aplicação em circuitos de fonte de alimentação, circuitos
indutivos que dispõem de chave de interrupção, entrada de circuitos de equipamentos industriais e
residenciais.

13.4 – SUPRESSOR DE TRANSITÓRIOS dv/dt

Conjunto de componentes passivos (resistor + capacitor), circuitos “RC” instalados em paralelo


com SCR´s e diodos retificadores, com a função de proteger contra transitórios que possam ocorrer
na rede de alimentação CA (evitar o disparo por dv/dt dos tiristores) e para amortecer as radiações
de radiofreqüência “RF” (energia eletromagnética irradiada por freqüência entre 10KHz e
2000MHz) proveniente da comutação dos SCR´s e diodos retificadores.

184 __________________________________________________________________________
SUPRESSORES DE TRANSIENTES
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
XIV - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (TEC OU FET)
Dispositivo semicondutor unipolar, que tem o seu funcionamento dependendo somente de um
tipo de carga, lacunas ou elétrons, controlados através da tensão. Podem ser classificados como:

• TECJ ou JFET  Transistor de Efeito de Campo de Junção (Junction Field-Effect Transistor)


• TECMOS ou MOSFET  Transistor de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor
(Metal-Óxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

14.1 - CONSTRUÇÃO E CARACTERÍSTICAS DO TEC


O TEC é um dispositivo de três terminais contendo uma junção P-N básica, podendo ser do
tipo junção (TECJ) ou do tipo Metal-óxido-Semicondutor (TECMOS).
A característica mais importante do transistor de efeito de campo á a sua elevadíssima
impedância de entrada, que tem um valor típico da ordem de 100 M.
Com isso, podemos dizer que enquanto um transistor bipolar comum funciona com a
amplificação da corrente que circula em sua base, o TEC funciona com a tensão aplicada ao seu
eletrodo de comporta.
O TEC é relativamente imune à radiação, porém, o transistor bipolar é muito sensível (beta é
particularmente afetado).
O TEC produz menos ruído do que o transistor bipolar e, portanto, é mais adequado para
estágios de entrada de amplificadores de baixo nível (usado em receptores FM de alta fidelidade),
apresenta uma maior estabilidade térmica comparada ao transistor bipolar, mas tem como desvantagem
uma maior suscetibilidade a danos quando manuseado.
Com base nessas características, podemos afirmar que o TEC é um dispositivo semicondutor
que mais se assemelha às válvulas eletrônicas.

Suas aplicações na linha industrial são feitas através de circuitos:

• BUFFER: Receptores e equipamento de medição;


• AMPLIFICADOR AGC: Receptores e geradores de sinal;
• AMPLIFICADOR CASCODE: Instrumentos de medição e equipamentos de teste;
• RESISTOR VARIÁVEL COM TENSÃO (VVR): Amplificadores operacionais;
• CIRCUITO DIGITAL MOS: Integração em grande escala, computadores, relês estáticos para
proteção de sistemas elétricos.

14.2 – TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO – TECJ

14.2.1 - Estrutura do TECJ

O TEC de canal N, tem por base um pedaço de material semicondutor extrínseco de silício tipo
N com uma ligação direta em cada extremo. Esta ligação faz com que os extremos do material se
manifestem uma resistência pura, ou seja, a corrente pode circular com a mesma facilidade de base-1
(dreno) para a base-2 (fonte), como da base-2 para a base-1.
No material semicondutor que forma uma lâmina básica, existe uma região difusa de material
“P” que forma então a única junção do transistor. Esta junção fica a uma certa distância das bases 1 e 2
que determinarão as características elétricas deste semicondutor. Na região “P” é ligado o terceiro
terminal do transistor que então corresponde ao seu emissor (porta).

185
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

As duas regiões “P” são ligadas internamente e são chamadas de porta (gate), o espaço entre as
regiões “P”, formam um estreito canal por onde os elétrons livres devem passar à medida que se
deslocam da fonte para o dreno. A largura do canal é que define a quantidade de elétrons que atravessa
o TECJ. O funcionamento de um TECJ de canal “P” é complementar, o que quer dizer que todas as
tensões e correntes são invertidas.

14.2.2 - Características de Polarização

Uma fonte “VDD” produz uma tensão nos terminais dreno-fonte (VDS), que resulta na
corrente ID, do dreno para a fonte ou uma circulação de elétrons que entra no terminal fonte e sai pelo
terminal dreno. Toda esta corrente passa pelo canal formado pela porta tipo “P”. Esta intensidade de
corrente que circula pelos terminais dreno/fonte, depende da largura do canal “N”; a largura do canal
“N” é controlada pela tensão porta-fonte (VGS), que tem a função de aumentar ou diminuir a barreira
de potencial.

A porta de um TECJ tem sempre a polarização reversa para impedir a corrente da porta. Com
uma polarização reversa na porta, cria-se camadas de depleção em volta das regiões “P”, e isto faz com
que o canal se estreite. Quanto maior a polarização reversa dos terminais porta-fonte, mais estreito
torna-se o canal. Quando a tensão de porta for suficientemente negativa, as camadas de depleção
tocam-se e o canal “N” desaparece. Consideremos o circuito em operação com VGS = 0, para em
seguida aumentar esta tensão de polarização reversa

.
186
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

O circuito mostra que a corrente de dreno através do


material “N” produz uma queda de tensão ao longo do
canal, que é mais positiva no terminal de dreno. Este
potencial de polarização inversa nos terminais de junção P-
N produz uma região de depleção; conforme o aumento de
“VDD”, ID também aumenta, resultando em uma região de
depleção maior e, portanto, uma resistência entre bases
maiores. O aumento da região de depleção pode ser feito até
que atinja o estrangulamento devido à corrente do canal.

Ao atingir o ponto de estrangulamento, qualquer aumento de “VDD” resultará em aumento


apenas da tensão nos terminais da região de depleção sendo que a queda de tensão do ponto de
depleção “D” para terra permanece constante, e portanto, a corrente ID também permanece constante.
Este valor de corrente de dreno, com VGS = 0, é especificado em folhas de dados como “IDSS”
corrente de dreno para fonte (SOURCE), com a porta-fonte curto-circuitada (SHORTED)].

Característica Dreno-Fonte
Conforme curva característica, podemos observar que, aumentado a tensão “VGS” (polarização
reversa), o canal produzirá uma região de depleção, de forma que a corrente de saturação será menor
(VGS = -1V) ou para TECJ de canal “P” (VGS = +1). Podemos observar na curva de ID em função de
VDS, que a tensão de porta controla a corrente de dreno. Aumentando-se a polarização reversa “VGS”,
mostrada na curva de ID em função de VGS, a corrente de dreno decresce independente da tensão
“VDS”. Quando a tensão de porta (VGS) atingir a tensão VGSOFF (tensão de estrangulamento) não
mais haverá corrente de dreno independente da tensão dreno-fonte (VDS).

Característica de Transferência (equação de SHOCKLEY)


A característica de transferência pode ser obtida diretamente a partir de medidas da operação
do dispositivo ou desenhada a partir das características de dreno. Uma vez fixados os pontos IDSS
(corrente de dreno com VGS = 0) e VGSOFF (tensão de porta com nível de estrangulamento); os
demais pontos da curva aplica-se a equação de SHOCKLEY:

2
 VGS 
ID = IDSS1 − 
 VGSOFF 
187
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Usando a equação de SHOCKLEY, calcular ID para VGS = 0V, -1V, -2V, -3V, -4V e –5V.

 ( 0) 
2
 ( − 1) 
2
ID = 14 mA 1 −  = 14 mA ID = 14 mA 1 −  = 8,96mA
 ( − 5)   ( − 5) 

 ( − 2)   ( − 3) 
2 2
ID = 14 mA 1 −  = 5,04 mA ID = 14 mA 1 −  = 2,24 mA
 ( − 5)   ( − 5) 

 ( − 4)   ( − 5) 
2 2
ID = 14 mA 1 −  = 0,56mA ID = 14 mA 1 −  = 0 mA
 ( − 5)   ( − 5) 

14.2.3 - Parâmetros elétricos especificados em folhas de dados dos componentes

A} Corrente de saturação dreno-fonte (IDSS)

É a corrente na qual o canal é


estrangulado quando VGS = 0. Este
valor de corrente, pode ser
facilmente determinado utilizando a
configuração abaixo.

B} Tensão de estrangulamento ou de corte porta-fonte [VP ou VGSOFF]

É a tensão de polarização reversa


sobre os terminais porta-fonte, em
que a corrente de dreno se aproxima
de zero.

188
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

C} Tensão de ruptura porta-fonte (BVGSS)

É o valor limite da tensão sobre os terminais porta-fonte com os terminais dreno-fonte curto-
circuitados. Caso a tensão nos terminais porta-fonte de um transistor ultrapasse a tensão
BVGSS, o mesmo poderá ser danificado permanentemente.

D} Transcondutância de transferência em fonte-comum (gfs ou gm)

É um parâmetro de indicação da amplificação “AC” de um TECJ, sua unidade é o SIEMENS


(S) e varia tipicamente de 1mS a 20mS.

A transcondutância pode ser calculada utilizando a fórmula:

ID 2IDSS  VGS 
gm = ou através dos dados gmo = gm = gmo 1- 
VGS VDS= 0 fornecidos pelo VGSOFF  VGSOFF 
fabricante

gm — transcondutância no ponto de trabalho gmo — transcondutância máxima do transistor

Exemplo:

1) Calcular a transcondutância, gm, de um TECJ com as especificações IDSS = 14mA e


VGS = -5V nos pontos de polarização:
VGS = 0, VGS = −2 e VGS = −3

2  14 mA  ( 0) 
gmo = = 5,6mS gm = 5,6mS1 −  = 5,6mS
− 5V  ( − 5V) 

 ( − 2 V)   ( − 3V) 
gm = 5,6mS1 −  = 3,36mS gm = 5,6mS1 −  = 2,24 mS
 ( − 5V)   ( − 5V) 

E} Resistência dreno-fonte para o dispositivo ligado [rdsON]

Este parâmetro tem aplicação somente quando se usa o TECJ como uma chave. A resistência
dreno-fonte para o dispositivo ligado, medida com uma tensão porta-fonte e uma corrente de
dreno especificadas.
Tipicamente o valor da [rdsON] varia de 10 a 100 .

14.3 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE METAL-ÓXIDO-


SEMICONDUTOR – TEC-MOS

14.3.1 - Construção e Características do TEC- MOS

O dispositivo semicondutor TEC- MOS é um transistor de efeito de campo com o terminal da


porta isolado do canal.
Os transistores TEC- MOS, apresentam uma finíssima camada de óxido que separa o canal do
terminal da porta, e é o ponto mais delicado, que deve ser manuseado com cuidado especial.
189
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

O toque de seus dedos no terminal de porta, pode transferir a carga elétrica acumulada em seu
corpo ao componente, de modo a perfurar a capa do material isolante, danificando o componente.
Os TEC-MOS saem da fábrica com um anel
condutor curto-circuitando todos os seus terminais, de
modo a evitar que se desenvolvam tensões irregulares
anormais entre o canal e a porta.
Somente, depois, que o transistor for montado
definitivamente no circuito é que este anel condutor
deve ser retirado.

Para facilitar o manuseio, os fabricantes passaram a incluir nos transistores e nos chips, diodos
zener de proteção, conectados internamente entre a porta e a fonte.
Os dispositivos TEC- MOS que dispõem deste tipo de proteção, consta na sua ficha
característica “proteção contra carga estática”.
O TEC- MOS pode ser construído para funcionar por depleção ou por indução.

14.3.2 - TEC- MOS de Depleção

O dispositivo TEC-MOS de depleção de canal “N”, é formado sobre um substrato “P”. Os


terminais “fonte “ e “dreno”, estão conectados através de um metal (alumínio) às regiões de fonte e
dreno dopadas - N, que internamente estão conectadas por um canal de material dopado-N.
Acima do canal N é depositado uma camada de dióxido de silício (SiO 2) e sobre a camada de
SiO2, que tem a função de dielétrico, é depositada uma camada de metal.
Para o dispositivo de canal-N, a fonte VDD força os elétrons livres a passarem da fonte para o
dreno. Esses elétrons fluem através do canal estreito à esquerda do substrato “P”. Quanto mais
negativa a tensão da porta, menor a corrente do dreno.
Como a porta é isolada do canal, com valores positivos ou negativos de VGS, o dispositivo
pode operar com qualquer polaridade de VGS, não havendo corrente na porta em nenhum dos casos.

Quando o TEC- MOS de canal-N, trabalha com uma tensão positiva na porta, a operação do
dispositivo é chamada MODO DE INTENSIFICAÇÃ0.
190
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Na curva característica de transferência, o nosso exemplo nos fornece uma corrente de


saturação (IDSS) de 10mA com VGS = 0V e uma tensão de estrangulamento “VGS OFF” de –4V.
Usando a equação de SHOCKLEY, podemos levantar a característica de dreno.

 VGS  2  ( 0V) 2
ID = IDSS1 −


VGSOFF 
ID = 10mA1 −
 − ( 4 V)
) = 10mA

 ( − 1V) 
2
 ( − 2 V) 
2
ID = 10mA  1 −  = 5,625mA ID = 10mA  1 −  = 2,5mA
 ( − 4 V)   ( − 4 V) 

 ( − 3V)  ( − 1V) 
2 2

ID = 10mA  1 −  = 0,625mA ID = 10mA  1 −  = 15,6mA
 ( − 4 V)   ( − 4 V) 

Para o ponto com VGS = +1V e ID = 15,6mA, o TEC-MOS está operando em modo de
intensificação.

14.3.3 - TEC-MOS de Indução

O dispositivo TEC-MOS de indução não possui fisicamente canal entre o dreno e a fonte.
Quando se aplica uma tensão porta-fonte positiva, as lacunas da região do substrato sob a porta
são repelidas para fora da região de depleção.
Para tensões de porta suficientemente positiva, elétrons são atraídos para dentro da região de
depleção e passam a atuar como um canal “N” entre o dreno e fonte.
Neste caso dizemos que o canal-N foi criado por indução da tensão na porta. Não há corrente
de dreno até que tensão porta-fonte exceda o valor limite (VT).
Para tensões positivas acima de “VT”, resultam em uma corrente de dreno, descrita por:

ID = K (VGS - VT)²

K - Constante de construção do dispositivo, tipicamente apresentam um valor 0,3mA / volts2


VGS - Tensão de polarização nos terminais porta-fonte.
VT - Tensão limiar nos terminais porta-fonte, característica do componente.
191
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Na curva característica, representamos um TEC-MOS com VT = 2V.

Representamos no gráfico curvas para VGS = 2V, 3V, 4V, 6V, 8V

ID = K( VGS − VT) 2 ID = 0,3mS( 2V − 2V) 2 = 0


ID = 0,3mS( 3V − 2V) 2 = 0,3mA ID = 0,3mS( 4V − 2V) 2 = 1,2mA
ID = 0,3mS( 6V − 2V) 2 = 4,8mA ID = 0,3mS(8V − 2V) 2 = 10,8mA

O TEC-MOS canal P, oferece as mesmas características do TEC-MOS canal-N, porém, com


polaridade inversa.

14.3.4 - Transcondutância de Transferência em Fonte-Comum (gfs ou gm)

É um parâmetro de indicação de amplificação “AC” de um TEC-MOS, sua unidade é o


SIEMENS (S) e varia tipicamente de 1mS a 10mS. A transcondutância de TEC-MOS , pode ser
calculada através da variação da corrente de dreno, dividido pela variação da tensão gate-fonte.
ID
gm = ou pela derivada da equação de transferência:
VGS

(
ID = K VGS - VT 2 ) 
gm = d K( VGS - VT) 2 
gm = 2 K( VGS − VT) K = 0,3  10 -3 A / V 2 OU 0,3mSiemens

192
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Exemplo:
Determinar a transcondutância de um TEC-MOS de indução canal “N” com tensão limite
VT=3,0V nos pontos de operação com VGS = 3,5 e 6V.

gm = 2  0,3mS  ( 3V − 3V) = 0
gm = 2  0,3mS  ( 5V − 3V) = 1,2 mS
gm = 2  0,3mS  ( 6V − 3V) = 1,8mS

14.4 - SISTEMAS DE POLARIZAÇÃO TECJ


14.4.1 - Polarização de Porta:

Esta configuração de polarização de


porta, também conhecida como polarização
fixa, tem como inconveniente o uso de duas
fontes de tensão e um ponto “Q” altamente
sensível às variações da tensão de porta.

14.4.1.1 - Dimensionamento dos resistores:

A) Resistor de dreno:

Aplicando Kirchhoff na malha dreno-fonte:

-VDS - RDID + VDD = 0 RDID = VDD - VDS RD = VDD - VDS


ID
12 V
Onde: ID = IDSS + 30% IDSS e VDS = 0 ID = 13mA RD   920
13mA

B) Resistor de porta:

Aplicando Kirchhoff na malha porta-fonte:

-VGS + VGG + RGIG = 0 Sendo: IG = 0 VGG = VGS

Considerando que IG = 0, o resistor de porta pode assumir valor maior ou igual a 500K:
RG  500K
14.4.1.1 - Reta de Carga:

193
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
A) Cálculo do ponto superior da reta - VDS = 0

VDD − VDS 12 V
ID = = = 13mA
RD 920

B) Cálculo do ponto inferior da reta ID = 0

VDD − VDS
ID = para ID = 0  VDS = VDD = 12 V
RD

C) Cálculo do ponto quiescente – IDQ

2 2
 VGSQ   ( −1V) 
IDQ = IDSS1 −  IDQ = 10mA1 −  = 5,1mA
 VGSOFF   ( − 3,5V) 

Conhecendo os valores de IDSS e VGSOFF, podemos calcular a tensão de porta para uma dada
corrente de dreno.
Exemplo: Calcular o valor da tensão de porta para que a corrente de dreno seja de 6mA

 ( VGS) 
2
6mA  ( − VGS)  2
( − VGS)
6mA = 10mA1 −   = 1 −  = 0,6mA = 1 −
 ( − 3,5V)  10mA  ( − 3,5V)  ( − 3,5)

− 2,71 = −3,5 − ( − VGS)  − VGS = −2,71 + 3,5  VGS = −0,79 V

14.4.1.3 - Aplicações de Polarização de Porta


A] Chave Analógica TECJ

Nesta configuração, sua operação é feita através de


chaveamento; o TECJ opera em corte ou em estado de saturação.
Para que possamos obter esta operação em dois estados, retiramos
a fonte –VGG e levamos a tesão VGS a zero, ou a uma tensão
negativa superior à tensão negativa de corte do transistor.

Reta de carga

Em corte o TECJ opera na


extremidade inferior da linha de
carga e com um VGS de “zero”
volt, opera na extremidade
superior da linha de carga.

194
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Resistência CC do estado ligado “RDSON”

A ação de chaveamento de um transistor TECJ não é perfeita, porque aparece sobre os terminais
dreno-fonte em estado de saturação, uma resistência “dc” estática, que é definida como a razão da
tensão do dreno total pela corrente de dreno total:

RDSON = VDS RDSON - resistência CC na região de saturação


ID VDS - tensão CC de dreno-fonte
ID - Corrente CC de dreno

Para o gráfico mostrado na reta de carga, ponte de saturação, se o ponto de saturação é atingido
com uma corrente ID = 1,0mA e VDS = 0,1V.
0,1V
RDSON = = 100
1,0mA
Podemos observar na reta de carga que atingindo o ponto de saturação e elevando o valor da
corrente de dreno, a resistência RDSON aumenta. Para uma chave analógica ideal, trabalha-se com ID
próximo ao ponto de saturação e teremos RDSON em valor mínimo. A resistência CC mínima de um
TECJ, pode ser medida utilizando-se um multímetro conectado aos terminais dreno-fonte e sua porta
aterrada para assegurar VGS a zero volt. Os valores típicos da resistência CC mínima de um TECJ é de
50 a 500 ohms.

Resistência CA do estado ligado “rdsON”


Com a operação do TECJ, como chave CA, é normalmente saturado bem abaixo do joelho da
curva de dreno (ID << IDSS). Ao aplicar um sinal C.A., com o TECJ saturado, esse sinal aparecerá
como uma resistência CA dada por:
rdsON  Resistência CA ()
VDS
rdsON = VDS  Variação na tensão dreno - fonte
ID
ID  Variação na corrente de dreno

Podemos observar no
gráfico, que quanto mais inclinada
a região de saturação, menor a
resistência CA.
Os valores típicos da
resistência CA mínima de um
TECJ é de 10 a 100.

Chave Shunt (Analógica)

A chave Shunt, tem como função transmitir ou bloquear um pequeno sinal C.A. de entrada.
No circuito representado abaixo, aplicando uma tensão C.A. de entrada “vent” (tipicamente menor
ou igual a 100mV), para uma tensão “VGS” igual a zero, o TECJ estará saturado (equivalente a uma
chave fechada) e a tensão C.A. de saída “Vsaída”  igual a 0V.
A tensão de saída é aproximadamente igual a zero porque o TECJ não efetuará um chaveamento
perfeito, devido à resistência dinâmica dos terminais dreno-fonte “rdsON”.

195
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Cálculo da tensão de saída com VGS = 0


RK = RL / / rdsON
RL  rdsON 12 K  40
RK = = = 39,87
RL + rdsON 12 K + 40
RK
Vsaida =  Vent
RK + RD
39,87
Vsaida =  80mV = 1,2 mV
39,87 + 2,7 K

Cálculo da tensão de saída comVGS = VGSOFF

RL 12K
Vsaida =  Vent  Vsaida =  80mV = 65,3mV
RL + RD 14,7K

A.2] Chave em Série Analógica

Tem a mesma função da chave Shunt, diferenciando-se nos terminais dreno-fonte que ficam em
série com a carga a ser ligada. A chave série tem maior aplicação devido a mesma ter uma melhor
relação ON/OFF:
rds = 40

Cálculo da tensão de saída com VGS = 0

RL 12K
Vsaida =  Vsaida =  80mV = 79,73mV
RL + rdson 12,04K

Cálculo da tensão de saída com VGS = VGSOFF

Vsaída = 0 volt
196
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

B) Choppers TECJ
Dispositivo para interromper a corrente elétrica a intervalos regulares. Sua maior aplicação é
nos acoplamentos de amplificadores C.C. em baixa freqüência. No exemplo abaixo, ao injetarmos no
terminal do resistor de dreno uma tensão VCC ou VCA e no terminal de “Porta” um sinal C.C.
pulsativa (VG  VGSOFF )de baixa freqüência, teremos na saída do TECJ um sinal C.C. pulsada ou
uma forma de onda C.A. pulsada na freqüência do sinal de “VG”. Para o sinal C.C. pulsada, agora
pode ser amplificado por um amplificador C.A. que é desprovido de deriva.

C) Multiplex Analógico

Circuito analógico para selecionar uma, entre um número de entradas e desviar a sua
informação para o terminal de saída
Para os terminais de
controle V1, V2 e V3 com um
potencial  VGSOFF, todos os sinais
de entrada são bloqueados.
Fazendo qualquer tensão de
controle igual a zero, podemos
transmitir um dos sinais das
entradas até o terminal de saída
(uma onda senoidal, triangular ou
quadrada). Normalmente somente
um dos sinais de controle é zero.
D) TECJ como resistor variável com a tensão (VVR)

O VVR (Voltage Variable Resistor) tem sua configuração com polarização de porta,
permitindo uma variação da resistência dinâmica dreno-fonte em função da tensão porta-fonte (VGS).
Podemos observar no gráfico que a região de operação como “VVR”, tem sua área de atuação
limitada. Tipicamente opera na faixa de A e uma tensão VDS de apenas algumas centenas de
mlilivolts.

197
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

No gráfico que mostra a resistência de dreno-fonte em função da tensão de controle, a


resistência aumenta quando aumenta a tensão de controle (VGS), embora de forma não linear.

Aplicação do VVR

Uma aplicação comum para o VVR é o controle automático de ganho (CAG) em uma cadeia de
amplificadores.

Aplica-se um sinal A.C. de entrada no amplificador bipolar em configuração emissor-comum


com polarização por divisor de tensão que tem o seu ganho de tensão dado pela fórmula:

RC Onde a resistência equivalente CA de emissor RE  rdsQ 2


AV = é dado pelo paralelo dos resistores de emissor: reeq =
re eq + r ' e Q1 RE + rdsQ 2
rdsQ2 → resistência dinâmica dreno-fonte
r'eQ1 → resistência dinâmica de emissor

Considerando o início de operação do circuito, a tensão VGSQ2 e Zero e o transistor esta saturado
levando o emissor de Q1 para terra (derivando o sinal A.C. via XCD). Com a derivação do sinal a
resistência dinâmica de Q2 aproxima-se de Zero e o ganho do estágio atinge o seu máximo valor.

RC
AVMAX =
r ' e Q1

A fim de manter o nível do sinal de saída constante, pode-se reduzir o ganho do amplificador
quando o nível do sinal de saída aumenta ou aumentar o ganho para uma redução do sinal de saída.
Para se obter este controle do ganho, o sinal A.C. de saída é retificado, filtrado e enviado para a porta
de Q2, onde o nível deste potencial retificado faz o controle da resistência dreno-fonte.

14.4.2 - Autopolarização

É uma das maneiras mais práticas de se conseguir uma polarização de porta, com uma única
fonte de alimentação.
Este tipo de polarização também é conhecido como “Realimentação de fonte”. Podemos
observar no esquemático abaixo, que o resistor “RS” (resistor de fonte), é usado para produzir uma
tensão reversa de porta-fonte.
A realimentação de fonte ocorre em função da queda de tensão sobre os terminais do resistor
“RS”; imaginemos que a corrente de dreno tende a aumentar, a queda VRS aumenta e a tensão
reversa da porta-fonte aumenta, o que faz o canal estreitar-se mais e reduz a corrente de dreno.
Analogamente, em situação contrária, o canal aumenta e consequentemente aumenta a corrente de
dreno.

198
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Para o exemplo, polarizar o circuito para


que a corrente IDQ  5,0mA e que o
ganho de tensão mínimo seja de 20dB.

Dados:
VDD = 24V
IDSS = 10mA
VGSOFF = -4,0V

14.4.2.1 - Dimensionamento dos resistores


Para dimensionar os resistores, necessita-se conhecer a curva de transcondutância do transistor,
utilizando os cálculos de aproximação.
Inclinação = -1 RSPEQUENO
RS ID
ID(mA) RSIDEAL
10 IDSS

RSGRANDE
Curva de
Reta de Curva de Transferência
Autopolinização transferência
5
VGS(volts)
VGSOFF
-4 - 1,15 0 VGSOFF

Podemos observar a linha de autopolarização, que os pontos que interceptam a curva de


transcondutância, depende da inclinação da linha, que é dado pelo inverso do valor ôhmico do resistor
de fonte.
1
inclinação = -
RS
Para que o transistor opere simetricamente, adota-se IDQ  50% de IDSS.

2
 VGS   VGS  2
ID = IDSS1 −   5mA = 10mA1 − 
 VGSOFF   2 
VGS
0,5mA = 1 −  VGS = -1,17V
−4

Sabendo que a tensão quiescente sobre os terminais porta-fonte VGS  -1,17V e este potencial é
gerado a partir da queda de tensão nos terminais resistor “RS”, calcula-se RS:
VGS 1,17V
RS =  RS = = 234 VPM = 240
IDQ 5mA

Para calcular o resistor de dreno, aplica-se a fórmula do ganho de tensão:


Sendo o ganho pretendido no circuito de 20db, transformamos este valor num ganho admensional.
AV
AV = gm  RD  RD =
gm
Adb 20db
AV = ant log  AV = ant log = 10
20 20
199
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Usando os parâmetros de características do componente, determinamos a transcondutância
máxima de transferência do transistor (gmo):
2IDSS 2  10mA
gmo =  gmo = = 5,0mS
VGSOFF 4,0V

A transcondutância de transferência no ponto quiescente de trabalho (gm), é dado por:

 VGS   1,17V 
gm = gmo1 −   gm = 5mS1-  = 3,54 mS
 VGSOFF   4,0V 

10
Logo: RD = = 2,8K VPM = 2,7K
3,54ms

Considerando que a corrente de porta assume valores desprezíveis (faixa de picoampéres), o resistor de
porta pode assumir valores maiores ou igual a 500K.

Rg  500K VPM = 510K

14.4.2.2 – Cálculo dos Parâmetros Elétricos

 CORRENTE QUIESCENTE DE DRENO (IDQ)

A corrente quiescente de dreno é determinada com base na interseção da reta de carga com a curva
de transferência do transistor, que para o exemplo, corresponde a 5mA com um VGSQ de –1,15V.
Com base na equação de SHOCKLEY, determinamos IDQ, como sendo:

 115, V
ID Q = 10mA1 −  = 5,1mA
 4,0V 

 TENSÃO QUIESCENTE DE PORTA (VGSQ)


VGSQ = RS  −IDQ  VGSQ = 240  51
, mA = −1,22V

 TENSÃO QUIESCENTE DE FONTE (VSQ)

VSQ = RS  IDQ  VSQ = 240  51


, mA = 1,22V

 TENSÃO QUIESCENTE DE DRENO (VDQ)

(
VD Q = VDD − RD  ID Q )  VD Q = 24 V − (2,7 K  5,1mA ) = 10,23V

 TENSÃO QUIESCENTE DRENO-FONTE (VDSQ)

VDSQ = VDQ − VSQ  VDSQ = 10,23V − 1,22V = 9,01V

200
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
14.4.3 Polarização Por Divisor de Tensão
Dados:
TECJ = BF245B
IDSS = 12mA
VGSOFF = –4,25V
BVGSS (min) = 30V
gm = 10.000  16.000S
Para se fazer a polarização de um TECJ é necessário
conhecer sua curva de transcondutância, ou utilizar a curva
de polarização do TECJ universal.
Para o exemplo, ver curva de polarização TECJ
universal.

14.4.3.1 - DIMENSIONAMENTO DOS RESISTORES

Para iniciar os cálculos, necessita-se conhecer o ganho de tensão que se deseja para o projeto, ou fazer
IDQ À 50% de IDSS.

A) Cálculo do resistor de dreno (RD)

Faz-se VDQ = 50% de VDD, logo VDQ = 6V e IDQ = 50% de IDSS, logo IDQ = 6,0mA.
VDD − VDQ 12V - 6V
RD = → RD = = 1K VPM = 1K
IDQ 6mA

B) Cálculo do resistor de fonte (RS)


Para obtermos uma corrente ICQ =6mA, determinamos “RS” usando a característica de transferência
do TEC universal.

1 - Calcula-se a relação KI:


IDQ 6mA
KI = → KI = = 0,5
IDSS 12mA

2 - Utilizando a curva característica, levamos a relação KI no gráfico e determinamos a relação KV

VGS
KV = → KV = −0,295
VGSOFF

3 - Utilizando a relação “KV”, calculamos a tensão quiescente “VGSQ”:

VGSQ = KV  VGS OFF

VGSQ = −0,295  4,25 = −1,25V

201
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

KI m M
ID gm VGS OFF VGG
, m
IDSS gmo R S I DSS VGS OFF

 VGS 
gm = gmo  1 − 
 VGS OFF 

0,9

0,22

VGS
VGSOFF
KV

CARACTERÍSTICA DO TECJ UNIVERSAL

VGS
KV =
VGS OFF
VGS
M = m
R2 VGS OFF
VGG =  VDD
R1 + R 2
ID gm
KI = =
IDSS gmo
VGSOFF
m=
RSIDSS

202
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

4 - Calcula-se RS:

VGSQ 1,25V
RS  2  RS  2  = 416,67 VPM = 390
IDQ 6,0mA

5 - Cálculo da declividade da reta de polarização “m”

VGSOFF 4,25
m= = = 0,9
IDSS  RS 12 mA  390

C) Cálculo do divisor de tensão:

Utilizando a curva característica, traçamos a reta de polarização, ligando o ponto de


interligação da curva de transcondutância ao ponto “m”, essa reta nos fornece a relação:
VGG VGSOFF  M 4,25V  0,22
M = m = 0,22 logo: VGG = = = 1,04 V
VGSOFF m 0,9

1 - Resistor Thevenin RGG:

O resistor RGG pode assumir valor maior ou igual a 500K, uma vez que a corrente derivada
para a porta do transistor é desprezível, porque a porta é polarizada reversamente e esta corrente que
circula pela porta é chamada de corrente de fuga “IGSS”, na ordem de picoampéres.

RGG  500K

2 - Cálculo do resistor RG1 e RG2:

Sabendo que RGG pode assumir valores maior ou igual a 500K, calculamos o percentual entre a
tensão VGG em relação à tensão VDD.

VGG 1,04V
%=  100 =  100 = 8,67%
VDD 12 V
Assim para o nosso exemplo, RG2 deverá assumir valores:
RG2  500K  1,0867 → RG2  543K VPM = 620K

Uma vez definido o valor de RG2, calculamos o resistor RG1 através da formula:

RG 2 620K 620K
VGG =  VDD 1,04V =  12 V 0,0867 =
RG1 + RG 2 RG1 + 620K RG1 + 620K
566,25K
0,0867  RG1 = 620K − 53,75K RG1 = = 6,53M VPM = 6,2M
0,0867
Re calculando RGG:

6,2M  620K
RGG = = 563,64 K  RGG > 500K < 563.64K
6,2 M + 620K

203
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
14.4.3.2 - Cálculo Dos Parâmetros Elétricos C.C. :

A) Cálculo da tensão de porta (VGG):


RG2 620K
VGG =  VDD VGG =  12V = 1,09V
RG1 + RG2 6,2M + 620K

B) Cálculo da corrente quiescente de dreno (IDQ):

VGSOFF 4,25V
m= m= = 0,9
I DSS  RS 12mA  390

VGG 1,09V
M = m M = 0,9  = 0,23
VGSOFF 4,25V

Levando os pontos “m” e “M” no gráfico de característica universal, traçamos a reta de


polarização, identificando KI e KV.
KI = 0,5 ICQ = KI  IDSS VGSQ = KV  VGSOFF
KV = −0,295 ICQ = 0,5  12mA = 6,0mA VGSQ = −0,295  4,25 = −1,25V
Para uma maior precisão nos cálculos, determinamos a corrente quiescente de dreno utilizando a
fórmula de SCHOCKLEY :

 (− 1,25V)  2
IDQ = 12 mA1 −  = 5,98mA
 ( − 4,25V) 

C) Cálculo da tensão de fonte quiescente (VSQ):

VSQ = RS  IDQ = VSQ = 390  5,98mA = 2,33V

D) Cálculo da tensão de fonte quiescente (VSQ):

VDQ = VDD − ( RD  ID) VDQ = 12V − 5,98V = 6,02V

E) Cálculo da tensão quiescente (VDSQ):

VDSQ = VDQ − VSQ VDSQ = 6,02V − 2,33 = 3,69V

F) Cálculo da tensão de fonte quiescente (VGSQ), utilizando os parâmetros elétricos:

VGSQ = VGG − VSQ VGSQ = 1,09V − 2,33V = −1,24V

14.5 - AMPLIFICADOR SC ( FONTE COMUM )

Para o amplificador “SC” podemos fazer uma análise análoga ao modelo CA de um amplificador
“EC” com transistor bipolar .
Os transistores TECs por ter como característica de entrada uma “ALTA IMPEDÂNCIA”, tem
sua aplicação em grande escala nos amplificadores de pequeno sinal . Para os casos que se deseja
amplificar um baixo sinal e acoplar a uma carga de baixo valor ôhmico, recomendamos o estágio
inicial com TECJ ou TECMOS e o estágio de saída com bipolar.
204
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Quando se trabalha num processo de amplificação utilizando bipolares e fet’s, denominamos o
circuito como “BIFET” ou “BIMOS”, muito utilizado nos amplificadores operacionais. Os
amplificadores “SC” tem como características:
• Impedância de entrada de porta (ZentG)  Alta   10M
• Impedância de saída de dreno (ZsaídaT)  Alta  30K a 150K
• Ganho de tensão (AV)  Baixo  < 100
• Baixo nível de ruído
• Consumo de potência muito pequeno
• Boa sensibilidade à sobrecarga.
Para análise CA de amplificadores TECJ em fonte-comum, utilizaremos como exemplo a
configuração com polarização por divisor de tensão, mostrado no subitem 14.4.3.

14.5.1 - Cálculo Dos Parâmetros Elétricos C.A. :

A) Impedância de entrada (Zent)

A impedância de entrada do circuito é dada pela resistência thevenin RGG, uma vez que a
impedância de base é desconsiderada devido ao seu alto valor ôhmico.

R2  R1 620K  6.2M
Zent = = = 563,64K
R2 + R1 620K + 6,2M

B) Impedância de saída (Zsaída)

Zsaída = RD = 1K

C) Ganho de tensão CA (AV)

Para determinar o ganho de tensão da configuração “SC”, torna-se necessário conhecer a


transcondutância máxima e no ponto de trabalho do transistor FET.
− 2  12 mA  ( − 1,24 V) 
g mo = = −5,65mS g m = −5,65mS 1 −  = −4,0mS
4,25V  ( − 4,25V) 

AV = -gm  RD AV = - 4,0mS  1K = -4

205
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

D) Circuito equivalente CA

E) Tensão de entrada de porta (VentP)

Zent 563,64K
Vent P =  Vent Vent P =  150mV = 149,99mV
Zent + RS 563,64K +10

F) Tensão thevenin de saída (vth)

vth = Vent P  AV vth = 149,99 mV  −4 = −599,96mV

G) Tensão CA de saída (Vaída)

RL 51K
Vsaida =  vth Vsaida =  599,96mV = 588,42 mV
RL + Zsaida 51K + 1K

Nos amplificadores SC, quando um pequeno sinal CA for acoplado à porta, ele produz
variações na tensão da porta-fonte, que utilizando o ganho de tensão, podemos determinar a tensão
C.A. de dreno.
Este tipo de amplificador tem como desvantagem a “distorção por lei quadrática”, porque a curva
de transcondutância é uma parábola (o semiciclo positivo é alongado enquanto que o semiciclo
negativo é comprimido). Para os amplificadores lineares, uma distorção é indesejável, enquanto que
nos misturadores de freqüência, essa distorção tem grande aplicação.
Uma forma de minimizar a distorção por lei quadrática é mantendo um pequeno sinal de entrada,
isto é, fazer o valor da corrente de dreno de pico-a-pico menor ou igual a 10% da corrente de dreno
quiescente.
Esta regra de 10:1 mantém a distorção em níveis suficientemente baixos para a maioria das
aplicações.

H) Cálculo dos pontos quiescentes, utilizando a equação de Schockley:

1 - Ponto Q:
2
 VGSQ  2  1,25 
IDQ = IDSS 1 −  = 12 mA  1 −  = 5,98mA
 VGSOFF   4,25
2- Ponto Q1:
2
 , V
110
VGSQ = −1,25 + 0,15V = −110
, V IDQ1 = 12 mA  1 −  = 6,59 mA
 4,25V 
3 - Ponto Q2:
2
 1,4 V 
VGSQ = −1,25 − 0,15V = −1,4 V IDQ1 = 12 mA  1 −  = 5,4 mA
 4,25V 

206
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

14.6 - Polarização de Transistores TEC-MOS

Para efetuar a polarização de um transistor TEC-MOS, são usados os mesmos métodos de


polarização discutidos para os transistores TECJ.
Sendo os TEC-MOS dispositivos que tem excelentes propriedades de baixo ruído e altíssima
impedância de entrada, sua maior aplicação é em estágios próximo à entrada de um sistema.
Os circuitos integrados “LSI”Larga Scale Integration) e “MSI” (Medium Scale Integration), são
construídos principalmente usando transistores TEC-MOS.
O TEC-MOS de depleção canal “N”, opera no modo depleção para tensões porta-fonte negativas,
assim como um TECJ inversamente polarizado (e opera no modo indução para tensões porta-fonte
positivas). Enquanto o TECJ não pode ser inversamente polarizado quando opera como amplificador,
o TEC-MOS de depleção pode ser diretamente ou inversamente polarizado, pois a isolação de óxido
da porta evita correntes de porta para qualquer polaridade de tensão porta-fonte.

Um TEC-MOS de indução requer uma tensão porta-fonte maior do que a tensão-limite para ligar
o TEC. A configuração mostra um circuito bastante comum para polarizar um TEC-MOS de indução.
A tensão dreno-fonte é usada para estabelecer a tensão porta-fonte. Como não há corrente de
porta, não há queda de tensão no resistor de porta e a tensão dreno-fonte (VDS) é igual à tensão
porta-fonte (VGS).
O ponto de polarização resultante pode ser determinado pela interseção da linha de carga CC do
circuito com a característica de transferência do dispositivo.

207
TRANSISTOR TECJ E TEC-MOS
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
XV - TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (TUJ)
Dispositivo semicondutor de três terminais,
formado por uma lâmina de silício levemente dopada
(responsável pela característica resistiva entre os
terminais base-1 à base-2), com dois contatos de base
ligados aos extremos de uma superfície e um bastão de
alumínio ligado à superfície oposta. A única junção P-N
existente no dispositivo é formada na fronteira do bastão
de alumínio com a placa de silício tipo “N”. Note no
desenho de construção básica, que o bastão de alumínio é
juntado à placa de silício em um ponto mais próximo do
contato base-2.
Os transistores de unijunção, tem em
seu símbolo, o terminal de emissor (E)
inclinado em relação à linha vertical
(representa a placa de material tipo “N”). A
flecha aponta no sentido da corrente
convencional (lacunas) quando o dispositivo
é diretamente polarizado. Para melhor
entendimento do TUJ, mostramos os
desenhos: básico, equivalente e equivalente
de trava.
No circuito equivalente, o resistor RB1 é
representado como um resistor variável e seu
valor ôhmico é alterado em função da
corrente de emissor “IE” (tipicamente RB1
varia entre 50 e 50K, em função de “IE”
variando de “0 à 50A).

No circuito equivalente de travamento, podemos observar que


com uma tensão positiva de B2 para B1, uma tensão de afastamento
aparece através de R1. Isto mantém o diodo emissor de Q2
polarizado reversamente enquanto a tensão de entrada do emissor for
menor que a tensão de afastamento. Quando a tensão de entrada do
emissor for ligeiramente maior que a tensão de afastamento, Q2
ligará e a regeneração ocorrerá. Isto leva os dois transistores à
saturação, idealmente pondo em curto o emissor e a base inferior.
Quando a tensão do emissor excede a tensão de afastamento, a trava
entre o emissor e a base inferior fecha. Idealmente, pode-se
visualizar um curto entre “E e B1”. Numa segunda aproximação,
uma baixa tensão chamada tensão de “saturação do emissor –
VESAT”, aparece entre “E e B1”. A trava permanece fechada
enquanto a corrente de travamento for maior que a corrente de
manutenção (Iv → corrente de vale).

208
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
15.1 - PARÂMETROS ELÉTRICOS
A] Resistência interbase (RBB)
Resistência ôhmica entre os terminais B1 e B2, tipicamente entre 5 a 10K, especificada em
folhas de dados com uma corrente de emissor igual a “zero”. O valor ôhmico de RB2 é
tipicamente na faixa de 100.

RBB = ( RB1 + RB2) IE = 0

B] Queda de tensão na resistência de base-1 (VRB1)


È o potencial sobre os terminais de RB1, num dado ponto, quando circula por ele uma corrente.

RB1
VRB1 =  VBB =   VBB IE=0
RB1 + RB2

C] Taxa de separação intrínseca ()


Podemos observar no circuito equivalente, que RB1 e RB2 formam um divisor de tensão e o
fator do divisor de tensão é chamado de taxa de separação intrínseca ou “razão intrínseca de
afastamento”.
RB1
=
RB1 + RB2 IE=0

Tipicamente os transistores de unijunção possuem uma taxa de separação de  = 0,5 à 0,8.


Um dos transistores de grande aplicação é o “2N2646”, que tem sua razão intrínseca de
afastamento  = 0,65.

D] Potencial de disparo do emissor (Vp)


É o mínimo potencial necessário capaz de fazer com que o diodo entre em condução.

Vp =  x VBB + VD VD = 0,7V (característica construtiva em lâmina de silício).

E] Tensão de vale (Vv)


É o potencial aplicado no terminal de emissor, em relação ao terminal de base–1 (B1), no
instante em que a região de resistência negativa atinge o seu final (menor valor ôhmico de
RB1). È o menor valor tensão de emissor, que leva o UJT entrar em corte

F] Tensão de emissor saturado (VESAT)


Após atingir a tensão de vale e sair da resistência negativa, a tensão de emissor volta a crescer
e atinge o ponto de saturação, onde aumentos na corrente de emissor não interfere na tensão de
emissor. Este ponto da curva é denominado de tensão de emissor em saturação.

G] Corrente de fuga inversa no emissor (IEQ)


Ao polarizar o emissor com uma tensão inversa, circula pelo terminal de emissor uma pequena
corrente de fuga, tipicamente na faixa de A. Esta corrente está presente na região de corte.

H] Corrente de vale no emissor (Iv)


É o maior valor de corrente que circula pelo emissor, que leva o UJT entrar em corte,
denominada de corrente de manutenção.
209
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
I] Corrente de pico no emissor (Ip)
É o menor valor de corrente que circula pelo emissor, no ponto em que o diodo entra em
condução (término da região de corte).

15.2 - CURVA CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DE EMISSOR

VESAT - Tensão de emissor saturado.


Vv - Tensão de vale.
Vp - Tensão de emissor no ponto de
pico.
VE Tensão de emissor.
IEQ - Corrente de fuga inversa.
Ip - Corrente de emissor no ponto
de pico.
Iv Corrente no ponto de vale.

Podemos observar na curva que VE = VP faz com que o diodo de emissor saia da região de corte
e entre na região de resistência negativa, com aumento de IE, a tensão de emissor VE cairá, o que
corresponderá numa diminuição de RB1.
Atingindo o ponto de vale, um aumento da corrente de emissor IE, levará o dispositivo à região
de saturação. A tensão de vale, mostrada na curva, corresponde à menor tensão de emissor em um dado
ponto da curva, onde aumentos da corrente de emissor não interferem na tensão de emissor.

15.3 - OSCILADOR COM TUJ

Dispositivo eletrônico com transistor de


unijunção, capaz de gerar uma potência CA numa
determinada freqüência.
A oscilação do dispositivo depende da constante
de tempo “REC1” e da “razão intrínseca de
afastamento” () do transistor. Um capacitor carregar-
se-á e descarregar-se-á exponencialmente, onde as
constantes de carga e descarga serão especificadas pela
letra “” .
1
FO 
 1 
REC1  ln  
 (1 − ) 

Ao alimentar o circuito, o capacitor carregar-se-à através do resistor RE, o tempo de carregamento do


capacitor “C1”, é representado por:

c = RE x C1

210
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
O capacitor tenderá a atingir a tensão de alimentação VCC (ver gráfico VC em função de t),
porém, quando a tensão VC (tensão nos terminais do capacitor) atingir o valor de pico do UJT, este
disparará descarregando-se através do resistor R1 e de uma parcela de RBB considerada desprezível,
com uma constante de tempo dada por:

d = R1 x C 1

O tempo de oscilação do circuito (carga e descarga do capacitor “C1”), será dado por:

T = c + d

Enquanto a tensão de
emissor (VE) não atingir o valor de
pico do UJT, este permanecerá em
corte e a única corrente que irá
circular pelo circuito será a corrente
das bases 1 e 2, relativa à tensão
VCC.
A tensão “VE”, que é a
mesma tensão nos terminais do
capacitor “VC1”, ao atingir VP, o
UJT irá disparar e o capacitor “C1”
descarregar-se-á através de RB1,
levando a base-1 aproximadamente
à VP.
Quando a tensão nos
terminais do emissor atingir a tensão
de vale, o UJT entrará em corte
reiniciando novo ciclo.
Quando VE = VP, o UJT irá
disparar e para que isso ocorra, é
necessário que tenhamos:

VE = VP =  x VBB + VD

Quando ocorrer o disparo do UJT, circulará pela base um valor apreciável de corrente, de modo
que devemos inserir em série com a mesma um resistor ou um transformador de pulso, cuja finalidade
é limitar a corrente de emissor no disparo do UJT.
A seguir fornecemos uma tabela dos parâmetros elétricos e curvas características típicas dos
transistores UJT 2N2646 e seu equivalente 2N4870, dados extraídos do DATA BOOK MOTOROLA
– volume-I.

211
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
UJT – 2N4870 e 2N4871

Os transistores TUJ, tem justificado seu uso em várias aplicações:

 Osciladores;
 Controladores de fase;
 Circuitos de disparo;
 Temporizadores
 Geradores dente-de-serra;
 Redes biestáveis;
 Fontes reguladas de tensão e corrente; etc.

212
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

UJT – 2N4870 e 2N4871

213
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

PARÂMETROS

Máxima potência de dissipação 300mW 300mW


PDRMS

Máxima corrente de emissor 50mA 50mA


IERMS

Máxima tensão reversa de 30V 30V


emissor VB2E

Máxima tensão de inter-base 35V 35V


VB2B1

Min. 0,56 Min. 0,56


Relação intrínseca  TYP 0,65 TYP 0,65
Máx. 0,75 Máx. 0,75
Min. 4,7K Min. 4,7K
Resistência de inter-base RBB TYP 7,0K TYP 7,0K
Máx. 9,1K Máx. 9,1K

Resistência de base-1 RB1 para Min. 50 Min. 50


IE = 0 a 50A Máx. 5000 Máx. 5000

Tensão de emissor saturado


VEB1SAT 3,5V 3,5V
VB2B1 = 10V, IE = 50mA

Corrente de emissor no ponto TYP 1,0A TYP 1,0A


de pico IP Máx. 5,0A Máx. 5,0A

Corrente no ponto de vale Iv


VB2B1 = 20V Min. 4,0mA Min. 2,0mA
R2 = 100 TYP 6,0mA TYP 5,0mA

Tensão de pico em pulsos na Min. 3,0V Min. 3,0V


base-1 V0B1 TYP 5,0V TYP 6,0V

1,0V
Tensão de emissor no ponto de
vale Vv *Para maior precisão ver curva característica de Vv em função de
VBB

214
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
15.3.1 – Dimensionamento Dos Resistores

A) Cálculo do resistor de base-1 (R1)

Para calcular o resistor de base-1 “R1”, é necessário conhecer o valor mínimo da tensão de disparo
(VLmin) da carga que UJT irá disparar ou comutar e identificar na tabela de parâmetros típicos ou
na curva do UJT, os parâmetros básicos para cálculos. Para o nosso exemplo utilizaremos o
transistor 2N2646 para comutar uma carga com um VLmin = 1,0V, aplica-se a fórmula:

 RBBTYP + RBBmin 
VLmin   R2 + 
 2 
R1 
VCC − VLmin

Considerando que RBBR2, numa primeira aproximação fazemos R2=0, logo:

 7000 + 4700 
1,0V   0 + 
 2 
R1  R1  531 VPM = 510
12 V − 1,0V

O fato de utilizarmos para RBB o valor mínimo e o valor típico é que devemos considerar o pior
caso, onde o maior valor de VR1 não é suficiente para disparar o elemento conectado à base-1,
enquanto o UJT estiver cortado

B) Cálculo do resistor de base-2 (R2)

Tem como finalidade dar estabilidade térmica ao circuito. A influência da temperatura numa
junção PN, tem um coeficiente térmico relativo à mesma, cujo valor aproximado é de 2,5mV/°C,
ou seja, para cada aumento de 1°C na temperatura da junção, decresce a tensão na junção de
aproximadamente 2,5V mV.
Para não interferir na tensão de carga VLmin e na freqüência de oscilação do circuito, adotamos:

R1 510
R2  R2   255 VPM = 240
2 2

Para projetos que requerem uma tensão de carga  500mV, adotamos para o cálculo do resistor de
base-2:

VLmin  RBBmin (1- )


R2  +  R1
  VCC 

215
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Exemplo:
Dimensionar os resistores R1 e R2 para que a tensão de saída seja de 300mV.

7000 + 4700
300mV 
R1  2 = 150 VPM = 150
12 V − 300mV

7000 + 4700
300mV  (1 − 0,65)
R2  2 +  150 = 305,77 VPM = 300
0,65  12V 0,65

C) Cálculo do resistor de emissor (RE)

O resistor RE em conjunto com o capacitor C1, são os componentes responsáveis diretamente pela
freqüência de oscilação do circuito. O produto “RE.C1” é uma constante de tempo de carga do
capacitor denominada como “c”.
No gráfico abaixo, mostraremos o tempo de carregamento do capacitor (c) e o tempo de
descarga do capacitor (d).

c = (t1 - t0) = RE x C1 d = (t2 – t1) = (RB1 + R1) x C1

O período de oscilação do circuito (T), é a soma das constantes de tempo:

T = c + d

Para circuitos osciladores com função de emitir pulsos de curta duração, teremos:

c >> d nestas condições T = 1.

A freqüência de oscilação do circuito (F0) pode ser calculada usando a equação F0 = 1/(RE x C1)
mas, Sabendo que as características do UJT podem interferir na freqüência de oscilação, Usamos a
fórmula abaixo que oferece maior precisão:

1
F0 =
 1 
RE  C1  ln  
 (1 − n ) 

Sabendo que a freqüência de oscilação desejada é de 500Hz, calcula-se a constante de tempo RE x C1:
Fixa-se um valor para o capacitor C1, conforme tabela de capacitores padrão.

1
RE =
 1 
FO  ln  
 (1 − ) 
C1
216
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

= 1,9  10− 3 segundos


1
RE  C1 =
 1 
500Hz  ln  
 (1 − 0,65) 

C1 = 47nf
1,9  10-3
RE  47nF = 1,9ms RE = = 40,4K R1 = 39K
47  10-9

Calculado o resistor de emissor “RE”, torna-se necessário verificar se o valor de “RE” calculado
garante o disparo e a interrupção do TUJ, faz-se:

VBB − Vp 12 V − (0,65  12 V + 0,7)


RE  = = 700K
Ipmax 5  10− 6
VBB − Vv 12 V − 1V
RE  = = 2,7 K
Ivmin 4  10− 3

2,7 K  RE  700K 2,2K < 39K < 700K

D) Cálculo da tensão quiescente de saída (VL)

 Circuito projetado para VLmin = 1,0V

VBB  R1 12V  510


VL = VL = = 1,12V
RBBMIN + R1 + R2 4700 + 510 + 240

 Circuito projetado para VLmin = 300mV

VBB  RB 12 V  150
VL = VL = = 349 mV
RBBMIN + R1 + R2 4700 + 150 + 300

NOTA: Para os cálculos dos resistores R1 e R2, foram considerados , que o Transistor UJT
apresentará uma resistência de interbase “RBB” numa faixa entre seu valor mínimo e seu valor
típico; no pior ponto de trabalho RBB=RBBMIN a menor tensão de saída 1,12V>VLMIN.
Para os casos que se deseja uma tensão exata de saída, aplica-se em série com o resistor R1, um
resistor variável para calibração.

E) Cálculo da corrente Base-1 (IB1)

VB1
IB1 =
R1

217
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Circuito projetado para VLmin = 1,0V Circuito projetado para VLmin = 300mV

IB1 = 1,12V = 2,19mA IB1 = 349mV = 2,33mA


510 150

F) Tensão Base-2 (VB2)

VB2 = IB1  ( RBBMIN + R1)

Circuito projetado para VLmin = 1,0V Circuito projetado para VLmin = 300mV

VB2 = 2,19mA x (4700 + 510) = 11,4V VB2 = 2,33mA x (4700 + 150) = 11,3V

G) Tensão entre Base-1 e Base-2 (VB12)

VB21 = VB2 − VB1

Circuito projetado para VLmin = 1,0V Circuito projetado para VLmin = 300mV

VB21 = 11,4V –1,12V = 10,28V VB21 =11,3V – 0,349 = 10,95V

H) Corrente de Emissor (IE)

VV − VD
IE =
RB1MAX

RB1MAX  Ver tabela dos parâmetros elétricos do UJT (folha 204)

RB1MAX = 5K

VD  Queda de tensão direta no diodo de emissor

VD = 0,7V

Vv  Tensão no ponto de vale, ver curva de característica do UJT – 2N4870 (folha 203).

Vv = 1,523V Vv = 1,54V

Circuito projetado para VLmin = 1,0V Circuito projetado para VLMIN = 300mV

1,523V − 0,7 V 1,54 V − 0,7 V


IE = = 164,6A IE = = 168A
5K 5K

218
TRANSISTOR UJT
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

XVI – AMPLIFICADOR OPERACIONAL

O amplificador operacional (Amp. Op.) é certamente um dos circuitos integrados de


aplicações lineares mais usados e mais versáteis da atualidade. Sua aplicação em circuitos
eletrônicos, não requer cálculos cansativos e ajustes para sua polarização, ao contrário dos
transistores. Particularmente, foram escolhidos os amp. op. tipo LM741 e TL071, nas aplicações
citadas e nos exemplos numéricos, por serem de aplicação generalizada, de baixo custo, boa
confiabilidade e de boa robustez elétrica.
O amp. op. é aplicado em circuitos lineares e não-lineares na eletrônica geral, em sistemas
de controle e regulação, instrumentação, processamento e geração de sinais.
Inicialmente o amp. op. foi utilizado para executar operações matemáticas em computação
analógica, tais como:
• Somar • Integrar
• Subtrair • Diferenciar, etc.

O amp. op. pode ser definido como um


amplificador de C.C. linear, com elevado
ganho de tensão, em uma única pastilha
semicondutora. Para sua operação, é usado
externamente uma rede de realimentação
negativa para controlar suas características
de operação.

O comércio de componentes eletrônicos dispõe hoje, aproximadamente de 2000 tipos de amp. op.,
sendo a maioria deles dispositivos de baixa potência (< 1W).
Houve uma época em que os amp. op. eram feitos de componentes discretos. Hoje em dia, a
maioria dos amp. op. são fabricados em pastilhas. Antes de discutirmos as características dos
operacionais, será de grande ajuda ter uma idéia básica de como são construídos os circuitos
integrados.

16.1 CIS MONOLÍTICOS


A palavra “Monolítico” vem do grego e significa “uma única pedra”, é definido monolítico porque
os componentes fazem parte de uma única pastilha. Um circuito integrado monolítico tem todos os
seus componentes manufaturados em um único cristal semicondutor.

16.1.1 Elementos De Circuito Monolítico


Cada elemento necessário par o CI estará contido em
 Resistor
uma lâmina de material semicondutor. O material
utilizado na montagem do resistor, pode ser do tipo
“P” ou “N”, embora o tipo “P” seja empregado com
maior freqüência. Sabendo que a resistência de um
material é determinado pela resistividade,
comprimento, área e temperatura do material,
podemos determinar a resistência da lâmina de um
material semicondutor pela fórmula:

___________________________________________________________________________________________ 219
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO


RS =  Para  = W, tem - se a superfície quadrada e
A
  
RS = = onde: RS =
YW Y Y
  resistividade do material em  / cm
Y  espessura da lâmina em cm
  comprimento em  / cm

RS  resistência da lâmina  / cm2 logo: R = RS ( )
W

Calcular a resistência ôhmica de um semicondutor, com os


seguintes dados;
W = ½ mil
 = 10 mils
RS = 100/cm2
 1cm
R = 100 2  = 2K
cm 0,05cm

Substrato:

Fina fatia de um cristal semicondutor, onde um dos lados da fatia é limpo e polido para se
eliminar as imperfeições da superfície. Esta fatia é usada como chassi para os componentes
integrados.

 Capacitor:
Os elementos capacitivos monolíticos são formados a partir da capacitância de transição da junção
P-N inversamente polarizada. Quando se aumenta o potencial de polarização inversa, aumenta a
distância entre as impurezas tipo P e N na junção. A região entre estas camadas opostamente
dopadas é chamada região de depleção devido a ausência de portadores “livres”. Portanto, temos os
elementos necessários para um dispositivo capacitivo, sendo que a região de depleção têm as
características isolantes para separação das duas camadas opostamente carregadas.

Na figura , mostramos a seção transversal e a


superfície de um elemento capacitivo monolítico. A
junção J2, polarizada inversamente é a responsável
pela capacitância de transição do elemento. A junção
J1, origina uma capacitância parasita, que pode ser
minimizada atravéz de certos cuidados de projeto.
Como o alumínio é uma impureza tipo P no silício, a
região N+ difundida na região “N” é feita com alto
nível de dopagem, para evitar que se estabeleça uma
junção P – N na fronteira de contato de alumínio com
a região de impureza tipo N.

220 __________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
A capacitância de transição está relacionada com a largura (w) da região de depleção, com a área
(A) da junção e com a permissividade () do material da região de depleção.
A camada vitrificada de dióxido de silício é feita despejando-se oxigênio sobre a superfície de e
substrato. O oxigênio combina-se com os átomos de silício para formar o “Si02”. Essa camada de
dióxido de silício tem a função de selar a superfície e impedir outras reações químicas; a selagem de
uma superfície de material semicondutor é chamada “passivação”.

 Transistores:

Uma vez que se tenha o substrato, cria-se uma região “N” com impurezas pentavalentes (átomos de
fósforo), dando origem a região do coletor. Utilizando o dióxido de silício (SiO2) a superfície desta
região é vitrificada. Em seguida uma parte de Si02 é destruida , expondo-se a camada epitaxial
(camada feita com uma mistura gasosa de átomos de silício e átomos fósforo). A fatia é, então,
colocada num forno onde se difunde átomos trivalente (boro). A concentração de átomos contraria
à dopagem da camada epitaxial, é suficiente para mudar a camada epitaxial exposta para a dopagem
criada por difusão de átomos. Dessa forma obteremos uma ilha de material tipo “P”, dopado sob a
camada de Si02, dando origem à região de base. Novamente borrifa-se oxigênio sobre a superfície
para formar uma nova camada de Si02. A seguir, faz-se um furo no centro da camada de Si02, e que
expõe à camada epitaxial. O buraco feito na camada de silício é chamado “janela”, que vai dar
origem a região de emissor. Para se obter a região de emissor, injetamos átomos de impureza
pentavelmente (fósforo), através da janela criada na região de base, as impurezas difundem-se pela
camada epitaxial e formam uma pequena ilha, que dá origem à região de emissor .
A seguir, passivamos a estrutura
aspergindo oxigênio sobre a fatia.
Neste ponto estamos com as regiões
NPN prontas, faltando apenas a
conexão com os terminais externos.
Três novas janelas de dimensões
menores são feitas para formar
regiões de contato (vapores de
alumínio). Utilizando fios de ouro,
efetuamos as conexões dos terminais
externos com as respectivas regiões
de alumínio, que estão em contato
com as regiões dopadas.
Para um melhor entendimento dos
passos da confecção de um transistor
ver Apêndice – A3.

 Diodos Os Diodos de um circuito integrado


monolítico são formados pela difusão
das regiões necessárias para um
transistor em primeiro lugar, para em
seguida serem feitas máscaras de
conexões de terminais de diodos em vez
de transistores. Há, porém, duas formas
de se usar um transistor para realizar a
ação básica do diodo.

__________________________________________________________________________ 221
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

16.1.2 - CIs De Filme Fino e Grosso

As características gerais, propriedades e aspecto dos circuitos integrados de filme fino e


grosso são semelhantes, embora ambos sejam diferentes em muitos pontos do CI monolítico.
Eles não são formados dentro de um disco semicondutor, mas sim sobre uma superfície de um
substrato isolante tal como vidro ou cerâmica apropriada. Além disso, somente os elementos
passivos (resistores, capacitores) são formados através de técnica de filme fino ou grosso sobre a
superfície isolante. Os elementos ativos (transistores, diodos) são acrescentados como elementos
discretos separados da superfície da estrutura após a formação dos elementos passivos. Os
dispositivos ativos separados são produzidos freqüentemente por processo monolítico. A principal
diferença entre as técnicas de filme fino ou grosso é o processo empregado para a formação de
componentes passivos e das interconexões metálicas. Em geral, os componentes passivos dos
circuitos de filme podem ser formados com valores que variam em uma faixa mais ampla e com
tolerâncias menores do que o CI monolítico; apresenta uma maior flexibilidade de projetos,
resultando em uma maior dimensão e um maior custo.

16.1.3 - CIs Híbridos

Se aplica à grande variedades de circuitos integrados de várias pastilhas e também são


formados por uma combinação de técnicas de CI de filme e monolítico.
O CI de múltiplas pastilhas emprega a técnica monolítica ou de filme para formar os vários
componentes, ou um conjunto de circuitos separados, interconectados sobre um substrato isolante e
encapsulados em um mesmo invólucro.

16.1.4 - Formas De Integração

Na figura, é um exemplo de “integração em pequena escala” (SSI-SMALL-SCALE


INTEGRATION). A integração SSI, refere-se a Cis com menos de 12 componentes integrados.
A “integração em média escala” (MSI-MEDIUM-SCALE INTEGRATION), refere-se a CIs que
possuem de 12 a 100 componentes integrados por pastilha.
A “integração em grande escala” (LSI-LARGE-SCALE INTEGRATION), refere-se a CIs com
mais de 100 componentes.

222 __________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

16.2 – CONFIGURAÇÃO INTERNA DO AMPLIFICADOR OPERACIONAL


O amp. op. é um CI de média escala de integração (MSI), pois possui menos de 100
componentes por pastilha. O seu circuito interno é formado por amplificadores ligados em cascata,
com acoplamentos diretos. A interface de entrada é formada por um amplificador diferencial,
contendo uma entrada inversora e uma não-inversora de ALTA impedância, quando montados com
transistores bipolares e de impedância INFINITA, quando montados com transistores TECs. A
interface de saída é formada por um amplificador classe-B em configuração Push-Pull, com
polarização por espelho de corrente com carga ativa; apresentando em seu terminal de saída uma
baixa impedância. Para interligação das interfaces, é usado um acionador classe-B
Nessa etapa dedicaremos nossos estudos no amplificador diferencial e nos espelhos de corrente.
16.2.1 – Amplificador Diferencial Básico
É um circuito que possui dois
circuitos de entradas similares
ligados de maneira tal que
respondem à diferença entre
duas tensões ou correntes, mas
suprimem tensões ou correntes
similares nos dois circuitos de
entrada. O amp. op. dif. é
usado com estágios em
acoplamento direto.
VS = AV (VE1 – VE2)
VS  Tensão de coletor
AV  Ganho de tensão dado pela relação RC/r'e
VE1  Tensão de entrada não inversora
VE2  Tensão de entrada inversora
O amp. dif. básico, tem sua entrada e saída com terminal duplo, mas podem ser montados nas
configurações a seguir.
16.2.1.1 - Entrada um terminal – Saída duplo terminal
Nesta configuração, é usada
somente uma das entradas, sendo
a outra aterrada. Este tipo de
entrada é chamada “terminal
simples”. A saída permanece
dupla e é dada pela equação:

Vsaída = AV x VE1

Uma saída de terminal duplo


tem poucas aplicações porque
requer uma carga flutuante
(ligada nos terminais 3 e 4).
Isto não é conveniente na
maioria das aplicações porque
as cargas geralmente têm
terminal simples,(um dos
lados ligados à terra).

__________________________________________________________________________ 223
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Ao injetarmos um sinal senoidal na entrada “1” podemos observar os sinais resultantes no circuito
em seus terminais de saída.
VS1 – Tensão C.A. amplificada defasada de 180º em relação à tensão VE1, dada pela fórmula:
VS2 –Tensão C.A. amplificada em fase com a tensão VE1, dada pela fórmula:

RC
VS1 = −AV  VE1 AV = VS2 = AV  VE1
RE + r'e

A Tensão VS1 é igual a tensão VS2 em módulo e defasado de 180°, sendo assim, a tensão medida
entre os terminais 3 e 4 quando se aplica uma tensão senoidal simétrica, é igual a zero.

16.2.1.2 – Entrada e saída com terminal simples

Nesta configuração, o amp. dif. é útil nos estágios de acoplamento direto onde se deseja amplificar
somente uma entrada, sendo VE2 = 0 a tensão de saída é dado pela fórmula:

RC
AV = VS 2 = AV  VE 1
RE + r' e

16.2.1.3 – Entrada duplo terminal – saída com terminal simples

Esta configuração, é a mais usada de um amplificador diferencial. Ele tem várias aplicações
porque pode alimentar cargas com um único terminal como os amplificadores EC e seguidores de
emissor. Para essa configuração, a tensão de saída é dada por:
Vsaída = VS2 Vsaída = AV (VE1 – VE2) Vsaída = 1 x (4V – 3V ) = 1,0V
RC
AV  ganho de tensão   Para o exemplo o ganho de tensão é unitário
2r'e
VE 1  tensão de entrada não - inversora VE 2 = tensão de entrada inversora
224 __________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
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16.2.1.4 - Análise C.C. De Um Amp. Diferencial Básico (duas entradas e uma saída):

A) Polarização do emissor

Um amp. dif. às vezes é chamado “PAR DE CAUDA LONGA” porque ele é formado por
dois transistores ligados a um único resistor do emissor ( a cauda ). A corrente atravéz desse resistor
é chamada “corrente de cauda”. Para podermos melhor interpretar a polarização do emissor,
representamos, também, o seu circuito equivalente C.C.. Considerando uma polarização
estabilizada, faz-se RB  0,02.hFE.RE e a corrente C.C. em cada emissor é dada por:

VEE − VBE
IE =
2 RE

A corrente C.C. na cauda do circuito pode ser calculada por:

VEE − VBE
IT = 2IE ou IT =
RE

Corrente de OFF SET

É a corrente de compensação da entrada, que é definida como a diferença entre as correntes das
bases.
I OFF SET = IB1 + IB2

• Corrente de polarização de entrada ( IentPOL )

É a média aritmética das duas correntes de entrada de base.


IB1 + IB2
Ient POL =
2

Como exemplo, suponha que IB1 = 75A e IB2 = 65A, logo:


I OFF SET = 75A - 65A = 10A
O transistor Q1 tem 10A a mais de corrente na base do que o transistor Q 2 :
75A + 65A
I ent POL = = 70A
2
__________________________________________________________________________ 225
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• Tensão de OFF SET ( VOFF SET )

É a tensão de entrada necessária para zerar ou anular a tensão de compensação da saída.


Considerando que IC = IE, qualquer desvio deste valor quiescente é chamado “tensão de
compensação de saída”.
VC = VCC – ICRC

A tensão de compensação de saída será igual a zero, somente nos casos em que os
transistores Q1 e Q2 forem idênticos.
Um amp. dif. é considerado de boa qualidade, quanto menor for sua tensão de compensação
da entrada; o que significa que os seus transistores estão bem casados.
A tensão de offset pode ser formalizada como “a tensão do diferencial necessária entre as
entradas de um amplificador diferencial para forçar a saída para zero (0V)”. Quando o amp.
op. é usado primariamente para operação com grandes sinais é aceitável uma pequena tensão de
offset. Porém, usado em aplicações onde se tem uma pequena tensão de saída, a tensão de offset
passa a ser inaceitável, podendo implicar erros consideráveis. Para anular a tensão de offset,
existem vários métodos de anulação ou ajuste de zero. Adotaremos um dos métodos recomendados
pelos fabricantes de amp. op., conhecido como ajuste interno, quando se dispõe de terminais
apropriados para isso. Como exemplo esquematizamos o ajuste de offset para o amp. op. LM741.

16.2.1.5 - Análise C.A. De Um Amp. Diferencial:

A) Entrada não - inversora


Quando fazemos VE2 igual a zero, o sinal de entrada alimenta Q1, que se comporta como um
seguidor de emissor. A saída do seguidor de emissor alimenta o emissor de Q2 que passa a ser um
amplificador em configuração base - comum.
Sendo a saída dos amplificadores BC em fase com o sinal de entrada que é aplicado ao emissor, a
saída final de um amp. dif. está em fase com o sinal de entrada não – inversora: por isso a entrada
VE1 é chamada de entrada não – inversora.

226 __________________________________________________________________________
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SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
A.1) Circuito equivalente C.A. A.2) Resistência C.A. do diodo emissor (r’e)

25mV
r' e =
ICQ

A.3) Impedância de entrada (Zent)

Zent = 2hfe r’e

Quando se deseja um amp. dif. com impedância de entrada mais alta faz-se:
 Transistor bipolar em configuração Darlington
 Substituição dos transistores bipolares por TECJs

A.4) Corrente C.A. do emissor (ie) A.5) Ganho de tensão (AV)


VE1 VE1 VE
ib =  ib = Vsaida = ie RC  Vsaida = RC
Zent 2 hfer ' e 2r'e
ie ie VE1 Vsaida RC
ib = logo: = = = AV
hfe hfe 2 hfer ' e VE1 2r ' e
ie  ( 2 hfer ' e) = VE1  hfe
VE1hfe VE1 RC
ie =  ie = AV =
2 hfer ' e 2r'e 2r'e

B) Entrada inversora

Quando fazemos VE1 igual a zero, o sinal de


entrada alimenta Q2 que se comporta como
um amplificador EC. Agora Q2 alimenta Q1,
tendo uma resistência de entrada de 2hfer’e.

B.1)Resistência C.A. do diodo emissor (r’e)

25mV
r' e =
IC Q

B.2) Corrente C.A. do emissor (ie) B.3) Ganho de tensão (AV)


VE 2 Vsaida ieRC
ie = AV =  AV = −
2r ' e VE 2 ie( r ' e1 + r ' e2 )

B.4) Impedância de entrada (Zent) RC


sendo r'e1 = r'e2  AV = −
Zent = 2hfer’e 2r ' e

__________________________________________________________________________ 227
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

Ganho diferencial
O ganho diferencial, tem a mesma
intensidade do ganho de tensão; somente a fase é
diferente.
É o ganho de tensão total, com duas entrada
ativas ao mesmo tempo. Como exemplo, RC = 22K
e r’e = 20.

Vsaída = Vsaída1 + Vsaída2

 ( VE 1 − VE 2 )  AVd = −
RC RC
Vsaída = -
2r'e 2r ' e
22 K
AVd = − = −550
2  20

Ganho do modo – comum (AVMC)

Uma das características mais importantes de um amp. dif. é a sua capacidade de cancelar ou rejeitar
certos tipos de sinais de tensão indesejados (ruídos); e podem resultar de tensões induzidas por
campos magnéticos, de fuga para terra, ou nos fios que levam o sinal, ou de variações da fonte de
alimentação.
A característica particular deste amplificador é que este sinal de ruído aparece igualmente
nas duas entradas do circuito. No esquemático mostramos um amp. dif. com uma tensão de ruído
nas duas entradas.

RC
AVMC = − Como exemplo citamos RC = 22K e RE = 15K
2 RE

22 K
AVMC = − = −0,73
2  15K

Isto significa que o amp. dif. atenua um sinal de modo-comum, porque o ganho de tensão é menor
que 1.

228 __________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Razão de rejeição do modo-comum (CMRR)
É o valor atribuído à parcela rejeitada ou cancelada pelo amp. op.
AVd 550
CMRR = − → CMRR = = 753
AVMC 0,73

 CMRR = razão de rejeição do modo-comum (adimensional)


 AVd = ganho de tensão diferencial (adimensional)
 AVMC = ganho de tensão modo-comum

As folhas de dados quase sempre especificam o CMRR em decibéis , visando a seguinte fórmula
para a conversão:
 CMRR' → 20 log CMRR
 CMRR' → 20 log 753
 CMRR' → 20 x 2,88 = 57,6 db

Exemplo:
1) Calcular a razão de rejeição (adimensional) de um amp. op., sabendo que o CMRR' = 65db
CMRR' 65
log CMRR = → log CMRR =
20 20
log CMRR = 3,25 → CMRR = antilog 3,25 = 1778

2) Sabendo que o CMRR' = 52 db e o AVMC = 0,6, calcular o ganho de tensão diferencial do amp.
operacional.
52
CMRR = anti log → CMRR = 398
20
AVd = CMRR  AVMC → AVd = 398  0,6 = 238,9

16.2.1.6 - Polarização por espelho de corrente

É uma das formas de se obter um resistor de emissor (RE) bem alto é usando a polarização
por espelho de corrente, conforme o esquemático. O espelho de corrente tem o seu coletor
alimentando os emissores do amp. dif.. A corrente que circula pela diodo D1, que tem a mesma
intensidade da corrente que circula pela cauda do diferencial, é dada pela fórmula:
VCC + VEE − VBE
ID1 = IC Q3 =
R1

Sabendo que o CMRR = RE/r'e, concluímos que


quanto mais alto for RE, melhor a rejeição de
modo-comum. O transistor Q3 funciona como
uma fonte de corrente, e possui uma resistência
de saída (coletor) muito alta.
O diodo de compensação de VBE-(D1) é na
verdade um transistor operando com
realimentação de coletor, com a base em curto
com o terminal de coletor.

__________________________________________________________________________ 229
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Espelho de corrente como carga ativa

No cálculo do ganho diferencial, vimos que quanto maior o resistor RC maior será o seu ganho, mas
um RC grande demais satura o transistor de saída.
Como regra, adota-se RC, um resistor que deixa em
seus terminais uma queda de tensão quiescente de
aproximadamente 50% de VCC. Isto impõe um limite
para o valor de RC e do ganho de tensão diferencial.
Uma forma de se ter um resistor de coletor
equivalente alto, ganho de tensão diferencial alto e
mantendo uma queda em RC de 50% de VCC, é
utilizando o espelho de corrente como carga ativa.
No esquemático, a carga ativa é formada por D2 e Q4,
sendo a corrente em D2 a mesma corrente no emissor
de Q4.

16.2.2 - Amplificador Operacional LM-741

 Q1 - Q2 – Q3 e Q4 = Estágio de entrada amp. diferencial


 Q5 = Dispositivo de acoplamento direto do amp. diferencial c/ amp. classe-A
 Q6 e Q7 = Amplificador emissor-comum classe-A
 (Q8 e Q9) – (Q10 e Q11) – (Q12 e Q17) = Espelho de corrente como carga ativa
 Q13 e R9 = Circuito de proteção contra sobre corrente na malha de polarização do Push-Pull
 Q14 e Q15 = Seguidor de emissor em acoplamento direto com um acionador classe B
 Q16 – R6 e R7 = Circuito de proteção contra o escape térmico dos transistores Q19 e Q20
 Q18 e R10 = Circuito de proteção contra sobre-carga no terminal de saída
 Q19 e Q20 = Amplificador “ Push-pull” em seguidor de emissor
 Cc = Rede de atraso para evitar oscilações geradas pelo amplificador

230 __________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Capacitor de Compensação (Cc)
Tem a função de evitar oscilações (sinal indesejável produzido pelo amplificador).
O capacitor Cc faz parte de uma rede de atraso da base. Em freqüências muito baixas, Xc é grande
e a tensão de saída no coletor de Q17 e Q15 é estável (sem distorção); em freqüências muito altas,
xc é pequeno e a tensão de saída do coletor é compensada através da capacitância (Cc).
O circuito é chamado rede de atraso porque a tensão de saída está atrasada relativamente à tensão de
entrada.
16.2.2.1 - Características
Mostramos apenas alguns dos parâmetros elétricos, para melhor entendimento de
suas características (ver tabela comparativa de características folha no 224 ).
A) Impedância de entrada (Rin)
Rin = 2hfer'e
O amplificador operacional LM741 tem uma corrente de cauda de aproximadamente 15A;
aplicando a formula da resistência dinâmica do diodo de emissor ( r'e), temos:

25mV 25mV
r'e = → r'e = = 3,33K
IE Q 7,5A
Cada transistor de entrada tem um hfe típico de 300, portanto: Rin = 2x 300 x 3,33K = 2M

B) Impedância de saída (Rout)


rB
Rout = r ' e Q19 + onde: rB = Zsaida Q17 + r ' e Q16 / / Zsaida Q15 + r'e Q16
hfe Q19
A impedância típica de saída de amplificador operacional 741 é de 75 ohms.

C) Razão de rejeição do modo-comum (CMRR’)


Em baixa freqüência, a razão de rejeição é de 90 dB, mas podemos observar na curva de CMRR’
em função da freqüência, que aumentando a freqüência do sinal aplicado à entrada, aumentamos os
efeitos reativos e reduzimos o CMRR’.

D) Taxa de Inclinação - Slew Rate ( SR)


O amp. amp. op. operando com sinal de entrada senoidal, tem o seu parâmetro de maior
importância, a taxa de inclinação “SR” definida como “ a taxa máxima de variação da tensão de
saída “ .

__________________________________________________________________________ 231
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I 15A
SR = T → SR = = 0,5 V / s
Cc 30pF

Dados extraídos do amp. amp. op. LM741 (pag.220)


IT = corrente de espelho via Q8 (15A)
Cc = capacitância de compensação ( 30 pF )
Para que o amp. amp. op. LM741, opere sem distorção do sinal de saída , a freqüência máxima do
sinal de saída é dado por:

SR
Fent MAX = onde VP = pico do sinal senoidal de saida
2VP

Determinar a máxima freqüência do sinal de saída de um LM741, quando se deseja uma excursão
de saída de 8V de pico.
0,5V / s
Fent MAX = = 9,95KHz
2    8V

E) Ganho de Tensão em malha aberta


(AVOL)
Na curva de ganho de tensão em malha
aberta, o LM741 apresenta um ganho
(VOL=100.000) na banda média e tem
uma freqüência de corte fOL = 10 Hz.
O ganho de tensão é inversamente
proporcional á freqüência. Para sinais
 1MHz o ganho de tensão do amp. op.
torna-se unitário.

F) Compliance de saída ( PP )

É a máxima tensão de saída de pico a


pico não ceifada que o amplificador
operacional pode produzir. Na curva de
compliance mostramos suas variações em
função da carga conectada. Quanto maior o
valor ôhmico da carga conectada nos
terminais de saída, maior será a compliance
do sinal de saída.
232 __________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
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16.2.3 - Amplificador Operacional TL 071

Amplificador operacional montado à base de componentes bipolares e TEC (BITEC),


apresenta características de baixo ruído e se caracterizam pela baixa corrente de off set e
polarização, além de baixa distorção harmônica que os torna ideais para aplicações em alta
fidelidade e pré-amplificação de áudio. A distorção harmônica total é tipicamente de 0,003%.
Podemos observar no esquemático que o amp. op. tem a sua interface de entrada, utilizando
transistores TECJ de canal “N”, caracterizando uma altíssima impedância de entrada em uma faixa
de 1012 .
O amp. amp. op. dispõe também, de um circuito de proteção contra surtos de tensão nos
terminais de alimentação (4 e 7), formado por um TECJ autopolarizado por uma tensão zener
gerada pelo diodo D4.
Para casos de surtos, onde a tensão zener atinja a tensão “VGSOFF” do transistor Q14, o mesmo
entra em corte e leva o transistor Q13 também ao corte, despolarizando os espelhos de corrente.
A despolarização dos espelhos de corrente, evita a danificação dos amplificadores diferencial e
Push-Pull.

 Q1 e Q2 = Estágio de entrada amp. diferencial com transistores TECJ


 Q3 = Dispositivo de acoplamento direto do amp. diferencial c/ amp. classe-A
 Q4 e Q5 = Amplificador emissor-comum classe-A
 (Q6 e Q12) - (Q9 e Q12) = Espelho de corrente como carga ativa
 Q7 e Q8 = Seguidor de emissor em acoplamento direto com acionador classe B
 Q10 e Q11 = Amplificador “Push-Pull” em seguidor de emissor
 Q13 - Q14 e D4 = Proteção contra surtos de tensão nos terminais de alimentação
 D2 e D3 = Dispositivo de proteção contra o escape térmico dos transistores Q10 e Q11
 D1 = Rede de atraso para evitar oscilações geradas pelo amplificador (diodo polarizado
reversamente criando uma capacitância de transição).

__________________________________________________________________________ 233
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TABELA DE CARACTERÍSTICAS COMPARATIVAS


CARACTERÍSTICAS LM - 741 TL - 071
Tensão máxima de alimentação 18V – 0 – 18V 18V – 0 – 18V
Tensão diferencial máxima de entrada 30V 22V
Tensão máxima de entrada para massa 15V – 0 – 15V 11V – 0 – 11V
Tensão de off set (VOFF SET) 2,0mV 3,0mV
Corrente de off set (IOFF SET) 20nA 0,005nA
Impedância de entrada (RIN) 2M 1012
Impedância de saída (ROUT) 75 300
Taxa de rejeição em modo-comum (CMMR’) 90dB 100dB
Freqüência de transição (FT) 1MHz 3MHz
Taxa de inclinação (SR) 0,5V/S 13V/S
Corrente de polarização de entrada (IentPOL) 80nA 0,03nA
Corrente máxima de saída (IsaídaMAX) 25mA 10mA

16.3 – SISTEMAS ANALÓGICOS LINEARES


São circuitos que fornecem uma tensão de saída proporcional à tensão de entrada. Uma grande parte
dos circuitos integrados (CIs) lineares é formado por “Amplificadores Operacionais” (amp. op.). O
amp. op. típico é um amplificador C.C. de alto ganho utilizável de 0 até 1MHz. Utilizando
componentes externos, pode-se ajustar o ganho de tensão e a largura de banda do amp. op.
dependendo das suas necessidades.

16.3.1 - Amp. Op. Operando Como Amplificador diferencial C.C.


O amplificador diferencial CC é de grande utilização
na instrumentação, apresenta entrada diferencial e
saída com simples terminal; é freqüentemente
utilizado para amplificar sinais de entrada fornecidos
por transdutores que convertem parâmetros físicos e
suas variações em sinais elétricos. Esses transdutores
são extensômetros (strain-gauge), pontes (efeito
piezo-resistivo), pares termoelétricos e outros.

O amplificador diferencial CC, amplifica a diferença de VE1 e VE2. O ganho de tensão da entrada
inversora é:
Vsaída RF RF
− → AV = − Vsaída  −AV  VE1
VE1 R1 R1
O ganho de tensão da entrada não-inversora é

Vsaída RF RF
 → AV = Vsaída  AV  VE2
VE2 R2 R2
234 __________________________________________________________________________
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Geralmente, o circuito é alimentado com uma entrada diferencial; isto é, uma única tensão de
entrada Vent é aplicado entre os pontos VE1 e VE2. Neste caso, Vent = VE1 – VE2 e a tensão de
saída é dada por:

RF
Vsaída  − Vent
R1

Um amplificador diferenciado CC é usado especialmente em aplicações onde as entradas são uma


pequena tensão diferencial e uma grande tensão de modo-comum; os seguidores da tensão em cada
entrada produzem uma impedância de entrada e uma CMRR muito alta.
Os amplificadores montados nesta configuração, tem seus componentes internos utilizando BITEC
ou TECs.
Os resistores de polarização R1 e R2 são dimensionados em função do ganho desejado, o resistor de
realimentação “RF”, tipicamente assumem valores na faixa de 100K, mas, podem assumir valores
maiores ou menores dependendo do ganho de tensão e da impedância que se deseja na entrada do
circuito. O resistor R3 que tem a função de polarizar em “zero volts” a entrada não-inversora , na
ausência de sinal de entrada, tipicamente assume um valor de 100K.

16.3.2 - Amp. Amp. Op. Operando Como Somador

O amp. amp. op. em configuração de somador é uma das montagens mais utilizadas em
computadores analógicos. Aceita vários sinais de entrada e fornece uma tensão de saída
proporcional à soma linear das tensões de entrada. Pode-se obter a equação da tensão de saída
observando-se que a realimentação provoca um curto-circuito virtual nos terminais de entrada do
amp. op. , de modo que, VE = IE = 0, logo:

Podemos observar na equação, que cada entrada pode ser multiplicada por um fator de escala
diferente e em seguida, somada. O sinal negativo não pode ser evitado, neste caso, a menos que se
use um amplificador adicional na saída do somador.

Para o exemplo, determinar a tensão de saída no somador, a corrente no elo de realimentação e a


corrente de entrada do operacional.

__________________________________________________________________________ 235
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V1 = −8,0V V2 = 6,0V V3 = −2,0V V4 = 12 V

 10K 10K 10K 10K 


VS = −  −8,0V +  6,0V +  −2,0V +  −12 V
 5K 30K 10K 15K 

8,0V
VS = −( − 16V + 2,0V − 2,0V + 8,0V) = 8,0V IF = = 800A
10K

Considerando um curto-circuito virtual, gerado pela realimentação do resistor RF, temos na entrada
do amp. op. VE = 0, logo:

VE 0V
IE = = =0
Rin 2 M

16.3.3 - Amp. Amp. Op. Operando Como Integrador

É um amplificador operacional que apresenta


sua configuração básica, em uma
realimentação negativa feita por uma
capacitância.
Este tipo de circuito realiza a operação
matemática de integração porque ele produz
uma tensão de saída proporcional à integral do
sinal de entrada.

A) Operação com sinais senoidais

236 __________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
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A tensão instantânea em qualquer ponto de uma senoide é dado pela fórmula:

VE = VPICO x senwt VE = 5senwt

Para o mesmo ponto do sinal de entrada, a tensão de saída é dada pela fórmula:

VS = −  VPICO  sen wt VS = −  5 sen wt. dwt = −( − 5 cos wt ) VS = 5 cos wt

B) Operação com sinais não – senoidais

Aplicando uma tensão em função do tempo na entrada do circuito integrador provoca-se uma
corrente pelo capacitor, de modo que:
VCF dVCF VCF→ tensão sobre o capacitor, em volts
IC = −CF → ICF = −CF CF → capacitância, em farad
t dt
t → tempo, em segundos

O sinal negativo é conseqüência da configuração inversora.


dt. ICF 1
dt. ICF = −C. dVCF dVCF = dVCF = − dt. ICF
− CF CF

t
1
CF 
VC = − ICF. dt ICF  corrente pelo capacitor
0

Considerando o curto-circuito virtual entre os terminais de entrada, portanto, o terra virtual na


entrada inversora, vê-se que a tensão sobre o capacitor é a própria tensão de saída (VS).
Como a corrente pelo capacitor é a própria corrente de entrada, a tensão de saída (VS) para cada um
degrau de tensão na entrada:
t t
1 1
CF  R1CF 
VS = − IE.dt → VS = − VE.dt
0 0

Efetuando a integração:
VE → tensão de entrada
VE t → tempo, em segundos
VS = −  t + VCF
R1CF VCF →tensão de carga sobre os terminais do
capacitor

Para os casos em que o capacitor esteja descarregado, ou possa ser considerado descarregado,
VCF = 0, e a tensão de saída torna-se:
VE
VS = −  t
R1CF

Observa-se que a tensão de saída é realmente uma função linear do tempo t.

__________________________________________________________________________ 237
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
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O circuito básico visto até agora apresentou no ramo de realimentação uma capacitância. A
conseqüência disso é, evidentemente, um ganho de malha fechada muito elevado nas baixas
freqüências, tendendo o mesmo a um valor infinitamente grande (AVf → ) para a componente
contínua. Logo haveria uma integração da tensão offset de entrada, que é uma componente
contínua, apesar do seu valor reduzido, podendo trazer como conseqüência uma possível saturação
prematura do amplificador operacional. Para eliminar esse problema, liga-se um resistor em
paralelo com o capacitor “CF”, aqui simbolizando como resistor “RF”, cuja função é reduzir o
ganho do circuito a um valor:

RF
AVf =  nas freqüências mais baixas.
R1

16.3.3.1– Integrador Sem o Limitador De Ganho Nas Baixas Freqüências

A tensão de saída (VS) é dado pela fórmula:


t
1  VE 
RC 
VS = − VE.dt VS = −   t + VCF
 RC 
0
RC = R1  CF RC = 10K  0,2F RC = 2mS

238 __________________________________________________________________________
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LEVANTAMENTO DA CURVA DE TRANSFERÊNCIA :
A)Para o trecho A: 0  t < 2ms
VE = 0  VS = 0

B) Para o trecho B: 2ms  t  8ms

B.1) VE = +4 V → t = 6ms
tB = ( t - 2ms) → tB = 6ms - 2ms = 4ms
 VE  4V
VS = −   tB + VC → VS = −  4 ms + 0 = −8V
 RC  2 ms

B2) VE = +4 V → t = 7 ms
tB = ( t - 2ms) → tB = 7 ms - 2ms = 5ms
 VE  4V
VS = −   tB + VC → VS = −  5ms + 0 = −10V
 RC  2 ms

B3) VE = +4 V → t = 8ms
tB = ( t - 2ms) → tB = 8ms - 2ms = 6ms
 VE  4V
VS = −   tB + VC → VS = −  6ms + 0 = −12 V
 RC  2 ms

Para o cálculo deveríamos encontrar na saída uma tensão de –12V no instante t = 8ms, mas como o
amplificador operacional está alimentado com uma fonte de + ou – 10V, o mesmo atinge o ponto de
saturação no instante t = 7ms e permanece com uma tensão de –10V, no intervalo 7ms  t  8ms.

C) Para o trecho C : 8ms  t  16ms


C1) VE = −4 V → t = 8ms
tC = ( t - 8ms) → tC = 8ms - 8ms = 0
 4V 
VS −  −   0 + ( − 10V) → VS = 0 − 10V = −10V
 2 ms 

C2 ) VE = −4 V → t = 12 ms
tC = ( t - 8ms) → tC = 12 ms - 8ms = 4 ms
 4V 
VS = − −   4 ms − 10V → VS = 8V − 10V = −2 V
 2 ms 

C3) VE = −4 V → t = 16ms
tC = ( t - 8ms) → tC = 16ms − 8ms = 8ms
 4V 
VS = − −   16ms − 10V → VS = 16V − 10V = 6V
 2 ms 

__________________________________________________________________________ 239
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D) Para o trecho D: 16ms  t 22ms


D1) VE = +4 V → t = 16ms
tD = ( t - 16ms) → tD = 16ms - 16ms = 0
 4V 
VS = −   0 + 6V = 6V
 2 ms 

D2 ) VE = +4 V → t = 19 ms
tD = ( t - 16ms) → tD = 19 ms - 16ms = 3ms
 4V 
VS = −   3ms + 6V = 0V
 2 ms 

D3) VE = +4 V → t = 22 ms
tB = ( t - 16ms) → tB = 22 ms - 16ms = 6ms
 4V 
VS = −   6ms + 6V = −6V
 2 ms 

Podemos observar no gráfico, que a tensão de saída varia linearmente com o tempo (com exceção
nos pontos de saturação). A variação ao longo do tempo da tensão de saída é de 2V/mS.

16.3.3.2 - INTEGRADOR COM LIMITADOR DE GANHO NAS BAIXAS FREQUÊNCIAS:

A) Cálculo da freqüência de corte (FC)

É a menor freqüência do sinal de entrada, em que o circuito não perde suas características.

1
FC = Para o caso a ser analisado faz - se:
2RFCF

FE 100Hz
FC = → FC = = 10Hz
10 10

240 __________________________________________________________________________
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B) Dimensionamento dos resistores

 Cálculo do resistor R1:


1 1
T= → T= = 10ms T = período do sinal de entrada
FE 100Hz

T 0,01
R1 = R1 = = 50K → VPM = 47 K
CF 0,2  10− 6

 Cálculo do resistor RF:


1 1
FC = RF =
2RFCF FC2CF

1
RF = = 79,58K → VPM = 75K Na pratica adota - se RF  10R1
10Hz  2  0,2F

 Cálculo do resistor R2:

R1  RF 47 K  75K
R2 = R2 = = 28,89K → VPM = 27 K
R1 + RF 47 K + 75K

Na indisponibilidade dos resistores calculados, utiliza-se os resistores de valores mais próximo


ao calculado, conforme a tabela de “Valores Padrão de Resistência + ou – 5%”.

LEVANTAMENTO DA CURVA DE TRANSFERENCIA :

__________________________________________________________________________ 241
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Para o caso analisado, pode ocorrer saturação positiva do amplificador operacional ao longo do
tempo.
 Cálculo da tensão de saída (VS)

 VE 
VS = −   t + VCF  VE  tensão de entrada
 R1CF 
VCF  tensão sobre os terminais do capacitor
A) Para o trecho A: 0  t < 6ms

A1) VE = −3V e t=0


tA = ( t − 0) → tA = 0
 3V 
VS = − −   0 + VC = 0
 9,4 ms
Considerando o início do ciclo e o capacitor descarregado, a tesão de saída será igual a zero,VS = 0.

A 2) VE = −3V e t = 3ms
tA = ( t − 0) → tA = 3ms − 0 = 3ms
 3V 
VS = − −   3ms + 0 = 0,957 V
 9,4 ms
A 3) VE = −3V e t = 6ms
tA = ( t − 0) → tA = 6ms − 0 = 6ms
 3V 
VS = − −   6ms + 0 = 1,9 V
 9,4 ms

B) Para o trecho B: 6ms  t < 10ms

B1) VE = +3V e t = 6ms


tB = ( t − 6ms) → tB = 6ms − 6ms = 0
 3V 
VS = −   0 + 1,9 V = 1,9 V
 9,4 ms

B2) VE = +3V e t = 8ms


tB = ( t − 6ms) → tB = 8ms − 6ms = 2 ms
 3V 
VS = −   2 ms + 1,9 V = 1,26V
 9,4 ms

B3) VE = +3V e t = 10ms


tC = ( t − 6ms) → tC = 10ms − 6ms = 4 ms
 3V 
VS = −   4 ms + 1,9 V = 0,62 V
 9,4 ms

242 __________________________________________________________________________
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C) Para o trecho C: 10ms  t < 16ms

C1) VE = −3V e t = 10ms


tC = ( t − 10ms) → tC = 10ms − 10ms = 0
 3V 
VS = − −   0 + 0,62 V = 0,62 V
 9,4 ms

C2) VE = −3V e t = 14 ms
tC = ( t − 10ms) → tC = 14 ms − 10ms = 4 ms
 3V 
VS = − −   4 ms + 0,62 V = 1,9 V
 9,4 ms

C3) VE = −3V e t = 16ms


tB = ( t − 6ms) → tB = 16ms − 10ms = 6ms
 3V 
VS = − −   6ms + 0,62 V = 2,53V
 9,4 ms

D) Para o trecho D: 16ms  t < 20ms

D1) VE = +3V e t = 16ms


tD = ( t − 16ms) → tD = 16ms − 16ms = 0
 3V 
VS = −   0 + 2,53V = 2,53V
 9,4 ms

D2 ) VE = +3V e t = 18ms
tD = ( t − 16ms) → tD = 18ms − 16ms = 2 mS
 3V 
VS = −   2 ms + 2,53V = 1,89 V
 9,4 ms

D3) VE = +3V e t = 20ms


tD = ( t - 16ms) → tD = 20ms - 16ms = 4ms
 3V 
VS = −   4 ms + 2,53V = 1,25V
 9,4 ms

E) Para o trecho E: 20ms  t < 26ms

E1) VE = −3V e t = 20ms


tE = ( t − 20ms) → tE = 20ms − 20ms = 0
 3V 
VS = − −   0 + 1,25V = 1,25V
 9,4 ms

__________________________________________________________________________ 243
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E 2) VE = −3V e t = 23ms
tE = ( t − 20ms) → tE = 23ms − 20ms = 3ms
 3V 
VS = − −   3ms + 1,25V = 2,2 V
 9,4 ms

E3) VE = −3V e t = 26ms


tE = ( t − 20ms) → tE = 26ms - 20ms = 6ms
 3V 
VS = - -   6ms + 1,25V = 3,2 V
 9,4ms

F) Para o trecho F: 26mS  t < 30mS

F1) VE = +3V e t = 26mS


tF = ( t − 26ms) → tF = 26ms − 26ms = 0
 3V 
VS = −   0 + 3,2 V = 3,2 V
 9,4 ms

F2) VE = +3V e t = 28mS


tF = ( t − 26ms) → tF = 28ms − 26ms = 2 mS
 3V 
VS = −   2 ms + 3,2 V = 2,56V
 9,4 ms

F3) VE = +3V e t = 30ms


tF = ( t − 26ms) → tF = 30ms − 26ms = 4 mS
 3V 
VS = −   4 ms + 3,2 V = 1,96V
 9,4 ms

16.3.4 - Amp. Op. Operando Como Filtro Ativo

Os filtros passivos (resistores, indutores e capacitores) têm seus cálculos muito exigentes e
em quase todas suas aplicações podem ser substituídos por filtros ativos (amp. op., capacitores e
resistores), apresentando grandes vantagens e algumas desvantagens.

VANTAGENS:

• Cálculos mais simples;


• Não apresenta atenuação do sinal;
• Pode amplificar o sinal selecionado com ganho ajustável;
• Menor custo;
• Menor espaço físico para o filtro
• Produz um sinal de saída constante, em uma grande faixa de freqüência.
244 __________________________________________________________________________
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DESVANTAGENS:

• A necessidade de um fonte de alimentação para os componentes ativos;


• A resposta de freqüência depende o amp. op. Por isto, a utilidade maior dos filtros ativos é
na faixa de áudio-freqüência (15Hz a 20KHz) até a de ultra-som ( 16KHz) onde, inclusive,
os indutores têm maiores dimensões físicas.

Os filtros ativos podem serem montados nas características:

 Passa-baixas e passa-altas, 1a e 2a ordem ou de ordens superiores;


 Passa-faixas, 1a e 2a ordem ou de ordens superiores;
 Rejeita-faixas, 1a e 2a ordem ou de ordens superiores;

16.3.4.1 – Filtro passa-baixas

Este tipo de filtro responde bem a freqüências desde 0Hz até uma determinada freqüência de corte
superior (Fcs), em que o ganho do estágio tenha caído para 0,707 de seu valor máximo ou –3dB.

Passa-baixas de 1a ordem

Os filtros de 1a ordem, são aqueles que utilizam para seleção do sinal, um resistor e um capacitor
(R1 e C1), apresentando uma inclinação real de –20dB/década.

RF 1 1  FE 
AVf = 1 + Fcs = AV = AVf   = -arc tg 
RO 2R1C1  FE 
2n  Fcs
1+  
 Fcs

__________________________________________________________________________ 245
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Avf → ganho de tensão ideal abaixo da freqüência de corte


Fcs → freqüência de corte superior
AV → ganho de tensão em função da freqüência
 → angulo em graus que mostra a defasagem do sinal de saída em relação ao de entrada

Para um filtro passa-baixas de ganho unitário, faz-se: RF = R1 e RO = 

A.1) Dimensionamento dos componentes passivos

Para o dimensionamento dos componentes passivos (resistores e capacitor), precisamos ter em


mãos os dados exigidos pelo filtro, para o exemplo:

Tipo do filtro : Passa –baixas de 1o ordem


Freqüência de corte superior (Fcs) : 600Hz
Ganho de tensão abaixo da freqüência de corte superior (AV) : Unitário

RESISTOR DE REALIMENTAÇÃO (RF) :

Determinamos o valor do resistor de realimentação, utilizando a equação da freqüência de corte


superior e fixando um valor para o capacitor C1  1F, para o nosso exemplo adotaremos 0,022F.

1 1
Fcs = → R1 = → R1 = 12,057K VPM = 12K
2R1C1 2  0,022F  600Hz
Sendo o ganho do filtro unitário, então : R1 = Rf = 12K e Ro = 

A.2) Levantamento da curva de resposta

Na tabela abaixo mostramos alguns dos pontos necessários para o levantamento da curva
de transferência , exemplificamos os cálculos nos três pontos de maior interesse.

GANHO E ÂNGULO  EM FUNÇÃO DA FREQÜÊNCIA


Freqüência de Ganho em dB Ângulo 
entrada “FE(Hz)” Ganho “AV” “AVdB” “Graus”
50 0,996  1,0 0,029  0 -4,741
100 0,986 - 0,118 -9,418
300 0,895 - 0,961 -26,456
400 0,833 - 1,584 -33,564
500 0,769 - 2,273 -39,672
600 0,708  0,707 - 2,98  -3,0 -44,86  -45
700 0,652 - 3,707 -49,264
1200 0,449 - 6,957 -63,325
3000 0,197 -14,110 -78,637
6000 0,099 -20,002 -84,262

246 __________________________________________________________________________
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SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

1  FE 
AV = AVf  AVdB = 20 LOG (AV)  = -arc tg 
 FE 
2n  Fcs
1+  
 Fcs

1
Fcs = = 602,86Hz
2  12K  0,022F

1
AV = 1,0  2 1
= 0,996 AVdB = 20 LOG(0,996)  0,029
 50Hz 
1+  
 602,86Hz 
 50Hz 
 = -arctg  = −4,741
o
 602,86Hz 
1
AV = 1,0  2 1
= 0,708 AVdB = 20 LOG(0,708) = −2,98dB
 600Hz 
1+  
 602,86Hz 
 600Hz 
 = -arctg  = −44,86
o
 602,86Hz 
1
AV = 1,0  2 1
= 0,0999 AVdB = 20 LOG(0,0999) = −20dB
 8KHz 
1+  
 602,86Hz 
 6KHz 
 = -arctg  = −84,262
o
 602,86Hz 

B) Passa-baixas de 2a ordem

Um filtro de 2a ordem , são aqueles que utilizam para seleção do sinal, dois resistores e dois
capacitores (R1, R2, C1 e C2), apresentando uma inclinação de –40dB/década.

__________________________________________________________________________ 247
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RF 1
AV = 1 + fcs =
RO 2  R1R 2C1C2

Para simplificação do projeto faz-se:


1
R1 = R2 e C1 = C2 fcs =
2 R1C1

Para o projeto de 2a ordem, o ganho do circuito na faixa de passagem não poderá mais ser
unitário, devendo ter um valor específico para que realmente funcione nas características de um
filtro BUTTERWORTH. (ver apêndice A-8).
O ganho do circuito de filtro depende de sua ordem “n”, que por sua vez determina o
polinômio de BUTTERWORTH e seus fatores correspondentes.

Inclinação em
ORDEM 1O
estágio 2Oestágio dB/década
1O Ganho qualquer Não há 20
2O Avf = 1,586 Não há 40
3O Ganho qualquer Avf = 2 60
4O Avf = 2.235 Avf = 1,152 80

B.1)Dimensionamento dos componentes passivos

Dados:
 Tipo do filtro : Passa-baixas 2º ordem
 Freqüência de corte superior (FCS) : 600Hz
 Ganho de tensão abaixo da freqüência de corte superior (AV) :  1,586

RESISTOR DE REALIMENTAÇÃO (RF)

Conforme tabela, o filtro de 2a ordem , tem um ganho definido de Avf = 1,586, logo:

RF RF RF
AVf = 1 +  1,586 − 1 =  = 0,586
RO RO RO

A recomendação para este tipo de filtro: RO < 100K

Para o exemplo adotamos RO = 51K e C1 = 0,022F

RF
= 0,586  RF = 29,89K  VPM = 30K
51K
Sendo: R1 = R2 = R e C = C1 = C2
1 1
R=  R= = 12,06K  VPM = 12K
2FcsC 2  600Hz  0,022F

248 __________________________________________________________________________
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B.2) Levantamento da curva de resposta

Na tabela abaixo mostramos alguns dos pontos necessários para o levantamento da curva de
transferência, exemplificamos os cálculos nos três pontos de maior interesse.

GANHO EM FUNÇÃO DA FREQÜÊNCIA


FREQÜÊNCIA DE GANHO GANHO EM Db
ENTRADA “ FE (Hz)” “AV” “AvdB”
100 1,585 4,003
200 1,576 3,954
300 1,539 3,747
400 1,451 3,236
500 1,307 2,323
600 1,126 1,036  1,0
700 0,945 - 0,493
1200 0,388 - 8,221
3000 0,064 - 23,877
6000 0,016 - 35,912
8000 0,009 - 40,91

1 1
Fcs =  Fcs = = 602,86Hz
2 RC 2   12 K  0,022F
1
AV = AVf 2n
 AVdB = 20 log AV
 FE 
1+  
 Fcs 
1
AV = 1,586 22
= 1,585  AVdB = 20  log 1,585 = 4,0dB
 100Hz 
1+  
 602,86Hz 
1
AV = 1,586 4
= 1,127  AVdB = 20  log 1,127  1,036dB
 600Hz 
1+  
 602,86Hz 
1
AV = 1,586 4
= 0,009  AVdB = 20  log 0,009 = −40,91dB
 8KHz 
1+  
 602,86Hz 

C) Filtros de ordens superiores

Para projetar e implementar filtros de ordens superiores, deve-se fazer uma ligação em cascata de
filtros de 1a ordem e/ou de 2a ordem . Por exemplo, para se conseguir filtros de 5a ordem basta
conectar dois de 2a ordem e um de 1a ordem em cascata, ajustando-se o ganho de cada estágio
conforme tabela de inclinação em função da ordem. Os resistores e capacitores que determinam a
freqüência de corte terão os mesmos valores nos vários estágios.
__________________________________________________________________________ 249
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16.3.4.2 – Filtro passa-altas

Este tipo de filtro corresponde bem a freqüências acima de uma determinada freqüência de
corte inferior (Fci), rejeitando todas abaixo desse valor. O circuito faz uma inversão das faixas de
passagem e rejeição, sendo assim para que aconteça uma inversão de faixa de um filtro passa-baixa
e torná-lo um filtro passa-alta, basta intercambiar, em cada seção, os resistores e capacitores
responsáveis pela freqüência de corte.

A) Filtro passa-altas de 1a ordem

Ganho de tensão acima da freqüência de corte inferior (AV)

FE / Fci
AV = AVf
1 + ( FE / Fci)
2n

Freqüência de corte inferior


1
Fci =
2 R1C1

Ângulo de defasagem do sinal de saída em relação ao de entrada


 FE 
 = −arctg 
 Fci 

Para o exemplo, adotaremos a mesma variação de freqüência mostrada no filtro passa-baixa de 1a


ordem.

250 __________________________________________________________________________
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A.1) Dimensionamento dos componentes passivos.
Para o dimensionamento dos componentes passivos (resistores e capacitores), precisamos ter em
mãos os dados exigidos pelo filtro, para o exemplo:

 Tipo do filtro : Passa-altas de 1º ordem


 Freqüência de corte inferior (Fci) : 600 Hz
 Ganho de tensão acima da freqüência de corte inferior : unitário

O processo de cálculo dos componentes, é o mesmo adotado no filtro passa-baixa de 2º ordem.


A.2) Levantamento da curva de resposta

GANHO E ÂNGULO  EM FUNÇÃO DA FREQÜÊNCIA


Freqüência de Ganho em dB Ângulo 
entrada “FE(Hz)” Ganho “AV” “AvdB” “Graus”
50 0,083 -21,0654 85,26
100 0,164 - 15,722 80,58
300 0,445 - 7,023 63,54
400 0,553 - 5,147 56,43
500 0,638 - 3,898 50,33
600 0,705  0,707 - 3,031  -3,0 45,14  45,0
700 0,758 - 2,410 40,73
1200 0,893 - 0,977 26,67
3000 0,980 -0,175 11,36
8000 0,997 -0,026 4,3

1 FE / Fci  FE 
Fci = AV =  = −arctg  AVf = 1,0
2R1C1  FE 
2n  Fci 
1+  
 Fci 

1
Fci = = 602,86Hz
2   12K  0,022F
50Hz / 602,86Hz
AV = 1,0  2 1
= 0,083 AVdB = 20 log0,083 = −21,654
 50Hz 
1+  
 602,86Hz 
 50Hz 
 = −arctg  = 85,26
 602,86Hz 
600Hz / 602,86Hz
AV = 1,0  2 1
= 0,705 AVdB = 20 log0,705 = −3,036
 600Hz 
1+  
 602,86Hz 

 600Hz 
 = −arctg  = 45,14
 602,86Hz 

__________________________________________________________________________ 251
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8KHz / 602,86Hz
AV = 1,0  2 1
= 0,997 AVdB = 20 log0,997 = −2,459
 8KHz 
1+  
 602,86Hz 
 8KHz 
 = −arctg  = 4,3
 602,86Hz 
B) Passa-altas de 2º ordem

Para os filtros Passa-altas de 2º ordem, as considerações são as mesmas feitas no subitem


16.4.3.2 (filtro Passa-altas). Podemos observar no esquemático, que os resistores e capacitores
assume os mesmos valores do filtro passa-baixas de 2º ordem, resistores, capacitores e faixas
(passagem e rejeição) são intercambiadas.

Dados do filtro:
 Tipo: passa alta de 2º ordem;
 Freqüência de corte inferior (Fci) : 600Hz
 Ganho de tensão acima da freqüência inferior (AV) : 1,586

1 1
Fci = AV = AVf  AVdB = 20 log (AV)
2RC  Fci 
2n

1+  
 Fe 

Para o dimensionamento dos componentes passivos, aplica-se as mesmas regras do filtro passa-
baixa de 2º ordem

GANHO EM FUNÇÃO DA FREQÜÊNCIA


FREQÜÊNCIA DE GANHO GANHO EM Db
ENTRADA “ FE (Hz)” “AV” “AvdB”
45 0,0088 -41,074
200 0,173 -15,214
400 0,639 -3,889
600 1,12 0,954  1,0
1200 1,538 3,738
3000 1,585 3,999
6000 1,586 4,006
8000 1,586 4,006
252 __________________________________________________________________________
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C) Filtro de ordens superiores

Para filtros passa-altas valem as mesmas observações feitas no subitem 16.3.4.1 (C) para os
passa-baixas.

16.2.4.3 – Filtros passa-faixa

São filtros que deixam passar sinais, cujas freqüências se encontram em uma determinada
faixa entre duas de corte, rejeitando aqueles cujas freqüências ficam abaixo ou acima das de corte.
A extensão entre as duas freqüências limites é função de um fator de qualidade ou mérito do
circuito conhecido como “fator Q”, que é definido como a relação entre a freqüência central e a
largura de faixa, isto é:

Fc
Q= Fc  freqüência central
Fcs − Fci
Fcs  freqüência limite superior da faixa
Fci  freqüência limite inferior da faixa

O valor da freqüência central, para o caso de resposta em faixa larga, é a média geométrica entre as
freqüências limites.

Fc = Fcs  Fci

Para se obter um filtro passa-faixa, basta ligar um filtro passa-baixas em cascata com um passa-
altas, não importando a seqüência em que serão conectados.

Para a execução de um projeto de um filtro passa-faixa, devemos observar algumas


particularidades, tais como:

1] A freqüência de corte do filtro passa-baixas deve ser pelo menos 10 vezes a freqüência de corte
do filtro passa-altas.

Fcs  10Fci → QGLOBAL  10

2] A ordem do filtro de faixa larga corresponde à ordem de cada seção. Para se obter um filtro
passa-faixa de 2a ordem, os filtros ligados em cascata deverão ser de 2a ordem e assim por diante.

__________________________________________________________________________ 253
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16.3.4.4 – Filtros rejeita-faixa

É uma montagem combinada, de um filtro passa-baixas e um passa-altas, conectados na


entrada de um somador com duas entradas.
Os sinais de freqüências entre as freqüências de corte são eliminadas, deixando passar as
freqüências FE < Fcs e FE >Fci, devendo existir a condição:
Fcs → freqüência de corte superior do filtro passa-baixas
Fcs < Fci
Fci → freqüência de corte inferior do filtro passa-altas

Podemos observar na curva de transferência do filtro rejeita-faixa, que, os sinais de baixas


freqüências selecionadas pelo filtro passa-baixas , alcançarão a entrada nº1 do somador via R31 e
são transferidos para o terminal de saída (VS) do somador com um ganho unitário. Para este
intervalo de sinais o filtro passa-altas encontra-se em corte.
Os sinais de altas freqüências, selecionados pelo filtro passa-altas, alcançarão a entrada nº 2 do
somador via R32 e são transferidos para o terminal de saída (VS) do somador com um ganho
unitário. Para este intervalo de sinais o filtro passa-baixas encontra-se em corte.
Para a faixa de sinais entre a freqüência de corte superior (Fcs) e freqüência de corte inferior (Fci),
ambos os filtros selecionarão os sinais , entregando-os nas respectivas entradas do somador. O
somador tem em suas entradas dois sinais iguais em amplitude e defasados de 180°, a soma de dois
sinais com estas características, eqüivale à zero (faixa de rejeição).

254 __________________________________________________________________________
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16.4 – SISTEMAS ANALÓGICOS NÃO-LINEARES

Nos sistemas analógicos não – lineares, estuda-se os amplificadores, onde a tensão de saída não está
relacionada com a proporcionalidade da tensão de entrada.

16.4.1 – Comparador

É um circuito que compara o sinal de entrada (VE1) com uma tensão de referência (VR).
Pequenas variações de tensões (milivolts) entre os terminais de entrada, pode-se obter bruscamente
uma grande variação na tensão de saída. As excursões de saídas são limitadas na tensão de
alimentação do amp. amp. op., na região de saturação. Sua grande aplicação, são nos conversores
de sinais de forma analógicos em sinais de forma binária.
Quando a tensão de entrada (VE1) assume um potencial positivo “ 0” , a saída VS do comparador
atinge o ponto de saturação em “-VEE”, para a entrada em um potencial negativo “ 0” ,a saída VS
do comparador atinge o ponto de saturação em “+VCC”.

O nível da tensão de referência pode ser “zero volts”, como pode Ter um valor positivo ou negativo,
em corrente contínua ou alternada. Os tipos básicos de comparadores são os seguintes:
 Detector de cruzamento zero
 Comparador de cruzamento zero com histerese
 Comparador de cruzamento zero sem histerese
 Comparador de nível com histerese
 Comparador de nível sem histerese

__________________________________________________________________________ 255
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A) Comparador com sinal senoidal na entrada
Se a tensão de entrada de um amplificador operacional, empregado como circuito comparador
for uma onda senoidal, a saída será uma onda quadrada. A compliance máxima do sinal de saída
sem distorção, será de 10% da tensão entre as fontes VCC e VEE.
Para o circuito da figura, alimentado com uma tensão de +15V e –15V, a compliance máxima de
saída será de 27V; que corresponde a uma tensão de pico de 13,5V. Um circuito montado conforme
a figura é chamado freqüentemente “DETECTOR DE CRUZAMENTO ZERO”.

B) Comparador com sinal de desengate alterado


O ponto de desengate (também chamado limiar, ponto de referência, etc.) de um comparador é o
valor da tensão de entrada para o qual a saída faz a mudança de estados ( de baixo para alto, ou vice
– versa ). Para alterar o ponto de referência é necessário alterar a tensão de referência (VR) na
entrada, de zero para um valor positivo ou negativo; dependendo da necessidade. Nos gráficos
representamos as configurações possíveis de se alterar o ponto de cruzamento. Na entrada da tensão
de referência é colocado um capacitor de passagem (XC), que tem como função a de reduzir a
quantidade de ondulação e ruído da fonte de tensão que aparece no potencial de referência.

256 __________________________________________________________________________
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C) Disparador Schmitt -Comparador de cruzamento de zero

O disparador Schmitt, apresenta uma configuração de um comparador com realimentação positiva,


através do resistor RF. Tipicamente R assume valores ôhmicos  100K.

Conforme circuito básico, observamos que, quando a tensão de saída estiver saturada
positivamente, esta tensão positiva realimentará a entrada não – inversora; esta entrada positiva
mantém a saída no estado alto.
Por outro lado, quando a tensão de saída estiver saturada negativamente, uma tensão negativa
realimentará a entrada não – inversora, mantendo a saída no estado baixo. Em qualquer dos dois
casos, a realimentação reforça o estado de saída existente.
A fração de realimentação pode ser calculada pela fórmula:

R1
B=
R1 + RF

__________________________________________________________________________ 257
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Saída saturada positivamente: Vref = +BVsat

Saída saturada negativamente: Vref = -BVsat

Podemos observar no gráfico VS em função de VE, que existem dois pontos de desengate do
circuito; (UTP – ponto de desengate superior e LTP – ponto de desengate inferior)
UTP = +BVsat
LTP = -BVsat

Uma vez que a saída esteja num estado, ela permanecerá nesse estado indefinidamente até que a
tensão de entrada se torne mais positiva que +B Vsat ou mais negativa que –B Vsat.

Histerese

Região dada entre os pontos de desengate; isto ocorre devido à realimentação positiva, que nos
fornece uma saída com histerese. O ponto de histerese é dado pela diferença entre os dois pontos de
desengate.
As vezes é aconselhável ter um pouco de histerese porque ela impede que o ruído produza um
disparo falso.
Como exemplo, imaginemos um disparador Schmitt sem histerese. Qualquer ruído presente na
entrada faria o disparador saltar aleatoriamente de um estado para outro. Analisemos agora, este
mesmo disparador com histerese (UTP = +1V e LTP = -1V), para que ocorresse um disparo
aleatório, necessitaríamos de um ruído de pico a pico maior que 2V para que ocorra o seu
desengate.
Além da supressão dos efeitos de ruído, a realimentação acelera o chaveamento dos estados de
saída.
Quando a tensão de saída começa a variar, esta variação é realimentada à entrada não inversora e
amplificada, forçando a saída a variar mais rápido.
Para se conseguir cancelar a rede de atraso formada pela capacitância de dispersão C1, instala-se em
paralelo com RF, um capacitor para acelerar o tempo de resposta. Conhecido como capacitor de
velocidade (speedup), ele ajuda a cancelar a rede de atraso formada pela capacitância de dispersão
C1 através de R1.
Para neutralizar a capacitância de dispersão, faz-se:
XC1 R1 R1
= e CF  C
XCF RF RF 1

C1 = capacitância de velocidade do amp. amp. op.


Em circuitos típicos, C1 varia de 1,0 nF a 10,0 nF.
Para garantir a elevação da velocidade de resposta faz-se:
RFCF  R1C1

258 __________________________________________________________________________
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D) Disparador com ponto de desengate deslocado

Para deslocar o ponto de desengate, aplica-se um potencial positivo no terminal não - inversor
através de um divisor de tensão formado pelos resistores R1 e R2.

A tensão que define o centro do laço de histerese pode ser calculada pela fórmula:
R1 1K
vcent =  VCC vcent =  12 = 4,0V
R1 + R2 1K + 2 K

Fração de realimentação positiva

R1 / / R2 666,66
B B  6,6  10− 3
RF + R1 / / R2 100K + 666,66

Ponto de desengate superior (UTP)


UTP = vcent + BVSAT UTP = 4,0V + (6,6  10−3  10,5V) = 4,07 V

VSAT = VCC − VOP = 12 V − 1,5V = 1,5V


Ponto de desengate inferior (LTP)

LTP = vcent − BVSAT LTP = 4,0V − (6,6  10−3  10,5V) = 3,93V

E) Disparador Schmitt Não – Inversor

Quando a saída estiver saturada negativamente, teremos:


1K
VS = − VSAT = −10,5V VE = +10V  − = +0,1V
100K
R1
UTP = VSAT  = VE = +0,1V
RF

__________________________________________________________________________ 259
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
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Quando a saída estiver saturada positivamente, teremos:
R1
VS = + VSAT = +10V VE = LTP = − VSAT 
RF
1K
LTP = −10V  = −0,1V
100K

F) Disparador Schmitt Não–Inversor Com Desengate Deslocado

Tensão de referência (Vref)


R3 2K
Vref . =  VCC Vref . =  12 V = 6V
R3 + R2 2K + 2K

Tensão de centro do laço de histerese (Vcent)

R1 1K
Vcent = 1 +  Vref . v cent . =  6V = 6,06V
RF 100K

Ponto de desengate superior (UTP)


R1 1K
UTP = Vcent +  VSAT UTP = 6,06V +  10,5V = 6,16V
RF 100K

Ponto de desengate inferior (LTP)

R1 1K
LTP = Vcent −  VSAT UTP = 6,06V -  10,5V = 5,95V
RF 100K

16.4.1.1 – Aplicações Do Disparador Schmitt

De uma maneira geral, os disparadores Schmitts tem sua aplicação em circuitos eletrônicos que
utilizam o amplificador operacional como “comparador”, mas devido ao alto nível de ruído, esses
comparadores são substituídos por disparadores Schmitt.
Como exemplo de aplicação, podemos citar os voltímetros eletrônicos e circuitos de chaveamento
de fonte de alimentação.

260 __________________________________________________________________________
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO

XVII - TEMPORIZADOR 555


Circuito Integrado para aplicações gerais de temporização, atualmente já bastante
consagrado e de fácil aquisição no comércio especializado de eletrônica.
O temporizador 555 associa um oscilador de relaxação, dois comparadores, um FLIP-FLOP
RS e um transistor de descarga.

17.1 – Comparador
Um circuito comparador aceita como entrada tensões lineares e produz uma saída digital que
indica quando uma entrada é maior ou menor do que uma segunda entrada. Um circuito comparador
básico pode ser representado pelos amplificadores operacionais I e II.

O Comparador – I é acionado pela entrada não – inversora (pino – 6), que compara seu nível
de tensão de entrada com uma tensão de referência que eqüivale a 2/3 de Vcc.

O Comparador – II é acionado pela entrada inversora (pino – 2), que compara seu nível de
tensão de referência que eqüivale à 1/3 de Vcc.

As tensões de referência dos comparadores – I e II podem ser alteradas mediante uma tensão
de controle injetada no pino – 5.
Quando não se deseja um controle de tensão de referência, instala-se um capacitor no pino–
5 para a terra, com a função de derivar ruídos que possam aparecer na tensão de referência.

_______________________________________________________________________ 261
TEMPORIZADOR 555
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
17.2 – FLIP-FLOP RS

Multivibrador biestável, capaz de armazenar 1 bit e constitui o bloco básico dos circuitos
seqüenciais.
Montados com duas portas NOU, cada uma com duas entradas: com suas saídas em cascata.
Os dois terminais disponíveis de entrada são chamados de S (SET) e R (RESET), respectivamente
ATIVAR e DESATIVAR.

Os índices “n” e “n + 1”, são utilizados divido ao grande número de vezes em que as entradas de
controle se alteram. Quando eles assumem simultaneamente o valor “0”, a saída permanece no
estado em que estava. Com relação ao terminal de saída, é conveniente considerar “Q” como saída
principal, embora os dois sinais, Q e Q , estejam disponíveis. Quando a saída Q = 1, dizemos que o
FLIP-FLOP está ativado (SET) – um “1” armazenado, e quando Q = 0, dizemos que está
desativado (RESET) – um “0” armazenado.
Suponhamos agora, S = 0 e R = 1. De acordo com o circuito, as saídas das portas NOU serão:

Q = R + Q = 1+ Q = 1 = 0 Sendo Q = 0, teremos: Q = S+Q = 0+0 =1

Para exemplo de “estado” denominamos FLIP-FLOP DESATIVADO

17.3 – Circuito de Temporização


Para que possamos ter um conceito de medição de tempo, utilizaremos o esquemático
abaixo. Supondo que a saída Q esteja em alta, esta condição satura o transistor e grampeia a tensão
do capacitor na terra (capacitor com terminais em curto).
A tensão de entrada não – inversora do comparador – I, é chamada de tensão de limiar, e a
tensão de entrada inversora é chamada tensão de controle.
Com o FLIP-FLOP RS em “SET”, o transistor saturado mantém a tensão de limiar em “0”.
A tensão de controle, por outro lado, se fixa em 8V, devido ao divisor de tensão.
Suponha que aplicaremos uma alta tensão à entrada “R”. Isto reseta o FLIP-FLOP RS. A
saída Q vai para baixo e corta o transistor. O capacitor C está agora livre para se carregar.
A medida que o capacitor carrega, a tensão de limiar torna-se ligeiramente maior que a
tensão de controle.

Vcontrole =
(R 2 + R3 )
 VCC → Vcontrole =
10K
 12 V = 8V
(R 2 + R 3 ) + R1 10K + 5K
V lim iar = VCC  0,693 → V lim iar = 12 V  0,693 = 8,3V

262 _______________________________________________________________________
TEMPORIZADOR 555
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
A saída do comparador sobe, forçando o FLIP-FLOP RS a “SET”. O alto Q de saída satura
o transistor e isto descarrega rapidamente o capacitor.
A forma de onda da tensão limiar, tem uma subida exponencial através do capacitor e aparece um
pulso do lado positivo na saída Q.

17.4 – Análise Do Diagrama Esquemático Simplificado

Podemos observar no esquemático, que o comparador – I, tem uma entrada limiar (pino – 6)
e uma entrada de controle (pino – 5). Na maioria das aplicações, a entrada de controle não é usada,
mas a tensão de controle pode ser calculada:

VCC
VCONTROLE = 2 
3

Sempre que a tensão no terminal 6 (limiar), exceder a tensão de controle, a saída alta do
comparador – I “SET” o FLIP-FLOP
Quando conectamos o pino 7 (coletor do transistor) aos terminais de um capacitor externo
(responsável pela tensão limiar), o FLIP-FLOP com a saída Q em ALTA satura o transistor e
descarrega o capacitor.
O sinal complementar Q que sai do FLIP-FLOP (terminal 3) é o responsável pelo sinal de saída.
O terminal “RESET” (4), é o responsável por ligar/desligar o dispositivo. Pino 4 aterrado
inibe o funcionamento do dispositivo; na maioria das aplicações o terminal 4 fica ligado
diretamente à tensão + VCC.
No comparador –II, sua entrada invertida é chamada disparador (trigger) pino – 2. A entrada
não–inversora tem uma tensão de polarização fixa de +VCC/3.
Quando a tensão de disparo de entrada é ligeiramente menor que +VCC/3, a saída do
amplificador operacional sobe e reseta o FLIP-FLOP

_______________________________________________________________________ 263
TEMPORIZADOR 555
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O pino–1 recebe o negativo da fonte de alimentação (terra da pastilha), enquanto o pino 8 recebe
+VCC.
A tensão de alimentação do dispositivo, permite operar com tensões entre 4,5V e 18V.

17.5 – Operação Monoestável

Para que possamos obter um multivibrador monoestável, devemos adicionar um resistor (R) e um
capacitor (C) externos.
A entrada de disparo aciona o comparador – II quando sua tensão for ligeiramente menor que
+VCC/3; com sua saída em nível alto, reseta o FLIP-FLOP isto corta o transistor, permitindo que o
capacitor “C” carregue e leva saída Q terminal (3) para nível 1 (+VCC). Quando a tensão do
capacitor for ligeiramente maior que +2VCC/3, o comparador – I leva sua saída para nível alto, o
que ativa (SET) o FLIP=FLOP logo que Q = 1, temos Q = 0, fazendo com que o transistor
descarregue o capacitor C e ao mesmo tempo leva a saída para o nível “0”.
A entrada do disparador é um pulso estreito com um valor quiescente de +VCC e com um valor de
comutação VCC/3. Estando a saída em nível “0”, a mesma permanece até que seja enviado um
novo pulso no disparador (pino 2).

17.5.1 – Largura do pulso de saída (W)

A largura do pulso é controlada pela rede RC, dado pela fórmula:

Vlim iar = VCC (1 − e − W / RC ) = VCC (1 − e − W / RC )


2VCC

3
2VCC = 3VCC (1 − e − W / RC ) = (1 − e − W / RC )
2VCC

3VCC
2 1
− 1 = − e − W / RC  = e − W / RC  0,333 = e − W / RC
3 3
Logo: ln 0,333 = −W / RC  W = 1,0986 RC  W = 1,1 RC

Exemplo:

Calcular a largura de pulso de um multivibrador monoestável que tem R = 27 K e C = 0,068F.

W = 1,1 x (27K x 0,068F) = 2,0ms

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TEMPORIZADOR 555
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
17.5.2 – Dimensionamento da rede RC

O valor mínimo do resistor “R” é limitado pelo transistor de descarga, sendo que 1 K,
geralmente, é o mínimo permitido.
O valor máximo de “R” vem ditado pela corrente de fuga do comparador – I. As folhas de
especificações do fabricante recomendam um máximo de 20 M.
Contudo, a precisão é comprometida acima de 1 M. Na maioria das aplicações, o valor de
“R” deve ser mantido entre 1 K e 1 M
Não existem limites para o valor de capacitância “C”, salvo pelo custo do componente.
Devemos levar em conta, entretanto, que capacitores eletrolíticos de grandes valores de
capacitância, apresentam correntes de fuga que poderão provocar grandes diferenças em torno dos
períodos de temporização calculados.
Se forem usados capacitores eletrolíticos, a tensão de isolação dele, deve ter um valor
próximo ou maior ao da tensão VCC.
Um capacitor eletrolítico assume a sua função básica, constituindo suas características
nominais, quando a tensão entre seus terminais ultrapassa 1/10 de sua tensão de isolamento; caso
não seja observado, poderá provocar grandes diferenças em torno dos períodos de temporização
calculados.

17.5.3 -Circuito do time monoestável 555

Em resumo, o timer monoestável 555 produz


um único pulso cuja largura é determinada
pela rede RC e tem no terminal 5 (tensão de
controle) um capacitor de valor tipicamente de
0,01F, que tem como função, derivar o
terminal 5 para a terra, fazendo uma filtragem
de ruídos na tensão de controle.

17.6 – Operação Astável

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TEMPORIZADOR 555
SOCIEDADE EDUCACIONAL TALES DE MILETO
Para que possamos obter um multivibrador astável, devemos adicionar 2 resistores (RA e
RB) e um capacitor.
Quando a saída do FLIP-FLOP tem Q = 0, faz com que o transistor entre em corte e o
capacitor “C” comece a se carregar através de RA + RB; neste caso, a constante de tempo → W =
(RA + RB)C.
À medida que o capacitor se carrega, a tensão limiar aumenta e esta ao ultrapassar
+2/3VCC, leva o comparador – I para o nível “1”, ligando (SET) o FLIP-FLOP com Q = 1 e
Q = 0; neste caso o capacitor “C” se descarrega através de RB, sendo sua constante de tempo de
descarga → W1 = RBC. Quando a tensão do capacitor cai ligeiramente abaixo de +VCC/3, o
comparador – II tem uma saída alta, que reativa o FLIP-FLOP Q = 0 e Q = 1.

17.6.1- Freqüência de oscilação do sinal de saída (f o)

A freqüência de oscilação é controlada pelos resistores RA, RB e o capacitor c.

W = ( RA + RB)  C  0,693 W1 = RA  C  0,693

1
T = W + W1 fo =
T
1,44
Para a simplificação dos cálculos faremos: fo =
( RA + 2 RB)  C

Podemos observar na saída do multivibrador astável, uma forma de onda quadrada


assimétrica, com uma constante de tempo de carga maior que a constante de tempo de descarga.
Para especificar a assimetria de saída, usaremos o ciclo de trabalho ( D ), definido da
seguinte forma:
W RA + RB
D=  100%  D=  100%
T RA  RB

Tipicamente; o ciclo de trabalho encontra-se entre 50% e 100%.

Exemplo:
Um timer astável tem RA = 10K , RB = 2K e C = 0,0047 f. Qual a freqüência de saída e o
ciclo de trabalho?

1,44 10K + 2 K
fo = = 21,9 KHz D=  100% = 85,7%
(10K + 2  2 K)  0,0047F 10K  2 K

W = (10K + 2 K)  0,0047F  0,693 = 39,08s

W1 = 2 K  0,0047F  0,693 = 6,51s T = 39,08s + 6,51s = 45,59s

1 1 39,08s
fo = = = 21,93KHz D=  100% = 85,72%
T 45,59s 45,59s

266 _______________________________________________________________________
TEMPORIZADOR 555
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17.6.2 – Dimensionamento da rede RC

As observações relatadas no subitem 17.5.2 “ Dimensionamento de rede RC–Monoestável ”,


são também aplicadas na rede RC – Astável.
Se RB for muito maior que RA ( por exemplo: RB = 100 K e RA = 1K ), teremos o ciclo
ativo e de repouso com intervalos quase iguais, e com um ciclo de trabalho próximo a 50%.

17.6.3 – Circuito do timer Astável 555

Em resumo, o timer Astável 555 produz um trem contínuo de


pulsos com um período determinado por ( W + W1),
freqüentemente chamado de “ multivibrador de percurso
livre ( oscilador) “. No terminal 5 ( tensão de controle) um
capacitor de valor tipicamente de 0,01 f que tem como
função derivar o terminal 5 para a terra, fazendo uma
filtragem dos ruídos da tensão de controle. Quando for
desejado um oscilador com duração do ciclo ativo e ciclo de
repouso exatamente iguais (simétricos), o terminal 7 do CI
deverá ser deixado sem ligação, e entre a saída ( terminal 3 )
e o capacitor “ C”, devemos colocar um resistor para
carregar e descarregar o capacitor.

Nesta caso, tanto o período de carga como o de descarga, vêm dados pela expressão:

T = 0,7 CR desta forma o período total é: T = 1,4 CR

17.7 – Aplicações do CI – 555


O CI – 555 requer uma tensão da alimentação entre 5 e 18V, o que torna compatível com a
família de integrados lógicos TTL. A saída deste circuito integrado é capaz de fornecer ou drenar
correntes de até 200 mA, permitindo o comando direto de relês, lâmpadas e outras cargas
relativamente grandes.
Seu circuito interno requer carga de 10 mA quando a saída se encontra no nível alto
( período temporizado ) e 1 mA no estado repouso ( saída baixa ).
Em função de suas características, o CI – 555 tem hoje uma ampla aplicação em circuitos
eletrônicos, dentre eles :

_______________________________________________________________________ 267
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• Temporizadores; • interruptor de toque;
• Sistema de alarmes; • divisores de freqüência;
• sistemas de controle de tráfegos; • injetor de sinais; etc.
• comando de tiristores;

17.8 – Versões Do Temporizador – 555


O CI – 555 possui uma família de dispositivos correlatos. Eles são, basicamente, diversos
circuitos 555 incluídos em um só invólucro.

NOTA: Para o temporizador CI 556, a corrente de saída é reduzida para 150mA e para CI 558/9 a
corrente de saída é reduzida para 100mA, as demais características elétricas tem correspondência
com o CI 555.

268 _______________________________________________________________________
TEMPORIZADOR 555
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Apêndice – A.1

CARACTERÍSTICAS DE COMPONENTES ATIVOS


A) VÁLVULAS:
• Impedância de entrada – alta • Consumo de potência – grande
• Impedância de saída – alta • Sensibilidade a sobrecarga – excelente
• Ruído – baixo • Tamanho – grande
• Tempo de aquecimento – longo

B) TRANSISTORES DE PEQUENA POTÊNCIA:


• Impedância de entrada – depende da • Tempo de aquecimento – curto
configuração • Consumo de potência – pequeno
• Impedância de saída – depende da • Sensibilidade a sobrecarga – razoável
configuração • Tamanho – pequeno
• Ruído – baixo

C) TRANSISTORES DE ALTA POTÊNCIA:


• Impedância de entrada – muito baixa • Consumo de potência – pequeno
• Impedância de saída – baixa/média • Sensibilidade a sobrecarga – regular
• Ruído – moderado • Tamanho – moderado
• Tempo de aquecimento – curto

D) FET De Junção:
• Impedância de entrada – alta • Consumo de potência – muito pequeno
• Impedância de saída – alta • Sensibilidade a sobrecarga – boa
• Ruído – baixo • Tamanho – pequeno
• Tempo de aquecimento – pequeno

E) MOSFET:
• Impedância de entrada – muito alta • Consumo de potência – muito pequeno
• Impedância de saída – baixa • Sensibilidade a sobrecarga – pobre
• Ruído – não previsível • Tamanho – pequeno
• Tempo de aquecimento – pequeno

F) UJT:
• Impedância de entrada – baixa/média• Consumo de potência – muito pequeno
• Impedância de saída – média • Sensibilidade a sobrecarga – boa
• Ruído – baixo • Tamanho – pequeno
• Tempo de aquecimento – pequeno

__________________________________________________________________________ 269
APÊNDICE
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Apêndice – A.2
CÓDIGOS DE SEMICONDUTORES
Código para semicondutores em que temos duas letras seguidas por um número.
Ex: BC238 - OA90 - BD139, etc.
1º letra: 2º letra:
A - dispositivo com semicondutor de germânio, A - diodo detetor, de alta velocidade ou
barreira de potencial entre: misturador
0,3V e 0,6V B - diodo de capacitância variável (varicap)
B - dispositivo com semicondutor de silício, C - transistor de áudio para pequenos sinais
barreira de potencial entre: D - transistores de potência de áudio
0,6 e 1,3V E - diodo tunnel
C - dispositivo com material semicondutor, F - transistor de RF de pequena potência
barreira de potencial entre: K - gerador Hall
1,3V e mais (arseneto de gálio) L - transistor de potência de RF
D - dispositivo semicondutor com impurezas N - fotoacoplador
de antimonieto de índio, barreira de poten- S - transistor de comutação de peq. potência
cial  0,6V U - transistor de potência de comutação
R - dispositivo sem junções como geradores X - diodo multiplicador, varactor
Hall e células fotocondutoras Y – diodo retificador de potência
Z – diodo de referência ou regulador zener
3º letra:
Três números indicam componente para uso comercial enquanto que uma letra e dois símbolos
indica componentes de uso militar, industrial e científico.

SIMBOLOS PARA TRANSISTORES BIPOLARES

VCER – tensão entre coletor e emissor com VCC – tensão de alimentação de coletor
resistência especificada entre base e VBB - tensão de alimentação de base
emissor VEE -tensão de alimentação de emissor
VBE(sat) – tensão de saturação entre base e VBE - tensão base-emissor
emissor VBC – tensão base-coletor
IB – corrente contínua de base VEC – tensão de emissor-coletor
IC – corrente contínua de coletor VCEO – tensão coletor emissor com a base
IE – corrente contínua de emissor aberta (desligada)
Ib – corrente rms de base VBEO – tensão BE com o coletor aberto
Ic – corrente rms de coletor VBCO – tensão BC com o emissor aberto
Ie – corrente rms de emissor VCES –tensão coletor emissor com a base
FT – freqüência de transição curto-circuitada com o emissor

SIMBOLOS PARA TRANSISTORES UNIPOLARES - TEC


VDD – tensão de alimentação de dreno IG – corrente contínua de porta
VGG – tensão de alimentação de porta ID – corrente contínua de dreno
VGS – tensão porta-fonte em um ponto de IDSS – corrente de saturação dreno–fonte
trabalho IS – corrente contínua de fonte
VGSOFF – tensão de corte porta-fonte Ig – corrente RMS de porta
VS – tensão de fonte Id – corrente RMS de dreno
VD – tensão de dreno Is – corrente RMS de fonte
VDS – tensão dreno–fonte gm – transcondutância de transferência
BVGSS – tensão de ruptura porta–fonte rdsON – resistência dreno-fonte ligado

270 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
Apêndice – A.3
SISTEMA AWG & mm PARA FIOS ESMALTADOS
AWG DIÂMETRO SEÇÃO PESO OHMS CORRENTEMAX
mm mm2 Kg/Km /Km Ampér (A)
0 - 53,4 - 0,323 160
1 - 42,3 - 0,406 127
2 - 33,6 - 0,513 101
3 - 26,6 - 0,646 79,7
4 - 21,2 - 0,815 63,5
5 - 16,8 - 1,03 50,4
6 - 13,3 - 1,30 39,9
7 - 10,5 - 1,64 31,5
8 3,32 8,35 75,5 2,07 25,1
9 2,96 6,65 59,6 2,59 19,9
10 2,65 5,27 47,3 3,27 15,8
11 2,36 4,15 37,5 4,15 12,4
12 2,11 3,30 29,8 5,22 9,90
13 1,88 2,63 23,6 6,56 7,88
14 1,68 2,09 18,7 8,26 6,27
15 1,50 1,65 14,9 10,4 4,95
16 1,34 1,30 11,8 13,2 3,90
17 1,20 1,04 9,32 16,6 3,12
18 1,07 0,818 7,41 21,2 2,45
19 0,96 0,650 5,87 26,5 1,95
20 0,86 0,515 4,65 33,5 1,54
21 0,77 0,407 3,70 42,3 1,22
22 0,69 0,322 2,93 63,6 0,965
23 0,61 0,255 2,33 67,6 0,765
24 0,55 0,204 1,85 84,4 0,612
25 0,48 0,159 1,47 108 0,427
26 0,44 0,126 1,17 137 0,378
27 0,39 0,102 0,923 169 0,306
28 0,35 0,0805 0,731 214 0,242
29 0,31 0,0660 0,580 261 0,196
30 0,27 0,0491 0,463 351 0,147
31 0,25 0,0415 0,368 415 0,124
32 0,22 0,0314 0,290 549 0,094
33 0,20 0,0254 0,230 679 0,076
34 0,18 0,0201 0,183 858 0,060
35 0,16 0,0154 0,139 1120 0,046
36 0,14 0,0132 0,110 1300 0,039
37 0,12 0,00951 0,091 1820 0,028
38 0,112 0,00785 0,072 2210 0,023
39 0,090 0,00636 0,056 2740 0,019
40 0,089 0,00502 0,045 3440 0,015
41 0,077 0,00385 - 4500 0,011
42 0,068 0,00317 - 5450 0,009
43 0,061 0,00257 - 6730 0,007
44 0,054 0,00203 - 8550 0,006
45 0,048 0,00156 - 11110 0,005
46 0,44 0,00114 - 15130 0,003

_______________________________________________________________________ 271
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
Apêndice – A.4
CANAIS DE TV
Faixa De Freqüência. Freqüência. CANAL Freqüência Portadora Portadora
CANAL Freqüência Portadora Portadora N0 Canal De Vídeo De Áudio
N0 Canal De Vídeo De Áudio (MHz) (MHz) (MHz)
(MHz) (MHz) (MHz) 43 644-650 645,25 649,75
2 54-60 55,25 59,75 44 650-656 651,25 655,75
3 60-66 61,25 65,75 45 656-662 657,25 661,75
4 66-72 67,25 71,75 46 662-668 663,25 667,75
5 76-82 77,25 81,75 47 668-674 669,25 673,75
6 82-88 83,25 87,75 48 674-680 675,25 679,75
7 174-180 175,25 179,75 49 680-686 681,25 685,75
8 180-186 181,25 185,75 50 686-692 687,25 691,75
9 186-192 187,25 191,75 51 692-698 693,25 697,75
10 192-198 193,25 197,75 52 698-704 699,25 703,75
11 198-204 199,25 203,75 53 704-710 705,25 709,75
12 204-210 205,25 209,75 54 710-716 711,25 715,75
13 210-216 211,25 215,75 55 716-722 717,25 721,75
14 470-476 471,25 475,75 56 722-728 723,25 727,75
15 476-482 477,25 481,75 57 728-734 729,25 733,75
16 482-488 483,25 487,75 58 734-740 735,25 739,75
17 488-494 489,25 493,75 59 740-746 741,25 745,75
18 494-500 495,25 499,75 60 746-752 747,25 751,75
19 500-506 501,25 505,75 61 752-758 753,25 757,75
20 506-512 507,25 511,75 62 758-764 759,25 763,75
21 512-518 513,25 517,75 63 764-770 765,25 769,75
22 518-524 519,25 523,75 64 770-776 771,25 775,75
23 524-530 525,25 529,75 65 776-782 777,25 781,75
24 530-536 531,25 535,75 66 782-788 783,25 787,75
25 536-542 537,25 541,75 67 788-794 789,25 793,75
26 542-548 543,25 547,75 68 794-800 795,25 799,75
27 548-554 549,25 553,75 69 800-806 801,25 805,75
28 554-560 555,25 559,75 70 806-812 807,25 811,75
29 560-566 561,25 565,75 71 812-818 813,25 817,75
30 566-572 567,25 571,75 72 818-824 819,25 823,75
31 572-578 573,25 577,75 73 824-830 825,25 829,75
32 578-584 579,25 583,75 74 830-836 831,25 835,75
33 584-590 585,25 589,75 75 836-842 837,25 841,75
34 590-596 591,25 595,75 76 842-848 843,25 847,75
35 596-602 597,25 601,75 77 848-854 849,25 853,75
36 602-608 603,25 607,75 78 854-860 855,25 859,75
37 608-614 609,25 613,75 79 860-866 861,25 865,75
38 614-620 615,25 619,75 80 866-872 867,25 871,75
39 620-626 621,25 625,75 81 872-878 873,25 877,75
40 626-632 627,25 631,75 82 878-884 879,25 883,75
41 632-638 633,25 637,75 83 884-890 885,25 889,75
42 638-644 639,25 643,75
Faixa De Freqüência. Freqüência.

272 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
ESPECTRO DE RÁDIO

VLF – VERY LOW FREQUENCY VHF – VERY HIGH FREQUENCY


(Freqüência Muito Baixa) ( Freqüência Muito Alta )
20 KHz a 30 KHZ 30 MHz a 300 MHz
20.000 a 30.000 metros 10 a 1 metro

LF – LOW FREQUENCY (Freqüência Baixa) UHF – ULTRA HIGH FREQUENCY


30 KHz a 300 KHZ ( Freqüência Ultra Alta )
10.000 a 1.000 metros 300 a 3.000 MHz
100 a 10 cm
MF – MEDIUM FREQUENCY
( Freqüência Média ) SHF – SUPER HIGH FREQUENCY
300 KHz a 3 MHz ( Freqüência Super Alta)
1.000 a 100 metros 3.000 a 30.000 MHz
10 a 1 cm
HF – HIGH FREQUENCY (Alta freqüência )
3 MHz a 30 MHz
100 a 10 metros

SIGLAS DE SISTEMAS DE TV

CCIR  Commitée Consultatif Internacional des


Radiocommunications

SECAM  Sequentielle à Memoire

PAL  Phase Alternation Line


Sistema PAL  Sistema de TV em cores desenvolvido na
alemanha, em que a subportadores derivada da eclosão da
cor é invertida em fase de uma linha para a proxima, para
reduzir ao mínimo erros de tom na transmissão em cor.

NTSC  National Television System Commitée


Sinal de TV do sistema americano de transmissão em cores
(sinal de 3,58MHz), cuja fase varia segundo o matiz instantâneo
da cor transmitida.

_______________________________________________________________________ 273
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
Apêndice – A.5
SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA TEXAS
Texas Instrumentos oferece ao técnico projetista, ao estudante e ao engenheiro, os manuais de
características de semicondutores “TTL DATA BOOK” e “THE POWER
SEMICONDUCTOR DATA BOOK” ambos de grande utilidade para técnicos e engenheiros.
Não descrevemos as características e aplicações de todos os semicondutores do “POWER”
original, já que parte de seus componentes não se encontram disponíveis no mercado brasileiro.
Assim, o nosso MANUAL DE SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA – TEXAS – será baseado
nos componentes que utilizam invólucros TO – 220 e TO – 218 (plásticos) – que são os fabricados
no Brasil – e nos oferecem uma excelente linha, com muitas opções.
Destacamos, além dos transistores da série TIP, os elementos da linha TIPL destinados a
fontes chaveadas. Os transistores são disponíveis em dissipações até 125 watts .
Como informação adicional de grande utilidade, além de invólucros, terminais e características
elétricas, também daremos as principais aplicações recomendadas, e no caso de transistores, o
possível complementar. Nosso MANUAL DE SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA –
TEXAS terá o seguinte conteúdo:
Invólucros com dimensionamento para todos os tipos de semicondutores, ou seja TO – 220 e TO-
218;
Componentes em ordem numérica, partindo dos transistores TIP, TIPL, passando pelos BU .
Indicações de onde podem ser utilizados; Complementares, quando existires. Esperamos que , como
o TTL-DATA BOOK, este conjunto de informações venha a formar para os alunos um manual de
utilidade indispensável nos projetos que utilizam semicondutores de potência, principalmente tendo
em vista o aval de qualidade internacional de um fabricante tradicional em nosso país, como é a
Texas Instrumentos.

APLICAÇÕES RECOMENDADAS, POSSÍVEIS COMPLEMENTARES,


INVÓLUCRO DOS TRANSISTORES E INFORMAÇÕES ADICIONAIS

TIP 29 – TIP 29A – TIP 29B – TIP 29C – TIP 29D – TIP 29E – TIP 29F
Transistores NPN de silício para utilização em amplificadores de áudio, comutação de alta
velocidade.
Complementares: TIP 30, TIP 30A, TIP 30B, TIP 30C, TIP 30D, TIP 30E, TIP 30F.
Invólucro TO-220.

TIP 47 – TIP 48 – TIP 49 – TIP 50


Transistores NPN de silício de alta tensão para aplicações industriais comuns. Alta energia direta e
inversa.
Invólucro TO-220.

TIP 110 – TIP 111 – TIP 112


Transistores NPN Darlington para aplicações e amplificação de áudio e comutação.
Complementares: TIP 115, TIP 116, TIP 117.
Invólucro TO-220.

TIP31 – TIP31A – TIP31B – TIP31C – TIP31D – TIP31E – TIP31F


Transistores NPN de silício para amplificação de áudio , comutação de alta velocidade.
Complementares: TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, TIP32D, TIP32E, TIP32F.
Invólucro TO-220.

274 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
TIP75 – TIP75A – TIP75B – TIP75C
Transistores NPN de silício de alta tensão para aplicações em ignições eletrônicas e amplificação,
além de fontes comutadas.
Invólucro TO-220.

TIP120 – TIP121 – TIP122


Transistores NPN Darlington de silício para amplificação de áudio e comutação. Complementares:
TIP125, TIP126 e TIP127.
Invólucro: TO-220.

TIP41 – TIP41A – TIP41B – TIP41C – TIP41D – TIP41E – TIP41F


Transistores NPN de silício para utilização em amplificação de potência e comutação de alta
velocidade. Complementares: TIP42, TIP42A, TIP42B, TIP42C, TIP42D, TIP42E, TIP42F.
Invólucro TO-220.

TI-3055
Transistor de alta potência para amplificação e comutação.
Invólucro TO-220.

TIP150 – TIP151 – TIP152


Transistores NPN Darlington de potência de alta tensão para amplificação e comutação.
Invólucro TO-220.

TIP100 – TIP101 – TIP102


Transistores NPN Darlington de potência para amplificação e comutação. Complementares:
TIP105, TIP106, TIP107. Invólucro TO-220.

TIP73 – TIP73A – TIP73B – TIP73C


Transistores NPN de silício para amplificação de potência e comutação de alta velocidade.
Complementares: TIP74, TIP74A, TIP74B, TIP74C.
Invólucro TO-220.

TIP30 – TIP30A – TIP30B – TIP30C – TIP30D – TIP30E – TIP30F


Transistores PNP de silício para amplificação de potência e comutação de alta velocidade.
Complementares: TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C, TIP29D, TIP29E, TIP29F.
Invólucro TO-220.

TIP115 – TIP116 – TIP117


Transistores PNP Darlington de potência para amplificação e comutação. Complementares: TIP110,
TIP111, TIP112. Invólucro TO-220.

TIP32 – TIP32A – TIP32B – TIP32C – TIP32D – TIP32E – TIP32F


Transistores PNP de silício para amplificação de potência e comutação de alta velocidade.
Complementares: TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, TIP31D, TIP31E, TIP31F.
Invólucro TO-220.

TIP125 – TIP126 – TIP127Transistores NPN Darlington de potência de silício para amplificação e


comutação. Complementares: TIP120, TIP121, TIP122.
Invólucro TO-220.

_______________________________________________________________________ 275
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
TIP42 – TIP42A – TIP42B – TIP42C – TIP42D – TIP42E – TIP42F
Transistores PNP de potência de silício para amplificação e comutação. Complementares: TIP41,
TIP41A, TIP41B, TIP41C, TIP41D, TIP41E, TIP41F.
Invólucro TO-220.

TIP105 – TIP106 – TIP107


Transistores PNP Darlington de potência para amplificação e comutação. Complementares: TIP100,
TIP101, TIP102.
Invólucro TO-220.

TIP74 – TIP74A – TIP74B – TIP74C


Amplificadores PNP de silício para amplificação de potência e comutação de alta velocidade.
Complementares: TIP73, TIP73A, TIP73B, TIP73C.
Invólucro TO-220.

Pt(Máx.) hFE fT
POLARIDADE IC VCEO VCBO Invólucro MIN.
CÓDIGO N = NPN CONTÍNUA A 25°C Min. Máx. IC VCE
P = PNP A V V W A V MHz

TIP 29 NPN 1 40 40 30 15 75 1 4 3
TIP29A NPN 1 60 60 30 15 75 1 4 3
TIP29B NPN 1 80 80 30 15 75 1 4 3
TIP29C NPN 1 100 100 30 15 75 1 4 3
TIP29D NPN 1 120 160 30 15 - 1 4 3
TIP29E NPN 1 140 180 30 15 - 1 4 3
TIP29F NPN 1 160 200 30 15 - 1 4 3
TIP30 PNP 1 40 40 30 15 75 1 4 3
TIP30A PNP 1 60 60 30 15 75 1 4 3
TIP30B PNP 1 80 80 30 15 75 1 4 3
TIP30C PNP 1 100 100 30 15 75 1 4 3
TIP30D PNP 1 120 160 30 15 - 1 4 3
TIP30E PNP 1 140 180 30 15 - 1 4 3
TIP30F PNP 1 160 200 30 15 - 1 4 3
TIP31 NPN 3 40 40 40 10 50 3 4 3
TIP31A NPN 3 60 60 40 10 50 3 4 3
TIP31B NPN 3 80 80 40 10 50 3 4 3
TIP31C NPN 3 100 100 40 10 50 3 4 3
TIP31D NPN 3 120 160 40 5 - 3 4 3
TIP31E NPN 3 140 180 40 5 - 3 4 3
TIP31F NPN 3 160 200 40 5 - 3 4 3
TIP32 PNP 3 40 40 40 10 50 3 4 3
TIP32A PNP 3 60 60 40 10 50 3 4 3
TIP32B PNP 3 80 80 40 10 50 3 4 3
TIP32C PNP 3 100 100 40 10 50 3 4 3
TIP32D PNP 3 120 160 40 5 - 3 4 3
TIP32E PNP 3 140 180 40 5 - 3 4 3
TIP32F PNP 3 160 200 40 5 - 3 4 3
TIP 33 NPN 10 40 40 80 20 100 3 4 3
TIP33A NPN 10 60 60 80 20 100 3 4 3
TIP33B NPN 10 80 80 80 20 100 3 4 3
TIP33C NPN 10 100 100 80 20 100 3 4 3

276 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
TRANSISTORES DE POTÊNCIA
(TO-218)
Pt(Máx.) hFE fT
CÓDIGO POLARIDADE IC VCEO VCBO Invólucro MIN.
N = NPN CONTÍNUA A 25°C Min. Máx. IC VCE
P = PNP A V V W A V MHz

TIP33D NPN 10 120 160 80 20 - 3 4 3


TIP33E NPN 10 140 180 80 20 - 3 4 3
TIP33F NPN 10 160 200 80 20 - 3 4 -
TIP34 PNP 10 40 40 80 20 100 3 4 3
TIP34A PNP 10 60 60 80 20 100 3 4 3
TIP34B PNP 10 80 80 80 20 100 3 4 3
TIP34C PNP 10 100 100 80 20 100 3 4 3
TIP34D PNP 10 100 160 80 20 - 3 4 3
TIP34E PNP 10 140 180 80 20 - 3 4 3
TIP34F PNP 10 160 200 80 20 - 3 4 3
TIP35 NPN 25 40 40 125 10 50 15 4 3
TIP35A NPN 25 60 60 125 10 50 15 4 3
TIP35B NPN 25 80 80 125 10 50 15 4 3
TIP35C NPN 25 100 100 125 10 50 15 4 3
TIP35D NPN 25 120 160 125 8 - 15 4 3
TIP35E NPN 25 140 180 125 8 - 15 4 3
TIP35F NPN 25 160 200 125 8 - 15 4 3
TIP36 PNP 25 40 40 125 10 50 15 4 -
TIP36A PNP 25 60 60 125 10 50 15 4 -
TIP36B PNP 25 80 80 125 10 50 15 4 -
TIP36C PNP 25 100 100 125 10 50 15 4 -
TIP36D PNP 25 120 160 125 8 - 15 4 -
TIP36E PNP 25 140 180 125 8 - 15 4 -
TIP41 NPN 6 40 40 65 15 75 3 4 3
TIP41A NPN 6 60 60 65 15 75 3 4 3
TIP41B NPN 6 80 80 65 15 75 3 4 3
TIP41C NPN 6 100 100 65 15 75 3 4 3
TIP41D NPN 6 120 160 65 15 - 3 4 3
TIP41E NPN 6 140 180 65 15 - 3 4 3
TIP41F NPN 6 160 200 65 15 - 3 4 3
TIP42 PNP 6 40 40 65 15 75 3 4 3
TIP42A PNP 6 60 60 65 15 75 3 4 3
TIP42B PNP 6 80 80 65 15 75 3 4 3
TIP42C PNP 6 100 100 65 15 75 3 4 3
TIP42D PNP 6 120 160 65 15 - 3 4 3
TIP42E PNP 6 140 180 65 15 - 3 4 3
TIP42F PNP 6 160 200 65 15 - 3 4 3
TIP47 NPN 1 250 350 40 30 150 0,3 10 10
TIP48 NPN 1 300 400 40 30 150 0,3 10 10
TIP49 NPN 1 350 450 40 30 150 0,3 10 10
TIP50 NPN 1 400 500 40 30 150 0,3 10 10
TIP73 NPN 15 40 50 80 20 150 5 4 5
TIP73A NPN 15 60 70 80 20 150 5 4 5
TIP73B NPN 15 80 90 80 20 150 5 4 5
TIP73C NPN 15 100 110 80 20 150 5 4 5
TIP74 PNP 15 40 50 80 20 150 5 4 5
TIP74A PNP 15 60 70 80 20 150 5 4 5
TIP74B PNP 15 80 90 80 20 150 5 4 5
TIP74C PNP 15 100 110 80 20 150 5 4 5
TIP75 NPN 3 200 350 65 30 250 0,5 5 10

_______________________________________________________________________ 277
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
TIP75A NPN 3 250 400 65 30 250 0,5 5 10
TIP75B NPN 3 300 450 65 30 250 0,5 5 10
TIP75C NPN 3 400 500 65 30 250 0,5 5 10
TIP100 NPN * 8 60 60 80 1000 20K 3 4 -
TIP101 NPN * 8 80 80 80 1000 20K 3 4 -
TIP102 NPN * 8 100 100 80 1000 20K 3 4 -
TIP105 PNP * 8 60 60 80 1000 20K 3 4 -
TIP106 PNP * 8 80 80 80 1000 20K 3 4 -
TIP107 PNP * 8 100 100 80 1000 20K 3 4 -
TRANSISTORES DE POTÊNCIA – (TO – 218)

Em continuação à esta série, daremos nesta edição os Transistores de Potência em


invólucro TO – 218, além de Darlington para chaveamento rápido. Antes, porém, teremos algumas
explicações sobre os termos usados nas especificações de tais transistores, segundo o próprio
manual Texas.
IC – contínua – Este termo se refere à máxima corrente contínua que pode circular no terminal de
coletor (c) do transistor.
VCEO - é a tensão máxima que pode ser aplicada entre o terminal de coletor (c) e o terminal de
emissor (E) com o terminal de base aberto (desligado).
VCBO – é a tensão máxima que pode ser aplicada entre o terminal de coletor (c) e o terminal de base
(B) com o terminal de emissor aberto (desligado).
Pt (máx) – é a potência total máxima que o transistor pode dissipar em condições normais de
funcionamento. Pode ser dada como a soma dos produtos de todas as correntes de entrada pelas
tensões, ou seja:
Ptot = VBE  I E + VCB  I C

ou

Ptot = VBE  I B + VCE  I C

O valor é expresso para uma temperatura de invólucro de 25ºC, já que este valor decresce á medida
em que a temperatura sobe.
hFE – é a relação de transferência direta estática para configuração de emissor comum, ou
popularmente o “ganho” do transistor. É a relação que existe entre a corrente de coletor e a corrente
de base que a causa. Este valor é expresso sob determinada condição de funcionamento, ou seja, sob
certa corrente de coletor (IC) e sob certa tensão entre o coletor e o emissor (VCE). Os valores em
torno de 1000 revelam que se trata de um transistor Darlington.
fT (mín) – é a freqüência de transição. È dada pelo produto do módulo (magnitude) da relação de
transferência direta (hfe) para pequenos sinais em curto-circuito, e a freqüência de medida na qual
esta freqüência é suficientemente alta para que o módulo de (hfe) decresça em aproximadamente
6dB por oitava.
Outra maneira de expressar é dizer que se trata da freqüência em que o ganho para pequenos sinais
cai abaixo de 1.

Aplicações Recomendadas – Possíveis Complementares – Invólucros e Informações


adicionais:

TIP51 – TIP52 – TIP53 – TIP54 projetados para usos industriais e comerciais.


Transistores NPN de silício de potência para Invólucro TO-218.
alta tensão com alta energia direta e inversa
278 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
TIP55A – TIP56A – TIP57A – TIP58A TIPL761 – TIPL765A
Transistores NPN de silício de potência para Transistores NPN de silício de potência para
alta tensão com alta energia direta e inversa, chaveamento rápido. Aplicações em comutação
projetados para aplicações em ignições e fontes de cargas indutivas de alta tensão. Invólucro
comutadas. Invólucro TO-218. TO-218.
Invólucro TO218

TIP33 - TIP33A - TIP33B - TIP33C -


BU124 TIP33D - TIP33E - TIP33F
Transistor NPN de silício de potência para Transistores NPN de silício de potência para
aplicações em comutação e TV. amplificação e comutação de alta velocidade.
Invólucro TO-218. Complementares: TIP34 a TIP34F. Invólucro
TO-218

TIP3055 .
Transistor NPN de silício de potência para TIP140 – TIP141 – TIP142
amplificação de potência e comutação de alta Transistores NPN de silício Darlington de
velocidade. Versão plástica do 2N3055. potência para amplificação. Complementares:
Invólucro TO-218. TIP45, TIP146, TIP147.
Invólucro TO-218.

TIP35 – TIP35A – TIP35B – TIP35C –


TIP35D – TIP35E – TIP35F BU180 – BU180A
Transistores PNP de silício de potência para Transistores NPN de silício Darlington para alta
aplicações em amplificação e comutação de alta tensão. Recomendado para aplicações em
velocidade. Complementares: TIP36 a TIP36F. comutação e amplificação.
Invólucro TO-218. Invólucro TO-218.

TIP34 – TIP34A – TIP34B – TIP34C – TIP160 – TIP161 – TIP162


TIP34D – TIP34E – TIP34F Transistores NPN de silício Darlington de
Transistores PNP de silício de potência para potência para aplicações em ignições
aplicações em amplificação e comutação de alta eletrônicas. Alta tensão e alta energia direta e
velocidade. Complementares: TIP33 a TIP33F. inversa.
Invólucros TO-218. Invólucro TO-218.

TIP2955 TIPL762 – TIPL762A


Transistor PNP de silício de potência para Transistores NPN de silício de potência para
amplificação de potência e comutação. chaveamento rápido, indicado para comutação
Invólucro TP-218. de cargas indutivas de alta tensão.
Invólucro TO-218
TIP36 - TIP36A - TIP36B - TIP36C -
TIP36D - TIP36E - TIP36F
Transistores PNP de silício de potência para
aplicações em amplificação e comutação de alta
velocidade. Complementares: TIP35 a TIP35F.
.

_______________________________________________________________________ 279
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto

TRANSISTORES DE POTÊNCIA
(TO-218)

fT
POLARIDADE IC VCEO VCBO Pt(Máx.) hFE MIN.
CÓDIGO N = NPN CONTÍNUA Invólucro
P = PNP A V V A 25°C Min. Máx. IC VCE MHz
W A V
TIP36F PNP 25 160 200 125 8 15 4
TIP51 NPN 3 250 350 100 30 150 0,3 10 2,5
TIP52 NPN 3 300 400 100 30 150 0,3 10 2,5
TIP53 NPN 3 350 450 100 30 150 0,3 10 2,5
TIP54 NPN 3 400 500 100 30 150 0,3 10 2,5
TIP55A NPN 7,5 250 350 50 10 100 1 2 -
TIP56A NPN 7,5 300 400 50 10 100 1 2 -
TIP57A NPN 7,5 350 450 50 10 100 1 2 -
TIP58A NPN 7,5 400 500 50 10 100 1 2 -
BU124 NPN 10 - 350 50 - - - - -
TIP140 NPN* 10 60 60 125 1000 - 5 4 -
TIP141 NPN* 10 80 80 125 1000 - 5 4 -
TIP142 NPN* 10 100 100 125 1000 - 5 4 3
TIP145 PNP* 10 60 60 125 1000 - 5 4 -
TIP146 PNP* 10 80 80 125 1000 - 5 4 -
TIP147 PNP* 10 100 100 125 1000 - 5 4 -
TIP160 NPN* 10 320 320 50 200 - 4 2,2 -
TIP161 NPN* 10 350 350 50 200 - 4 2,2 -
TIP162 NPN* 10 380 380 50 200 - 4 2,2 -
BU180 NPN* 10 - 320 50 200 - 4 - -
BU180A NPN* 10 - 400 50 200 - 4 - -
TIP2955 PNP 15 70 100 100 20 70 4 4 -
TIP3055 NPN 15 70 100 100 10 70 4 4 -
TIP110 NPN* 2 60 60 50 1000 - 1 4 -
TIP111 NPN* 2 80 80 50 1000 - 1 4 -
TIP112 NPN* 2 100 100 50 1000 - 1 4 -
TIP115 PNP* 2 60 60 50 1000 - 1 4 -
TIP116 PNP* 2 80 80 50 1000 - 1 4 -
TIP117 PNP* 2 100 100 50 1000 - 1 4 -
TIP120 NPN* 5 60 60 65 1000 - 0,5 3 -
TIP121 NPN* 5 80 80 65 1000 - 0,5 3 -
TIP122 NPN* 5 100 100 65 1000 - 0,5 3 -
TIP125 PNP* 5 60 60 65 1000 - 3 3 -
TIP126 PNP* 5 80 80 65 1000 - 3 3 -
TIP127 PNP* 5 100 100 65 1000 - 3 3 -
TIP150 NPN* 7 300 300 80 150 - 2,5 5 10
TIP151 NPN* 7 350 350 80 150 - 2,5 5 10
TIP152 NPN* 7 400 400 80 150 - 2,5 5 10

( * ) DARLINGTON

280 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto

_______________________________________________________________________ 281
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto

TRANSISTORES DARLINGTON – CHAVEAMENTO RÁPIDO

Chaveamento
Pt(Máx.) VCE(SAT) Carga indut. INVÓLUCRO
POLARIDADE IC VCEO VCBO Invólucro A 100°C
CÓDIGO N = NPN
P = PNP A V V IC TSV Tx0 TO TO
25°C 100°C V A (Us) (Us) 220 218
TIPL760 NPN 4 375 800 80 32 2,5 4 3 0,75 •
TIPL760A NPN 4 420 1000 80 32 2,5 4 3 0,75 •
TIPL762 NPN 4 376 800 100 40 2,5 4 3 0,75 •
TIPL761 NPN 4 375 800 100 40 2,5 4 3 0,75 •
TIPL761A NPN 4 420 1000 100 40 2,5 4 3 0,75 •
TIPL762 NPN 4 350 800 120 48 2,5 6 3 0,75 •
TIPL762A NPN 6 400 1000 120 48 2,5 6 3 0,75 •
TIPL763 NPN 6 350 800 120 48 2,5 8 3 0,75 •
TIPL763A NPN 6 400 1000 120 48 2,5 8 3 0,75 •

TRANSISTORES – CHAVEAMENTO RÁPIDO


Chaveamento
Pt(Máx.) VCE(SAT) Carga indut.. INVÓLUCRO
POLARIDADE IC VCEO VCBO Invólucro A 100°C
CÓDIGO N = NPN
P = PNP A V V IC TSV Tx0 TO TO
25°C 100°C V A (Us) (Us) 220 218
TIPL785 NPN 10 120 150 80 32 2 10 0,45 0,32 •
TIPL785A NPN 10 150 200 80 32 2 10 0,45 0,32 •
TIPL790 NPN 10 120 150 70 28 2 10 0,45 0,32 •
TIPL780A NPN 10 150 200 70 28 2 10 0,45 0,32 •

282 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
Apêndice – A.6

MANUAL DE TRANSISTORES BIPOLARES

O conhecimento das características principais dos transistores mais comuns é essencial ao


técnico projetista, ao estudante e ao engenheiro, tanto na elaboração de novos projetos como na
procura de equivalentes para equipamentos em reparo.

Neste manual reunimos 250 tipos de transistores, escolhendo os mais comuns e informando
tanto sobre suas principais características elétricas como também sobre sua pinagem.

Os símbolos aqui utilizados têm os seguintes significados:

VCEO – Trata-se da tensão contínua máxima que pode ser aplicada ao transistor entre o coletor e
o emissor com terminal de base em aberto (desligado).

IC – È a corrente contínua máxima que pode fluir pelo terminal de coletor.


Os valores sem parênteses são em mili ampéres e os valores entre parênteses são em
ampéres, caso dos transistores de potência.
Em alguns casos, esta corrente pode ser referida como de pico, ou seja, o valor instantâneo
máximo como ocorre com transistores de comutação.

hFE – É o ganho estático de corrente, ou o fator de amplificação de corrente contínua na


configuração de base comum.
Para um valor único temos uma indicação de mínimo, sob condições de corrente e tensão
dadas pelos fabricantes e que variam de tipo para tipo. Para dois valores, temos a faixa de
ganhos (min. e máx.).

PTOT – É a dissipação máxima de componente à temperatura indicada pelo fabricante.


Os valores normais são para temperaturas de 25°C, mas existem os casos, principalmente
para os transistores de potência, em que a temperatura pode ser de 75, 90, 100 ou mesmo
114°C.
Os valores entre parênteses são dados em watts.

FT – É a freqüência de transição ou freqüência para a qual o ganho se torna unitário.

Em relação aos invólucros observamos que, de fabricante para fabricante, pode haver
pequenas diferenças em relação ao aspecto externo para tipos comuns, mas que não
comprometem o projeto de placas ou instalações em espaços reduzidos, já que seguem os
padrões internacionais.

_______________________________________________________________________ 283
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
TIPO POL. VCEO(V) IC (mA) HFE PTOT(mW) FT(MHz) INV.
BC107 NPN 45 100 110-450 300 300 SOT18 (1)
BC108 NPN 20 100 110-800 300 300 S0T18 (1)
BC109 NPN 20 100 200-800 300 300 SOT18 (1)
BC177 PNP 45 100 75-260 300 150 SOT18 (1)
BC178 PNP 25 100 75-500 300 150 SOT18 (1)
BC179 PNP 20 100 125-500 300 150 SOT18 (1)
BC237 NPN 45 100 110-800 300 300 SOT54 (2)
BC238 NPN 30 100 110-800 300 300 SOT54 (2)
BC239 NPN 30 100 200-800 300 300 SOT54 (2)
BC307 PNP 45 100 75-475 300 150 SOT54 (2)
BC308 PNP 30 100 75-475 300 150 SOT54 (2)
BC309 PNP 30 100 125-475 300 150 SOT54 (2)
BC327 PNP 45 500 100-600 800 100 SOT54 (2)
BC328 PNP 25 500 100-600 800 100 SOT54(2)
BC337 NPN 45 500 100-600 800 200 SOT54 (2)
BC338 NPN 25 500 100-600 800 200 SOT54 (2)
BC368 NPN 20 1000 85-375 1000 60 SOT54 (2)
BC369 PNP 20 1000 85-375 1000 60 SOT54 (2)
BC413 NPN 30 100 180-800 300 250 S1
BC414 NPN 45 100 180-800 300 250 S1
BC415 PNP 35 100 120-800 300 200 S1
BC416 PNP 45 100 120-800 300 200 S1
BC516 PNP 30 400 20000 625 220 S1
BC517 NPN 30 400 20000 625 220 S1
BC546 NPN 65 100 75-450 500 300 SOT54 (2)
BC547 NPN 45 100 75-450 500 300 SOT54 (2)
BC548 NPN 30 100 110-800 500 300 SOT54 (2)
BC549 NPN 30 100 200-800 500 300 SOT54 (2)
BC550 NPN 45 100 200-800 500 300 SOT54 (2)
BC556 PNP 65 100 75-250 500 150 SOT54(2)
BC557 PNP 45 100 75-475 500 150 SOT54(2)
BC558 PNP 30 100 75-475 500 150 SOT54(2)
BC559 PNP 30 100 125-475 500 150 SOT54(2)
BC560 PNP 45 100 125-475 500 150 SOT54(2)
BC635 NPN 45 1000 40-250 1000 130 SOT54(8)
BC636 PNP 45 1000 40-250 1000 50 SOT54(8)
BC637 NPN 60 1000 40-160 1000 130 SOT54(8)
BC638 PNP 60 1000 40-160 1000 50 SOT54(8)
BC639 NPN 80 1000 40-160 1000 130 SOT54(8)
BC640 PNP 80 1000 40-160 1000 50 SOT54(8)
BCY30A PNP 64 50 10-35 600 7 SOT5
BCY31A PNP 64 50 15-60 600 7 SOT5
BCY32A PNP 64 50 20-70 600 7 SOT5
BCY33A PNP 32 50 10-35 600 7 SOT5
BCY34A PNP 32 50 15-60 600 7 SOT5
BCY56 NPN 45 100 100-450 300 85 SOT18(1)
BCY57 NPN 20 100 200-800 300 100 SOT18(1)
BCY58 NPN 32 200 120-630 1000 280 SOT18(1)
BCY59 NPN 45 200 120-630 1000 280 SOT18(1)
BCY70 PNP 40 200 100 350 450 SOT18(1)
BCY71 PNP 45 200 100-400 350 450 SOT18(1)
BCY72 PNP 25 200 100 350 450 SOT18(1)
BCY78 PNP 32 200 120-630 1000 180 SOT18(1)
BCY79 PNP 45 200 120-630 1000 180 SOT18(1)
BC875 NPN 45 1000 2000 800 200 S6
BC876 PNP 45 1000 2000 800 200 S6
TIPO POL. VCEO(V) IC (mA) HFE PTOT(mW) FT(MHz) INV.
BF115 NPN 30 30 45-165 145 230 SOT18(2)
284 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
BF167 NPN 30 25 26 130 350 SOT18(2)
BF173 NPN 25 25 37 260 550 SOT18(2)
BF180 NPN 20 20 13 150 675 SOT18(11)
BF181 NPN 20 20 13 150 600 SOT18(11)
BF182 NPN 20 15 10 150 650 SOT18(11)
BF 183 NPN 20 15 10 145 800 SOT54(4)
BF184 NPN 20 30 75-750 145 300 SOT18(2)
BF185 NPN 20 30 34-140 145 200 SOT18(2)
BF198 NPN 20 30 27 500 400 SOT54(4)
BF199 NPN 25 25 37 500 550 SOT54(4)
BF200 NPN 20 20 15 150 650 SOT18(11)
BF240 NPN 40 25 65-220 250 380 SOT54(4)
BF241 NPN 40 25 35-125 250 350 SOT54(4)
BF254 NPN 20 30 115 300 260 SOT54(4)
BF255 NPN 20 30 67 300 200 SOT54(4)
BF324 NPN 30 25 25 250 450 SOT54(2)
BF362 NPN 20 20 - 120 800 SOT37
BF370 NPN 15 100 40 500 490 SOT54(2)
BF420 NPN 300 25 85 830 60 S6
BF421 PNP 300 25 60 830 60 S6
BF422 NPN 250 50 50 830 60 SOT54(8)
BF423 PNP 250 50 50 830 60 SOT54(8)
BF450 PNP 40 25 60-200 250 325 SOT54(4)
BF451 PNP 40 25 30-90 250 325 SOT54(4)
BF480 NPN 15 20 10 200 2000 SOT37
BF494 NPN 20 30 115 300 260 SOT54(4)
BF495 NPN 20 30 67 300 200 SOT544
BF496 NPN 20 20 - 300 550 SOT54(2)
BF506 PNP 35 30 25 300 550 S1
BF562 NPN 20 20 20 250 600 S1
BF606A PNP 30 25 30 300 650 S3
BF926 PNP 20 25 - 250 350 SOT54(4)
BF939 PNP 25 20 - 255 675 SOT54(2)
BF967 PNP 30 20 15 160 900 SOT37
BF970 PNP 35 30 25 160 850 SOT37
BF979 PNP 20 20 15 140 1350 SOT37
BD135 NPN 45 (1) 40-250 (8) 250 SOT32
BD136 PNP 45 (1) 40-250 (8) 75 SOT32
BD137 NPN 60 (1) 40-250 (8) 250 SOT32
BD138 PNP 60 (1) 40-250 (8) 75 SOT32
BD139 NPN 81 (1) 40-250 (8) 250 SOT32
BD140 PNP 81 (1) 40-250 (8) 75 SOT32
BD233 NPN 45 (2) 40-250 (25) 3 SOT32
BD234 PNP 45 (2) 40-250 (25) 3 SOT32
BD235 NPN 60 (2) 40-250 (25) 3 SOT32
BD236 PNP 60 (2) 40-250 (25) 3 SOT32
BD237 NPN 80 (2) 40-250 (25) 3 SOT32
BD238 PNP 80 (2) 40-250 (25) 3 SOT32
BD243 NPN 45 (6,5) 15 (65) - TO220
BD243A NPN 60 (6,5) 15 (65) - TO220
BD243B NPN 80 (6,5) 15 (65) - TO220
BD243C NPN 100 (6,5) 15 (65) - TO220
BD244 PNP 45 (6,5) 15 (65) - TO220
BD244A PNP 60 (6,5) 15 (65) - TO220
BD244B PNP 80 (6,5) 15 (65) - TO220
TIPO POL. VCEO(V) IC (mA) HFE PTOT(mW) FT(MHz) INV.
BD244C PNP 100 (6,5) 15 (65) - TO220
BD262 PNP 60 (4) 750 (36) 7 SOT32
BD262A PNP 80 (4) 750 (36) 7 SOT32
_______________________________________________________________________ 285
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
BD262B PNP 100 (4) 750 (36) 7 SOT32
BD263 NPN 60 (4) 750 (36) 7 SOT32
BD263A NPN 80 (4) 750 (36) 7 SOT32
BD263B NPN 100 (4) 750 (36) 7 SOT32
BD291 NPN 45 (6) 30 (60) 3 SOT82
BD292 PNP 45 (6) 30 (60) 3 SOT82
BD293 NPN 60 (6) 30 (60) 3 SOT82
BD294 PNP 60 (6) 30 (60) 3 SOT82
BD329 NPN 20 (3) 85-375 (15) 130 SOT32
BD330 PNP 20 (3) 85-375 (15) 100 SOT32
BD331 NPN 60 (6) 750 (60) 7 SOT82
BD332 PNP 60 (6) 750 (60) 7 SOT82
BD333 NPN 80 (6) 750 (60) 7 SOT82
BD334 PNP 80 (6) 750 (60) 7 SOT82
BD335 NPN 100 (6) 750 (60) 7 SOT82
BD336 PNP 100 (6) 750 (60) 7 SOT82
BD433 NPN 22 (4) 85-475 (36) 3 SOT32
BD434 PNP 22 (4) 85-475 (36) 3 SOT32
BD435 NPN 32 (4) 85-475 (36) 3 SOT32
BD436 PNP 32 (4) 85-475 (36) 3 SOT32
BD437 NPN 45 (4) 85-475 (36) 3 SOT32
BD438 PNP 45 (4) 85-475 (36) 3 SOT32
BD675 NPN 45 (4) 750 (40) 7 SOT32
BD676 PNP 45 (4) 750 (40) 7 SOT32
BD677 NPN 60 (4) 750 (40) 7 SOT32
BD678 PNP 60 (4) 750 (40) 7 SOT32
BD679 NPN 80 (4) 750 (40) 7 SOT32
BD680 PNP 80 (4) 750 (40) 7 SOT32
BD681 NPN 100 (4) 750 (40) 7 SOT32
BD682 PNP 100 (4) 750 (40) 7 SOT32
BU205 NPN 700 (2,5) 2 (10) 60 SOT3
BU208A NPN 700 (5) 2,5 (80) 75 SOT3
BU407 NPN 330 (15) - (60) - TO220
BU426 NPN 375 (6) 30 (70) 7 SOT93
BU508A NPN 700 (8) - (125) - SOT93
BU807 NPN 150 (8) - (60) - SOT78
IC166 NPN 65 100 75-450 500 300 S6
IC167 NPN 45 100 75-450 500 300 S6
IC168 NPN 30 100 75-800 500 300 S6
IC169 NPN 30 100 200-800 500 300 S6
IC256 PNP 65 100 75-450 500 150 S6
IC257 PNP 45 100 75-450 500 150 S5
IC258 PNP 25 100 75-800 500 150 S6
IC259 PNP 20 100 110-800 500 150 S6
MPSA42 NPN 300 500 40 - - TO92(1)
MPSA92 PNP 300 500 40 - - TO92(1)
MPSA43 NPN 200 500 40 - - TO92(1)
MPSA93 PNP 200 500 40 - - TO92(1)
MPS5551 NPN 160 600 80-250 - - TO92(1)
MPSL01 NPN 120 600 50-300 - - TO92(1)
MPSL51 PNP 100 600 40-250 - - TO92(1)
MPSA14 NPN 30 500 10000 - - TO92(1)
MPSA12 NPN 20 500 20000 - - TO92(1)
TIPO POL. VCEO(V) IC (mA) HFE PTOT(mW) FT(MHz) INV.
PN2906A PNP 60 600 40-120 - - TO92(1)
PN2907A PNP 60 600 100-300 - - TO92(1)
TIP29 NPN 40 (1) 15-75 (30) 3 TO220
TIP29A NPN 60 (1) 15-75 (30) 3 TO220
TIP29B NPN 80 (1) 15-75 (30) 3 TO220
286 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
TIP29C NPN 100 (1) 15-75 (30) 3 TO220
TIP29D NPN 120 (1) 15 (30) 3 TO220
TIP29E NPN 140 (1) 15 (30) 3 TO220
TIP29F NPN 160 (1) 15 (30) 3 TO220
TIP30 PNP 40 (1) 15-75 (30) 3 TO220
TIP30A PNP 60 (1) 15-75 (30) 3 TO220
TIP30B PNP 80 (1) 15-75 (30) 3 TO220
TIP30C PNP 100 (1) 15-75 (30) 3 TO220
TIP30D PNP 120 (1) 15 (30) 3 TO220
TIP30E PNP 140 (1) 15 (30) 3 TO220
TIP30F PNP 160 (1) 15 (30) 3 TO220
TIP31 NPN 40 (3) 10-50 (40) 3 TO220
TIP31A NPN 60 (3) 10-50 (40) 3 TO220
TIP31B NPN 80 (3) 10-50 (40) 3 TO220
TIP31C NPN 100 (3) 10-50 (40) 3 TO220
TIP31D NPN 120 (3) 5 (40) 3 TO220
TIP31E NPN 140 (3) 5 (40) 3 TO220
TIP31F NPN 160 (3) 5 (40) 3 TO220
TIP32 PNP 40 (3) 10-50 (40) 3 TO220
TIP32A PNP 60 (3) 10-50 (40) 3 TO220
TIP32B PNP 80 (3) 10-50 (40) 3 TO220
TIP32C PNP 100 (3) 10-50 (40) 3 TO220
TIP32D PNP 120 (3) 5 (40) 3 TO220
TIP32E PNP 140 (3) 5 (40) 3 TO220
TIP32F PNP 160 (3) 5 (40) 3 TO220
TIP47 NPN 250 (1) 30-150 (40) 10 TO220
TIP48 NPN 300 (1) 30-150 (40) 10 TO220
TIP49 NPN 350 (1) 30-150 (40) 10 TO220
TIP50 NPN 400 (1) 30-150 (40) 10 TO220
TIP73 NPN 40 (15) 20-150 (80) 5 TO220
TIP73A NPN 60 (15) 20-150 (80) 5 TO220
TIP73B NPN 80 (15) 20-150 (80) 5 TO220
TIP73C NPN 100 (15) 20-150 (80) 5 TO220
TIP41 NPN 40 (6) 15-75 (65) 3 TO220
TIP41A NPN 60 (6) 15-75 (65) 3 TO220
TIP41B NPN 80 (6) 15-75 (65) 3 TO220
TIP41C NPN 100 (6) 15-75 (65) 3 TO220
TIP41D NPN 120 (6) 15 (65) 3 TO220
TIP41E NPN 140 (6) 15 (65) 3 TO220
TIP41F NPN 160 (6) 15 (65) 3 TO220
TIP42 PNP 40 (6) 15-75 (65) 3 TO220
TIP42A PNP 60 (6) 15-75 (65) 3 TO220
TIP42B PNP 80 (6) 15-75 (65) 3 TO220
TIP42C PNP 100 (6) 15-75 (65) 3 TO220
TIP42D PNP 120 (6) 15 (65) 3 TO220
TIP42E PNP 140 (6) 15 (65) 3 TO220
TIP42F PNP 160 (6) 15 (65) 3 TO220
TIP110 NPN 60 (4) 1000 (50) - TO220
TIP111 NPN 80 (4) 1000 (50) - TO220
TIP112 NPN 100 (4) 1000 (50) - TO220
TIP120 NPN 60 (5) 1000 (65) - TO220
TIPO POL. VCEO(V) IC (mA) HFE PTOT(mW) FT(MHz) INV.
TIP121 NPN 80 (5) 1000 (65) - TO220
TIP122 NPN 100 (5) 1000 (65) - TO220
TIP115 PNP 60 (4) 1000 (50) - TO220
TIP116 PNP 80 (4) 1000 (50) - TO220
TIP117 PNP 100 (4) 1000 (50) - TO220
TIP125 PNP 60 (5) 1000 (65) - TO220
TIP126 PNP 80 (5) 1000 (65) - TO220
_______________________________________________________________________ 287
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
TIP127 PNP 100 (5) 1000 (65) - TO220
TIP2955 PNP 70 (15) 20-70 (90) - TO218
TIP3055 NPN 70 (15) 20-70 (90) - TO218
2N918 NPN 15 50 - 200 200 SOT18(11)
2N1711 NPN 50 1000 100-300 800 70 SOT5
2N2218 NPN 30 800 40-120 800 250 SOT5
2N2218A NPN 40 800 40-120 800 250 SOT5
2N2219 NPN 30 800 100-300 800 250 SOT5
2N2219A NPN 40 800 100-300 800 250 SOT5
2N2221 NPN 30 800 40-120 800 250 SOT18(1)
2N2221A NPN 40 800 40-120 800 250 SOT18(1)
2N2222 NPN 30 800 100-300 800 250 SOT18(1)
2N2222A NPN 40 800 100-300 800 250 SOT18(1)
2N6107 PNP 70 (7) 30-150 (40) - TO220
2N6292 NPN 70 (7) 30-150 (40) - TO220
2N6386 NPN 40 (10) 1K-2K (40) - TO220
2N6387 NPN 60 (10) 1K-2K (40) - TO220
2N6488 NPN 80 (15) 20-150 (75) - TO220
2N3055 NPN 70 (15) 20-70 (115) - TO3

288 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
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Apêndice – A.7
ESPECIFICAÇÕES DO TRANSISTOR 2N4223 e 2N4224 - EFEITO DE CAMPO DE
JUNÇÃO EM SILÍCIO COM CANAL N.

 Sua maior aplicação é em circuitos eletrônicos que operam em freqüências de


áudio, onde o ruído deve ser o mínimo absoluto.

VALORES NOMINAIS MÁXIMOS ABSOLUTOS (25°C)

Tensão dreno-fonte (VDS) 30V


Tensão dreno-porta (VDG) 30V
Tensão porta-fonte (VGS) -30V
Corrente de Dreno (ID) 20mA
Dissipação total (taxa de escoamento 1,7mW/°C) 300mW
Gama de temperaturas de acumulação -65 a +200°C

CARACTERISTICAS ELÉTRICAS (25°C)

Características Min. Máx. Unidade


E IGSS – corrente inversa de porta
S 2N4223 -x- -0,25 nA VGS = -20V, VDS = 0
T
Á 2N4224 -x- -0,50 nA VGS = -20V, VDS = 0
T
I BVGSS – Tensão de ruptura porta-fonte -30 -x- V IG = -10A, VDS =0
C VGS(0FF) – Tensão de corte
A 2N4223 -x- -8 V ID = 0,25mA
S
2N4224 -x- -8 V ID = 0,50mA
gfs – Transcondutância direta em fonte VDS = 15V
D comum VGS = 0
I 2N4223 3000 7000 s FT = 1KHz
N 2N4224 2000 7500 s FT = 1MHz
 gE - Condutância de entrada -x- 800 s VDS = 15V, VGS = 0
M gS - Condutância de saída -x- 200 s VDS = 15V, VGS = 0
I CRSS – Capacidade de transferência
C inversa em fonte comum -x- 2 pf FT = 1MHz
A CiSS – Capacidade de entrada em fonte
S comum -x- 6 pf FT = 1MHz

• Largura do pulso de teste  630ms, fator de utilização  10%

_______________________________________________________________________ 289
APÊNDICE
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ESPECIFICAÇÕES DO TRANSISTOR 3N163 DE EFEITO DE CAMPO MOS EM SILÍCIO
COM CANAL P.
 O MOSTEC tem sua aplicação em circuitos amplificadores de todos os fins em
comutação analógica e digital.

VALORES NOMINAIS MÁXIMOS ABSOLUTOS (25°C)

Tensão porta-fonte -40V


Tensão Transitória porta-fonte 150V
Corrente de Dreno -50mA
Dissipação total (taxa de escoamento 3,0mw/°C) 375mw
Temperaturas de acumulação -65 a +200°C
Temperatura de operação da junção -55 a 150ºC
Temperatura de soldagem a 1,5mm do invólucro em 10s 265°C

CARACTERISTICAS ELÉTRICAS (25°C)

Características Min. Max. Unidade


IGSS - corrente inversa de porta -x- -10 pA VGS=-40V, VDS=0
-x- -25 pA VGS=-40V ,VDS=0
BVDSS –Tensão de ruptura dreno-fonte -40 -x- V ID=-10A, VGS= 0
E BVSDS= Tensão de ruptura fonte-dreno -40 -x- V IS=-10A, VGD=0
S VGS =Tensão porta-fonte -3 -6,5 V VDS=-5V,ID=0,5mA
T VGS(th) – Tensão de limiar porta-fonte -2 -5,0 V VDS=VGS, ID=-10A
Á
IDSS = Corrente de bloqueio de dreno
T
-x- -200 pA VDS=-15V, VGS = 0
I
C
ISDS = Corrente de bloqueio de fonte -x- -400 pA VDS=-20V, VGD=0
A
VDS = -15V
S
ID(ON) = Corrente de dreno em condução -5 -30 mA
VGS = -10V
rDS(ON)= Resistência dreno-fonte ligado VGS = -20V
-x- 250  ID = -100A
gfS – Transcondutância direta em fonte
D comum 2000 4000 S VDS =-15V
I gos – Condutância de saída em fonte ID = -10mA
N comum -x- 250 S f = 1KHz
 Ciss – Capacidade de entrada em fonte
M comum -x- 2,5 pF
I Crss – Capacidade de transferência VDS =-15V
C inversa em fonte comum -x- 0,7 pF ID = -10mA
A COSS – Capacidade de saída em fonte f = 1MHz
S comum -x- 3 pF
td - Tempo de atraso de ligação 12 ns VDD = -15V
E tr – Tempo de subida 24 ns ID = -10mA
D tOFF – Tempo de desligação 50 ns RG =RL = 1,5K

290 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
Apêndice – A.8
FILTROS DE BUTTERWORTH

São filtros que utilizam os polinômios de BUTTERWORTH.


Os filtros ativos podem ter configurações conhecidas como Butterworth, Chebyshev, Bessel
e outros. Nesta seção definiremos os polinômios de Butterworth, pois são os filtros mais populares,
conhecidos também como “Filtros Maximantes Planos”. Para projetar um filtro “real”, as
características mostradas na curva de transferência dos filtros, devem ser expressas
matematicamente. A forma geral da função de transferência H(s), é dada por:
A (S ) a 2 s 2 + a 1s + a 0
H (S ) = HS = 2
B (S ) s + b 1s + b 0

Onde “A(s) e B(s)” são polinômios da variável de freqüência complexa “s”. Para se ter
estabilidade, os zeros de B(s) caem no semi-plano esquerdo de “s”. As localizações dos zeros de
A(s) não se restringem, porém, admite-se que o número de zeros finitos de H(s) é igual ou menor
que o numero de zeros de B(s), isto é, os pólos de H(s) (número de ordens).
A equação de H(s) é chamada de função biquadrática, porque tanto o numerador como
denominador são quadráticos em “s”. A utilização de polinômios de Butterworth é uma vulgar
aproximação, só com pólos da característica passa-baixa. Por isso, ocorre que:
H K K → fator de amortecimento
H ( S) = 0 onde H ( S) = W0 → freqüência angular
B( S ) w 02
E sendo B(S) um polinômio de
Buttherworth, tem sua amplitude dada por:
2n
 w
B ( w) = 1 +  
2
 w0 

Representamos graficamente a resposta em


freqüência definida para vários valores de ordens
“n”. Note-se que a amplitude é decrescente em
função da ordem do filtro e à freqüência w = w0 está
3dB abaixo para todos os valores de “n”. Quanto
maior for o valor de “n”, mais se aproxima as curvas
da resposta ideal. Também, se observa que não
existe ondulação de banda passante e a resposta é
essencialmente constante para w < w0. Uma
propriedade interessante dos polinômios de
Butterworth é que as suas raízes caem sobre uma
circunferência de raio unitário.
O valor de “n” (isto é, a ordem do filtro)
determina-se da necessária atuação de banda
cortada. Podemos observar no gráfico, que a ordem
de um filtro que apresenta uma atenuação de -40dB
para w/w0 = 2 é de aproximadamente n  6,64, como
a ordem do filtro deve ser inteiro, n = 7.

_______________________________________________________________________ 291
APÊNDICE
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Apêndice – A.9

TÉCNICA DE FABRICAÇÃO DO TRANSISTOR

Determina a estrutura que o componente deve apresentar, ou seja, o formato das regiões e suas
dimensões.
Este primeiro passo, são os fatores que vão determinar suas características elétricas (corrente
máxima, freqüência máxima, ganho, etc.)

1 - Preparação da fotolitografia:
Um “filme” através do qual vamos gravar o padrão desejado no silício de modo a obter o
transistor.
A fotolitografia é o processo de impressão litográfica, pelo qual a imagem é transferida para o
disco de silício com o auxílio da fotografia, utilizando a luz ultravioleta.

2 - Preparação dos discos (WAFFERS) de silício:


O cristal de silício puro vem na forma de um “tubo” que deve ser cortado em fatias.
Cada fatia ou “Waffers” tem apenas 0,004 polegadas de espessura, o que corresponde à
aproximadamente 0,1mm.

WAFFERS Cristal cilíndrico de silício


fatias de 0,1mm onde são
gravados os transistores

3 - Seqüência de fabricação

1. A partir de um disco de silício com uma face dopada (negativa) iniciamos o processo. Esta
seqüência para um transistor vale, também, para centenas de outros transistores que são
fabricados simultaneamente.

2. Recobre-se uma das faces com óxido a uma temperatura de 1000o C, num forno especial.

3. Recobre-se toda a superfície de óxido com uma camada de “photoresist” (um camada de
resistor semicondutor que, quando submetido a uma iluminação, diminui sua resistência),
obtendo-se um sanduíche de quatro camadas.

4. A máscara com o padrão dos transistores desejado é colocada sobre a pastilha e submetido o
conjunto a um banho de luz ultravioleta.

5. O padrão desejado para os transistores já aparece na pastilha submetida a banho de luz, isso
após um banho de revelação.

6. Num segundo processo de revelação, a camada de óxido sob a janela de Photoresist é


removida expondo a parte de silício puro na pastilha.

7. Levando esta pastilha a um forno de 1000o C, o boro é difundido na forma de vapores,


penetrando na janela aberta. A região em que isso ocorre torna-se “P”.

8. Recobre-se agora, novamente, a região com uma segunda camada de óxido, utilizando-se
para isso uma segunda máscara.

292 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
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9. Faz-se a gravação de uma nova janela, que corresponderá à região do emissor do transistor.

10. Difunde nesta região “Fósforo” de modo a se obter um semicondutor do tipo N.

11. Completa-se a estrutura básica do transistor com as três regiões alternadas, havendo entre
elas junções semicondutoras.

12. Uma nova capa de óxido é colocada sobre o conjunto e submetida a banho de luz
ultravioleta com Photoresist, de modo a formar regiões de contato. Estas regiões são
depositadas em alumínio.

13. O excesso de alumínio é retirado ficando apenas as conexões das regiões semicondutoras.

14. Fios de ouro são soldados aos pontos de conexão e aos terminais, já no encapsulamento. A
região maior, da própria base do componente, será o coletor.

_______________________________________________________________________ 293
APÊNDICE
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Apêndice – A.10

PARÂMETROS TÍPICOS DOS AMPLIFICADORES OPERACIONAIS


POPULARES

VOFFSET IentPOL IOFFSET Isaída(MÁX) FT SR


Número
mV nA nA mA MHz V/s
LF351 5 0,05 0,025 20 4 13
LF353 5 0,05 0,025 20 4 13
LF355 3 0,03 0,003 20 2,5 5
LF356 3 0,03 0,003 20 5 12
LM10C 0,5 12 0,4 20 0,1 0,12

LM11C 0,1 0,025 0,0005 2 0,5 0,3


LM301C 2 70 3 10 1 0,5
LM307 2 70 3 10 1 0,5
LM308 2 1,5 0,2 5 0,3 0,15
LM312 2 1,5 0,2 6 1 0,1

LM318 4 150 30 21 15 70
LM324 2 45 5 20 1 0,5
LM348 1 30 4 25 1 0,5
LMD358 2 45 5 40 1 0,5
LM709 2 300 100 42 * 0,25

LM739 1 300 50 1,5 6 1


LM741C 2 80 20 25 1 0,5
LM747C 2 80 20 25 1 0,5
LM748 2 80 20 27 * *
LM1458 1 200 80 20 1 0,5

LM4250 3-5 * * * * *
LM13080 3 * * 250 1 *
NE531 2 400 50 20 1 35
TL071 3 0,03 0,005 10 3 13
TL072 3 0,03 0,005 10 3 13
TL074 5 0,05 0,025 17 4 13
* Controlados externamente por resistores ou capacitores

294 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
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Apêndice – A.11

PARÂMETROS HÍBRIDOS DO TRANSISTOR 2N 3904

_______________________________________________________________________ 295
APÊNDICE
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Apêndice – A.12

CURVAS CARACTERÍSTICA DOS TRANSÍSTORES BC546 – BC550


GANHO DE CORRENTE C.C. (hFE)

296 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
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CURVA CARACTERÍSTICA DA CORRENTE DE BASE EM FUNÇÃO DA
TEMPERATURA DE JUNÇÃO

CURVA CARACTERÍSTICA CURVA CARACTERÍSTICA


DA TENSÃO VCESAT  IC DA TENSÃO VCESAT  Tj

_______________________________________________________________________ 297
APÊNDICE
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Curva de capacitância de junção Curva da capacitância de junção
Coletor-Base Emissor-Base

Curva de transferência de sinal em função da freqüência

298 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
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PARÂMETROS HÍBRIDOS (hie e hoe) DOS TRANSISTORES
BC546 – BC550

_______________________________________________________________________ 299
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
PARÂMETROS HÍBRIDOS (hfe e hre) DOS TRANSISTORES
BC546 – BC550

300 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
Apêndice – A.13
SÍMBOLOS DE COMPONENTES ATIVOS

_______________________________________________________________________ 301
APÊNDICE
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COMPONENTES PASSIVOS E ATIVOS

302 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
SÍMBOLOS DIVERSOS

_______________________________________________________________________ 303
APÊNDICE
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Apêndice – A.14
CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE INSTRUMENTOS DE MEDIDAS
SISTEMAS MÓVEIS
De moderna concepção, são dotados de mancais de safira em suporte com mola e eixos de Niva
Point de longa durabilidade.
TIPOS

Ferro Móvel: Para medições de tensão ou Bobina Móvel Com Circuito Eletrônico
corrente C.A. ou C.C, entre freqüências de Auxiliar: Para medições de freqüências
15 a 400 Hz. Com amortecimento de 45 a 65 Hz, com indicações através de
magnético, permitem escalas com ponteiro.
indicações se sobre carga até 300%.
Eletrodinâmico Com Núcleo De Ferro:
Bobina Móvel: Do tipo autoblindado, para Para medições de potência ativa ou
medições de tensão ou corrente C.C. reativa em circuitos monofásicos e
trifásicos equilibrados ou
Bobina Móvel Com Retificador: Para desequilibrados.
medições de tensão alternada, senoidal
entres as freqüências de 15 até 600 Hz (até Eletrodinâmico De Relação Com Núcleo
3KHz com erro adicional de 2,5%) De Ferro: Para medições de fator de
potência em circuitos monofãsicos e
Bobina Móvel Com Par Termoelétrico: trifásicos equilibrados.
Para medições de corrente de Rádio ⎯
freqüência de 1 a 50A em RF, por Vibração: Para medição de freqüências
intermédio de par termoelétrico. de 45 a 65Hz, com indicação através de
lâminas vibráteis.

Ferro Móvel Com Bimetal: Para


medições de corrente alternada com
indicação de demanda máxima

304 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
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Apêndice - A.15
FORMAS DE ONDA

_______________________________________________________________________ 305
APÊNDICE
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Apêndice – A.16
Valores Padrão De Capacitores
pF F F F F

10 0,0010 0,10 10 1000


12 0,0012
13 0,0013
15 0,0015 0,15 15
18 0,0018

20 0,0020
22 0.0022 0,22 22 2200
24
27
30

33 0,0033 0,33 33 3300


36
43
47 0,0047 0,47 47 4700
51

56
62
68 0,0068 0,68 68 6800
75
82

100 0,0100 1,00 100 10.000


110
120
130
150 0,0150 1,50

180
200
220 0,0220 2,20 220 22.000
240
270

300
330 0,0330 3,30 330
360
390
430

470 0,0470 4,70 470 47.000


510
560
620
680 0,0680 6,80

750
820 82.000
910

306 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto

_______________________________________________________________________ 307
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
Apêndice – A.17
Codificação Diodo Zener

0,5W 1,0W 5,0W 10W


TENSÃO CÓDIGO TENSÃO CÓDIGO TENSÃO CÓDIGO TENSÃO CÓDIGO
3,0V 1N5225 3,3V 1N4728 3,3V 1N5333A 3,9V 1N3993
3,3V 1N746A 3,6V 1N4729A 3,9V 1N5335A 4,7V 1N3995
5,5V 1N747A 3,9V 1N4730A 4,7V 1N5337A 5,6V 1N3997
3,9V 1N748 4,3V 1N4731A 5,6V 1N5339A 6,8V 1N3999
4,3V 1N749 4,7V 1N4732A 6,2V 1N5341A 8,2V 1N2972A
4,7V 1N750 5,1V 1N4733A 7,5V 1N5343A 9,1V 1N2973A
5,1V 1N751A 5,6V 1N4734A 8,7V 1N5345A 11,0V 1N2975A
5,1V 1N5231 6,2V 1N4735A 9,1V 1N5346A 12,0V 1N2976A
5,6V 1N752 6,8V 1N4736A 10,0V 1N5347A 13,0V 1N2977A
6,2V 1N753A 7,5V 1N4737A 11,0V 1N5348A 14,0V 1N2978A
6,8V 1N754A 8,2V 1N4738A 12,0V 1N5349A 15,0V 1N2979A
7,5V 1N755A 9,1V 1N4739A 13,0V 1N5350A 18,0V 1N2982A
8,2V 1N756A 10,0V 1N4740A 14,0V 1N5351A 19,0V 1N2983A
9,1V 1N757A 11,0V 1N4741A 15,0V 1N5352A 22,0V 1N2985A
10,0V 1N758A 1N4742A 17,0V 1N5354A 24,0V 1N2986A
11,0V 1N962A 12,0V 1N3022A * 19,0V 1N5356A 27,0V 1N2988A
12,0V 1N759 1N4743 22,0V 1N5358A 30,0V 1N2989A
12,0V 1N963B 13,0V 1N3023A * 24,0V 1N5359A 33,0V 1N2990A
13,0V 1N 964B 1N4744 25,0V 1N5360A 39,0V 1N2992A
15,0V 1N966B 15,0V 1N3024A * 28,0V 1N5362A 47,0V 1N2996A
17,0V 1N5247 1N4745 33,0V 1N5364A 56,0V 1N2999A
18,0V 1N967B 16,0V 1N3025A * 39,0V 1N5366A 62,0V 1N3000A
20,0V 1N968B 1N4746 47,0V 1N5368A 75,0V 1N3002A
22,0V 1N969B 18,0V 1N3026A * 56,0V 1N5370A 91,0V 1N3004A
24,0V 1N970B 1N4747 62,0V 1N5372A 100,0V 1N3005A
27,0V 1N971B 20,0V 1N3027A * 75,0V 1N5374A 110,0V 1N3007A
30,0V 1N972B 1N4748 87,0V 1N5376A 120,0V 1N3008A
33,0V 1N973B 22,0V 1N3028A * 100,0V 1N5378A 130,0V 1N3009A
1N4749 120,0V 1N5380A 150,0V 1N3011A
24,0V 1N3029A * 150,0V 1N5383A 160,0V 1N3012A
1N4750 170,0V 1N5385A 180,0V 1N3014A
27,0V 1N3030A * 200,0V 1N5388A 200,0V 1N3015A
A B NO
SUFIXO =  10% SUFIXO =  5% SUFIXO =  10%

308 _______________________________________________________________________
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
CARACTERÍSTICAS E APLICAÇÕES DE DIODOS
CÓDIGO IFMÁX VRRM APLICAÇÕES SEMICONDUTOR
1N4001 1A 50V Uso geral Si
1N4002 1A 100V Uso geral Si
1N4003 1A 200V Uso geral Si
1N4004 1A 400V Uso geral Si
1N4005 1A 600V Uso geral Si
1N4006 1A 800V Uso geral Si
1N4007 1A 1000V Uso geral Si
BA218 75mA 50V Uso geral Si
BA219 100 mA 100V Uso geral Si
BAX16 200 mA 150V Comutação Si
BY126 1A 650V Retificação Si
BY127 1A 1250 Retificação Si
BY176 2,5A 15KV Retificação MAT Si
BYX55/600 1,2A 600V Retificação Si
BYX38 6,0A 300V Retificação Si
600V Retificação Si
900V Retificação Si
1200V Retificação Si
BYX42 10,0A 300V Retificação Si
600V Retificação Si
900V Retificação Si
1200V Retificação Si
Detetor de AM –
AA119 35mA 45V discriminador FM e TV Ge
AA218 180mA 20V Uso geral e comutação Ge
0A70 50mA 22,5V Detetor de vídeo Ge
0A95 50mA 115V Uso geral Ge
AA113 25mA 65V Detetor AM/FM Ge
AA116 45mA 30V Detetor AM/FM Ge
AA117 500mA 115V Uso geral Ge
1N34 15mA 60V Uso geral Ge
1N60 40mA 50V Uso geral Ge

_______________________________________________________________________ 309
APÊNDICE
Sociedade Educacional Tales de Mileto
Apêndice – A.18
Codificação De Resistores

COR 1a 2a 3a FAIXA 4a FAIXA


FAIXA FAIXA MULTIPLICADOR PRECISÃO
PRETA 0 0 1
MARRON 1 1 10 1%
VERMELHA 2 2 100 102 2%
LARANJA 3 3 1000 103 3%
AMARELA 4 4 10000 104 4%
VERDE 5 5 100000 105
AZUL 6 6 1000000 106
VIOLETA 7 7
CINZA 8 8
BRANCA 9 9
OURO 0.1 5%
PRATA 0.01 10%
SEM/COR 20%

Valores Padrão De Resistência  5%


   K K K M M
1.0 10 100 1.0 10 100 1.0 10 Potência de 10
1.1 11 110 1.1 11 110 1.1
1.2 12 120 1.2 12 120 1.2 atto a 10-18
1.3 13 130 1.3 13 130 1.3 femto f 10-15
1.5 15 150 1.5 15 150 1.5 pico p 10-12
1.6 16 160 1.6 16 160 1.6 nano n 10-9
1.8 18 180 1.8 18 180 1.8 micro  10-6
2.0 20 200 2.0 20 200 2.0 mili m 10-3
2.2 22 220 2.2 22 220 2.2 deca da 10
2.4 24 240 2.4 24 240 2.4 quilo K 10+3
2.7 27 270 2.7 27 270 2.7 mega M 10+6
3.0 30 300 3.0 30 300 3.0 giga G 10+9
3.3 33 330 3.3 33 330 3.3 tera T 10+12
3.6 36 360 3.6 36 360 3.6
3.9 39 390 3.9 39 390 3.9
4.3 43 430 4.3 43 430 4.3 1K = 1000
4.7 47 470 4.7 47 470 4.7
5.1 51 510 5.1 51 510 5.1 1M = 1000000
5.6 56 560 5.6 56 560 5.6
6.2 62 620 6.2 62 620 6.2
6.8 68 680 6.8 68 680 6.8
7.5 75 750 7.5 75 750 7.5
8.2 82 820 8.2 82 820 8.2
9.1 91 910 9.1 91 910 9.1

310 _______________________________________________________________________
APÊNDICE

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