Fundamentos de Fabricação de

Circuitos Integrados

- Processos de Fabricação de
Circuitos Integrados

Prof. Acácio Luiz Siarkowski

UniSant'Anna - fevereiro de 2009 - Página 1
 Processos de Fabricação
Objetivos:
Visão geral do processo de fabricação dos Circuitos
Integrados (Fabricação Microeletrônica):
Deposição de Filmes Finos (Dielétricos,
Semicondutores e Condutores);
Litografia (Transferência de Padrões);
Difusão de Dopantes (Regiões Tipo N e Tipo P dos
Transistores);
Corrosão (Definição das Regiões Ativas de
Transistores, Contatos e Trilhas de interconexões).

UniSant'Anna - fevereiro de 2009 - Página 2

Processamento das lâminas
LÂMINA DE SILÍCIO
PROCESSAMENTO

LIMPEZA

OXIDAÇÃO

DIFUSÃO DE DOPANTES

DEPOSIÇÃO DE FILMES FINOS

LITOGRAFIA

CORROSÃO

LÂMINA PROCESSADA
 Difusão de Dopantes
-Processo usado para a criação de regiões tipo N e P
(fabricação de diodos e transistores integrados)
Exemplo: Transistor NMOS (MOSFET_fabrication.avi)

Porta
(Gate)
Símbolos Fonte

D (Source) VG Dreno
D VD (Drain)
IDS VS Metal
VDS Óxido
N N
G G B
P

VGS
S S
VB
Substrato
(Bulk)
 Difusão de Dopantes
- Processo usado para a criação de regiões tipo N ou P,
inserindo-se, respectivamente, fósforo ou boro no
substrato (fabricação de diodos e transistores integrados).
V V SS
DD

n+ p+ p+ n+ n+ p+

Silício tipo n cavidade p

Silício Metal
policristalino Óxido
 Difusão de Dopantes
• É um importante meio para introduzir quantidades
controladas de dopantes na rede cristalina do silício.
• A introdução de dopantes na rede cristalina do silício,
altera sua propriedade elétrica, formando os diodos e
transistores.
SiO2
Região
modificada
Si
X X X X X X X X
X X X X
Si X
Si Si X
Si Si X
Si Si X
Si
X X X X
X
Si Si X
Si Si X
Si Si X
Si Si
X X X
Si Si Si Si Si Si Si Si
 Difusão de Dopantes
temperaturas normais de
a) Difusão de dopantes difusão (700-1000ºC)
em atmosfera gasosa
Fontes tipo N:
•Fosfina
•Pentóxido de fósforo
•Oxicloreto de fósforo

Fontes tipo P:
Tricloreto de Boro
Diborana
Tribrometo de Boro

b) Implantação iônica
 Corrosão
CORROSÃO - ETCHING

- CORROSÃO ÚMIDA / USA-SE SOLUÇÕES QUÍMICAS

- CORROSÃO SECA / USA-SE UM PLASMA REATIVO

OBS: NORMALMENTE SE UTILIZA A CORROSÃO ÚMIDA

OU SECA PARA REMOÇÃO PARCIAL DE MATERIAL. NO
ENTANTO, OS MESMOS PROCESSOS TAMBÉM SÃO
UTILIZADOS PARA REMOÇÃO COMPLETA DO MATERIAL
(STRIPING).
 Corrosão
CORROSÃO ÚMIDA / SOLUÇÕES QUÍMICAS

É UM PROCESSO PURAMENTE QUÍMICO, QUE POSSUI

SÉRIAS DESVANTAGENS:
• FALTA DE ANISOTROPIA
• DIFÍCIL DE CONTROLAR
• GERA MUITO PARTICULADO
• DEPENDE DA ORIENTAÇÃO CRISTALOGRÁFICA

ENTRETANTO, É MUITO SELETIVO E GERALMENTE

NÃO DANIFICA O SUBSTRATO.
 Corrosão
fotorresiste
filme

fotorresiste
filme

anisotrópica isotrópica

NESTE CASO, PODE-SE PENSAR NA SELETIVIDADE

ENTRE O FOTORRESISTE E O FILME.
 Corrosão
CORROSÃO ISOTRÓPICA

CORROSÃO ANISOTRÓPICA
 Corrosão
SELETIVIDADE
É A RELAÇÃO ENTRE AS TAXAS DE CORROSÕES DO
FILME A SER REMOVIDO E DO SUBSTRATO OU DE UM
FILME.
taxa de corrosãodo filme
S
taxa de corrosãodo fotoresiste
ANISOTROPIA

É A RELAÇÃO ENTRE AS TAXAS DE CORROSÕES

HORIZONTAL E VERTICAL.
taxa de corrosãodo filme na horizontal
A 1
taxa de corrosãodo filme na vertical
 Corrosão
FILMES - ALGUMAS CORROSÕES ÚMIDAS

- ÓXIDO DE SILÍCIO: ÁCIDO FLUORÍDRICO COM OU SEM

FLUORETO DE AMÔNIO.

- NITRETO DE SILÍCIO: ÁCIDO FLUORÍDRICO COM OU

SEM FLUORETO DE AMÔNIO ou ÁCIDO FOSFÓRICO
AQUECIDO A 195 C.
- SILÍCIO MONO E POLICRISTALINO: ÁCIDO
FLUORÍDRICO COM ÁCIDO NÍTRICO ou HIDRÓXIDO DE
POTÁSSIO.

- ALUMÍNIO: ÁCIDO FOSFÓRICO COM ÁCIDO NÍTRICO.

 Corrosão
CORROSÃO SECA – PLASMA ETCHING
O AUMENTO NAS APLICAÇÕES DOS PROCESSOS
UTILIZANDO PLASMAS, É DEVIDO A REDUÇÃO DAS
DIMENSÕES DOS DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS.
MUITOS DOS DISPOSITIVOS ATUAIS NÃO PODEM SER
OBTIDOS POR CORROSÃO ÚMIDA PORQUE A SOLUÇÃO
NÃO PENETRA EM PEQUENAS CAVIDADES.
É UM PROCESSO QUE PODE SER PURAMENTE QUÍMICO
OU QUÍMICO MAIS FÍSICO. VAI DEPENDER DO TIPO DE
REATOR UTILIZADO E DOS GASES DA CORROSÃO.
NOS PROCESSOS DE PLASMA TEMOS MENOS
QUANTIDADE DE SUBPRODUTOS PARA DESCARTE
(PREOCUPAÇÃO AMBIENTAL)
 Corrosão
REATOR CORROSÃO SECA – PLASMA ETCHING

CF4
RF

CAMARA

F SiF2 SiF4

BOMBA
 Corrosão
MECANISMO DA CORROSÃO SECA
- INTRODUÇÃO DO GÁS
- GERAÇÃO DAS ESPÉCIES REATIVAS POR PLASMA
- DIFUSÃO PARA SUPERFÍCIE DO SUBSTRATO E
ADSORÇÃO
- DIFUSÃO SUPERFICIAL PARA REAGIR COM O FILME
- PRODUTO DA REAÇÃO DEVE SER DESORVIDO DA
SUPERFÍCIE
- EXAUSTÃO DO GÁS NÃO REAGIDO E PRODUTOS DA
REAÇÃO
 Corrosão
PROBLEMAS COM CORROSÃO SECA

- Resíduos na forma sólida (não foram removidos da superfície )

 Corrosão
EXEMPLO DE CORROSÃO DE SILÍCIO

A SUPERFÍCIE DA AMOSTRA É ATINGIDA POR RADICAIS OU

ÁTOMOS. ÍONS POSITIVOS CHEGAM COM MUITO BAIXA ENERGIA E
NÃO CONTRIBUEM PARA A CORROSÃO.

2 e- + 2 CF4 CF3 + CF2 + 3 F + 2 e-

F + CF2 CF3 (RECOMBINAÇÃO)
4 F + Si SiF4 (Gasoso) (CORROSÃO DO Si)

n CF2 + superfície (CF2)n (POLIMERIZAÇÃO)

 Corrosão
PRINCIPAIS FILMES CORROÍDOS POR CORROSÃO SECA
- FOTORESISTE

CxHyOz + O2 CO + CO2 + H2O + ....

- SILÍCIO (CORROSÃO DE PORTA DE SILÍCIO

POLICRISTALINO)
ALUMÍNIO
SILÍCIO POLI
ÓXIDO

DRENO FONTE

CORROSÃO MAIS EFICIENTE ATRAVÉS DA UTILIZAÇÃO

DE GASES FLUORADOS: CF4, SF6.
 Corrosão
PRINCIPAIS FILMES CORROÍDOS POR CORROSÃO SECA
- ÓXIDO DE SILÍCIO

EM GERAL A TAXA DE CORROSÃO DO SILÍCIO É MAIOR

DO QUE A DO ÓXIDO DE SILÍCIO. PARA AUMENTAR A
SELETIVIDADE É UTILIZADO POLÍMERO, GERADO
DURANTE A PRÓPRIA CORROSÃO, PARA PROTEGER AS
PAREDES DO SILÍCIO.

CF4 + H2 + e- CXHYF3 + F + e-
SiO2 + 4 F SiF4 + O2
 Corrosão
PRINCIPAIS FILMES CORROÍDOS POR CORROSÃO SECA

- ALUMÍNIO

Al + CCl4 AlCl3 + .....

O PRINCIPAL PROBLEMA DESTE TIPO DE CORROSÃO É
A REMOÇÃO DO Al2O3, QUE É BASTANTE FINO MAS
MUITO ESTÁVEL, SENDO DIFÍCIL DE SER REMOVIDO.

PROBLEMA A SER EVITADO É A FORMAÇÃO DE HCl, DA

REAÇÃO DO Cl E VAPOR D’ÁGUA DO AMBIENTE.