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2017 PedroCambraia
2017 PedroCambraia
Belo Horizonte
2017
Pedro Vasconcelos Cambraia
Belo Horizonte
2017
Este trabalho é dedicado a minha família, que tanto me apoiou para a minha formação
como Engenheiro Eletricista, e para meu querido amigo Felipe Costa, por me dar força e
coragem para a execução deste trabalho.
“Todo aquele que se dedica ao estudo da ciência
chega a convencer-se de que nas leis do Universo
se manifesta um Espírito sumamente superior ao do homem,
e perante o qual nós, com os nossos poderes limitados,
devemos humilhar-nos.”
(Albert Einsten)
Resumo
Amplificadores de áudio de potência são equipamentos com uma importância econômica
considerável, centenas de milhares de equipamentos deste tipo são produzidos a cada ano.
Levando este fato como motivação, este trabalho tem como objetivo a criação de um
projeto de amplificador chaveado, classe-D, com 750W de potência, que responda a todo
o espectro de frequências do áudio (20Hz-20kHz), com a menor distorção harmônica e
de fase possível. O trabalho abrange os cálculos do circuito por partes: Gerador de onda
triangular, modulação PWM, driver, geração de tempo morto, circuito amplificador, e
malha de controle. Após testes e simulações, observa-se um bom funcionamento do circuito
com pouca distorção de fase, e uma 𝑇 𝐻𝐷 < 1% para a largura de banda de interesse.
Concluiu-se que o amplificador está apto para a construção em placa PCB para enfim
efetuar-se testes com circuito resistivo, e finalmente o teste com alto-falantes.
1 INTRODUÇÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.1 Breve Histórico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2 Motivação e objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2 PESQUISA BIBLIOGRÁFICA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.1 Introdução à tecnologia dos amplificadores . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.1.1 Exigências em um projeto de amplificador . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.1.2 Classes de Amplificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.2 Topologia do Amplificador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.3 Transistores de Potência - MOSFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.3.1 Circuito de drive dos MOSFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4 Modulação PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4.1 Principais tipos de modulação de pulsos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4.2 PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.5 Filtro Passa-Baixa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3 METODOLOGIA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.1 Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2 Escolha dos componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2.1 Gerador de Onda Triagular . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.2.2 Modulação PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.2.3 Circuito Amplificador e alimentação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.2.4 Driver e Geração de Tempo Morto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.2.5 Filtro Passa-Baixas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4 RESULTADOS E DISCUSSÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.1 Simulações . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.1.1 Gerador de onda Triangular . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.1.2 Circuito PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.1.3 Geração de tempo morto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.1.4 Circuito Driver e Estágio de Amplificação . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.1.5 Sistema de controle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.2 Placa PCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
5 CONCLUSÕES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
REFERÊNCIAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
17
1 Introdução
Até então a preocupação com questões como distorções causadas pelo amplificador
e a eficiência do equipamento não eram temas de grandes estudos ou preocupações. Com o
tempo a pesquisa em eficiência e distorção foi se desenvolvendo, diversos tipos de topologia
de amplificadores foram criadas afim de se obter um dispositivo com o menor custo, menor
peso, menor distorção e com a maior eficiência possível.
Vinte anos anos mais tarde as atenções dos fabricantes se voltaram para a tecno-
logia dos amplificadores chaveados, ou classe D, que se baseiam em modular o sinal de
áudio afim de se aumentar a eficiência do amplificador.
Entre 1979 e 1985 apareceram amplificadores classe D profissionais de relativo
sucesso (PIRES, 2010), operando com frequências de comutação em torno dos 500kHz
e perdas toleráveis, apesar ainda da pobre resposta em frequência e diferente qualidade
para diferentes projetos.
Atualmente existem muitas propostas de topologias e componentes eletrônicos de
melhor qualidade que possibilitam a utilização desta classe de operação.
2 Pesquisa Bibliográfica
(1) Segurança
(2) Durabilidade
alta fidelidade onde a distorção harmônica total estiver abaixo de 1% tal distorção toma-
se imperceptível.(HEERDT, 1997)
√︁
𝑉𝑒𝑓2 2 + 𝑉𝑒𝑓2 3 + ... + 𝑉𝑒𝑓2 𝑛
𝑇 𝐻𝐷 = * 100%
𝑉𝑒𝑓
𝑃𝐿
𝑛=
𝑃𝑆
∙ Classe A
Os amplificadores classe A são caracterizados por possuírem um estágio de potência
que apresenta um transistor polarizado na região linear durante toda excursão do
sinal de saída, ou seja, o dispositivo de potência conduz por 360∘ do sinal de saída.
Com isso o amplificador apresenta baixíssima DHT, contudo, sua eficiência fica
entorno de 20% a 25%. A figura 1, ilustra os estágio de potência desta classe de
amplificador, onde o transistor Q2 atua como um fonte de corrente que polariza o
transistor de saída Q1. Neste caso a corrente conduzida por Q2 deve ser maior do
que o valor de pico da corrente de carga.
∙ Classe B
O amplificador classe B consiste na utilização de dois transistores complementares,
um npn(𝑄𝑁 ), e outro pnp(𝑄𝑃 ), como mostra a figura 2, de forma que cada um
dos dispositivos seja responsável por conduzir 180∘ do ciclo da onda. Porém, quando
𝑉𝐼 = 0 nenhum dos dois transistores estão conduzindo, pois não há tensão suficiente
22 Capítulo 2. Pesquisa Bibliográfica
para polarizar nenhum dos dois transistores. Para um transistor BJT, a tensão
mínima para condução é de aproximadamente 𝑉𝐵𝐸 = 0, 7𝑉 . Isto significa que o
amplificador só conduzirá o sinal de entrada para 𝑉𝐼 < −0, 7𝑉 e 𝑉𝐼 > 0, 7𝑉 Isto gera
uma distorção chamada de distorção de cruzamento (ou de crossover). Aumentando
significativamente a DHT do sistema. Para este circuito, o nível de DHT dependerá
do nível do sinal do estágio de potência, se o sinal tiver amplitude suficiente para que
a distorção de crossover seja desprezível, é possível utilizar esta topologia. Porém
para sinais de áudio esta não é uma boa opção.
A eficiência máxima para um amplificador do tipo B é bem melhor do que a mesma
para um tipo A. Porém este é um caso idealizado onde a distorção de cruzamento
pode ser pode ser desprezada, naturalmente estes amplificadores trabalham com
uma eficiência da ordem de 50%.
∙ Classe AB
O amplificador de classe AB tem como propósito a eliminação da distorção de
cruzamento através de uma pequena polarização (corrente diferente de zero) dos
transistores de saída. Uma tensão de polarização 𝑉𝐵𝐵 é aplicada entre as bases de
𝑄𝑁 e 𝑄𝑃 . Para 𝑉𝐼 = 0𝑒𝑉𝑂 = 0, uma tensão 𝑉𝐵𝐵 2
aparece na junção base-emissor de
cada transistor. Esta tensão de polarização pode ser gerada de várias maneiras, na
figura 3 é mostrada uma topologia utilizando diodos, nesta topologia uma corrente
de polarização é utilizada para gerar uma tensão nos diodos. Quando os diodos está
conduzindo a queda de tensão entre seus terminais torna-se suficiente para polarizar
os transistores, eliminando a distorção de crossover.
2.1. Introdução à tecnologia dos amplificadores 23
∙ Classe D
internas no menor tempo possível fazendo com que o dispositivo comute à velocidade
máxima.
Figura 7 – Os quatro tipos de modulações, PAM, PPM, PWM, PDM (NIELSEN, 1998)
2.4.2 PWM
A modulação PWM, como já foi dito, utiliza-se de uma modulação por largura
de pulsos, o método para a modulação envolve uma onda portadora de alta frequência,
que é comparada com o sinal de entrada, quando a amplitude do sinal for maior do que
a amplitude da portadora, o sinal modulado tem o valor 1. Para o caso contrário, a saída
tem o valor 0. A figura 8 representa a modulação PWM utilizando onda triangular(rampa
dupla).
Iremos aqui estudar os quatro tipos de possíveis modulações PWM introduzidos
30 Capítulo 2. Pesquisa Bibliográfica
BW. Ou seja 𝑓𝑐2𝑛𝑖𝑣𝑒𝑖𝑠 = 400𝑘𝐻𝑧. Utilizando a modulação NBDD pode-se reduzir esta
frequência pela metade tendo assim 𝑓𝑐𝑁 𝐵𝐷𝐷 = 200𝑘𝐻𝑧, o que para o projeto será ótimo,
pois quanto maior a frequência da onda triangular portadora, mais difícil é de se projetar
um circuito gerador de sinais que seja preciso.
Foi optado pela topologia NBDD para seguir com o circuito, como está se utilizando
uma modulação de 3 níveis, faz-se necessário utilizar a topologia em Ponte Completa para
o amplificador.
Um parâmetro muito importante a ser analisado para qualquer tipo de modulador
é o índice de modulação (am) do mesmo. Para uma modulação PWM, a taxa de
modulação é dada por:
𝑉𝑃 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎
𝑎𝑚 =
𝑉𝑃 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎
3 Metodologia
3.1 Introdução
O nosso projeto de amplificador consistirá na construção de um amplificador de
potência da topologia Classe D. Devemos projetar o circuito em partes:
∙ Circuito de Amplificação
∙ Circuito Controlador
1 ∫︁ 𝑡
𝑉𝑐 (𝑡) = 𝑉𝑖 (𝑡)𝑑𝑡
𝑅5 𝐶 − inf
𝑅6 𝑅4
Desde que : 𝑅5
= 𝑅3
𝑅1
𝛽=
𝑅1 + 𝑅2
Utilizaremos diodos Zener de 4.7V para referência.
A partir da equação da tensão no capacitor podemos estipular o período de osci-
lação do circuito
−𝑇1 −𝑇1
𝑉𝐶 (𝑇1 ) = 𝑉𝑐 (0)𝑒 𝑅𝐶 + 𝑉0 (1 − 𝑒 𝑅𝐶 )
−𝑇1 −𝑇1
𝑉𝑐 (𝑇1 ) = 𝛽𝐿+ = 𝛽𝐿− 𝑒 𝑅𝐶 + 𝐿+ (1 − 𝑒 𝑅𝐶 )
Isolando 𝑇1
1 − 𝛽(𝐿+ /𝐿− )
𝑇1 = 𝑅𝐶 · 𝑙𝑛
1−𝛽
1+𝛽
𝑇 = 2𝑅𝐶 · 𝑙𝑛
1−𝛽
1
Queremos 𝑇 = 𝑓𝑐
= 5𝑢𝑠, escolhemos arbitrariamente os valores para 𝑅5 𝑒𝐶
3.2. Escolha dos componentes 41
𝑅5 = 2, 2𝑘Ω
𝐶 = 1𝑛𝐹
𝑅1
𝛽 = 0, 4545 =
𝑅1 + 𝑅2
Podemos dizer então que o comparador irá comutar nas tensões ±𝛽𝑉𝑧 = ±4, 7 ·
0.4545 ≃ ±2, 2𝑉
Escolhendo arbitrariamente 𝑅1 = 1𝑘Ω teremos:
𝑅2 = 1, 17𝑘Ω
1𝑘Ω
𝑉𝑂 = (1 + ) * 𝑉𝑐𝑃 𝑖𝑐𝑜 = ±3.2𝑉
2, 2𝑘Ω
42 Capítulo 3. Metodologia
𝑉𝑒𝑓2
𝑃 =
𝑅
𝑃 · 𝑅 = 𝑉𝑒𝑓2
𝑉
𝑃 · 𝑅 = ( √ )2
2
√
𝑉 = 2·𝑃 ·𝑅
𝑉 = 𝑉𝑓 𝑜𝑛𝑡𝑒 · 𝑎𝑚
√
2·𝑃 ·𝑅
= 𝑉𝑓 𝑜𝑛𝑡𝑒
𝑎𝑚
Em que 𝑃 é a potência fornecida à carga, 𝑉𝑒𝑓 é a tensão eficaz aplicada a carga,
𝑅 é a impedância do alto falante, 𝑉𝑓 𝑜𝑛𝑡𝑒 é a tensão da alimentação e 𝑎𝑚 é o índice de
modulação.
√
2 · 750 · 2
= 60, 85𝑉 𝑜𝑙𝑡𝑠
0.9
Logo a tensão de alimentação foi escolhida como sendo 60𝑉 𝑜𝑙𝑡𝑠
Cálculo da corrente máxima:
2
𝑃 = 𝑅 · 𝐼𝑒𝑓
√︃
𝑃
𝐼𝑒𝑓 =
𝑅
44 Capítulo 3. Metodologia
√
𝐼= 2 · 𝐼𝑒𝑓
√︃
750 · 2
= 27, 38𝐴𝑚𝑝𝑒𝑟𝑒𝑠
2
∙ 𝑉 𝐵𝐷𝑆𝑆 = 200𝑉
∙ 𝑅𝐷𝑆 = 40𝑚Ω
∙ 𝐼𝐷 = 50𝐴
∙ 𝑄𝐺 = 234𝑛𝐶
𝜏 =𝑅·𝐶
Onde 𝜏 é o tempo necessário para que o capacitor se carregue com 62% da tensão
fornecida.Para tal 𝜏 = 200𝑛𝑠.
𝜏 = 200𝑛𝑠 = 𝑅 · 𝐶
3.2. Escolha dos componentes 45
Escolhemos :
𝑅 = 200Ω
𝐶 = 1𝑛𝐹
1
𝐿𝐶
𝐹 (𝑠) = 1
𝑠2 + ( 𝑅𝐶 )𝑠 + 1/𝐿𝐶
√︁
Onde 𝜔𝑜 = 1
𝐿𝐶
, e 𝑄 = √𝑅𝐶
𝐿𝐶
.
Queremos 𝜔𝑜 = 2𝜋 * 30𝑘𝐻𝑧 = 188.5𝑘𝑟𝑎𝑑/𝑠
Para o projeto desejamos um fator de qualidade 𝑄 = √13
1 𝑅𝐶
𝑄 =√ =√ .
3 𝐿𝐶
√ √
3𝑅𝐶 = 𝐿𝐶
𝑅 = 2Ω
46 Capítulo 3. Metodologia
3𝑅2 𝐶 2 = 𝐿𝐶
12𝐶 = 𝐿
Escolhemos:
𝐶1,2
𝐶= = 10𝑢𝐹
2
𝐿 = 2𝐿1,2 = 120𝑢𝐻
√︁
1 𝜔𝑜
De forma que 𝜔𝑜 = 𝐿𝐶
= 192.5𝑘𝑟𝑎𝑑/𝑠 e 𝑓 = 2𝜋
= 30.46𝑘𝐻𝑧 Finalmente:
𝐿1,2 = 9.1𝑢𝐻
𝐶1,2 = 3𝑢𝐹
47
4 Resultados e Discussão
4.1 Simulações
Após a escolha dos componentes do circuito, o próximo passo é a simulação do
circuito, faremos a mesma por partes. Todas as simulações de circuitos foram feitas utili-
zando o software LTSpice, da empresa Linear Technology
Podemos ver na figura 30 a saída do circuito RC, antes de passar pelo inversor digital.
Como estamos trabalhando com o sinal invertido, o atraso na borda de descida é visto
como um atraso na borda de subida após a inversão. As figuras 31 e 32 mostram a tensão
no inversor de saída em comparação com a entrada, na figura 32 conseguimos ver o tempo
de atraso, que é de 175ns, bem próximo do calculado.
50 Capítulo 4. Resultados e Discussão
O ganho do amplificador:
𝑉 𝑜𝑢𝑡𝑝
𝐾𝑎 = = 28
𝑉 𝑖𝑛𝑝
O valor esperado para a tensão de pico da saída, dado este indice de modulação é:
𝑉𝑜𝑢𝑡𝑝𝐶𝑎𝑙𝑐 = 𝑉𝑓 𝑜𝑛𝑡𝑒 * 𝑎𝑚
Vemos que temos uma saída bem próxima a esperada com relação ao ganho, porém
ao visualizar a figura 35 vemos que a saída do amplificador gera um atraso em malha
aberta, nosso próximo passo é arquitetar uma estrutura de controle que dê um ajuste na
margem de fase do sistema, e que melhore sua sensibilidade a variações de carga.
Para esta análise, devemos ’separar’ o indutor do filtro e analisar a soma do ampli-
ficador +indutor.
𝐾 𝑠2 + 𝑄𝜔𝑜𝑜
𝐴(𝑠) =
𝐿 𝑠2 + 𝑄𝜔𝑜𝑜 𝑠 + 𝜔𝑜2
∙ F(s) - Filtro RC
𝑅
𝐹 (𝑠) =
𝑠𝑅𝐶 + 1
𝐵𝐶 (𝑠) = 𝑅𝑚
54 Capítulo 4. Resultados e Discussão
1
𝐵𝑉 (𝑠) =
𝐾
∙ 𝐶𝐶 (𝑠) -Compensador de Corrente
𝐾𝐶 (𝜏𝑧1 𝑠 + 1)
𝐶𝐶 (𝑠) =
𝜏𝑝1 𝑠 + 1
𝐾𝑉 (𝜏𝑧2 𝑠 + 1)
𝐶𝑉 (𝑠) =
𝜏𝑝2 𝑠 + 1
∙ 𝐼(𝑠) - Filtro
𝜔𝑟2
𝐼(𝑠) =
𝑠2 + 𝑄𝜔𝑟𝑟 𝑠 + 𝜔𝑟2
𝜔𝑜2
𝑋(𝑠) = 𝐴(𝑠)𝑥𝐹 (𝑠) = 𝐾 *
𝑠2 + 𝑄𝜔𝑜𝑜 𝑠 + 𝜔𝑜2
1
𝐶𝑒𝑞 = = 1/2 * 5, 3𝑢𝐹 = 2, 65𝑢𝐹
2𝐶
1
𝑅// 𝑠𝐶
𝑉𝑜 = 1 * 𝑉𝑖
𝐿𝑠 * (𝑅// 𝑠𝐶 )
Onde 𝑉𝑖 pode ser representada como o ganho do amplificador, multiplicada pelo índice
de modualação do amplificador.
𝑉𝑜 35.6𝑥109
= 28 * 2 * 𝑚(𝑠)
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑠 + 188.7𝑥103 𝑠 + 35.6𝑥109
Em (NIELSEN, 1998), é dada uma tabela com valores indicados para o projeto
do sistema de controle. Ele é baseado na largura de banda do nosso circuito, ou seja, a
frequência de corte do filtro passa-baixas. A tabela pode ser vista na figura 38.
Para esta tabela, como dito, nos basearemos na frequência de corte do filtro, 𝑓𝑜 =
30𝑘𝐻𝑧. Os valores escolhidos foram:
𝑓𝑢𝑐 = 𝑓𝑜 = 30𝑘𝐻𝑧
𝑓𝑢𝑐
𝑓𝑢𝑣 = = 15𝑘𝐻𝑧
2
1
𝜏𝑧1 = = 33.33𝑥10−6
𝑓𝑜
10
𝜏𝑝1 = = 333.33𝑥10−6
𝑓𝑜
2
𝜏𝑧2 = = 16.67𝑥10−6
𝑓𝑢𝑣
20
𝜏𝑝2 = = 166.67𝑥10−6
𝑓𝑢𝑣
Obtemos então a equação para os compensadores:
Figura 38 – Tabela de referência para escolha dos pólos e zeros dos compensadores do
sistema de controle. (NIELSEN, 1998)
𝑅2 𝑅2 𝐶2 𝑠 + 1
𝑉𝑜𝐶𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 = 𝑉𝑖𝑛 + · (𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝑂𝐶𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 )
𝑅1 𝑅1 𝐶1 𝑠 + 1
𝑅2
Onde 𝑅1
= 𝐾 e 𝑅1,2 * 𝐶1,2 = 𝜏1,2
4.1. Simulações 57
𝑇 𝐻𝐷200𝐻𝑧 = 0.12%
𝑇 𝐻𝐷1000𝐻𝑧 = 0.63%
𝑇 𝐻𝐷20000𝐻𝑧 = 0.71%
4.1. Simulações 59
5 Conclusões
Referências
FOONG, H. C.; TAN, M. T. Analysis of thd in class d amplifiers. January 2007. (Citado
nas paginas 9 e 24.)
SELF, D. In: Audio Power Amplifier Design Handbook. [S.l.: s.n.], 2002. (Citado nas
paginas 17 e 19.)