PRÁTICA 01 – CURVAS DE RESPOSTA DO DIODO USANDO PSIM
Nessa prática iremos verificar os tempos de recuperação reversa de um diodo de potência. Para isso iremos utilizar o software PSIM para comparar as curvas dos diodos solicitados,
1. Leiam com atenção o tutorial traduzido do PSIM para que se possa montar o circuito da simulação e extrair os resultados que serão utilizados no relatório. 2. Calculem o valor do indutor levando em consideração a curva di/dt. Esse valor será colocado nos parâmetros do indutor e não nos parâmetros do diodo. Dica, vejam em: Inductor i-v equation in action (article) | Khan Academy 3. Utilizem as folhas de dados anexas para realizarem a pratica com a comparação dos resultados obtidos dos diodos com suas folhas de dados e entre eles. E concluam qual o diodo mais rápido e por quê? Quais os efeitos no circuito? Em que situação utilizar cada um dos diodos.
Circuito a ser montado no PSIM
Modelo de diodo com recuperação reversa
Nesta pratica o aluno deverá simular o circuito no programa PSIM. O conteúdo aqui descrito foi traduzido de tutorial sobre recuperação reversa do próprio fabricante do software.
Este tutorial descreve como usar o modelo de diodo do PSIM com recuperação reversa. Quando um diodo se desliga, ele exibe uma corrente reversa transitória. O modelo de diodo descrito neste tutorial leva em conta o transitório de recuperação reversa. O modelo de diodo de recuperação reversa requer mais entradas de parâmetros do que o modelo ideal de diodo. Alguns desses parâmetros vêm diretamente das folhas de dados dos fabricantes, enquanto outros parâmetros precisam ser obtidos por experimentos. Este tutorial descreve como esses parâmetros são definidos.
Uma característica típica de desligar o diodo é mostrada abaixo, com definições de parâmetros.
O modelo de diodo tem os seguintes parâmetros:
Tensão Direta Queda de tensão direta Vfwd, em Volts
Resistência de diodo Rs,em Ohm. Algumas folhas de dados fornecem esse valor. Resistência Outros fornecem o avanço curva de queda de tensão. Pode-se obter a resistência da inclinação de a curva no ponto de operação, ou seja, Rs = Vfwd/ Ifwd.
Indutância Indutor terminal parasitic indutância Ls, em H. Algumas folhas de dados não parasita incluem esse valor, e pode-se precisar encontrá-lo a partir das informações de encapsulamento do diodo.
Capacitância paralela Cp entre o ânodo e o catodo. Se o capacitãoé 0, o
capacitor é ignorado e é removido da simulação. Observe que a capacitância Capacitância paralela afetará a característica de recuperação reversa, pois a corrente do Paralela capacitor adicionará à corrente de recuperação reversa. Mas este é um efeito realista na práticae.
Corrente de condução direta Ifwd, em A, sob condições de teste de
Corrente Direta característica de recuperação reversa. Corrente reversa Pico de corrente reversa Irm, em A, em condições de teste de pico
A inclinação di/dt que leva a corrente a decair da corrente de condução direta
Ifwd para o pico de corrente reversa ‐Irm, em A/seg., em condições de teste. Inclinação atual Está implícito que di/dt é negativo, e um valor positivo deve ser introduzido aqui (por exemplo, 120e6 em vez de ‐ 120e6).
Tempo de recuperação Tempo de recuperação reversa trr, em sec., em condições de teste reversa
Bandeira atual do diodo. Se a bandeira está definida para 1, e assumindo
2Bandeira atual que o nome do diodo é D1, a corrente do diodo será exibida como I(D1.Drr).
O tempo de recuperação reversa trr consiste em duas partes: ta e tb. Durante o período ta, a corrente aumenta de 0 para ‐Irm. Com base no JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), a tb é definida como o intervalo do tempo de ‐Irm até o momento em que a linha reta de ‐Irm through ‐ 0,25 *Irm (em vermelho no diagrama) se cruza com o eixo temporal. Neste tutorial, o diodo RURG3020CC da Fairchild é usado para ilustrar como usar o modelo de diodo.
Inserindo informações da folha de dados:
A partir da folha de dados, temos os seguintes parâmetros:
A queda de tensão direta na corrente nominal 30A e em 150 C é: Vfwd = 0,85 V
A resistência ao diodo não é dada na folha de dados. Pode ser calculado a partir da curva da corrente direta vs. tensão direta abaixo:
Na região de interesse (destacada em vermelho), com base na inclinação das curvas, em torno de 10A a 30A e 100 C, a resistência é aproximadamente:
Rs = Vfwd / Ifwd = 0,007 Ohm
O pacote do diodo é TO‐247. Uma indutância parasitária típica para este type de pacote é em torno de 10nH para cada terminal, ou seja: Ls = 2 ×10 = 20 nH Não há informações sobre a capacitância do diodo. Assumiremos que a capacitância paralela é 0. Cp = 0 A folha de dados dá as características de recuperação reversa como:
3 Modelo de diodo com recuperação reversa
A informação que precisamos é destacada na caixa vermelha. Temos:
Ifwd = 30 A di/dt = 100e6 A/seg. A partir de ta e tb, podemos calcular o tempo de recuperação reversa como: trr = ta + tb = 20 + 15 = 35 ns A corrente reversa de pico não é dada nesta folha de dados. Mas pode ser facilmente calculado a partir do tempo ta e da inclinação atual di/dt como: Irm = di/dt * ta = 100e6 * 20e‐9 = 2 A Algumas folhas de dados podem não fornecer ta e tb, mas trr e pico reverse atual Irm diretamente, nesse caso nenhum cálculo é necessário.
Verificando o modelo: Os parâmetros serão inseridos no modelo diodo para simular a característica de desligar o diodo. A figura abaixo mostra o circuito de teste. O diodo D1 tem os parâmetros como discutido acima. A fonte de entrada Vin e a indutância L1 são definidas de tal forma que a inclinação atual di/dt é a mesma do valor no parâmetro do modelo. A corrente de carga também é definida como a corrente direta.
A forma de onda de simulação é mostrada abaixo à esquerda, com a forma de onda de recuperação reversa ampliada à direita. 4 Modelo de diodo com recuperação reversa
A partir da forma de onda de simulação, a corrente de pico reverso é em torno de 2A, e o
tempo de recuperação reversa trr é em torno de 39 ns, que estão próximos do resultado da folha de dados. A precisão deste modelo depende da precisão dos parâmetros. Pode-se precisar ajustar os parâmetros, especificamente o tempo de recuperação reversa trr, para ter um melhor ajuste entre a forma de onda de simulação e o resultado experimental.
