Chapter 7:

Modelagem BJT (Análise AC)

Modelando Transistor BJT
• Um modelo é um circuito equivalente que representa as
característica CA do transistor.

• Um modelo usa elementos de circuito que aproximam ao

comportamento do transistor.

• Há dois modelos geralmente usados em análise de sinais

signal CA de um transistor:

– Modelo re
– Modelo hibrido equivalente

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Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky Upper Saddle River, New Jersey 07458 • All rights reserved.
O modelo do Transistor re

• BJTs é basicamente um dispositivo de corrente-controlada; portanto

o modelo re usa um diodo e uma fonte de corrente para duplicar o
comportamento do transistor.

• Uma desvantagem deste modelo é sua sensibilidade para o nível DC.

Este modelo é projetado para condições específicas de circuitos.

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Configuração Base Comum
26 mV
I c = I e re =
Ie

Impedância de Entrada
Z i = re

Impedância de Saída
Z o  

Ganho de Tensão:
R L R L
AV = 
re re

Ganho de Corrente
A i = −  −1

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Configuração Emissor Comum
26 mV
re =
O modelo do diodo re pode Ie
ser substituído pelo resistor
re.
I e = ( + 1)I b  I b

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Configuração Emissor Comum

Impedância de Entrada:
Z i =  re
Impedância de Saída:
Z o = ro  

Ganho de Tensão:
RL
AV = −
re

Ganho de Corrente:
A i =  ro = 

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Modelo Hybrido Equivalente
Os seguintes parâmetros híbridos desenvolvidos são usado
para modelar o transistor. Estes parâmetros podem ser
encontrados nas folhas de especificações do transistor.

• hi = resistência de entrada
• hr = taxa de tensão de transferência reversa (Vi/Vo)  0
• hf = taxa de transferência direta de corrente (Io/Ii)
• ho = condutância de saída

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Modelo Geral Simplificado
Modelo Parâmetro-h

• hi = resistência de entrada
• hf = taxa de transferência direta de corrente (Io/Ii)

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re vs. Modelo Parâmetro-h
Emissor Comum
h ie =  re
h fe =  ac

Base Comum

h ib = re
h fb = −   −1

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