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I ~M TELEFONIA"
\,
obtençao
- ~
do Tltulo de Mestre em Física
Aplicada.
COMISSAO JULGADORA:
Dr. - Orientador
Dr. ~
Jan F.W.Slaets
Dr. Smit
À
e irmaos
AGRADECIMENTOS
balho.
de bibliografia.
Li.sta de ilustrações I
Re sumo •.••.................•........................•........ I V
Ab s t r act V
Int r od u ç ã o' 1
Capí tulo I - O ELETRETO •.••.•••..•..•••••••.•••••••••••• 4
di to 43
quê n cia 51
/
....•
4.5 - Montagero e encapsulamento da cápsula transmi~
transmissoras lineares 55
5 .4 - Conc 1us ão 61
Referências bibliográficas 66
I
eletreto 14
crofone de eletreto 15
Figura
Figura 16.a
16.c
16.d
16.b
16.f
16.e Protótipo final de microfone de eletreto .... 29
Carcaça do microfone 30
roi c ro fone 38
ra 40
amplificador 41
Figura 20 Circuito equivalente do pré-amplificador .... 42
P1 i f i c ad o r ••••••••••••••••••••••••••••••••• 46
das objetivas 59
Figura 37 Valores de ERT obtidos para cápsulas transmis-
;LNTRODUÇÃO
co sao:
ligação.
do chamado.
nante.
de transmissor.
- Piezoelétrico
- Eletromagnético
- Eletrodinâmico
- Eletreto
" .-
e as conclusões do trabalho.
4
CAPITULO I
o ELETRETO
(2) ~
O eletreto e um armazenamentoquasepermanente de car-
Durante 1CLllito
tempo, o eletreto permaneceu como curiosid~
nes dos mais diversos tipos, no entanto, os eletretos tem sido ut~
1,
lza dos "d varla as ap l'
nas malS -
lcaçoes, t'
alS como (3): d OSlme
' t'rla de
gravaçoes eletrostáticas.
o material mais usado na atualidade como eletreto para mi
crofone é o Teflon FEP (Fluor Ethyl Propylene) fabricado pela Du
Pont Nemours. No entanto vários outros materiais já foram bastante
CheJnÍ.calcorporation.
- Terrooeletretos
- Radiação
- Carga Líquida
- Descarga Corona.
tos.
guir
Ponta Corona
filme
Metalizaca-o
do filme
Suporte
metóilco
uma densidade de carga superficial 0c, que por sua vez originao po
(1.1)
dI = espessura do filme
rio da maioria dos autores que usa a densidade de carga 0c. Prefe
alto - tensõo
sistema de regulo
- gem do grade
\
,\
oito-foi ante',--1111:
I
LATERI\L
FREINTE
•...•..•...•...
IOem
-500 , \'
--- - 2 meses ~
5minutos
o 73,Omm
zado.
perficie Vs.
9
CI~C~
~~~~~~~~_
Filme Carregado
Suporte do Filme
VQ(DC)
/
\
CEcilos
mico (Heat pulse) (5), os quais podem ser usados para determinar a
superfície Vs.
10
CAPITULO I):
MICROFONE DE ELETRETO
superfície do eletreto.
MicrofoneAo
Eo ampli
R
ficador
: I
membrana
metalizada
Saida
gap
placa fixa
cavidade
interior
Furos de Iigacão
na placa fixa
licada na parte
não metalizada da membrana, e assim, responsável em parte pela fre
- _ . (3)
2.2- Calculo do campo eletrlco no gap
Consideremos a Figura 7
metalização
membrana
placa fixa
eletreto
= (2.1)
= o (2.2)
13
(2.3)
perfície s
V , originado pela densidade c-
de carga a , pois ao polari
do de corona.
a = , portanto
c
com V = a
s c na equaçao (2.3) obtemos
V
= __ s_ (2.5)
def
ne de eletreto
-
FIG. 8 - Circuito equivalente elétrico do microfon~ de
eletreto
= (2.6)
• parâmetros
pecificamente
geométricos
com aqueles
ligados
que
com a acústica
limitam a vibração
do microfone,
da membrana.
es-
• na; o .. to eqtll
ClrCUl .valente acus
- t·
lCú-el-t'
e rlCú (8) TIDstra
do na Flgura
. 9.
JWV -
9 Mf
Mm
em
..
Circuito
rf I rm
equivalente
- --
acústico-elétrico do
y
FIG.
o
TC2 rCI
compliância
ondear =entre
inertância
resistência
da placa
na cavidaacústica
r mem,acústica
acústica
fixa dos
dos
da
do
da membrana
membrana
volume
furos
furos de
m
Mm
Cm
rf
Cl
16
=
p pressão acústica aplicada na membrana
v =
volume deslocado pela membrana, devido a pressão a
cústica
w = velocidade angular
Mm em
jwv
p ~
0 12
Simplificando obtemos
----------."
17
v = (2.8)
com c'rn =
m'
f'
2 -==
~
:o: 1
(2.9)
Mm
C2 2TI! MmC~Po A2
Ah
M
(2.10 )
M =
=
m
áassa
v rea dada
elocidade
densidade
altura da
do membrana
membrana
do cavidade
ar
som no e posterior
da ar
cavidade posterior
C A
Po
= 11 =
o POCL 2TI/omh. \
f2
hA
2'IT/~
P C2
= M =
Com 0m A densidade superficial da membrana
18
v = AS = PC'
m
-'-~ S = PC~
A
(2 .12)
= 2= )
= fi(2nf (2.13)
P°mh
S - õ{;)L
w2
Com 2 2 ~Ph
- pcz-
2
VM
m 2
=
- 07
VM SE2Vs def (2.14)
Assim
p
(2.15)
de material dielétrico.
Csl I Ce
espaçador e o pré-amplificador
ra o circuito da Figura 12
Ceq
I O
V
A assim a sensibilidade total Se = I pel
pode ser escrita como
20
= (2.17)
= (2.18)
quências de corte:
= =
de 1 a 20 mv)~~a'~J\(l Pa = ~ = 10 llbar).
É interessante notar, que a sensibilidade é independen -
frequências baixas.
hodl yPnA
=1/2 (2.19 )
(2.20)
h » 81fT
SM
(;,)2 EdefyPo
(~)
21
onde
.-
==
tens~o mecâ,nica
largura
relaçao efetiva
de calor das camadas
especlfico de ar sob a placa fixa.
o - T pressão atmosférica (1,14 para o ar)
- ~
h
p -
Para
v
p
C ar e pressao atmosférica ternos
= (2.21)
Po = pressao atmosférica
Po = densidade do ar
= = (2.22)
obtemos
= ~ (2.23)
defyPo
= (2.24)
22
1
que difere da fórmula deduzida neste trabalho pelo fator 1
y
=
1,14 =
0,88.
.....
Na construçao do ~icrofone de eletretor optou-se pelo pr~
tálica tanto no lado metalizado com alumínio quanto no lado noo rre-
mes metalizados com cromo foi possível colar uma arruela de latão r
LATÃO
~------
-I---,~
MEMBRANA
LUCITE
I
-L
cb
t6ria, de tal forma que a arruela podia ser retirada sem esforço,
PRESSÃO
l !
COLA....s- ~=========~~ COLA
m ~
t t
PRESSÃO
16,Omm
ENCAPSULAMENTO
MEMBRANA
,,~~__ 0 ARRUELAS
DE
~--~~ COLAGEM
BACKPLATE
~
CAVIDADE
INTERIOR
~
BACKPLATE
~ LATÃO
~ LUCITE
xa.
3.3- Prot5tipofinal
ne.
mento entre membrana e placa fixa, foi obtido usando uma arrue
16 . f .
o método de teste dos microfones, apesar de empfrico ,
mostrou-se durante a fase de desenvolvimento, bastante útil. Foi
2
fPara
=
n~ 2
1
2.11.
16.f
Po temos
3.4.1-
omh I
quetemos
Frequência
'
o microfone das Figuras
16.a a
de corte superior
(f2)
-2 2
o = 2,5xl0 Kg/m (FEP, espessura 25~m)
m
-3
h = 4,6xl0 m
3
1,18 Kg/m
C = 345 m/s
f2 = 5,56 KHz
-= 500V
25 -6 -6
W22nf2
(:2 + 50)x 10 m = 62,5xlO m
def =
Vs
29
~~ l ~
~,ç~A 1(2)
~ LATÃO
~ LUCITE
m FIBRA DE VIDRO
0110,05 corte AB J
0"',0
corte CD
C/> 1/ 0,0
c o
(/)18,9
corte EF J
L. I .~
F
o--$-. o..
\ .I." N
O~
tO
Ó
o..
1O
o..
corte GH
f/J19,0
10.0
G H
.J
corte I
I
L. J
.J
pa do microfone
35
2
0,262 V!Pa x lO = 26 (2 JnV~)Jbar
cm =
= 30xlO
62,50xlO
8,85xlO
50, mFim, = -12 -6
EOK m~
(FEP)
= 2,0
O(225 -6 2
diâmetro
+ 50) para cálculo da área Am
xlO-6m é ~ = 8,0 mm.
cm = 7,12 pF
=
EoAE
= ,
25
8,85xlO-12
28,30xlO
9,20 pF
50
m.FIm
(Mylar)
Eo
-6 -6
(2 K
EE
+ ~4 )xlO
-6 2
= 3,4
m = 27, 2lxlO m
~defE =
e dada por
36
fI1 = ....•
745 Hz ;
1 = 325 Hz (2.18)
2TIC~qRe
Cm = 7,12 = 0,44
Ceq 7,12+9,20
C
Se = (fID-)SM = 26,2xO,44 = 11,43 mV/~bar (2.17)
eq
3400 Hz) .
--
.........- '~-,_._-~---~_.'-".---
•.. ".~ .. -~~-'".--.-.----
.... .•......
~ B',GL;:J::J.f, C'<
1
L __
. .. .__~s I ; ,\
: .•••.•. L'~'
,..'.. ','~r 1
.
37
A"
mo ressonanCla ~
e nao como d"" -
lmlnulçao 3 dBl91
d e ... ...
Este prototlpo
balho.
co
"C
ReI. IV/ubar
-20
-30
-40
-50
w
(X)
39
II II,II\\R4
I D2 o
I
R,
J6A
,D, II 4---1--V
I
WR3
D3
c2'
I
O,
C,
I>I -r-f05nRS
R2
RI R3
02 03
CI t
DI
R4 D4 D5
J6A
R3
CI
03
vo
sinal D2 a D5.
cador do amplificador.
cuito.
do pré-amplificador são:
-40,4 (5 Km)
c) Ganho em tensão (Gv) ={ -42,0 (O Km)
mostrado na Figura 20
•
•
___ EO
C I
1- -I - 21K-- 5
IIVe
II Y30MnVGv ~
I
Eo .\/. ~S
tor
do na Figura 23
8 c
hie
ib ~ t..l(3ib
24.
v·I
hie ~ib
Rg'
hie+pRE
Av. Vo
V'I
tágio a transistor
45
~_ Rp
ic
Resistência de entrada
- - (RE+hie) Av ib B
= resistência
RL diferencial
(Rp+RL) (Ri) do transistor
b)
S
hie
=osK~
Para500
13
18
24
2,2 ~ nF
valores usados
ou seja no circuito,
B
RB
RE
CF
= 23 7 ~ (OKm)
obtemos
= 12,4
= 1,5 K~ Ii 29,5 nF
Av = - 24,4
= 820 ~ Ii 55,9 nF
Av = - ~L
E , diretamente proporcional ao comprimento da linha de
transmissão.
G vco
amplificador
47
çao é colocada uma carga de 600 n em série com 10~F, que corres
Figura 27 . ..
IFQSC ~ USP.
O sinal transmitido aparece na forma de amplitude mod~
39fi 27fi
Transmissor Linha
10 teórico apresentado.
sado o programa SPICE 2(12), específico para este fim. Este pro -
conjunto de nós. Para uma simulação fiel e que pudesse ser acompa
40 o Km
- ---5 Km
30
- -- •...•. - - --- -- --
20
---
- .....
.....
•..•.
.•.•.
....•..•.•..
.•.••. ,
10
o
100 Hz 200 500 1000 2000 5000 10000
+
5600 T
II I~ Ve
r
10}.lF:::::: ~ -40,4""""' •.•.•.
(5Km)
-1-
I •. -
_
II
48V
I ,+
24KO
I
vI ~""
~
112500
I ~18Kn
16000 1::''-
J
.. I... ~.,...,I
50 fllfK m 62.5n/l<m
16,32pF LKO II
27 .
28
2010g Gv
23
cn
"C
18
o Km
- 27°C
--- 60°C
13 <-
100 11<
Hz 101<
28
2010g Gv
23
18
5Km
-27°C
--- 60°C
13
100 IK H! 10K
,
traI soldando a carcaça no impresso. O conjunto é colocado num in
Figura 32.
54
2,2--+ II - --16.2
®
D__ JJ
cAP1rULO v
RESULTADOS E CONCLUSÕES
tas normag.
neares (13)
citadas a seguir:
a) Características de emissão
b) Distorção de atenuação
c) Distorção harmônica
d) Inversão de polaridade
cia da transmissão.
na Figura 33.
do pela TELEBRÁS.
dB
-4
-2
o
+2
+4
+6 +5.0
___ Limite da média
+8 ....,. .•.7. O
Limite individual
+10 +9.0
neares.
li vre.
40
30
20
10
o
100 Hz 200 300 500 1000 2000 10000
!
I
FIG. 35 - Limites para a resposta em frequência de cápsulas trans missoras lineares L.J1
co
I
l
59
versão da polaridade.
Boca
Artificial
18 H])
Oscilador
didas objetivas.
sula de eletreto.
dB
-2
+2
+4
\ .
___ carvão~
___ Dinâmica
+6 Eletreto "'"
+8
'"
• usando telefone Gradiente
'" .
+10, '"
5.4- Conclusão
40
30 Fundamental
12dB
Distorção
20
10
lIf usando telefone Gradiente
o
100 Hz 200 500 800 1000 2000 5000 10000
FIG. ~
38 - Resposta em frequência e distorção harmônica da cãpsula. transmisso ra de carvao Ci'I
N
50
m Dinâmica
"C
40
30
24,5 dB
20
10 /
Distorção
o
100 Hz 200 500 800 1000 2000 5000 10000
- -
"' - - -
30
24dB 1-
, I
II - - --rv../ Distorçoo
o
100 Hz 200 500 8001000 2000 5000 10000
translTlissora,de elet;t;'etofO;t;'Çl,ll}
construidosf todo§ apresentando
•
66
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
105 (1976)