TRANSISTORES DE JUNÇÃO BIPOLAR

Em 1951, William Schockley inventou o primeiro transístor de junção,

um dispositivo semicondutor que pode amplificar (aumentar) um sinal
eletrônico como um sinal de rádio ou de televisão.

O transístor deu origem a muitas outras invenções incluindo os circuitos

integrados (CIs), pequenos dispositivos que contêm milhares de transístores.
Graças ao CI, os modernos computadores e outros milagres eletrônicos tornaram-
se possíveis.

Este capítulo é uma introdução ao transístor de junção bipolar (TJB), um

tipo que usa elétrons livres e lacunas. A palavra bipolar é uma abreviação para
“duas polaridades”. Este capítulo também irá explorar como o TJB pode ser
adequadamente aplicado para funcionar como chave.

Objetivos de aprendizagem

 Demonstrar seu conhecimento sobre as relações de corrente entre base,

emissor e coletor de um transístor de junção bipolar.
 Desenhar o diagrama do circuito em EC e citar os nomes de cada terminal,
tensão e resistência.
 Desenhar uma curva hipotética da base e uma família de curvas do
coletor, designando seus dois eixos.
 Denominar as três regiões de operação de um transístor de junção bipolar
na curva de coletor.
 Calcular os respectivos valores de corrente e tensão do transístor em EC
utilizando a aproximação ideal e segunda aproximação do transístor.
 Citar vários parâmetros nominais do transístor de junção bipolar que são
utilizados pelo técnico.
  Explicar por que a polarização da base não funciona bem nos circuitos de
amplificação.
 Identificar o ponto de saturação e o ponto de corte para um dado circuito
com polarização da base.
 Calcular o ponto Q para um dado circuito com polarização da base.

Transístor não polarizado

Um transístor tem três regiões dopadas, conforme mostrado na Figura 6-1.

A região inferior é chamada de emissor, a região do meio é a base e a região

superior é o coletor. Em um transístor real, a região da base é muito mais estreita
comparada com as regiões do coletor e do emissor. O transístor da Figura 6-1 é
um dispositivo npn porque existe uma região p entre duas regiões n.

Lembre-se de que os portadores majoritários são elétrons livres em um material

tipo n e as lacunas em um material tipo p.

Os transístores podem ser produzidos também como dispositivos pnp. Um

transístor pnp tem uma região n entre duas regiões p.

Níveis de dopagem

O emissor é fortemente dopado.

A base é fracamente dopada.

O nível de dopagem do coletor é intermediário, entre a forte dopagem do

emissor e a fraca dopagem da base. O coletor é fisicamente a região mais larga
das três.

Os díodos emissor e coletor

O transístor tem duas junções: uma entre o emissor e a base e outra

entre o coletor e a base.
Por isso o transístor é similar a dois díodos virados costa com costa. O díodo
debaixo é chamado de díodo-base emissor ou simplesmente díodo emissor.

O díodo de cima é chamado de diodo-base coletor ou diodo coletor.

Antes e depois da difusão

A Figura 1 mostra as regiões do transístor antes de acontecer a difusão. Devido à

força de repulsão que cada elétron sofre dos demais, os elétrons livres presentes
na região n se espalharão em todas as direções. Os elétrons livres na região n se
difundem através da junção e se recombinam com as lacunas na região p.
Visualize os elétrons livres em cada região n cruzando a junção e recombinando-
se com as lacunas.

Figura 1 – Estrutura de um transístor

O resultado é duas camadas de depleção, conforme mostrado na Figura 2a. Para

cada uma dessas camadas de depleção, a barreira de potencial é cerca de
0,7 V na temperatura de 25°C para um transístor de silício. (0,3 V a 25ºC para
um transístor de germânio). Como antes, vamos enfatizar os dispositivos de
silício, porque eles são mais usados do que os de germânio.
 Figura 2 – Transístor não polarizado. (a) Camadas de depleção.

Transístor polarizado

Um transístor não polarizado pode ser visto como dois díodos, um de costa
para o outro, como mostrado na Figura 2b.

Figura 2 – Transístor não polarizado. (b) circuito equivalente com díodos.

Cada díodo tem uma barreira de potencial de aproximadamente 0,7 V.

Mantenha o circuito equivalente em mente quando for testar um transístor npn
com um multímetro digital (DMM – Digital Multimeter).
 Quando você conecta uma fonte de tensão externa no transístor, obtém
circulação de corrente em diferentes partes do transístor.

Elétrons do emissor

A Figura 3 mostra um transístor polarizado. O sinal de menos representa os

elétrons livres.

O emissor fortemente dopado tem a seguinte função: emitir ou injetar

elétrons livre na base.

A base fracamente dopada tem também uma função bem definida:

passar os elétrons injetados pelo emissor para o coletor.

O coletor tem esse nome porque coleta ou captura a maior parte dos
elétrons da base.

A Figura 3 mostra o modo usual de polarizar um transístor. A fonte da

esquerda VBB polariza diretamente o díodo emissor e a fonte da direita VCC
polariza reversamente o díodo coletor.

Embora sejam possíveis outros métodos de polarização, os diodo emissores

polarizados diretamente e o díodo coletor polarizado reversamente são os que
produzem os melhores resultados.

Figura 3 – Transístor polarizado

 Elétrons na base

No instante em que a polarização direta é aplicada no díodo emissor, os

elétrons no emissor ainda não penetraram na região da base. Se VBB (V BB> 0,7 V )
For maior que a barreira de potencial base-emissor, os elétrons do emissor
entrarão na região da base, conforme mostrado na Figura 4.

Figura 4 – O emissor injeta elétrons livres na base

Teoricamente esses elétrons livres podem circular em qualquer um dos dois

sentidos.

1) Primeiro, eles podem circular para a esquerda e sair pela base,

passando através de RB e indo para o terminal positivo da fonte.
2) Segundo, os elétrons livres podem circular para o coletor.

Que caminho tomará a maioria dos elétrons livres?

A maioria deles seguirá para o coletor.

Por quê? Por duas razões: a base é fracamente dopada e muito estreita.
Uma dopagem fraca significa que os elétrons livres têm um tempo de vida
maior na região da base. A região da base muito estreita significa que os
elétrons livres têm uma distância curta para chegar ao coletor. Por essas duas
razões, quase todos os elétrons injetados pelo emissor passam da base para o
coletor.
 Apenas um pouco de elétrons livres se recombinarão com as lacunas na
base fracamente dopada. Depois como elétrons de valência, eles circularão pelo
resistor da base para o lado positivo da fonte VBB.

Elétrons no coletor

A maioria dos elétrons livres vai para o coletor, conforme mostra a Figura
5. Uma vez dentro do coletor, eles são atraídos pela fonte de tensão VCC. Por
isso, os elétrons livres circulam através do coletor e de RC até alcançarem o
terminal positivo da fonte de tensão do coletor.

Figura 5 – Os elétrons livres da base circulam para o colector.

Veja um resumo do que está acontecendo: A VBB polariza diretamente o

díodo emissor, forçando os elétrons livres do emissor a entrar na base.

A base estreita e fracamente dopada dá quase todos os elétrons tempo de

vida suficiente para se difundirem no coletor. Esses elétrons circulam pelo
coletor, através de RC, e entram no terminal positivo da fonte de tensão VCC.

Correntes no transístor

A Figura 6a mostra o símbolo esquemático para um transístor npn. Se você

preferir o fluxo de corrente convencional, use a Figura 6a; se preferir o fluxo de
corrente de elétron, use a Figura 6b. Na Figura 6-6, existem três correntes
diferentes num transístor: a corrente no emissor IE, a corrente na base IB e a
corrente no coletor IC.

Figura 6 – As três correntes no transístor. (a) Fluxo convencional; (b) fluxo de elétrons

Como comparar as correntes

Como o emissor é uma fonte de elétrons, ele tem a maior corrente. Como
quase todos os elétrons circulam para o coletor, a corrente no coletor é
aproximadamente igual à corrente no emissor, ela é quase igual à corrente do
emissor.

A corrente na base é muito menor se comparada com essas outras correntes,

quase sempre menor que 1% da corrente do coletor.

Relação das correntes

Lembre-se da lei das correntes de Kirchhoff. Ela afirma que a soma de todas as
correntes que entram num nó ou junção é igual à soma das correntes que saem
desse nó ou junção. Quando aplicada num transístor, a lei das correntes de
Kirchhoff fornece-nos esta importante relação:

I E =I C + I B (1)

Essa equação informa que a corrente do emissor é igual à soma da corrente

do coletor e da corrente da base. Como a corrente da base é baixa, a corrente do
coletor é aproximadamente igual à corrente do emissor:
 IC≈ IE

A corrente da base é muito menor que a corrente do coletor:

IB≪IC

(Observação: << significa muito menor que).

GANHO DE CORRENTE (Beta)

O ganho de corrente de um transístor é definido como a razão da corrente CC do

coletor para a corrente CC da base:

IC
β CC = (2)
IB

Beta CC é conhecida como o ganho de corrente porque uma baixa

corrente da base controla uma corrente muito maior do coletor.

NOTA: O ganho de corrente é a principal vantagem de um transístor e tem

encontrado todos os tipos de aplicação. Para os transístores de baixa potência
(abaixo de 1 W), o ganho de corrente é tipicamente de 100 a 300. Os transístores
de alta potência (de mais de 1 W) têm geralmente ganhos de 20 a 100.

Exemplo 1 - Um transístor tem uma corrente do coletor de 10 mA e uma

corrente da base de 40 μA. Qual é o ganho de corrente do transístor?

Exemplo 2 - Um transístor tem um ganho de corrente de 175. Se a corrente

da base for de 0,1 mA, qual será a corrente do coletor?

CONEXÃO EC
 Existem três modos utilizados para conectar um transístor: em EC (emissor
comum), CC (coletor comum) ou BC (base comum). Neste capítulo, vamos nos
concentrar na conexão EC já que é a mais utilizada.

EMISSOR COMUM

Na Figura 7, o lado comum ou o terra de cada fonte de tensão está

conectado ao emissor. Por isso, o circuito é tratado por conexão em emissor
comum (EC).

O circuito tem duas malhas. A da esquerda é a malha da base e a da direita

é a malha do coletor.

Na malha da base, a fonte VBB polariza o díodo emissor diretamente com

RB como resistência de limitação de corrente. Variando VBB ou RB, podemos
variar a corrente da base. Variando a corrente da base podemos variar a corrente
do coletor. Em outras palavras, a corrente da base controla a corrente do coletor.
Isso é importante. Significa que uma corrente baixa controla uma corrente
alta (coletor).

Na malha do coletor, uma fonte de tensão VCC polariza reversamente o

díodo coletor com RC. A fonte de tensão VCC deve polarizar o díodo coletor
como mostrado; caso contrário o transístor não funcionará corretamente. Dito de
outra forma, o coletor deve ser positivo na Figura 7 para que possa coletar os
elétrons livres injetados na base.
 Na Figura a corrente da base circulando na malha da esquerda produz uma
tensão no resistor da base RB com a polaridade mostrada. De modo similar, a
corrente que circula no coletor na malha da direita produz uma tensão no resistor
do coletor RC com a polaridade mostrada.

Subscrito duplo

A notação com subscrito duplo é usada em circuitos com transístor. Quando

os subscritos são iguais, a tensão representa uma fonte (VBB e VCC). Quando os
subscritos são diferentes, a tensão é entre dois pontos do circuito (VBE e VEC).

Por exemplo, os subscritos de VBB são os mesmos, o que significa que

VBB é a fonte de tensão da base. De modo similar, VCC é a fonte de tensão do
coletor.

Por outro lado, VBE é a tensão entre os pontos B e E, entre a base e o

emissor. Do mesmo modo, VEC é a tensão entre os pontos C e E, entre o coletor
e o emissor.

Quando medimos tensões com índices subscritos duplos, a ponta de prova

positiva é colocada no ponto do circuito indicado pelo primeiro subscrito e a
ponta de terra (comum) é colocada no ponto do circuito indicado pelo segundo
subscrito.

Subscritos simples

A notação com subscritos simples é utilizada para tensões nodais, isto é, a

tensão entre o terminal indicado pelo subscrito e o terra. Por exemplo, se
redesenharmos a Figura 7 com o terminal terra, obtemos a Figura 7a. A tensão
VB é a tensão entre a base e o terra, a tensão VE é a tensão entre o emissor e o
terra. (Neste circuito, VE é zero.)
 Podemos calcular a tensão com subscrito duplo de diferentes subscritos
simples, subtraindo suas tensões. Aqui estão três exemplos

VEC = VC – VE

VBC = VC – VB

VBE = VB – VE

Visto que VE é zero neste circuito nesta conexão EC (Figura 7a), a tensão
fica simplificada:

VEC = VC

VBC = VC – VB

VBE = VB

CURVA DA BASE

Qual a aparência do gráfico de IB versus VBE? Ele se parece com a curva

de um díodo comum, conforme mostra a Figura 8. E por que não? Ela é a
polarização direta do díodo emissor, portanto devemos esperar ver o gráfico da
corrente versus tensão.
 Aplicando a lei de Ohm no resistor da base na Figura 7a, obtemos esta
fórmula derivada:

V BB+ V BE
I B= (3)
RB

Se usarmos um díodo ideal, VBE = 0. Com a segunda aproximação, VBE = 0,7

V.

Na maioria das vezes, a segunda aproximação é a melhor escolha entre a

rapidez ao usar o díodo ideal e a precisão de uma maior aproximação. Tudo o que
precisa lembrar para a segunda aproximação é de que VBE = 0,7 V, conforme
mostrado na Figura 8.

Exemplo

Use a segunda aproximação para calcular a corrente na base na Figura

abaixo. Qual a tensão no resistor da base? E a corrente no coletor se βcc = 200?
SOLUÇÃO

A fonte de alimentação da base de 2 V polariza o diodo emissor diretamente pela

resistência de limitação de corrente de 100 kΩ. Como a tensão no diodo emissor
é de 0,7 V, a tensão no resistor da base:

V BB−V BE =2V −0.7 V =1.3V

A corrente no resistor da base é:

V BB+ V BE 1.3 V
I B= = =13 μA
RB 100 KΩ

CURVAS DO COLETOR

Já sabemos como calcular a corrente na base. Como VBB polariza

diretamente o díodo emissor, tudo o que precisamos fazer é calcular a corrente no
resistor da base RB. Agora, vamos voltar nossa atenção para a malha do coletor.

Podemos variar VBB e VCC na Figura 9 para produzir diferentes valores de

tensões e correntes no transístor. Se Fazer medições em IC e VEC, podemos
obter os dados para traçar o gráfico de IC versus VEC.

Por exemplo, suponhamos que você varie VBB até obter IB = 10 μA. Com
esse valor de corrente da base fixo, podemos agora variar e medir IC e VEC.
Traçando os dados, obtemos o gráfico mostrado na Figura 9a. (Obs.: Este gráfico
é do transístor 2N3904, muito usado como transístor de baixa potência. Com
outros transístores, os números podem variar, porém a forma da curva será
similar.)

Quando VEC for zero, o díodo coletor não estará reversamente polarizado.
É por isso que o gráfico mostra uma corrente no coletor de zero quando VEC é
zero. Quando VEC aumentar a partir de zero, a corrente no coletor aumentará
verticalmente. Quando VEC é de alguns décimos de Volt, a corrente no coletor
fica quase constante e igual a 1 mA.

A região de corrente constante na Figura 9a foi relatada anteriormente no

nosso estudo do funcionamento do transístor. Depois de o díodo coletor tornar-se
reversamente polarizado, ele captura todos os elétrons que chegam à camada de
depleção. Aumentar VEC não pode aumentar mais a corrente no coletor. Por
quê?

Porque o coletor só pode capturar aqueles elétrons livres que o emissor

injetou na base. O número dos elétrons injetados depende apenas do circuito da
base e não do circuito do coletor. É por isso que a Figura 6-9b mostra uma
corrente constante no coletor entre um VEC de menos de 1 V a um VEC de mais
de 40 V.
 Se VEC for maior que 40 V, o díodo coletor atingirá a ruptura e o
funcionamento normal do transístor não mais acontecerá. O transístor não é
projetado para funcionar na região de ruptura. Por essa razão, um dos valores
nominais máximos que devemos observar em uma folha de dados de um
transístor é sua tensão de ruptura VEC (máx). Se o transístor atingir a ruptura, ele
será danificado.

TENSÃO E POTÊNCIA DO COLETOR

A lei das tensões de Kirchhoff afirma que a soma das tensões numa malha
fechada é igual a zero. Quando aplicada no circuito do coletor da Figura 9, a lei
das tensões de Kirchhoff fornece esta importante fórmula derivada:

V EC =V CC −I C ∗RC ( 4)

Ela informa que a tensão entre o emissor e o coletor é igual à tensão na

fonte de alimentação menos a tensão no resistor do coletor.

Na Figura 9, o transístor dissipa uma potência de aproximadamente:

P D=V EC∗I C (5)

Essa equação informa que a potência do transístor é igual à tensão coletor-

emissor multiplicada pela corrente do coletor. A potência é a causa do aumento
da temperatura na junção do díodo coletor.

Quanto maior a potência, maior a temperatura na junção.

Os transístores queimam quando a temperatura na junção está entre 150ºC e

200°C. Uma das principais informações fornecidas pelas folhas de dados é a
potência nominal máxima PD (máx). A dissipação de potência máxima dada pela
Equação 5 deve ser menor que PD (máx). Caso contrário, o transístor será
danificado.
 EXERCÍCIOS DE APLICAÇÃO

1. O transístor da Figura tem βcc = 300. Calcule IB, IC, VEC e PD.

2. Usando o circuito anterior mude o valor de RB para 680 kΩ e repita

o exercício anterior.
3. A Figura abaixo mostra um circuito com transístor montado num
simulador MultiSim. Calcule o ganho de corrente do 2N4424.