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Dispositivos semicondutores: diodos.

Diodo de junção PN.


Os diodos são dispositivos semicondutores confeccionados na maioria das vezes
por uma junção PN. A Fig. 1 mostra o esquema de uma junção de dois materiais
semicondutores, um do tipo P e o outro do tipo N. O semicondutor tipo P é o anodo e o
semicondutor tipo N é o catodo. O funcionamento do diodo ocorre na região entre o
anodo e o catodo, chamada de junção.

Junção PN
i
D

+ -
+ -
Anodo P N Catodo
Anodo Catodo

Fig. 1 Diodo de junção PN e símbolo elétrico.

A Fig.2a mostra os portadores majoritários em cada material semicondutor:


lacunas no tipo P e elétrons livres no tipo N. A estrutura do diodo é contínua de um lado
a outro da junção.Devido à continuidade da estrutura cristalina do diodo, os portadores
podem se mover através da junção. Após a formação do diodo, alguns elétrons podem
migrar para o anodo nas proximidades da junção. Ao encontrar as lacunas, ocorre a
recombinação do par elétron-lacuna e, consequentemente, o aniquilamento dos
portadores de carga majoritários na junção. A região formada pela neutralização das
cargas é denominada região de depleção por não haver portadores de carga (Fig. 2b). A
região de depleção não irá crescer muito além da junção por causa do campo elétrico
formado. Na verdade, a região de depleção funcionará como um capacitor e o campo
elétrico gerado impedirá a migração de novos elétrons livres difundidos do semicondutor
tipo N para se recombinar com as lacunas do lado P.

Junção Junção
P N P N
+ + + - - - - + - - -
- + + -
+ + - + - -
+ - - + - -
- - - + + - -
+ + + - + -
+ - - + + - - -

Lacunas Elétrons livres Região de depleção

(a) (b)
Fig. 2 (a) Portadores de carga majoritários em cada lado da junção, (b) difusão de
elétrons recombinando-se com as lacunas do anodo, formando a região de depleção.

Assim, quando um diodo é fabricado, alguns elétrons atravessam a junção e


preenchem as lacunas existentes no semicondutor tipo P criando uma barreira de
potencial na região próxima à junção. Como na região de depleção não há cargas, é de se
esperar que ela funcione como um isolante. Para vencer a barreira de potencial é

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necessário aplicar um campo elétrico numa direção apropriada, de tal forma a colapsar a
região de depleção preenchendo-a com portadores de carga. A Fig. 3 ilustra o processo
de colapso da região de depleção através da aplicação de um campo elétrico com o
anodo polarizado positivamente e o catodo polarizado negativamente. O sentido
convencional da corrente é o sentido das cargas positivas e contrário ao sentido dos
elétrons livres.

Colapso da região de depleção

P N
+ + + - - - -
+ - -
+ + - -
+ + - -
+ + - - - -

Corrente
+ -

Fig. 3 Polarização direta do diodo de junção PN.

Com o colapso da região de depleção, o diodo passa a conduzir corrente. A


condição de operação do diodo mostrada na Fig. 3 é denominada polarização direta
(forward bias). Em Eletrônica, a polarização (bias)é uma tensão ou corrente aplicada a
um dispositivo para “ligá-lo”. No caso do diodo, a tensão de polarização é aplicada para
vencer a barreira de potencial originada pela região de depleção. Se o diodo for
polarizado reversamente, isto é, se for aplicado um potencial com polaridade negativa no
anodo e positiva no catodo, a região de depleção se alargará, como mostra a Fig. 4.

P N
+ + + - -
+ - -
+ + - -
+ +
- -
+ + - -

Alargamento da
região de depleção

- +

Fig. 4 Efeito da polarização reversa sobre a região de depleção.

Como a região de depleção é isolante, o seu alargamento causará o bloqueio do


fluxo de corrente pelo diodo. Na realidade, uma ínfima corrente flui devido aos
portadores minoritários. O semicondutor tipo P possui alguns elétrons minoritários que
serão empurrados para a junção por causa da repulsão causada pelo terminal negativo da
fonte de tensão. O semicondutor tipo N, por sua vez, também possui algumas lacunas
minoritárias, que serão empurradas para a junção. Dessa forma, uma corrente de fuga se
estabelece quando o diodo está polarizado reversamente.

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Curvas características de diodos de junção PN.
Os diodos conduzem numa direção mas não na outra. Esta é a característica mais
importante do diodo e que a torna importante em Eletrônica. A curva corrente-tensão ou
curva I-V é a curva característica de um dispositivo eletrônico, seja ele um resistor, um
capacitor ou um diodo. Enquanto a curva I-V de um resistor que obedece a lei de Ohm
(resistor ôhmico) é uma reta, a curva característica de um diodo apresenta uma forma
não-linear, como a mostrada na Fig. 5.
Quando uma tensão positiva é aplicada entre o anodo e o catodo, uma corrente iD
flui através do diodo, desde que essa tensão seja superior a um valor VD determinado
pelo tipo e pelo material utilizado na fabricação do diodo. Para um diodo de silício, esse
valor de tensão é cerca de 0,6 V, enquanto que um diodo de germânio, a tensão de
polarização é cerca de 0,3 V (Fig. 5). À medida que a corrente iD aumenta, a tensão VD
também aumenta, porém, a maior queda de tensão no diodo é devido à sua polarização.
Se uma tensão reversa negativa VR é aplicada sobre o diodo (do anodo para o
catodo), o dispositivo exibe uma grande resistência à passagem de corrente e esta
corrente denomina-se corrente de fuga reversa (iR). Se a intensidade da tensão reversa
exceder um valor crítico, ocorre uma avalanche de corrente quando os portadores
minoritários adquirem energia suficiente para colidir com os elétrons de valência e levá-
los para a banda de energia de condução. Este processo causa uma avalanche de
portadores de carga e a corrente aumenta rapidamente. A tensão em que ocorre a
avalanche de corrente é denominada tensão de ruptura reversa (VBR) e para o diodo de
silício está compreendido entre 50 e 1000 V, dependendo do processo de fabricação do
diodo.

Fig. 5 Curvas características I-V para diodos de germânio e silício

A temperatura afeta as características operacionais do diodo, como mostra a


Fig.6, por causa da influência da ativação térmica sobre a junção e na criação de

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portadores majoritários. Normalmente, quanto maior a temperatura, maior será a
condutividade elétrica e menor será a tensão de polarização do diodo. Este fato concorda
com as características de coeficiente negativo da temperatura (NTC) para os materiais
semicondutores.

Fig. 6 Curvas características I-V para o diodo de silício mostrando a influência da


temperatura.

Quando o diodo está conduzindo no sentido direto, isto é, do anodo para o


catodo, e a corrente reverte abruptamente, ele se “esquece” de bloquear esta corrente
reversa durante um curto intervalo de tempo, chamado tempo de recuperação reversa trr.
Durante este tempo, uma grande corrente é conduzida pelo diodo e esta corrente
denomina-se corrente de recuperação reversa irr.

Processo de fabricação de diodos.


Os diodos atualmente são fabricados utilizando-se técnicas desenvolvidas para a
fabricação de dispositivos semicondutores, como os transistores e circuitos integrados. A
Fig. 7 mostra o fluxograma de fabricação de diodo empregando tecnologia planar.
Empregam-se etapas de deposição de polímeros, reação química no estado gasoso e no
estado sólido, utilizando-se fornos de crescimento de cristal e de reação química por
vapor (CVD). Alguns desses equipamentos estão ilustrados nas Figuras 8, 9 e 10.
O aspecto real de um diodo está apresentado na Fig. 11, onde se observa a
estrutura de camadas crescidas, depositadas e difundidas, para a fabricação da junção PN
e das conexões elétricas externas.

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