Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Ref : Keiser
Detektor Silikon PIN
Syarat foto detektor
Ln = Dnτ n
Lp = D pτ p
−α S ( λ ) x
P( x) = P0 (1 − e )
αs(λ) : koefisien absorbsi pd panj gel λ
P0 : daya datang optis
P(x) : daya optis diserap sejauh x
hc 1,24
λC ( μm) = =
Eg E g (eV )
λC =
hc
=
( )(
6,625 x10 −34 J .s 3x108 m / s)= 0,869μm
Eg (
(1,43eV ) 1,6 x10 J / eV
−19
)
1,24
atau λC = = 0,867 μm
1,43
−α S w
P( w) = P0 (1 − e )
Jika memperhatikan reflektifitas permukaan dioda-
foto Rf, maka arus foto primer Ip :
)(1 − R f )
q −α S w
Ip = P0 (1 − e
hf
q : muatan elektron
hf : energi photon
Efisiensi kuantum :
Responsivitas :
Ip ηq
ℜ = = [A/W]
P0 hf
Parameter ini sangat berguna karena menspesifikasikan
arus foto yg dibangkitkan tiap satuan daya.
Perbandingan responsivitas dan efisiensi kuantum sbg
fungsi panj gel
Contoh
InGaAs pd panj gel 1100 nm < λ < 1600 nm, memiliki
efisiensi kuantum 60 %.
Berapa responsivitasnya pd panj gel 1300 nm ?
Jika daya optis yg datang 10 μW, berapa arus foton yg
dibangkitkan ?
Avalanche Photodiode
APD secara internal melipat gandakan arus foto sinyal
primer sebelum memasuki sirkit penguat Î
meningkatkan sensitifitas penerima.
Mekanisme pelipatgandaan elektron/hole disebut
impact ionization.
Carrier baru yg dibangkitkan juga dipercepat oleh
medan listrik kuat, shg menguatkan energi utk impact
ionization selanjutnya.
Phenomena tsb disebut efek avalanche.
Dibawah tegangan breakdown jumlah carrier yg
dibangkitkan tertentu, sedangkan diatas teangan
breakdown carrier yg dibangkitkan dpt tak terbatas.
Konstruksi p+πpn+ reach-through APD
ηq
Responsivitas : ℜ APD = M = ℜ0 M
hf
Laju ionisasi carrier hasil percobaan
Contoh