Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Ref : Keiser
1
Noise Detektor Foto
S Daya sinyal dr arus foto
--- = ------------------------------------------------------------------
N Daya noise detektor foto + daya noise penguat
Sumber noise di penerima meningkat dr noise detektor foto
akibat dr sifat alami proses konversi photon-elektron dan
noise termal di sirkit penguat.
is2 = i p2 (t )
Utk dioda avalanche arus sinyal mean square :
is2 = i p2 (t ) M 2
4
Utk sinyal input bervariasi sinusoida dgn indeks
modulasi m, komponen sinyal :
m2 2
i (t )
2
p = Ip
2
m : indeks modulasi
5
Arus noise kuantum mean square :
iQ2 = 2qI p BM 2 F (M )
B : Lebar pita
F(M) : noise figure
F(M) = Mx , 0 ≤ x ≤ 1,0, tergantung bahan
Detektor pin Î M = 1, Î F(M) = 1
2
iDB = 2qI D BM 2 F (M )
ID : arus bulk dark detektor primer (tanpa perkalian)
6
Surface leakage current (surface dark current) mean square:
i 2
DS = 2qI L B
IL : arus bocor permukaan
S i p2 M 2
=
N 2q (I P + I D )BM 2 F (M ) + 2qI L B + 4k BTB / RL
M optimum :
x+2 2qI L + 4k BT / RL
=
xq(I p + I D )
M opt
9
Contoh
Dioda foto pin GaAs memiliki parameter pd panj gel 1300 nm :
ID = 4 nA, η = 0,65, RL = 1000 Ohm dan IL diabaikan.
Daya optis datang 300 nW, lebar pita penerima 20 MHz, T =300o
K.
Hitunglah :
(a) Arus foto primer
(b) Noise2 di penerima.
(c) S/N jika m = 0,8
10
Waktu Respon Detektor
11
Kondisi steady state rapat arus total mengalir
melalui lapisan deplesi tegangan mundur :
J tot = J dr + J diff
Jdr : rapat arus drift dihasilkan oleh carrier yg dibangkitkan
dlm daerah deplesi
Jdiff : rapat arus difusi timbul dr carrier yg dihasilkan diluar
daerah deplesi dlm semikonduktor (daerah n dan p) dan
berdifusi kedalam junction teg mundur.
∂ 2 pn pn − pn 0
Dp − + G(x ) = 0
∂x 2
τp
G ( x ) = φ0α s e −α x x
Dp : koefisien difusi
Pn : konsentrasi hole di bahan tipe-n
tp : excess hole life time
Pn0 : rapat hole kondisi seimbang/equilibrium
G(x) : laju pembangkitan elektron-hole
13
Shg rapat arus difusi :
α s Lp −α w Dp
J diff = qφ0 e s
+ qpn 0
1 + α s Lp Lp
⎛ e −α s w ⎞ Dp
J tot ⎜
= qφ 0 1 − ⎟ + qpn 0
⎜ ⎟
1 + α s Lp ⎠ Lp
⎝
15
Respon dioda foto thd pulsa masukan optis
16
Waktu respon suatu dioda foto yg tidak dideplesi penuh
17
Respon pulsa dioda foto dr berbagai parameter detektor
18
Variasi faktor noise electron excess sbg fungsi dr penguatan
elektron utk berbagai harga perbandingan laju ionisasi efektif keff
19
Pengaruh Suhu pd Penguatan APD
1
M =
1 − (V / VB )
n
V = Va − I M RM
VB (T ) = VB (T0 )[1 + a(T − T0 )]
n(T ) = n(T0 )[1 + b(T − T0 )]
20
VB : Teg breakdown saat M menjadi tak hingga
n : tgt material, nilai 2,5 – 7
Va : teg bias mundur detektor
IM : arus foto multiplied
RM : tahanan seri foto dioda dan beban detektor
a, b : konstanta, positip utk RAPD dan ditentukan dr grafik
percobaan penguatan thd suhu.
21
Pengaruh suhu terhadap penguatan APD silikon pd 825 nm
22