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RBS - Rutherford Backscattering Spectroscopy

1 - Introdução

1.1- Breve descrição da análise por RBS

2 - Aplicações da Técnica de RBS

2.1- Impurezas de Superfície

2.2- Perfil da Distribuição de Impurezas

2.3- Medida da Espessura

3 - Interpretação de um Espectro RBS

4 - Fundamentos da Análise por RBS

4.1- Introdução

4.2- O Fator Cinemático

4.3- Seção de choque e espalhamento

4.4- Perda de Energia e Poder de Freamento

4.5- Aproximação de Energia de Superfície

4.6- Fatores de Perda de Energia e Seção de Choque de Freamento

4.7- A Regra de Bragg

5 - Métodos de Medida

6- Interpretação de um Espectro Simples de RBS

7- Análise Qualitativa de Alguns Espectros RBS

8- Aplicações Especiais de RBS(Canalização)

9- Conclusões

1- Introdução

Os métodos de análise por RBS(Rutherford Backscattering Spectroscopy) e

PIXE(Proton Induced X-Ray Emission) são parte de um conjunto maior de métodos

nucleares-espectroscópicos denominados de análise de materiais por feixes iônicos(IBA -

Ion Beam Analysis). A partir das análises destes métodos podemos determinar a
composição ou perfil elementar em profundidade de um material ou filme fino(da algumas

centenas de nm). Estes métodos normalmente usam feixes que incidem sobre a amostra de

, He

ou He

++

monoenergéticos com energias de alguns MeV e correntes da ordem de

nA. A energia dos íons de alguns MeV limita a profundidade analisada em alguns µm,

sendo então estas técnicas conhecidas mais como de análise de filmes finos. Os métodos de

PIXE e RBS combinados podem identificar e quantificar todos os materiais da tabela

periódica exceto H e He, com limites de detecção variando de frações de porcento a ppm

em amostras mais espessas.

1.1- Breve descrição da técnica de RBS

A técnica de RBS consiste em medir a energia de partículas de um feixe

monoenergético que sofreram colisões com os átomos do alvo que queremos analisar e queforam
retro-espalhadas(Backscattering). Durante a colisão os íons incidentes perderão

energia por colisões com os átomos do material, a taxa de redução de energia da partícula

espalhada (ou retroespalhada) depende da razão das massas da partícula incidente e do

átomo alvo. Isto permite identificar qual a massa dos átomos do alvo e portanto qual

elemento químico correspondente.

Sabendo-se qual é a identidade do átomo alvo, a sua densidade em átomos/cm

pode

ser determinada pela probabilidade de colisão entre as partículas incidentes e os átomos do


alvo, medindo-se o número total de partículas detectadas, A, para um certo número Q de

partículas incidentes, que é medido pela corrente do feixe. A conexão entre A e Q é dada

pela seção de choque e espalhamento. Um diagrama esquemático do arranjo experimental é

mostrado na figura 1.

Figura 1 - Diagrama esquemático de um experimento de RBS

A distância relativa à superfície onde ocorreu a colisão pode ser inferida a partir da

perda de energia da partícula durante seu trajeto dentro da amostra. Quando um íon se move

dentro da matéria, ele perde energia por colisões com os elétrons do material, portanto a

perda de energia no percurso é diretamente proporcional a distância percorrida no interior

da amostra. Desta maneira é possível estabelecer uma escala de profundidade com a energia

das partícula espalhadas(as partículas que foram espalhadas na superfície tem energia maior

que as espalhadas no interior do filme).

A energia da partícula espalhada então depende:

- Da energia do feixe;

- Da razão das massas da partícula incidente e alvo(que vamos chamar depois de

fator cinemático)

- Do local onde ocorreu a colisão(superfície-maior energia, dentro do filme-menor

energia).2 - Aplicações da Técnica de RBS

A análise de RBS nos permite qualificar um material quanto à sua composição

química de acordo com algumas limitações. É preciso entender o que se está analisando

para a correta interpretação de um espectro obtido. O que é muito comum em análises de

RBS é o aparecimento de elementos estranhos, contaminações, que deviam estar ausentes

ao processo de obtenção do material. Em alguns casos camadas de superfície oxidadas

podem gerar distorções nos espectros, elementos pesados incorporados aos filmes podem

fazer com que sinais de elementos leves como Oxigênio e Nitrogênio desapareçam do

espectro ou os tornem de difícil quantificação. Vamos citar algumas aplicações da análise


de RBS brevemente para que o leitor se familiarize com os tipos de problemas encontrados.

2.1- Impurezas de superfície

Uma das aplicações da análise de RBS é a identificação de impurezas de superfície.

O espectro mostrado na figura 2 abaixo representa um substrato de Si com contaminações

de Cu, Ag e Au cada um deles com cerca de 1x10 15 átomos/cm 2.

Cada um dos elementos na superfície tem seu pico de espalhamento na energia KmE0 (Km fator
cinemático do elemento m). Devemos notar que a conversão de massa-energia via fator
cinemático é única mas não linear. A área de cada pico é proporcional ao número de átomos de
impureza por unidade de área e seção de choque e espalhamento do elemento.

Figura 2 - Impurezas de superfície detectadas por RBS.

Neste caso, como a concentração dos elementos na superfície é a mesma, a altura do pico reflete
a diferença entre a seção de choque e espalhamento entre os elementos. Isto significa que o seção
de choque do Au é maior que as dos outros elementos. Podemos medir a quantidade de cada
elemento dividindo a área de cada pico pela seção de choque conseguindo assim resultados
quantitativos sem usar nenhum padrão de calibração.

2.2- Perfil da distribuição de impurezasComo segundo exemplo temos a análise da concentração


de As implantado em uma amostra de Si tratada termicamente onde o As deve difundir para
dentro da amostra como mostrado na figura 3. Neste caso, os átomos de As mais profundos tem o
mesmo Kas mas a energia com que os íons de He estão atingindo estes átomos é menor, gerando
o perfil na figura. Podemos então transforma o espectro RBS em um espectro de concentração de
As por espessura.

Figura 3 - Espectro RBS mostrando a distribuição de As em uma camada implantada em um


substrato de Si.

Comparado com outros tipos de medida, o RBS não é tão sensível para pequenas

camadas e concentrações. Sua vantagem reside na não destruição da amostra e da não

necessidade de um padrão de calibração.

Logicamente é necessário observarmos aqui que os espectros de As e Si são bem

separados e comportados. Se quiséssemos medir a concentração de Si em GaAs teríamos o

problema do espectro do Si ficar sobreposto ao do GaAs que nos tornaria mais complicada

a análise.(imagine o caso GaAs dopado com C!!).

2.3- Medida de espessura


Logicamente podemos medir a espessura de um filme por RBS mas devido a

existência de outras técnicas isto não é feito com freqüência. A vantagem de podermos

inferir a espessura de uma análise de RBS é que podemos corrigir a nossa análise de uma

forma coerente. Basicamente a largura do pico depende da espessura do filme como mostra

a figura 4. Isto quer dizer que a energia onde começa o espectro é KmE0 e quanto mais

profundo ocorre a colisão, menor é a energia do feixe(devido a perda de energia por

colisões com os elétrons) gerando um sinal a menores energias. Isto é mostrado na figura....Figura
4 - Espectro de RBS mostrando amostras de diferentes espessuras.

3- Interpretação de um espectro RBS

Uma das vantagens da análise RBS é que podemos interpretar facilmente um

espectro. Como exemplo, partimos de filme fino homogêneo sobre um substrato que deve

ser espesso suficiente para ser considerado infinito(por volta de 10µm é o suficiente). Este

filme é composto pelos materiais M e m e o substrato é de um material mais leve que os

compostos pelo filme(isto faz com que os picos de espalhamento do filme fiquem longe do

espalhamento do substrato) e início dos picos de espalhamento para os materiais estarão

localizados em KME0 e KmE0. A largura dos picos nos trás a informação da espessura do

filme. Este tipo de espectro é de simples análise, mostrado na figura 5.

Neste espectro podemos generalizar:

- Elementos de maior massa "aparecem", geram um sinal de espalhamento a

energias maiores e elementos de menor massa geram sinal em menores energias.

- Se a massa do elemento é alta, sua contagem no espectro será alta devido à sua

maior seção de choque. Para medirmos então a sua quantidade por cm

precisamos então

normalizar as contagens de acordo com a carga do feixe e com a seção de choque.

Sumarizando, a borda do pico do espectro para o elemento m fica em KmE0 e a


contagem é proporcional à seção de choque e espalhamento.Figura 5 - Espectro RBS de um filme
fino.

No caso de termos um filme espesso, o suficiente para que a maior parte da energia

do feixe seja absorvida ou espalhada, de material M e m como no exemplo anterior. Neste

caso, o espectro deve ficar diferente, como mostrado na figura 6. As energias de

espalhamento da massa M vão agora se estender desde KME0 até 0(pois o filme é espesso,

ou infinito para o feixe). As contagens para o elemento m, mais leve, também se estenderão

desde KmE0 até 0, só que neste caso, as contagens de m se sobrepõem sobre as de M

gerando o espectro da figura 6. Todas as propriedades se aplicam novamente neste caso,

apenas temos de descontar as contagens dos elementos quando fazemos a medida dos

átomos/cm

Este ultimo tipo de espectro é bem comum nas análise de micro-eletrônica.

Normalmente são usados substratos de Si que geram um espectro bem largo e todos os

outros elementos mais leves, Na, O, Cl ou F têm seus sinais sobrepostos ao do Si.

Podemos concluir que é importante a interação entre os elementos do substrato

usado e do filme nas análises de RBS. Filmes de SiO2 sobre Si geram espectros que emprimeira
ordem podem ser simples mas que não podem mostrar como fica a distribuição do

Si com a profundidade no SiO2. Precisamos antes de fazer uma análise RBS prever quais

problemas podem surgir e qual substrato é o mais adequado para a análise. Substratos de

Carbono são sempre a melhor opção devido ao seu pequeno Kc, a borda de espalhamento

vai ficar em energias pequenas não se misturando com os outros espectros de espalhamento.

Figura 6 - Espectro de uma amostra espessa.4- Fundamentos de Análise por RBS.

4.1- Introdução

Outra vantagem da análise por RBS está na teoria usada para resolver os espectros,
que usa mecânica clássica assumindo que as colisões entre as partículas são elásticas. Os

principais fenômenos físicos envolvidos no retroespalhamento podem ser sumarizados

como:

- Energia transferia de um projétil ao átomo do alvo segundo um modelo de colisão

elástica entre dois corpos, que nos leva ao conceito do fator cinemático e da capacidade de

detecção da massa.

- Como na ocorrência de uma colisão entre dois corpos, podemos pensar no conceito

de seção de choque de espalhamento(scattering cross section) que nos leva a quantificar a

composição atômica.

- Durante o movimento de um átomo dentro de um sólido, este perde energia por

colisões com os elétrons do material, o que nos infere uma seção de choque de

freamento(stopping cross section) e a capacidade de se medir a espessura.

- Flutuações estatísticas na perda de energia de um átomo se movendo dentro da

matéria que leva ao processo de perda de energia(energy straggling) e a limitação de

resolução de massa e espessura na espectroscopia de retroespalhamento.

- Outros efeitos de importância relativa como a aproximação de energia de

superfície podem ser modelados.

- Alguns efeitos que podem surgir de estruturas cristalinas como a canalização que

faz com que os átomos do feixe tenham um alcance médio maior gerando informações de

camadas mais profundas.

4.2 - Fator Cinemático

O fator cinemático é responsável por determinar onde no espectro teremos a

contagem para um determinado átomo. O início da contagem para o elemento m ocorre para

KmE0. Vamos agora determinar como obter o valor para Km

Quando uma partícula de massa M1 com uma velocidade constante colide

elasticamente contra outra de massa M2 parada, como na figura 7, a energia será transferida
da partícula M1 para M2. Podemos calcular quanto será esta transferência partindo de uma

análise baseada na mecânica clássica.. No nosso modelamento a massa M1 represento a

partícula do nosso feixe e a massa M2 a do nosso alvo. Este tipo de modelo é bastante

razoável para a análise de RBS e esta aproximação é válida para as seguintes condições:

- A partícula do feixe tem energia E0 grande, maior que a energia de ligação dos

átomos do alvo. As energias de ligação são da ordem de 10eV.

- Reações nucleares e ressonâncias da rede não devem ocorrer. Esta condição impõe

restrições nas energias máximas usadas nos feixes. Para um feixe de H

, efeito nucleares

começam a ocorrer em torno de 1MeV e para o He

entre 2 a 3 MeV.Figura 7 - Diagrama esquemático das colisões entre átomos usadas no cálculo do

espectro RBS.

Aplicando as leis de conservação de energia e momento da mecânica clássica e

resolvendo o sistema de equações que obtemos do nosso sistema:

1/2(M1V0

)=1/2(M1V1

+M2V2

) (1)

M1V0=M1V1cosɽ+M2V2cosʔ (2)

0=M1V1sinɽ-M2V2sinʔ (3)

Eliminando ʔ e V2 temos:
V1/V2=((M2

-M1

sin

ɽ)

1/2

+M1cosɽ)/(M2+M1) (4)

Definimos o fator cinemático como a razão da energia cinética da partícula depois

da colisão dividido por antes da colisão.

K=E1/E0 (5)

Que é obtido das fórmulas acima:

KM2 = [((M2

-M1

sin

ɽ)

1/2

+M1cosɽ)/(M2+M1)]

(6)

KM2 = [(1-(M1/M2)

2
sin

ɽ)

1/2

+(M1/M2)cosɽ)/(1+(M1/M2))]

(7)

Portanto temos como calcular o fator cinemático para cada par feixe elemento. Isto

nos permite então prever qual é no espectro de espalhamento que devemos obter de um

determinado material. Se mudarmos as coordenadas do nosso sistema de referência para o

do centro de massa do problema(Marion68), o problema fica simplificado para:

KM2=1-(2M1M2/(M1+M2)

)(1-cosɽc) (8)

Onde ɽc é o ângulo de espalhamento no sistema de coordenadas do centro de massa.

O fator cinemático portanto depende apenas da razão das massas dos átomos do alvo e feixee do
ângulo de espalhamento. Abreviando a razão M2/M1 por x, vamos analisar como K se

altera de acordo com ɽc e x. Fazendo um gráfico de K por x e ɽc a partir da equação 7 como

mostrado na figura 8, notamos que para qualquer razão de x, K tem seu valor mínimo em ɽc

igual a 180

Calculando os valores para 180 e 90 .

temos:

K(ɽc =180)=[(1-x)/(1+x)]

2
(9)

K(ɽc =90)=(1-x)/(1+x) (10)

Figura 8 - Fator cinemático em função do ângulo de espalhamento e da razão de

massa x.

Do gráfico vemos que se temos a mesma massa para os átomos do alvo e feixe,

estes possuem K igual a zero para ângulos maiores que 90

, demonstrando que para

partículas de mesma massa não ocorre retroespalhamento.

Para ângulos perto de 180

que tem especial interesse na nossa análise, precisamos

de uma expressão aproximada para K. Para isso usamos ɷ como a diferença entre ɽ e 180

em unidades de arco de radiano como:

ɷ=ʋ - ɽ (11)

Fazendo agora uma expansão em torno de ɷ temos como boa aproximação para K:

K=((1-x)/(1+x))

(1+xɷ

) (12)Quando ɽ se aproxima de 180

, K aumenta quadraticamente com ɷ. Se a razão das

massas, x, aumentar, isto afeta K proporcionalmente. Se a razão das massas é pequena,

podemos aproximar ((1-x)/(1+x))


2

por 1-4x. Temos então para o canto superior à direita da

figura x o fator cinemático como:

K=1+4x+ɷ

x (13)

Esta fórmula é bem conveniente para estimar K nas regiões de interesse na análise

RBS.

As equações 5, 6 e 7 nos mostram como podemos determinar a massa de um átomo.

Se soubermos a energia com que aceleramos o átomo do feixe E0, sua massa e a energia E1

e o ângulo da partícula retroespalhada, a única incógnita nas equações será agora a massa

M2.

Na prática, quando temos um alvo composto por dois materiais de massas próximas

diferindo de ѐM2 é necessário que as energias das partículas retroespalhadas difira em ѐE1

grande de modo que possamos detectar as energias uniquivocamente.

Da figura x vemos que para uma massa M1 fixa a variação de K é máxima para ɽ

igual a 180

Temos então que a posição mais lógica para se colocar um detetor é 180 .

Entretanto existem problemas práticos que impedem que coloquemos o detetor a 180

pois

este obstruiria o feixe incidente. Detetores em ângulos por volta de 170

O
são os mais

comuns e detetores anelares de estado sólido chegam a quase 180

possuindo uma abertura

no centro do detetor para que o feixe possa passar pelo mesmo. Supondo um feixe de He

com 2.3MeV de energia e detecção a 170

com um detetor de barreira de superfície com

resolução analítica de 10 a 20keV, pode-se discriminar uma diferença de massa de

ѐM2=2u.m.a. para M2 menor que 76u.m.a. correspondendo ao elemento As(Z=33).

Elementos acima deste limite podem ser identificados univocamente.

Em termos quantitativos ѐE1 e ѐM2 são relacionados um ao outro:

ѐE1=E0(dK/dM2) ѐM2 (14)

Na vizinhança de ɽ igual a 180

K é aproximado pela equação 12, então temos para

M2>>M1:

ѐE1=E0(4-ɷ

)(M1/M2

) ѐM2 (15)

Os sistemas de RBS possuem um limite de resolução em energia, se ѐE1 cai abaixo

deste limite, não podemos distinguir entre as duas massas do alvo. Para melhorarmos esta

resolução, precisamos de ѐM2 o maior possível, podemos então:


- Aumentar a energia E0;

-Usar um projétil de maior massa M1

-Medir a energia das partículas retroespalhadas à um ângulo o mais próximo de

180

(pequeno ɷ).

Por último, o fator cinemático representa a alma da análise por RBS, é importante

termos entendimento de como ele se modifica para os diferentes ângulos e massas dos

elementos do feixe e alvo.4.3- Seção de Choque e Espalhamento

Num espectro de RBS temos no eixo Y a contagem das partículas detectadas. Para

que uma partícula seja retroespalhada e apareça na contagem no eixo Y é necessário que

esta partícula realize uma colisão e atinja o detetor. Qual a probabilidade de uma partícula

sofrer uma colisão e gerar um espalhamento num ângulo ɽ é a questão que vamos

esclarecer.

O número de partículas detectadas depende da probabilidade de uma colisão, do

número de total de partículas incidentes e o número de átomos por cm

na amostra. A

probabilidade de se detectar as partículas espalhadas por átomos do alvo é dada pela seção

de choque diferencial definida como:

()
ё

ёQ

dQ

dNt

ʍ1

(16)

Onde t.N é o número de átomos de uma espécie por unidade de área na amostra.

Voltando ao número de partículas detectadas, ele esta relacionado com a seção de choque

por:

por cm na amostra

número de átomos

partículas incidentes

número total de

etadas

número de partículas

det

ʍ (17)

Sendo ё o ângulo sólido suficientemente pequeno em que as partículas estão

chegando no detetor, podemos associar dʍ/dё uma seção de choque média por:

ёё
=

юё

(18)

Onde ё=a/l

, representando a a área efetiva do detetor e l a distância do detetor à

amostra. Para geometria da figura 9 pode-se escrever:

A=ʍ ё Q N t (19)

Onde A é o número de partículas detectadas, ʍ é a seção de choque e espalhamento

na colisão e N t a densidade de átomos na amostra em átomos/cm

A seção de choque e .

espalhamento pode ser calculada a partir da força que age nas partículas durante a colisão.

Considerando a interação de natureza essencialmente coulombiana e o átomo alvo

estacionário, a seção de choque no sistema de coordenadas do centro de massa(razoável

pois M1<<M2) é dada pela equação 20. Esta é a fórmula clássica de Rutherford obtida em

1911, que apesar de aproximada, já estabelecia a correta dependência de sigma com E

-2

sen

-4
(ɽ/2). A equação foi desenvolvida no sistema CGS e a conversão pode ser feita

substituindo e

por q

/4ʋ ɸ0.( )

ZZ e

c Ec c

ёɽ

12

2
2

sin 4 2

(20)

No espalhamento coulombiana, a distância de máxima aproximação, d, ocorre para

ɽc=180

,Igualando a energia cinética do projétil do feixe à energia potencial eletrostática .

obtêm-se para íons de He

com 2MeV incidindo sobre átomos de Prata(Ag, Z=47) a

distância de máxima aproximação d=6.8x10

-5

nm, cerca de 7% do raio da camada eletrônica

K do átomo de Prata, 10 vezes maior que o raio do núcleo. A seção de choque nestas

condições vale ʍ(180)=2.9x10

-10

nm

ou 2.9b (1b=1barn=10

-24

cm

.(

Figura 9 - diagrama esquemático para a detecção de partículas em

retroespalhamento(RBS).
Transformando a equação 20 acima para o sistema de coordenadas do laboratório,

temos a seguinte fórmula generalizada.

()

()

ZZ e

MM

MM

ɽɽ

о
+

12

12

12

1
1

sin

sin cos

sin

(21)

Se desconsiderarmos o fator (Z1Z2e

/4E)

, a seção de choque diferencial de

Rutherford depende apenas da razão das massas M1/M2 do projétil e do alvo e do ângulo de

espalhamento ɽ. Um gráfico de dʍ/dё por M1/M2 e ɽ obtido a partir da equação 21 é

mostrado na figura 10. Observamos que dʍ/dё tem seu valor mínimo para qualquer

combinação de M1/M2 em 180

Usando a aproximação por volta de 180 .

como ɽ=ʋ-ɷ, a

seção de choque diferencial aumenta quadraticamente com ɷ.

(dʍ/dё)/(Z1Z2e

/4E)

2
=(1-x

+(1/2)bɷ

(22)Onde b=1-3x

+2x

A fórmula mostra que próximo a 180 .

a seção de choque não

varia muito com o ângulo de espalhamento. Isto nos permite usar detetores em ângulos

menores a 180

e usar os valores da seção de choque em 180

com boa aproximação. Para

M1<<M2, no canto inferior da figura 10, a dependência angular da equação (21) pode ser

expandida em uma série de potências:

ZZ e

M
M

ʍɽ

12о

2
2

41

42

sin 2 ! (23)

Onde o primeiro termo omitido é da ordem de (M1/M2)

O último termo da .

expansão mostra dependências importantes da seção de choque diferencial de Rutherford:

- dʍ/dё é proporcional a Z1

A contagem de espalhamento obtida com feixe de .

He(Z=2) é 4 vezes maior que a obtida com feixe de H(Z=1) e apenas um nono da produzida

por um feixe de C(Z=6);

- dʍ/dё é proporcional a Z2

Para um dado projétil, átomos pesados produzirão .

mais contagens que átomos leves;

- dʍ/dё é inversamente proporcional ao quadrado da energia do projétil(E

-2

). A

contagem aumenta rapidamente com a redução da energia de bombardeio;

- dʍ/dё é simétrico em relação ao eixo de incidência do feixe, ou seja, dʍ/dё é

função de ɽ apenas;

- dʍ/dё é proporcional a quarta potência de sin(ɽ/2) quando M1<<M2. Esta


dependência nos dá o aumento rápido de contagens quando o ângulo ɽ é reduzido.

Figura 10 - Dependências da seção de choque diferencial com o ângulo de

retroespalhamento e razão das massas.Para alguns casos são necessárias aproximações melhores
para a seção de choque.

Quando ɽ é tende a zero, ʍ tende ao infinito, que viola a condição de que a seção de

espalhamento de um átomo deve ser pequena o suficiente para que não se sobreponha a

outros átomos. Pequenos ângulos de espalhamento correspondem a passagens rasantes com

grandes distâncias entre o átomo e o núcleo nas quais as colisões são apenas eletrônicas.

Neste tipo de colisão a interação eletrostática não tem muito importância e a fórmula para a

seção de choque tem de ser corrigida. Uma situação similar acontece quando projéteis de

baixa energia colidem com átomos pesados. Nestes casos é necessário incluir o efeito de

blindagem dos elétrons no potencial para o cálculo da seção de choque.

Como comentário final, a seção de choque diferencial deve ser usada conforme o

grau que necessitamos na nossa análise. Para alguns tipos de analisadores é necessário

alterar a seção de choque. Estes tipos, eletrostáticos e magnéticos, tem boa resolução e

precisão em baixas energias.

4.4-Perda de Energia e Poder de Freamento

Quando um íon com alta energia se move em um meio material, este perde energia

em seu caminho devido a colisões com elétrons livres ou não ou colisões atômicas de baixo

ângulo(perda de energia nuclear). Podemos separar os dois processos em faixas de energia,

a energias altas, o processo dominante é a colisão eletrônica e para baixas energias temos

interações nucleares. Partículas de alta energia quando atingem um alvo devem penetrá-lo

devido ao grande ângulo de espalhamento que é necessário para que as partículas sofram o

retroespalhamento que tem pequena probabilidade de acontecer como discutido na seção

anterior. A espectroscopia de retroespalhamento de Rutherford é um processo de segunda

ordem, os íons implantados, primeira ordem, tem que gerar colisões para que possam ser
detectados, segunda ordem.

Nas faixas de energia usadas em RBS, acima de 2MeV para He

, os íons perdem

energia principalmente devido colisões inelásticas eletrônicas, que resultam em excitações e

ionizações dos elétrons dos átomos. Apesar de ser um fenômeno quântico e discreto, o

grande número de eventos que ocorre no freamento nuclear de um íon permite um

tratamento macroscópico como se fosse contínuo.

Os conceitos usados para descrever como uma partícula caminha dentro da matéria

são derivados de considerações energéticas. Quando um íon se move dentro da matéria, ele

tem sua energia cinética E=1/2M1v

diminuída. A quantidade de energia ѐE perdida pela

distância ѐx percorrida depende da identidade do projétil, da densidade e composição do

alvo e da velocidade do projétil propriamente. A perda de energia por profundidade na

verdade é representada, de várias formas, como uma variação:

S = -dE/dx [eV/A] (24)

s = -1/ʌ dE/dx [eV/(µg/cm

)] (25)

ɸ = -1/N dE/dx[eV/(at/cm

)]=[eVcm

] (26)Onde ʌ é a densidade de massa do meio, N a densidade atômica total do meio. O

sinal negativo indica que um valor positivo para o poder de freamento já que para um
aumento da distância percorrida, a energia decresce. O desenvolvimento da formulação para

o freamento eletrônico foi primeiramente desenvolvido por Bohr em 1913. Uma formulação

mais correta foi proposta por Bethe contendo várias correções desde a inclusão de elétrons

fortemente ligados até correções relativísticas.

Podemos separar em geral as colisões como rápidas e lentas de acordo com a

velocidade do íon comparado com a velocidade média dos elétrons nas camadas atômicas.

Quando a velocidade do projétil é muito maior que a dos elétrons(colisões rápidas) o

processo é visto como uma pequena perturbação atômica pequena e repentina. Neste caos

temos:

dE/dx=(4ʋZ1

/mv

) NZ2ln(2mv

/I) (27)

Onde v é a velocidade do projétil, m a massa do elétron e I a energia média de

excitação eletrônica(da ordem de 10Z

[eV]). Rescrevendo a equação acima em função da

energia do projétil temos:

dE/dx ~ 1/E ln(E) (28)

Quando v>ve, o poder de freamento para determinado projétil aumenta à medida que

sua energia diminui, o projétil despende mais tempo na vizinhança de um mesmo átomo, e
aumenta linearmente com a densidade do meio. Em regimes de baixa velocidade, v<ve, e

com o projétil não totalmente ionizado, observa-se que o poder de freamento cresce

linearmente com a velocidade. O efeito combinado é uma curva como mostrado na figura

11 abaixo em que o ponto máximo separa dois regimes. Em análise que RBS trabalha-se

em geral com energias do feixe na região de máximo poder de freamento nas quais S varia

de 30 a 60 eV/A.

Figura 11 - Curva genérica do poder de freamento dos íons na matéria4.5-Aproximação de Energia


de Superfície

Determinado que o poder de freamento em análises RBS é aproximadamente linear,

a perda de energia de um feixe de íons num filme fino com espessura t é dada com boa

aproximação por:

ѐE t

dE

dx

dx

dE

dx

in

( ) ю = › (29)

Onde dE/dx|in é calculado em alguma energia intermediária entre a energia incidente

E0 e E(t)=E0-t(dE/dx|in). A hipótese da invariância de ɸ ou dE/dx ao longo da trajetória cria

uma escala linear entre ѐE e t. Em filmes com espessuras menores que 100nm a variação de

energia é suficientemente pequena para que a aproximação de superfície seja usada, dE/dx|in

é calculado para energia inicial E0 ou KE0. Em filmes de maior espessura, podemos usar a
aproximação de energia média onde dE/dx é calculado para a energia média do percurso.

Para um filme de Pt com 500nm de espessura a aproximação de energia média produz uma

diferença de 3% em relação a outra aproximação.

4.6 - Fatores de Perda de Energia e Seção de Choque de Freamento

Partículas espalhadas no interior de uma amostra perdem energia tanto no caminho

de entrada como no de saída rumo ao detetor. No esquema da figura 12, as partículas de um

feixe com energia E0 incidem com ângulo ɽ1 até uma profundidade x e emergem com

energia E1 e ɽ2. Supondo constante o poder de freamento nos dois percursos(entrado e

saída) temos:

E=E0-(x/cosɽ1)(dE/dx)|e (30)

E1=KE-(x/cosɽ2)(dE/dx)|s

(31)

Combinando as equações acima:

ѐEd=KE0-E1=[S].x (32)

Com [S]=-[(1/cosɽ1)(dE/dx)|e+(1/cosɽ2)(dE/dx)|s

(33)

Onde ѐEd é a diferença de energias das partículas detectadas espalhadas na

superfície e na profundidade x. [S] é denominado fator de poder de freamento e estabelece a

escala linear entre energia E1 da partícula detectada por profundidade de espalhamento x.

Na aproximação de superfície o poder de freamento S(e) é determinado na energia E0

enquanto que S(s) é calculado para a energia KE0.

[S]=-[(S(E0)/cosɽ1)+(S(KE0)/cosɽ2) (34)Uma equação similar pode ser escrita para o fator de seção
de choque de freamento

[ɸ].

[ɸ]=-[(E(E0)/cosɽ1)+(E(KE0)/cosɽ2)] (35)

Figura 12 - Diagrama esquemático para os cálculos de poder de freamento.


4.7- A Regra de Bragg

A perda de energia de uma partícula em sua trajetória em um meio material pode ser

vista como uma seqüência aleatória de choques independentes com os átomos do meio.

Para um material composto com mais de uma espécie atômica, a seção de choque de

freamento molecular é dada ponderando-se o valor do poder de freamento nuclear de cada

espécie pelo número de átomos constituintes, que é conhecido como a regra de Bragg:

ɸ(AmBn)=mɸ(A)+nɸ(B) (36)

5-Métodos de Medida

O objetivo desta parte do trabalho é explicar como um espectro de RBS é gerado e

como podemos interpretar um espectro desses a partir dos fundamentos da seção anterior.

Nesta seção faremos uma análise geral, exemplos específicos são mostrados na próxima

seção.

O desenho da figura 13 é uma representação da parte onde ocorre o

retroespalhamento em um RBS. Os componentes do sistema de RBS são mostrados na

figura 14 abaixo O sistema consiste em uma fonte para gerar o feixe de H

ou He

com

energias da ordem de MeV, o suporte para as amostras, um sistema de detecção de

partículas por energia e os analisadores de multicanal. Quando as partículas do feixe de He

atingem a amostra, a maioria delas permanece dentro da amostra, 1 a cada 10000 é

retroespalhada. Destas partículas retroespalhadas, apenas algumas vão atingir o detetor.Quando


um evento deste acontece, o detetor recebe uma partícula, é produzido um pulso.

Este sinal é processado por um analisador multicanal que o classifica conforme a sua
amplitude que corresponde a uma escala em energia. Estes pulsos são então contados em

relação as escalas de energia e ao final temos uma tabela de contagens por energia, que é o

espectro de RBS. Normalmente estes dados são apresentados em gráficos de

contagens(yield) no eixo Y por canal ou energia no eixo X que visam análise de um modo

rápido.

Figura 13 - Representação da montagem experimental de um RBS

Figura 14 - Componentes básicos de um sistema de RBSO sinal gerado no detetor analógico


contêm informação a respeito de algum

parâmetro específico da partícula como seu momento, energia, velocidade ou carga etc. A

partir da caracterização da partícula de acordo com o tipo de detetor temos diferentes nomes

para os espectros. Vamos nos concentrar em detetores de energia que geram um espectro de

retroespalhamento de energia.

O detetor é capaz de detectar partículas com energias dentro de um intervalo ѐE. A

energia de detecção é variada desde a mínima até quase a intensidade do feixe e as

contagens vão sendo armazenadas de forma que possamos gerar um gráfico de contagens

por energia. Existe uma correspondência entre contagens e energia normalmente que pode

ser ajustada como uma escala linear entre eles. A precisão dos canais é responsável pela

discriminação de massas.

Quando a relação entre canais e energia está estabelecida, podemos transformar o

eixo X em energia e vice versa. Normalmente um espectro RBS é interpretado como uma

função contínua H da variável E1. A expressão H(E1) denota as contagens Hi

no canal i para

a energia E1,i

Os termos H e Hi .

são normalmente associados a altura do espectro. A energia

E1 é dada por E1=KE0 do primeiro elemento que aparece no espectro, normalmente o mais
pesado. Na energia KE0 a altura H costuma se chamar de altura de superfície, que

corresponde ao início do espectro de retroespalhamento.

6- Interpretação de um Espectro Simples de RBS

Vamos agora analisar um espectro simples de RBS como exemplo e aplicação do

que foi mostrado até agora. O espectro é de um filme de SiO2 de espessura t=300nm sobre

um substrato de Carbono mostrado na figura 15 abaixo. Este tipo de situação não tem

aplicações na microeletrônica mas serve para que entendamos como funciona uma análise

de RBS.Figura 15 - Espectro RBS de um filme de SiO2 sobre Carbono

O feixe com energia E0 incide sobre a amostra e é espalhado na superfície da

amostra pelos átomos. A energia onde teremos espalhamento para os átomos de Si é KSiE0 e

para o Oxigênio KOE0. Ao atingir a interface com o substrato a energia do feixe é E=E0-ѐE.

Em primeira aproximação ѐE pode ser calculado com a equação (29). Precisamos

determinar então dE/dx do filme para que possamos saber a sua estequiometria, o problema

em questão. Na interface SiO2/C a energia que os átomos de C vão retroespalhar o feixe é

KCE. As partículas espalhadas emergem cada qual com sua energia, são mais uma vez

freadas no seu caminho de saída através do filme , rumo ao detetor, emergindo com as

energias:

E1(C)=KCE0-[S].t E1(O)=KOE0-[S].t E1(Si)=KSiE0-[S].t (37)

Num filme fino como o da figura 15, a largura dos picos elementares no espectro

RBS é dado por:

ѐE0=[S]O

meio

t ѐESi=[S]Si.

meio

(t (38.

Onde [S]y filme indica que no cálculo de [S] usa se o fator cimático Ky e o poder de
freamento do meio(SiO2). As equações (37) nos mostram como podemos obter a

estequiometria do filme, nos resta agora determinar como calcular [S].

A altura Hk das contagens do canal k do espectro é o número de eventos com

energia entre Ek e Ek-ɷ. A relação (32) permite associar a cada canal com uma largura ɷ,

uma fatia da camada, da amostra com espessura x=[S]ɷ. Dessa forma, o número de eventos

coletados Hk é função da espessura da fatia da amostra e do número de unidades

espalhadoras (átomos da espécie i) na fatia. A equação (32) permite calcular Hk

Hk=ʍi

Ek).ё.Q.Ni).

(xi

/cosɽ1) (39)

Onde a espessura foi corrigida pelo fator (cosɽ1)

-1

devido ao ângulo de incidência

não ser normal à superfície. Usando (38) e substituindo [So]/N=[ɸo] assumindo válida a

aproximação de superfície temos:

Hk=ʍi

Eo).ё.Q.ni).

(ɷ/([ɸo]i

meio

cosɽ1))=Ho (40)

O índice "o" explicita a importante condição de espalhamento na superfície e [ɸo] é

o fator de seção de choque de freamento calculado conforme (35). A equação acima mostra

que a altura de um espectro RBS no canal correspondente ao elemento i na superfície é

diretamente proporcional a:

a- Q, o número total de partículas incidentes na amostra;


b- ni=Ni

/N, a fração atômica do elemento i na amostra cuja densidade atômica total

vale N=ɇNi;

c- ʍ(Eo), a seção de choque diferencial média calculada para o elemento i com o

feixe com energia E0;d- ё, o ângulo sólido do detetor;

e- ɷ, a faixa de energia definida por um canal(keV/canal) que é determinada pela

eletrônica;

f- [ɸo]

-1

, o inverso do fator de seção de choque e freamento;

g- (cosɽ1)

-1

, o inverso do ângulo de incidência do feixe na amostra em relação à

normal.

No caso de haver mais de um elemento na camada de superfície, cada qual

produzirá um sinal de superfície com altura Hoi

na respectiva energia E=KiE0. Para dois

elementos A e B com densidades atômicas nA e nB temos:

[]()

[]()

meio

BoBoA

meio

AoAoB

oB

oA
En

En

ʍɸ

ʍɸ

= (41)

Que nos permite obter a razão nA/nB de concentrações atômicas. Em aproximação de

ordem zero, pode-se supor [ɸ]B/[ɸ]A=1 e calcular (nA/nB)o. Com este valor é possível estimar

[ɸ]B/[ɸ]A e refinar o cálculo de nA/nB. Uma única interação produz, em geral, resultados

bastante satisfatórios. Note que a razão HA/HB independe da largura xi

e da densidade

atômica do meio, depende apenas das frações atômicas dos elementos que compõem o

filme.

7- Análise Qualitativa de Alguns Espectros RBS

Vamos agora analisar alguns espectros RBS de algum interesse em aplicações na

microeletrônica que tem resultados interessantes no que diz respeito ao tipo característico

da forma do espectro.

O primeiro espectro, figura 16, mostra o resultado de uma análise de RBS de um

contato de NiSi sobre Si. Vemos que o espectro de espalhamento do Ni fica separado dos

outros sinais devido ao seu fator cinemático ser muito maior que o do Si. Este tipo de

espectro é bem comum quando temos algum tipo de Siliceto, devido aos metais terem

maior massa(maior fator cinemático) o seu sinal de espalhamento ocorrerá em energias

maiores(um espectro semelhante deve ser obtido para TiSi, WSi etc.).

Para o resto do espectro, vemos que o sinal do Si do filme fica separado do sinal do

Si do substrato. Isto se deve pois a energia com que os átomos de He


+

estão chegando no

substrato foi reduzida devido sua passagem através do filme. A altura dos espectros de

espalhamento reflete a composição do do filme, que neste caso é de 30% de Ni e 70% de Si.

Na figura ainda vemos os espectros sem o sinal de fundo do Si e a densidade retirada da

área do gráfico em átomos/cm

.Figura 16 - Espectro RBS de um filme de NiSi sobre substrato de Si

Outro exemplo que podemos mostrar que ilustra problemas com relação ao tipo de

substrato e composição do filme na superfície é mostrado na figura 17 abaixo para filmes

de AlN sobre substratos de GaAs. Neste caso, o sinal do substrato está sobreposto sobre o

dos elementos Al e N. O sinal de espalhamento devido os átomos de Al fica bem visível no

espectro, ao centro do gráfico, mas o sinal devido ao Nitrogênio se confunde com o ruído

de fundo. Outro problema que podemos observar é uma contaminação com Oxigênio no

filme, que piora ainda mais o sinal de espalhamento do Nitrogênio. Na figura ainda são

mostrados os espectros de espalhamento sem o ruído de fundo para os elementos do filme.

Deste espectro podemos concluir que para elementos leves, como N ou O, o ideal seria um

substrato de C que separaria o sinal das espécies atômicas.Figura 17 - Espectro RBS de um filme de
AlN sobre GaAs.

8- Aplicações Especiais de RBS(Canalização)

Existem alguns casos em que as análise de RBS são feitas em condições especiais

para obtermos informações diferenciadas. Um destes tipos são as análise de canalização de

íons. Através desta técnica podemos analisar três importantes fenômenos: Quantidade e

profundidade de desordem da rede cristalina, localização de impurezas nos sítios da rede, e

composição e espessura de camadas de superfície amorfizadas.

Neste tipo de análise é necessário que o feixe de íons esteja alinhado com as
direções dos canais representados por algumas direções dos cristais. O procedimento de

alinhamento é o primeiro passo neste tipo de técnica e consiste a grosso modo em se rodar o

cristal e obter os pontos onde temos mínimos de contagem. A partir destes resultados

posicionamos nosso cristal e iniciamos a análise.

- tipos de análise:

Impurezas substicionais:

Impurezas substicionais podem ser identificadas através deste tipo de análise. A

figura 18 mostra um diagrama esquemático e o espectro RBS obtido para uma análise deste

tipo. Na figura, a área sombreada é o resultado da canalização. Podemos ver que o sinal dos

átomos do substrato representados por círculos tem sua intensidade reduzida na canalização

e que apenas as impurezas que estão presentes fora da rede cristalina aparecem com boa

intensidade neste caso.Figura 18 - Espectro de RBS mostrando a diferença entre canalização e o

aparecimento do sinal das impurezas intersticiais.

- Desordem da rede:

Neste caso a técnica de canalização nos permite inferir sobre como se encontra o

arranjo cristalino. Novamente é necessário que o feixe esteja alinhado para criar o efeito de

canalização. Na figura 19 vemos o espectro que mostra a diferença entre um cristal perfeito

e um que apresenta desordem. No caso A da figura, a desordem foi gerada devido à

implantação de íons para se criar uma camada dopada. A danificação do cristal é superficial

devido a implantação e fica representada no sinal de RBS pela área sombreada da figura.

No caso B da figura, o cristal como um todo apresenta desordem. A inclinação da reta do

espectro representa a quantidade de deslocações na rede cristalina. Existem ainda situações

que representam potenciais erros na interpretação dos espectros como camadas amorfizadas

na superfície de grande espessura que são capazes de acabar com a orientação entre o feixe

e a rede cristalina acabando assim com o efeito de canalização.Figura 19 - Espectro de RBS em


canalização para cristais com desordem
- Filmes Policristalinos:

O grau de cristalinidade de filmes finos pode ser analisado a partir da técnica de

canalização. Na figura x abaixo vemos os espectros para um feixe alinhado em relação ao

substrato, incidindo em um filme fino com diferentes graus de policristalinidade. O espectro

de espalhamento do caso (a), completamente amorfo, é semelhante para um policristal de

baixa orientação(b). Já para o caso (c), a orientação do policristal já é o suficiente para gerar

uma redução do sinal de retroespalhamento. As linhas pontilhadas das figuras representam

o sinal obtido para o feixe em desalinhamento em relação ao substrato.

Em resumo, a técnica de canalização pode nos mostrar detalhes da estrutura que só

poderiam ser obtidos por meio de outras técnicas como difração de raios-X. Como

problemas, o alinhamento do feixe com o substrato é de importância vital para o sucesso da

técnica.Figura 20 - Espectros RBS em canalização para filmes policristalinos.

9- Conclusões

O método de RBS é uma técnica de caraterização de materiais em micro eletrônica

de grande importância. Com a análise de RBS podemos determinar a composição de filmes

finos com boa precisão. Os espectros obtidos são simples de ser interpretados e podemos

discriminar todos os elementos da tabela periódica com exceção do He e H.

Como principais pontos fortes da técnica podemos apontar:

-É não destrutiva, apesar dos átomos do feixe ficarem implantados na amostra, que

podem gerar centros de recombinação;

-É capaz de medir distribuições de camadas enterradas;

- Através de técnicas canalização dos íons do feixe pode-se obter informação

critalográfica;

- Possui alta sensibilidade para massas pesadas.

Entretanto, a técnica de RBS possui desvantagens que a limitam em alguns casos:

-Baixa sensibilidade para elementos leves;


-Baixa resolução entre massas próximas;

-Baixa sensibilidade para pequenas concentrações, abaixo de 1x10

18

/cm

-Informações de natureza química completamente ausentes;

Espectroscopia de retrodispersión RBS-Rutherford

1-Introducción

1-breve descripción del análisis de RBS

2-Técnico aplicaciones de RBS

2.1-superficie impurezas

2.2-perfil de la distribución de impurezas

2.3-medición de espesor

3 interpretación de un espectro RBS

4-fundamentos de análisis por RBS

4.1-Introducción

4.2-factor cinematográfica
dispersión y 4.3-transversal

4.4-pérdida de energía y poder de Freamento

4.5-energía superficie aproximación

4.6-Factores de pérdida de energía y de la sección de Freamento

4.7 el estado de Bragg

Métodos de medición de 5

6-interpretación de un espectro Simple de RBS

7-cualitativos análisis de espectros de RBS algunos

aplicaciones de 8-especial de RBS (fontanería)

9-Conclusiones

1-Introducción

Los métodos de análisis de RBS (espectroscopia de retrodispersión Rutherford) y

PIXE (protones inducida por la emisión de rayos x) son parte de un conjunto más amplio de
métodos

nuclear análisis espectroscópico de materiales por vigas de ion (IBA-

Ion Beam Analysis). En el análisis de estos métodos puede determinar la

composición o perfil de profundidad elemental de un material o de película delgada (de algunos

cientos de nm). Estos métodos utilizan normalmente rayo en la muestra

(H)

Él

o él

++

monoenergéticos con algunos MeV energías y corrientes de la orden de

en. La energía de iones algunos MeV limitada la profundidad analizada en algunos µm,
por lo tanto estas técnicas conocidas como análisis de películas delgadas. Los métodos de

PIXE y RBS combinado puede identificar y cuantificar todos tabla de materiales

periódico excepto h y él, con límites de detección desde fracciones de un por ciento hasta ppm

muestras más gruesas.

1-breve descripción de la técnica de RBS

La técnica de RBS consiste en medir la energía de las partículas de un haz de luz

monoenergético víctimas de colisiones con los átomos del destino que analizamos y queforam
retro-espalhadas (Backscattering). Durante la colisión incidente perderá iones

energía por colisiones con los átomos del material, la tasa de reducción de la energía de la
partícula

propagación (o retroespalhada) depende de la relación de las masas de partículas y el incidente

átomo de destino. Esto permite identificar que la masa de los átomos del objetivo y, por tanto,
que

elemento químico correspondiente.

Sabiendo que es la identidad del objetivo átomo, su densidad en átomos/cm

puede

determinará la probabilidad de colisión entre partículas y átomos de incidentes

destino y el número total de detectan partículas, hasta un número q

partícula incidente, que se mide por la corriente del haz. La conexión entre a y q

sección transversal y dispersión. Es un diagrama de la disposición experimental

se muestra en la figura 1.

Diagrama de la figura 1-esquema de un experimento por RBS

La distancia en la superficie donde se produjo la colisión puede inferirse de la

pérdida de energía de partículas durante su trayectoria dentro de la muestra. Cuando se mueve un


ion
dentro de la historia, pierde energía a través de colisiones con electrones del material, por lo que
la

pérdida de viajes de energía es directamente proporcional a la distancia recorrida en

de la muestra. De esta manera se puede establecer una escala de profundidad con energía

la partícula dispersa (partículas fueron esparcidas en la superficie superior de energía

los dispersos en la película).

La energía de la partícula extendió entonces depende de:

-Haz de energía;

-La relación entre la masa de la partícula incidente y el destino (que llamaremos después

factor cinematográfica)

-El lugar donde la colisión produjo (superficie mayor energía, dentro de la película-menos

aplicaciones de la técnica de energía) EDR.2

El análisis RBS permite describir un material como a su composición

químico de acuerdo con algunas limitaciones. Es necesario comprender lo que está analizando

para la interpretación correcta de los espectros obtenidos. Lo que es muy común en el análisis

RBS es la aparición de elementos extraños, contaminaciones, que deben estar ausentes

el proceso de obtención del material. En algunos casos de capas oxidada superficie

podem gerar distorções nos espectros, elementos pesados incorporados aos filmes podem

fazer com que sinais de elementos leves como Oxigênio e Nitrogênio desapareçam do

espectro ou os tornem de difícil quantificação. Vamos citar algumas aplicações da análise

de RBS brevemente para que o leitor se familiarize com os tipos de problemas encontrados.

2.1- Impurezas de superfície

Uma das aplicações da análise de RBS é a identificação de impurezas de superfície.

O espectro mostrado na figura 2 abaixo representa um substrato de Si com contaminações

de Cu, Ag e Au cada um deles com cerca de 1x10

15
átomos/cm

Cada um dos elementos na .

superfície tem seu pico de espalhamento na energia KmE0 (Km fator cinemático do elemento

m). Devemos notar que a conversão de massa-energia via fator cinemático é única mas não

linear. A área de cada pico é proporcional ao número de átomos de impureza por unidade de

área e seção de choque e espalhamento do elemento.

Figura 2 - Impurezas de superfície detectadas por RBS.

Neste caso, como a concentração dos elementos na superfície éa mesma, a altura do

pico reflete a diferença entre a seção de choque eespalhamento entre os elementos. Isto

significa que o seção de choque do Au é maior que as dosoutros elementos. Podemos

medir a quantidade de cada elemento dividindo a área de cadapico pela seção de choque

conseguindo assim resultados quantitativos sem usar nenhumpadrão de calibração.

2.2- Perfil da distribuição de impurezasComo segundo exemplotemos a análise da concentração de


As implantado em uma

amostra de Si tratada termicamente onde o As deve difundirpara dentro da amostra como

mostrado na figura 3. Neste caso, os átomos de As maisprofundos tem o mesmo Kas

mas a

energia com que os íons de He estão atingindo estes átomos émenor, gerando o perfil na

figura. Podemos então transforma o espectro RBS em umespectro de concentração de As

por espessura.

Figura 3 - Espectro RBS mostrando a distribuição de As emuma camada

implantada em um substrato de Si.

Comparado com outros tipos de medida, o RBS não é tãosensível para pequenas

camadas e concentrações. Sua vantagem reside na nãodestruição da amostra e da não

necessidade de um padrão de calibração.


Logicamente é necessário observarmos aqui que os espectrosde As e Si são bem

separados e comportados. Se quiséssemos medir a concentraçãode Si em GaAs teríamos o

problema do espectro do Si ficar sobreposto ao do GaAs quenos tornaria mais complicada

a análise.(imagine o caso GaAs dopado com C!!).

2.3- Medida de espessura

Logicamente podemos medir a espessura de um filme por RBSmas devido a

existência de outras técnicas isto não é feito comfreqüência. A vantagem de podermos

inferir a espessura de uma análise de RBS é que podemoscorrigir a nossa análise de uma

forma coerente. Basicamente a largura do pico depende daespessura do filme como mostra

a figura 4. Isto quer dizer que a energia onde começa oespectro é KmE0 e quanto mais

profundo ocorre a colisão, menor é a energia do feixe(devidoa perda de energia por

colisões com os elétrons) gerando um sinal a menoresenergias. Isto é mostrado na figura....Figura


4 - Espectro de RBS mostrandoamostras de diferentes espessuras.

3- Interpretação de um espectro RBS

Uma das vantagens da análise RBS é que podemos interpretarfacilmente um

espectro. Como exemplo, partimos de filme fino homogêneosobre um substrato que deve

ser espesso suficiente para ser considerado infinito(porvolta de 10µm é o suficiente). Este

filme é composto pelos materiais M e m e o substrato é de ummaterial mais leve que os

compostos pelo filme(isto faz com que os picos deespalhamento do filme fiquem longe do

espalhamento do substrato) e início dos picos deespalhamento para os materiais estarão

localizados em KME0 e KmE0. A largura dos picos nos trás ainformação da espessura do

filme. Este tipo de espectro é de simples análise, mostradona figura 5.

Neste espectro podemos generalizar:

- Elementos de maior massa "aparecem", geram umsinal de espalhamento a

energias maiores e elementos de menor massa geram sinal emmenores energias.

- Se a massa do elemento é alta, sua contagem no espectroserá alta devido à sua


maior seção de choque. Para medirmos então a sua quantidadepor cm

precisamos então

normalizar as contagens de acordo com a carga do feixe e coma seção de choque.

Sumarizando, a borda do pico do espectro para o elemento mfica em KmE0 e a

contagem é proporcional à seção de choque eespalhamento.Figura 5 - Espectro RBS de um filme


fino.

No caso de termos um filme espesso, o suficiente para que amaior parte da energia

do feixe seja absorvida ou espalhada, de material M e m comono exemplo anterior. Neste

caso, o espectro deve ficar diferente, como mostrado nafigura 6. As energias de

espalhamento da massa M vão agora se estender desde KME0 até0(pois o filme é espesso,

ou infinito para o feixe). As contagens para o elemento m,mais leve, também se estenderão

desde KmE0 até 0, só que neste caso, as contagens de m sesobrepõem sobre as de M

gerando o espectro da figura 6. Todas as propriedades seaplicam novamente neste caso,

apenas temos de descontar as contagens dos elementos quandofazemos a medida dos

átomos/cm

Este ultimo tipo de espectro é bem comum nas análise demicro-eletrônica.

Normalmente são usados substratos de Si que geram umespectro bem largo e todos os

outros elementos mais leves, Na, O, Cl ou F têm seus sinaissobrepostos ao do Si.

Podemos concluir que é importante a interação entre oselementos do substrato

usado e do filme nas análises de RBS. Filmes de SiO2 sobreSi geram espectros que emprimeira
ordem podem ser simples mas que não podemmostrar como fica a distribuição do

Si com a profundidade no SiO2. Precisamos antes de fazer umaanálise RBS prever quais

problemas podem surgir e qual substrato é o mais adequadopara a análise. Substratos de


Carbono são sempre a melhor opção devido ao seu pequeno Kc,a borda de espalhamento

vai ficar em energias pequenas não se misturando com osoutros espectros de espalhamento.

Figura 6 - Espectro de uma amostra espessa.4- Fundamentos deAnálise por RBS.

4.1- Introdução

Outra vantagem da análise por RBS está na teoria usada pararesolver os espectros,

que usa mecânica clássica assumindo que as colisões entre aspartículas são elásticas. Os

principais fenômenos físicos envolvidos no retroespalhamentopodem ser sumarizados

como:

- Energia transferia de um projétil ao átomo do alvo segundoum modelo de colisão

elástica entre dois corpos, que nos leva ao conceito dofator cinemático e da capacidade de

detecção da massa.

- Como na ocorrência de uma colisão entre dois corpos,podemos pensar no conceito

de seção de choque de espalhamento(scattering cross section)que nos leva a quantificar a

composição atômica.

- Durante o movimento de um átomo dentro de um sólido, esteperde energia por

colisões com os elétrons do material, o que nos infere umaseção de choque de

freamento(stopping cross section) e a capacidade de se medira espessura.

- Flutuações estatísticas na perda de energia de um átomo semovendo dentro da

matéria que leva ao processo de perda de energia(energystraggling) e a limitação de

resolução de massa e espessura na espectroscopia deretroespalhamento.

- Outros efeitos de importância relativa como a aproximaçãode energia de

superfície podem ser modelados.

- Alguns efeitos que podem surgir de estruturas cristalinascomo a canalização que

faz com que os átomos do feixe tenham um alcance médio maiorgerando informações de

camadas mais profundas.

4.2 - Fator Cinemático


O fator cinemático é responsável por determinar onde noespectro teremos a

contagem para um determinado átomo. O início da contagempara o elemento m ocorre para

KmE0. Vamos agora determinar como obter o valor para Km

Quando uma partícula de massa M1 com uma velocidadeconstante colide

elasticamente contra outra de massa M2 parada, como nafigura 7, a energia será transferida

da partícula M1 para M2. Podemos calcular quanto será estatransferência partindo de uma

análise baseada na mecânica clássica.. No nosso modelamentoa massa M1 represento a

partícula do nosso feixe e a massa M2 a do nosso alvo. Estetipo de modelo é bastante

razoável para a análise de RBS e esta aproximação é válidapara as seguintes condições:

- A partícula do feixe tem energia E0 grande, maior que aenergia de ligação dos

átomos do alvo. As energias de ligação são da ordem de 10eV.

- Reações nucleares e ressonâncias da rede não devemocorrer. Esta condição impõe

restrições nas energias máximas usadas nos feixes. Para umfeixe de H

, efeito nucleares

começam a ocorrer em torno de 1MeV e para o He

entre 2 a 3 MeV.Figura 7 - Diagrama esquemático dascolisões entre átomos usadas no cálculo do

espectro RBS.

Aplicando as leis de conservação de energia e momento damecânica clássica e

resolvendo o sistema de equações que obtemos do nossosistema:

1/2(M1V0

)=1/2(M1V1

+M2V2
2

) (1)

M1V0=M1V1cosɽ+M2V2cosʔ (2)

0=M1V1sinɽ-M2V2sinʔ (3)

Eliminando ʔ e V2 temos:

V1/V2=((M2

-M1

sin

ɽ)

1/2

+M1cosɽ)/(M2+M1) (4)

Definimos o fator cinemático como a razão da energiacinética da partícula depois

da colisão dividido por antes da colisão.

K=E1/E0 (5)

Que é obtido das fórmulas acima:

KM2 = [((M2

-M1

sin

ɽ)

1/2
+M1cosɽ)/(M2+M1)]

(6)

KM2 = [(1-(M1/M2)

sin

ɽ)

1/2

+(M1/M2)cosɽ)/(1+(M1/M2))]

(7)

Portanto temos como calcular o fator cinemático para cadapar feixe elemento. Isto

nos permite então prever qual é no espectro de espalhamentoque devemos obter de um

determinado material. Se mudarmos as coordenadas do nossosistema de referência para o

do centro de massa do problema(Marion68), o problema ficasimplificado para:

KM2=1-(2M1M2/(M1+M2)

)(1-cosɽc) (8)

Onde ɽc é o ângulo de espalhamento no sistema decoordenadas do centro de massa.

O fator cinemático portanto depende apenas da razão dasmassas dos átomos do alvo e feixee do
ângulo de espalhamento. Abreviando arazão M2/M1 por x, vamos analisar como K se

altera de acordo com ɽc e x. Fazendo um gráfico de Kpor x e ɽc a partir da equação 7 como

mostrado na figura 8, notamos que para qualquer razão de x,K tem seu valor mínimo em ɽc

igual a 180

O
Calculando os valores para 180 e 90 .

temos:

K(ɽc =180)=[(1-x)/(1+x)]

(9)

K(ɽc =90)=(1-x)/(1+x) (10)

Figura 8 - Fator cinemático em função do ângulo deespalhamento e da razão de

massa x.

Do gráfico vemos que se temos a mesma massa para os átomosdo alvo e feixe,

estes possuem K igual a zero para ângulos maiores que 90

, demonstrando que para

partículas de mesma massa não ocorre retroespalhamento.

Para ângulos perto de 180

que tem especial interesse na nossa análise, precisamos

de uma expressão aproximada para K. Para isso usamos ɷcomo a diferença entre ɽ e 180

em unidades de arco de radiano como:

ɷ=ʋ - ɽ (11)

Fazendo agora uma expansão em torno de ɷ temos como boaaproximação para K:

K=((1-x)/(1+x))

(1+xɷ

2
) (12)Quando ɽ se aproxima de 180

, K aumenta quadraticamente com ɷ. Se a razão das

massas, x, aumentar, isto afeta K proporcionalmente. Se arazão das massas é pequena,

podemos aproximar ((1-x)/(1+x))

por 1-4x. Temos então para o canto superior à direita da

figura x o fator cinemático como:

K=1+4x+ɷ

x (13)

Esta fórmula é bem conveniente para estimar K nas regiões deinteresse na análise

RBS.

As equações 5, 6 e 7 nos mostram como podemos determinar amassa de um átomo.

Se soubermos a energia com que aceleramos o átomo do feixeE0, sua massa e a energia E1

e o ângulo da partícula retroespalhada, a única incógnitanas equações será agora a massa

M2.

Na prática, quando temos um alvo composto por dois materiaisde massas próximas

diferindo de ѐM2 é necessário que as energias daspartículas retroespalhadas difira em ѐE1

grande de modo que possamos detectar as energiasuniquivocamente.

Da figura x vemos que para uma massa M1 fixa a variação de Ké máxima para ɽ

igual a 180

Temos então que a posição mais lógica para se colocar umdetetor é 180 .

.
Entretanto existem problemas práticos que impedem quecoloquemos o detetor a 180

pois

este obstruiria o feixe incidente. Detetores em ângulos porvolta de 170

são os mais

comuns e detetores anelares de estado sólido chegam a quase180

possuindo uma abertura

no centro do detetor para que o feixe possa passar pelomesmo. Supondo um feixe de He

com 2.3MeV de energia e detecção a 170

com um detetor de barreira de superfície com

resolução analítica de 10 a 20keV, pode-se discriminar umadiferença de massa de

ѐM2=2u.m.a. para M2 menor que 76u.m.a. correspondendoao elemento As(Z=33).

Elementos acima deste limite podem ser identificadosunivocamente.

Em termos quantitativos ѐE1 e ѐM2 sãorelacionados um ao outro:

ѐE1=E0(dK/dM2) ѐM2 (14)

Na vizinhança de ɽ igual a 180

K é aproximado pela equação 12, então temos para

M2>>M1:

ѐE1=E0(4-ɷ

)(M1/M2
2

) ѐM2 (15)

Os sistemas de RBS possuem um limite de resolução emenergia, se ѐE1 cai abaixo

deste limite, não podemos distinguir entre as duas massas doalvo. Para melhorarmos esta

resolução, precisamos de ѐM2 o maior possível, podemosentão:

- Aumentar a energia E0;

-Usar um projétil de maior massa M1

-Medir a energia das partículas retroespalhadas à um ânguloo mais próximo de

180

(pequeno ɷ).

Por último, o fator cinemático representa a alma da análisepor RBS, é importante

termos entendimento de como ele se modifica para osdiferentes ângulos e massas dos

elementos do feixe e alvo.4.3- Seção de Choque eEspalhamento

Num espectro de RBS temos no eixo Y a contagem daspartículas detectadas. Para

que uma partícula seja retroespalhada e apareça na contagemno eixo Y é necessário que

esta partícula realize uma colisão e atinja o detetor. Quala probabilidade de uma partícula

sofrer uma colisão e gerar um espalhamento num ângulo ɽ é a questão que vamos

esclarecer.

O número de partículas detectadas depende da probabilidadede uma colisão, do

número de total de partículas incidentes e o número deátomos por cm

na amostra. A

probabilidade de se detectar as partículas espalhadas porátomos do alvo é dada pela seção

de choque diferencial definida como:

()
ё

ёQ

dQ

dNt

ʍ1

(16)

Onde t.N é o número de átomos de uma espécie por unidade deárea na amostra.

Voltando ao número de partículas detectadas, ele estarelacionado com a seção de choque

por:

por cm na amostra

número de átomos

partículas incidentes

número total de

etadas

número de partículas

det
ʍ (17)

Sendo ё o ângulo sólido suficientemente pequeno emque as partículas estão

chegando no detetor, podemos associar dʍ/dё umaseção de choque média por:

ёё

юё

(18)

Onde ё=a/l

, representando a a área efetiva do detetor e l a distânciado detetor à

amostra. Para geometria da figura 9 pode-se escrever:

A=ʍ ё Q N t (19)

Onde A é o número de partículas detectadas, ʍ é a seçãode choque e espalhamento

na colisão e N t a densidade de átomos na amostra emátomos/cm

A seção de choque e .

espalhamento pode ser calculada a partir da força que agenas partículas durante a colisão.

Considerando a interação de natureza essencialmentecoulombiana e o átomo alvo

estacionário, a seção de choque no sistema de coordenadas docentro de massa(razoável

pois M1<<M2) é dada pela equação 20. Esta é a fórmulaclássica de Rutherford obtida em
1911, que apesar de aproximada, já estabelecia a corretadependência de sigma com E

-2

sen

-4

(ɽ/2). A equação foi desenvolvida no sistema CGS e aconversão pode ser feita

substituindo e

por q

/4ʋ ɸ0.( )

ZZ e

c Ec c

ёɽ

=
12

sin 4 2

(20)

No espalhamento coulombiana, a distância de máximaaproximação, d, ocorre para

ɽc=180

,Igualando a energia cinética do projétil do feixe à energiapotencial eletrostática .

obtêm-se para íons de He

com 2MeV incidindo sobre átomos de Prata(Ag, Z=47) a

distância de máxima aproximação d=6.8x10

-5

nm, cerca de 7% do raio da camada eletrônica

K do átomo de Prata, 10 vezes maior que o raio do núcleo. Aseção de choque nestas

condições vale ʍ(180)=2.9x10

-10

nm

ou 2.9b (1b=1barn=10

-24
cm

.(

Figura 9 - diagrama esquemático para a detecção departículas em

retroespalhamento(RBS).

Transformando a equação 20 acima para o sistema decoordenadas do laboratório,

temos a seguinte fórmula generalizada.

()

()

ZZ e

MM

MM

ɽɽ

=
о

12

12

12
2

sin

sin cos

sin

(21)

Se desconsiderarmos o fator (Z1Z2e

/4E)

, a seção de choque diferencial de

Rutherford depende apenas da razão das massas M1/M2 doprojétil e do alvo e do ângulo de

espalhamento ɽ. Um gráfico de dʍ/dё porM1/M2 e ɽ obtido a partir da equação 21 é

mostrado na figura 10. Observamos que dʍ/dё temseu valor mínimo para qualquer

combinação de M1/M2 em 180

Usando a aproximação por volta de 180 .

como ɽ=ʋ-ɷ, a
seção de choque diferencial aumenta quadraticamente comɷ.

(dʍ/dё)/(Z1Z2e

/4E)

=(1-x

+(1/2)bɷ

(22)Onde b=1-3x

+2x

A fórmula mostra que próximo a 180 .

a seção de choque não

varia muito com o ângulo de espalhamento. Isto nos permiteusar detetores em ângulos

menores a 180

e usar os valores da seção de choque em 180

com boa aproximação. Para

M1<<M2, no canto inferior da figura 10, a dependênciaangular da equação (21) pode ser

expandida em uma série de potências:


d

ZZ e

ʍɽ

+
12о

41

42

sin 2 ! (23)

Onde o primeiro termo omitido é da ordem de (M1/M2)

O último termo da .

expansão mostra dependências importantes da seção de choquediferencial de Rutherford:

- dʍ/dё é proporcional a Z1

A contagem de espalhamento obtida com feixe de .

He(Z=2) é 4 vezes maior que a obtida com feixe de H(Z=1) eapenas um nono da produzida

por um feixe de C(Z=6);

- dʍ/dё é proporcional a Z2

Para um dado projétil, átomos pesados produzirão .

mais contagens que átomos leves;

- dʍ/dё é inversamente proporcional ao quadradoda energia do projétil(E

-2
). A

contagem aumenta rapidamente com a redução da energia debombardeio;

- dʍ/dё é simétrico em relação ao eixo deincidência do feixe, ou seja, dʍ/dё é

função de ɽ apenas;

- dʍ/dё é proporcional a quarta potência desin(ɽ/2) quando M1<<M2. Esta

dependência nos dá o aumento rápido de contagens quando oângulo ɽ é reduzido.

Figura 10 - Dependências da seção de choque diferencial como ângulo de

retroespalhamento e razão das massas.Para alguns casos sãonecessárias aproximações melhores


para a seção de choque.

Quando ɽ é tende a zero, ʍ tende ao infinito,que viola a condição de que a seção de

espalhamento de um átomo deve ser pequena o suficiente paraque não se sobreponha a

outros átomos. Pequenos ângulos de espalhamento correspondema passagens rasantes com

grandes distâncias entre o átomo e o núcleo nas quais ascolisões são apenas eletrônicas.

Neste tipo de colisão a interação eletrostática não temmuito importância e a fórmula para a

seção de choque tem de ser corrigida. Uma situação similaracontece quando projéteis de

baixa energia colidem com átomos pesados. Nestes casos énecessário incluir o efeito de

blindagem dos elétrons no potencial para o cálculo da seçãode choque.

Como comentário final, a seção de choque diferencial deveser usada conforme o

grau que necessitamos na nossa análise. Para alguns tipos deanalisadores é necessário

alterar a seção de choque. Estes tipos, eletrostáticos emagnéticos, tem boa resolução e

precisão em baixas energias.

4.4-Perda de Energia e Poder de Freamento

Quando um íon com alta energia se move em um meio material,este perde energia

em seu caminho devido a colisões com elétrons livres ou nãoou colisões atômicas de baixo

ângulo(perda de energia nuclear). Podemos separar os doisprocessos em faixas de energia,

a energias altas, o processo dominante é a colisãoeletrônica e para baixas energias temos


interações nucleares. Partículas de alta energia quandoatingem um alvo devem penetrá-lo

devido ao grande ângulo de espalhamento que é necessáriopara que as partículas sofram o

retroespalhamento que tem pequena probabilidade de acontecercomo discutido na seção

anterior. A espectroscopia de retroespalhamento deRutherford é um processo de segunda

ordem, os íons implantados, primeira ordem, tem que gerarcolisões para que possam ser

detectados, segunda ordem.

Nas faixas de energia usadas em RBS, acima de 2MeV para He

, os íons perdem

energia principalmente devido colisões inelásticaseletrônicas, que resultam em excitações e

ionizações dos elétrons dos átomos. Apesar de ser umfenômeno quântico e discreto, o

grande número de eventos que ocorre no freamento nuclear deum íon permite um

tratamento macroscópico como se fosse contínuo.

Os conceitos usados para descrever como uma partículacaminha dentro da matéria

são derivados de considerações energéticas. Quando um íon semove dentro da matéria, ele

tem sua energia cinética E=1/2M1v

diminuída. A quantidade de energia ѐE perdida pela

distância ѐx percorrida depende da identidade doprojétil, da densidade e composição do

alvo e da velocidade do projétil propriamente. A perda deenergia por profundidade na

verdade é representada, de várias formas, como uma variação:

S = -dE/dx [eV/A] (24)

s = -1/ʌ dE/dx [eV/(µg/cm

)] (25)

ɸ = -1/N dE/dx[eV/(at/cm
2

)]=[eVcm

] (26)Onde ʌ é a densidade de massa do meio, N adensidade atômica total do meio. O

sinal negativo indica que um valor positivo para o poder defreamento já que para um

aumento da distância percorrida, a energia decresce. Odesenvolvimento da formulação para

o freamento eletrônico foi primeiramente desenvolvido porBohr em 1913. Uma formulação

mais correta foi proposta por Bethe contendo váriascorreções desde a inclusão de elétrons

fortemente ligados até correções relativísticas.

Podemos separar em geral as colisões como rápidas e lentasde acordo com a

velocidade do íon comparado com a velocidade média doselétrons nas camadas atômicas.

Quando a velocidade do projétil é muito maior que a doselétrons(colisões rápidas) o

processo é visto como uma pequena perturbação atômicapequena e repentina. Neste caos

temos:

dE/dx=(4ʋZ1

/mv

) NZ2ln(2mv

/I) (27)

Onde v é a velocidade do projétil, m a massa do elétron e Ia energia média de

excitação eletrônica(da ordem de 10Z

2
[eV]). Rescrevendo a equação acima em função da

energia do projétil temos:

dE/dx ~ 1/E ln(E) (28)

Quando v>ve, o poder de freamento para determinadoprojétil aumenta à medida que

sua energia diminui, o projétil despende mais tempo navizinhança de um mesmo átomo, e

aumenta linearmente com a densidade do meio. Em regimes debaixa velocidade, v<ve, e

com o projétil não totalmente ionizado, observa-se que opoder de freamento cresce

linearmente com a velocidade. O efeito combinado é uma curvacomo mostrado na figura

11 abaixo em que o ponto máximo separa dois regimes. Emanálise que RBS trabalha-se

em geral com energias do feixe na região de máximo poder defreamento nas quais S varia

de 30 a 60 eV/A.

Figura 11 - Curva genérica do poder de freamento dos íons namatéria4.5-Aproximação de Energia


de Superfície

Determinado que o poder de freamento em análises RBS éaproximadamente linear,

a perda de energia de um feixe de íons num filme fino comespessura t é dada com boa

aproximação por:

ѐE t

dE

dx

dx

dE

dx

in

( ) ю = › (29)
Onde dE/dx|in é calculado em alguma energia intermediáriaentre a energia incidente

E0 e E(t)=E0-t(dE/dx|in). A hipótese da invariância deɸ ou dE/dx ao longo da trajetória cria

uma escala linear entre ѐE e t. Em filmes comespessuras menores que 100nm a variação de

energia é suficientemente pequena para que a aproximação desuperfície seja usada, dE/dx|in

é calculado para energia inicial E0 ou KE0. Em filmes demaior espessura, podemos usar a

aproximação de energia média onde dE/dx é calculado para aenergia média do percurso.

Para um filme de Pt com 500nm de espessura a aproximação deenergia média produz uma

diferença de 3% em relação a outra aproximação.

4.6 - Fatores de Perda de Energia e Seção de Choque deFreamento

Partículas espalhadas no interior de uma amostra perdemenergia tanto no caminho

de entrada como no de saída rumo ao detetor. No esquema dafigura 12, as partículas de um

feixe com energia E0 incidem com ângulo ɽ1 até umaprofundidade x e emergem com

energia E1 e ɽ2. Supondo constante o poder de freamentonos dois percursos(entrado e

saída) temos:

E=E0-(x/cosɽ1)(dE/dx)|e (30)

E1=KE-(x/cosɽ2)(dE/dx)|s

(31)

Combinando as equações acima:

ѐEd=KE0-E1=[S].x (32)

Com [S]=-[(1/cosɽ1)(dE/dx)|e+(1/cosɽ2)(dE/dx)|s

(33)

Onde ѐEd é a diferença de energias das partículasdetectadas espalhadas na

superfície e na profundidade x. [S] é denominado fator depoder de freamento e estabelece a

escala linear entre energia E1 da partícula detectada porprofundidade de espalhamento x.

Na aproximação de superfície o poder de freamento S(e) édeterminado na energia E0

enquanto que S(s) é calculado para a energia KE0.


[S]=-[(S(E0)/cosɽ1)+(S(KE0)/cosɽ2) (34)Uma equaçãosimilar pode ser escrita para o fator de seção
de choque de freamento

[ɸ].

[ɸ]=-[(E(E0)/cosɽ1)+(E(KE0)/cosɽ2)] (35)

Figura 12 - Diagrama esquemático para os cálculos de poderde freamento.

4.7- A Regra de Bragg

A perda de energia de uma partícula em sua trajetória em ummeio material pode ser

vista como uma seqüência aleatória de choques independentescom os átomos do meio.

Para um material composto com mais de uma espécie atômica, aseção de choque de

freamento molecular é dada ponderando-se o valor do poder defreamento nuclear de cada

espécie pelo número de átomos constituintes, que é conhecidocomo a regra de Bragg:

ɸ(AmBn)=mɸ(A)+nɸ(B) (36)

5-Métodos de Medida

O objetivo desta parte do trabalho é explicar como umespectro de RBS é gerado e

como podemos interpretar um espectro desses a partir dosfundamentos da seção anterior.

Nesta seção faremos uma análise geral, exemplos específicossão mostrados na próxima

seção.

O desenho da figura 13 é uma representação da parte ondeocorre o

retroespalhamento em um RBS. Os componentes do sistema deRBS são mostrados na

figura 14 abaixo O sistema consiste em uma fonte para geraro feixe de H

ou He

com

energias da ordem de MeV, o suporte para as amostras, umsistema de detecção de

partículas por energia e os analisadores de multicanal.Quando as partículas do feixe de He


+

atingem a amostra, a maioria delas permanece dentro daamostra, 1 a cada 10000 é

retroespalhada. Destas partículas retroespalhadas, apenasalgumas vão atingir o detetor.Quando


um evento deste acontece, o detetor recebeuma partícula, é produzido um pulso.

Este sinal é processado por um analisador multicanal que oclassifica conforme a sua

amplitude que corresponde a uma escala em energia. Estespulsos são então contados em

relação as escalas de energia e ao final temos uma tabela decontagens por energia, que é o

espectro de RBS. Normalmente estes dados são apresentados emgráficos de

contagens(yield) no eixo Y por canal ou energia no eixo Xque visam análise de um modo

rápido.

Figura 13 - Representação da montagem experimental de um RBS

Figura 14 - Componentes básicos de um sistema de RBSO sinalgerado no detetor analógico contêm


informação a respeito de algum

parâmetro específico da partícula como seu momento, energia,velocidade ou carga etc. A

partir da caracterização da partícula de acordo com o tipode detetor temos diferentes nomes

para os espectros. Vamos nos concentrar em detetores deenergia que geram um espectro de

retroespalhamento de energia.

O detetor é capaz de detectar partículas com energias dentrode um intervalo ѐE. A

energia de detecção é variada desde a mínima até quase aintensidade do feixe e as

contagens vão sendo armazenadas de forma que possamos gerarum gráfico de contagens

por energia. Existe uma correspondência entre contagens eenergia normalmente que pode

ser ajustada como uma escala linear entre eles. A precisãodos canais é responsável pela

discriminação de massas.

Quando a relação entre canais e energia está estabelecida,podemos transformar o

eixo X em energia e vice versa. Normalmente um espectro RBSé interpretado como uma

função contínua H da variável E1. A expressão H(E1) denotaas contagens Hi


no canal i para

a energia E1,i

Os termos H e Hi .

são normalmente associados a altura do espectro. A energia

E1 é dada por E1=KE0 do primeiro elemento que aparece noespectro, normalmente o mais

pesado. Na energia KE0 a altura H costuma se chamar dealtura de superfície, que

corresponde ao início do espectro de retroespalhamento.

6- Interpretação de um Espectro Simples de RBS

Vamos agora analisar um espectro simples de RBS como exemploe aplicação do

que foi mostrado até agora. O espectro é de um filme de SiO2de espessura t=300nm sobre

um substrato de Carbono mostrado na figura 15 abaixo. Estetipo de situação não tem

aplicações na microeletrônica mas serve para que entendamoscomo funciona uma análise

de RBS.Figura 15 - Espectro RBS de um filme de SiO2 sobreCarbono

O feixe com energia E0 incide sobre a amostra e é espalhadona superfície da

amostra pelos átomos. A energia onde teremos espalhamentopara os átomos de Si é KSiE0 e

para o Oxigênio KOE0. Ao atingir a interface com o substratoa energia do feixe é E=E0-ѐE.

Em primeira aproximação ѐE pode ser calculado com aequação (29). Precisamos

determinar então dE/dx do filme para que possamos saber asua estequiometria, o problema

em questão. Na interface SiO2/C a energia que os átomos de Cvão retroespalhar o feixe é

KCE. As partículas espalhadas emergem cada qual com suaenergia, são mais uma vez

freadas no seu caminho de saída através do filme , rumo aodetetor, emergindo com as

energias:

E1(C)=KCE0-[S].t E1(O)=KOE0-[S].t E1(Si)=KSiE0-[S].t (37)

Num filme fino como o da figura 15, a largura dos picoselementares no espectro

RBS é dado por:

ѐE0=[S]O
meio

t ѐESi=[S]Si.

meio

(t (38.

Onde [S]y filme indica que no cálculo de [S] usa se o fatorcimático Ky e o poder de

freamento do meio(SiO2). As equações (37) nos mostram comopodemos obter a

estequiometria do filme, nos resta agora determinar como calcular[S].

A altura Hk das contagens do canal k do espectro é o númerode eventos com

energia entre Ek e Ek-ɷ. A relação (32) permiteassociar a cada canal com uma largura ɷ,

uma fatia da camada, da amostra com espessura x=[S]ɷ.Dessa forma, o número de eventos

coletados Hk é função da espessura da fatia da amostra e donúmero de unidades

espalhadoras (átomos da espécie i) na fatia. A equação (32)permite calcular Hk

Hk=ʍi

Ek).ё.Q.Ni).

(xi

/cosɽ1) (39)

Onde a espessura foi corrigida pelo fator (cosɽ1)

-1

devido ao ângulo de incidência

não ser normal à superfície. Usando (38) e substituindo[So]/N=[ɸo] assumindo válida a

aproximação de superfície temos:

Hk=ʍi

Eo).ё.Q.ni).

(ɷ/([ɸo]i

meio

cosɽ1))=Ho (40)
O índice "o" explicita a importante condição deespalhamento na superfície e [ɸo] é

o fator de seção de choque de freamento calculado conforme(35). A equação acima mostra

que a altura de um espectro RBS no canal correspondente aoelemento i na superfície é

diretamente proporcional a:

a- Q, o número total de partículas incidentes na amostra;

b- ni=Ni

/N, a fração atômica do elemento i na amostra cuja densidadeatômica total

vale N=ɇNi;

c- ʍ(Eo), a seção de choque diferencial média calculadapara o elemento i com o

feixe com energia E0;d- ё, o ângulo sólido do detetor;

e- ɷ, a faixa de energia definida por umcanal(keV/canal) que é determinada pela

eletrônica;

f- [ɸo]

-1

, o inverso do fator de seção de choque e freamento;

g- (cosɽ1)

-1

, o inverso do ângulo de incidência do feixe na amostra emrelação à

normal.

No caso de haver mais de um elemento na camada desuperfície, cada qual

produzirá um sinal de superfície com altura Hoi

na respectiva energia E=KiE0. Para dois

elementos A e B com densidades atômicas nA e nB temos:

[]()

[]()

meio
BoBoA

meio

AoAoB

oB

oA

En

En

ʍɸ

ʍɸ

= (41)

Que nos permite obter a razão nA/nB de concentraçõesatômicas. Em aproximação de

ordem zero, pode-se supor [ɸ]B/[ɸ]A=1 e calcular(nA/nB)o. Com este valor é possível estimar

[ɸ]B/[ɸ]A e refinar o cálculo de nA/nB. Uma únicainteração produz, em geral, resultados

bastante satisfatórios. Note que a razão HA/HB independe dalargura xi

e da densidade

atômica do meio, depende apenas das frações atômicas doselementos que compõem o

filme.

7- Análise Qualitativa de Alguns Espectros RBS

Vamos agora analisar alguns espectros RBS de algum interesseem aplicações na

microeletrônica que tem resultados interessantes no que dizrespeito ao tipo característico

da forma do espectro.

O primeiro espectro, figura 16, mostra o resultado de umaanálise de RBS de um

contato de NiSi sobre Si. Vemos que o espectro deespalhamento do Ni fica separado dos

outros sinais devido ao seu fator cinemático ser muito maiorque o do Si. Este tipo de
espectro é bem comum quando temos algum tipo de Siliceto,devido aos metais terem

maior massa(maior fator cinemático) o seu sinal deespalhamento ocorrerá em energias

maiores(um espectro semelhante deve ser obtido para TiSi,WSi etc.).

Para o resto do espectro, vemos que o sinal do Si do filmefica separado do sinal do

Si do substrato. Isto se deve pois a energia com que osátomos de He

estão chegando no

substrato foi reduzida devido sua passagem através do filme.A altura dos espectros de

espalhamento reflete a composição do do filme, que nestecaso é de 30% de Ni e 70% de Si.

Na figura ainda vemos os espectros sem o sinal de fundo doSi e a densidade retirada da

área do gráfico em átomos/cm

.Figura 16 - Espectro RBS de um filme de NiSi sobresubstrato de Si

Outro exemplo que podemos mostrar que ilustra problemas comrelação ao tipo de

substrato e composição do filme na superfície é mostrado nafigura 17 abaixo para filmes

de AlN sobre substratos de GaAs. Neste caso, o sinal dosubstrato está sobreposto sobre o

dos elementos Al e N. O sinal de espalhamento devido osátomos de Al fica bem visível no

espectro, ao centro do gráfico, mas o sinal devido aoNitrogênio se confunde com o ruído

de fundo. Outro problema que podemos observar é umacontaminação com Oxigênio no

filme, que piora ainda mais o sinal de espalhamento doNitrogênio. Na figura ainda são

mostrados os espectros de espalhamento sem o ruído de fundopara os elementos do filme.

Deste espectro podemos concluir que para elementos leves,como N ou O, o ideal seria um

substrato de C que separaria o sinal das espéciesatômicas.Figura 17 - Espectro RBS de um filme de


AlN sobre GaAs.

8- Aplicações Especiais de RBS(Canalização)

Existem alguns casos em que as análise de RBS são feitas emcondições especiais
para obtermos informações diferenciadas. Um destes tipos sãoas análise de canalização de

íons. Através desta técnica podemos analisar trêsimportantes fenômenos: Quantidade e

profundidade de desordem da rede cristalina, localização deimpurezas nos sítios da rede, e

composição e espessura de camadas de superfície amorfizadas.

Neste tipo de análise é necessário que o feixe de íonsesteja alinhado com as

direções dos canais representados por algumas direções doscristais. O procedimento de

alinhamento é o primeiro passo neste tipo de técnica econsiste a grosso modo em se rodar o

cristal e obter os pontos onde temos mínimos de contagem. Apartir destes resultados

posicionamos nosso cristal e iniciamos a análise.

- tipos de análise:

Impurezas substicionais:

Impurezas substicionais podem ser identificadas atravésdeste tipo de análise. A

figura 18 mostra um diagrama esquemático e o espectro RBSobtido para uma análise deste

tipo. Na figura, a área sombreada é o resultado dacanalização. Podemos ver que o sinal dos

átomos do substrato representados por círculos tem suaintensidade reduzida na canalização

e que apenas as impurezas que estão presentes fora da redecristalina aparecem com boa

intensidade neste caso.Figura 18 - Espectro de RBS mostrandoa diferença entre canalização e o

aparecimento do sinal das impurezas intersticiais.

- Desordem da rede:

Neste caso a técnica de canalização nos permite inferirsobre como se encontra o

arranjo cristalino. Novamente é necessário que o feixeesteja alinhado para criar o efeito de

canalização. Na figura 19 vemos o espectro que mostra adiferença entre um cristal perfeito

e um que apresenta desordem. No caso A da figura, a desordemfoi gerada devido à

implantação de íons para se criar uma camada dopada. Adanificação do cristal é superficial

devido a implantação e fica representada no sinal de RBSpela área sombreada da figura.

No caso B da figura, o cristal como um todo apresentadesordem. A inclinação da reta do


espectro representa a quantidade de deslocações na redecristalina. Existem ainda situações

que representam potenciais erros na interpretação dosespectros como camadas amorfizadas

na superfície de grande espessura que são capazes de acabarcom a orientação entre o feixe

e a rede cristalina acabando assim com o efeito decanalização.Figura 19 - Espectro de RBS em


canalização para cristais comdesordem

- Filmes Policristalinos:

O grau de cristalinidade de filmes finos pode ser analisadoa partir da técnica de

canalização. Na figura x abaixo vemos os espectros para umfeixe alinhado em relação ao

substrato, incidindo em um filme fino com diferentes grausde policristalinidade. O espectro

de espalhamento do caso (a), completamente amorfo, ésemelhante para um policristal de

baixa orientação(b). Já para o caso (c), a orientação dopolicristal já é o suficiente para gerar

uma redução do sinal de retroespalhamento. As linhaspontilhadas das figuras representam

o sinal obtido para o feixe em desalinhamento em relação aosubstrato.

Em resumo, a técnica de canalização pode nos mostrardetalhes da estrutura que só

poderiam ser obtidos por meio de outras técnicas comodifração de raios-X. Como

problemas, o alinhamento do feixe com o substrato é deimportância vital para o sucesso da

técnica.Figura 20 - Espectros RBS em canalização para filmespolicristalinos.

9- Conclusões

O método de RBS é uma técnica de caraterização de materiaisem micro eletrônica

de grande importância. Com a análise de RBS podemosdeterminar a composição de filmes

finos com boa precisão. Os espectros obtidos são simples deser interpretados e podemos

discriminar todos os elementos da tabela periódica comexceção do He e H.

Como principais pontos fortes da técnica podemos apontar:

-É não destrutiva, apesar dos átomos do feixe ficaremimplantados na amostra, que

podem gerar centros de recombinação;

-É capaz de medir distribuições de camadas enterradas;


- Através de técnicas canalização dos íons do feixe pode-seobter informação

critalográfica;

- Possui alta sensibilidade para massas pesadas.

Entretanto, a técnica de RBS possui desvantagens que alimitam em alguns casos:

-Baixa sensibilidade para elementos leves;

-Baixa resolução entre massas próximas;

-Baixa sensibilidade para pequenas concentrações, abaixo de1x10

18

/cm

-Informações de natureza química completamente ausentes;

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