UNIVERSIDAD ISRAEL

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS

SISTEMA DE EDUCACION A DISTANCIA

CIRCUITOS II
GUIA PRACTICA 1

TEMA: El diodo semiconductor

1. OBJETIVOS
• Determinar el trabajo del diodo
• Verificar las curvas a la entrada y salida del diodo
• Interactuar con las herramientas de simulación.

2. EQUIPOS Y MATERIALES UTILIZADOS

• Simulador Qucs

3. MARCO TEORICO

1. Diodo semiconductor

El diodo ideal es un dispositivo lineal con características de corriente contra

tensión, como la mostrada en la figura(b). Esta característica se conoce
como lineal a segmentos, ya que la curva se construye con segmentos de
rectas, si se intenta colocar una tensión positiva (o directa) a través del
diodo, no se tienen éxito y la tensión se limita a cero. La pendiente de la
curva está infinita. Por tanto, bajo esta condición la resistencia es cero y el
diodo se comporta como un cortocircuito. Si se colocan una tensión negativa
(o inversa) a través del diodo, la corriente es cero y la pendiente de la curva
también es cero. Por tanto, del diodo se comporta ahora como una
resistencia infinita, o circuito abierto.

2. Construcción del diodo

En la figura se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocados

juntos para formar una unión. Esto representa un modelo simplificado de
construcción del diodo. El modelo ignora los cambios graduales en la
concentración de impurezas en el material. Los diodos prácticos se
 construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un
lado se contamina con material de tipo p y el otro con material de tipo n.
Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son
tres; germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicio ha
reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de
energía que permiten la operación a temperaturas más altas, y los costos de
material son mucho menores. El arsenurio de galio es particularmente útil
en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el
que se produce el cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal varía con
la técnica de fabricación. La característica esencial de la unión pn es que el
cambio en la concentración de impurezas se debe producir en una distancia
relativamente corta. De otra manera, la unión no se comporta como un
diodo. C abran una región desértica en la vecindad de la unión, como se
muestra en la figura (a). Este fenómeno se debe a la combinación de huecos
y electrones donde se unen los materiales. La región desértica tendrá muy
pocos portadores.

Sin embargo, los dos componentes de la corriente constituida por el

movimiento de huecos y electrones a través de la unión se suman para
formar la corriente de difusión, ID. La dirección de esta corriente es del lado
p al lado n. Además de la corriente de difusión existe otra corriente debido
al desplazamiento de portadores minoritarios a través de la unión, y se
conoce como IS.

Si ahora se aplica un potencial positivo al material p en relación con el

material n, como se muestra en la figura (b), se dice que el diodo está
polarizado en directo, por otra parte, si la tensión se aplica como en la figura
(c), el diodo se polariza en inverso.

3. La curva del diodo semiconductor

Analizamos de la misma forma el diodo:

Se le van dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y

corrientes por el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la
polarización de la pila). Y así obtenemos una tabla que al ponerla de forma
gráfica sale algo así:
La zona directa
En la zona directa tenemos dos características importantes:
• Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensión umbral Vδ) para
que conduzca bien en polarización directa (zona directa).
• Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente
como una resistencia.

Tensión Umbral
Es el valor de la tensión a partir del cual el diodo conduce mucho.
A partir de la Tensión Umbral ó Barrera de Potencial la intensidad aumenta
mucho variando muy poco el valor de la tensión.

Resistencia Interna
A partir de la tensión umbral se puede aproximar, esto es, se puede decir
que se comporta como una resistencia.
La zona inversa
En polarización inversa teníamos un corriente que estaba formada por la
suma de los valores de la corriente IS y la corriente de fugas If:

Hay que tener cuidado, no hay que llegar a VR porque el diodo se rompe por
avalancha (excepto si es un Zener).

La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la

siguiente ecuación:

_
-------- K = 11,600/ð -------- ð ð 1 para Ge

TK = TC° + 273° ----------------------------------------------- ð ð ð para Si

Para un diodo de silicio la corriente de saturación inversa IS aumentará cerca
del doble en magnitud por cada 10° C de incremento en la temperatura.

Debido a la forma que tiene la curva característica del diodo, mostrada

anteriormente, y la forma compleja de la ecuación, con frecuencia se utiliza
un modelo simplificado:

El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red

y/o de los dispositivos junto a los cuales se conectará el diodo sea mucho
mayor que la resistencia promedio del diodo Rd, la cual se podría calcular
como Rd, en promedio, la resistencia de un diodo de pequeña señal es de
26ð. Red >> Rd

Con la polarización directa los electrones portadores aumentan su velocidad

y al chocar con los átomos generan calor que hará aumentar la temperatura
del semiconductor. Este aumento activa la conducción en el diodo.
4. Aproximaciones del diodo

• Primera aproximación: el diodo ideal.

La exponencial se aproxima a una vertical y

una horizontal que pasan por el origen de
coordenadas. Este diodo ideal no existe en la
realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.

Es la aproximación más simple. Se utiliza para

obtener respuestas rápidas y es muy útil para
la detección de averías. Esta aproximación consiste en suponer que en la
zona directa el diodo se comporta como un conductor perfecto, resistencia
nula y en la zona inversa como un aislante perfecto, resistencia infinita.
Cuando la tensión es muy elevada y la corriente muy pequeña el diodo real
se comporta como un diodo ideal.

EJEMPLO:

En polarización directa:
• Segun
da
aproxi
mació
n.

La exponencial se aproxima a una vertical y a una

horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el
valor de la tensión umbral para el silicio, porque
suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de
germanio se tomaría el valor de 0,2 V).

El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad

polarización directa, pero como a efectos
prácticos no conduce, se toma como inversa. Con
esta segunda aproximación el error es menor que
en la aproximación anterior.

En esta aproximación se tiene en cuenta la tensión de codo. Cuando menor

es la tensión aplicada mayor es el error que se introduce con el modelo
ideal, por lo cual este puede ser útil.

Polarización directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.

Polarización inversa: Es un interruptor abierto.

 EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la
segunda aproximación que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo
analizamos en polarización directa:

Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximación, esta

segunda aproximación es menos ideal que la anterior, por lo tanto es más
exacta, esto es, se parece más al valor que tendría en la práctica ese circuito.

• Tercera aproximación.

Se tiene en cuenta la resistencia interna del diodo,

RB, además de la tensión de codo. Una vez que el
diodo entra en conducción se considera que la
tensión aumenta linealmente con la corriente.

La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa

por 0,7 V y tiene una pendiente cuyo valor es la
inversa de la resistencia interna.

El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se

analiza la polarización directa:

EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3ª aproximación, tomamos 0,23

Ω como valor de la resistencia interna.

Esta tercera aproximación no merece la pena usarla porque el error que se

comete, con respecto a la segunda aproximación, es mínimo. Por ello se
usará la segunda aproximación en lugar de la tercera excepto en algún caso
especial.
 Como elegir una aproximación

Para elegir que aproximación se va a usar se tiene que tener en cuenta, por
ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya que si la respuesta es
afirmativa se podría usar la primera aproximación. Por el contrario, si el
circuito contiene resistencias de precisión de una tolerancia de 1 por 100,
puede ser necesario utilizar la tercera aproximación. Pero en la mayoría de
los casos la segunda aproximación será la mejor opción.

5. Polarización del diodo

Para que un diodo pueda conducir la corriente eléctrica, hay que eliminar en
todo o en parte la zona desértica, lo que quiere decir que hay que disminuir
la barrera. Esto se realiza con la aportación de una fuente externa de tensión
eléctrica, lo que supone ofrecer a las cargas una energía determinada para
que logren liberarse de sus enlaces y así puedan moverse. Este proceso se
denomina polarización. La polarización puede ser de dos tipos: directa o
inversa.

• La polarización directa consiste en situar un potencial mayor en el

ánodo que en el cátodo. El ánodo es positivo y el cátodo negativo.
Los portadores mayoritarios de ambos extremos son repelidos y
obligados a amontonarse en la región de agotamiento a medida que
el voltaje aumente, estos portadores ganarán suficiente energía
como para saltar esta región, permitiendo de esta manera que se
produzca un flujo de corriente a través del diodo en la forma de
electrones y huecos pero en sentido opuesto.
• Una polarización inversa se consigue conectando el terminal ánodo a
un potencial que sea más negativo que el que se conecte al cátodo,
que será más positivo. El ánodo es negativo y el cátodo positivo. Los
portadores mayoritarios son atraídos en ambos extremos dando
como resultado la expansión de la región de agotamiento, a pesar de
esto existe una pequeña corriente debido a los portadores
minoritarios que atraviesan el diodo. Si el voltaje inverso aplicado se
eleva demasiado se produce el llamado Efecto Avalancha o Ruptura
de Avalancha, que es similar al proceso de generación de rayos en un
día de tormentas.
Características de la Polarización Directa:
El diodo conduce con una caída de tensión de 0,6 a 0,7V. El valor de la
resistencia interna seria muy bajo. Se comporta como un interruptor
cerrado.

Características de la Polarización Indirecta:

El diodo no conduce y toda la tensión de la pila cae sobre el. Puede existir
una corriente de fuga del orden de µA. El valor de la resistencia interna sería
muy alto Se comporta como un interruptor abierto.

FÓRMULAS A UTILIZARSE EN LOS CALCULOS:


*
 

   
Ó

   

   

     

   
 
     

   
      

Identificaremos a los elementos con la siguiente nomenclatura:

• I= intensidad
• V= voltaje
• VD= Voltaje del diodo
• R= resistencia
• VL= Tensión en la carga
• PL= Potencia en la carga
• PD= Potencia disipada en el diodo
• PT= Potencia disipada total
4. PROCEDIMIENTO:

1. Iniciar con el Simulador Qucs.

2. Dibujamos el circuito, que va a constar de (Por ejemplo como el ejer 1):

1 componente de voltaje=10V
R1(resistencia1)= 5 Ohm
Diodos… etc
Y los respectivos enlaces: cable con cada resistencia, es decir uniendo
todo el cicuito.

3. Entonces, primeramente vamos a la pestaña de componentes(lado

izquierdo de la pantalla) y escogemos Fuentes(en el menú desplegable).
Arrastramos al área de trabajo el componente Fuente de Tensión dc.

4. Luego escogemos la sección que dice componentes sueltos(de la misma

pestaña componentes), y escogemos la que dice Resistencia US y así
mismo arrastramos al área de trabajo. Y así seguimos arrastrando todos
los componentes necesarios, ubicándolas a una distancia prudente,
formando un circuito(en este caso de un diodo). Si se desea girar el
componente, podrá hacerlo utilizando Ctr+R.
5. Para cambiar los valores y nombres de los componentes, haga doble clic
sobre un componente, aparecerá una ventana mostrando las
propiedades del componente, estas cambian dependiendo cual se
escoja.

6. Ahora, para terminar de armar el circuito, utilice la herramienta de cable

ubicada en la barra en la parte superior de la ventana de Qucs, al hacer
clic en ella verá que el puntero es atravesado por una cruz, donde el
centro es en donde ubicaremos los extremos de cada componente para
unirlos. Ubique el centro de la cruz que lleva el puntero, y haga clic en un
extremo de uno de los componentes a construir. Note que el cable se va
moviendo dependiendo la forma y posición donde se encuentre ubicado
el siguiente componente. Haga clic en el terminal del siguiente
componente y el cable se ha tendido uniéndolos. Presione la tecla Esc
para volver a la herramienta de puntero de selección (normal).

7. Cuando se haya unido todo el circuito, se procede a colocar las sondas de

voltaje y corriente que se encuentran en la sección de componentes
sueltos del simulador para realizar las mediciones respectivas.
8. Una vez terminado de dibujar el circuito, se procede a realizar la
simulación. Entonces, para la simulación busque dentro del cuadro de
componentes la opción simulaciones. Y escoja la opción Simulación
transitoria, arrástrela al área de trabajo junto al circuito que se va a
simular.

9. Ahora, dentro del cuadro de componentes ubique la opción diagramas y

escoja del menú desplegable la opción tabular para obtener los valores
de tensión y cartesiano para ver las curvas. Arrastre el componente al
área de trabajo, en un lugar donde al terminar la simulación se pueda
observar el gráfico, como recomendación se sugiere ubicarlo debajo del
circuito realizado, para así verlo correctamente. Al momento de arrastrar
el componente al área de trabajo se abrirá una ventana en donde se
debe especificar las variables de entrada y salida para el gráfico. Una vez
especificados los valores, presione el botón Aplicar seguido del botón
Aceptar. Se generará un recuadro de datos, calculando la ondas que
conllevan al tema de diodos (de acuerdo al ejercicio propuesto).
 10. En el momento en que se haga algún cambio a al circuito podrá ejecutar
de nuevo la simulación haciendo clic en el botón que se encuentra en la
parte superior de la pantalla o utilizando la tecla rápida F2. Se abrirá otro
archivo con extensión .dpl. Si deseas q te indique los elementos
utilizados, utiliza F5.

11. Comprueba los valores indicados en el Qucs, con los sacados

manualmente.

5. REGISTRO Y TABULACION DE RESULTADOS

• CON POLARIDAD POSITIVA DE LA FUENTE * CON POLARIDAD POSITIVA DE LA FEM

• CAMBIANDO LA FUENTE CONTINUA POR UNA FUENTE ALTERNA

1. 2.
 3.

6. CALCULOS Y ANALISIS DE RESULTADOS

• CON POLARIDAD POSITIVA DE LA FUENTE(Polarización directa)

DATOS:

D1; E=10 V; R1= 1 Ohm

Considerándose primera aproximación:

 !
•
  "# $%

"  !
•
  &       0   "# $%

• VD= 0

• VL=10 V

• PL= VL*I= (10)(10)=100 Mw

• PD= VD*I= (0)(10)= 0 W

• PT= PD+ PL = 0+100= 100 mW//

Considerándose segunda aproximación:

Realizando la malla: -V+VD+VR=0

-10+0.7+ID*R=0 (Despejando ID en la ecuación)

"# & #. )

   *. +$%
"

VR= ID*R= (9.3)(1)=9.3 V//

 • VD= 0.7V*9.3V= 6.51mW

• VL=R*I= (1)(9.3)= 9.3 V

• PL= VL*I= (9.3)(9.3)=86.49 Mw

• PD= VD*I= (6.51)(9.3)=60.54 W

• PT= PD+ PL = 60.54+86.49= 147.03 mW//

• CON POLARIDAD NEGATIVA DE LA FUENTE(Polarización inversa)

Considerándose primera aproximación:

•
#
• VD=VP=10 v

• - 10 + VD + VR= 0, donde VR=I*R=0

• I= ID=0 A
• VL=10 -0.7= 9.3 V

• PL= VL*I= (9.3)(9.3)=86.5 Mw

• PD= VD*I= (0.7)(9.3)= 6.51 W

• PT= PD+ PL = 6.51+86.5= 93 mW//

• CAMBIANDO LA FUENTE CONTINUA POR UNA FUENTE ALTERNA

Como el voltaje de la fuente es mayor a 0.6 V, entonces decimos que el

diodo está cerrado y circula corriente.

1. Voltaje 1 V; frecuencia: 100HZ

Considerándose primera aproximación:


•
    " $%

" 
•
  &       0   " $%

• VD= 0

• VL=1 V
 • PL= VL*I= (1)(1)=1 Mw

• PD= VD*I= (0)(1)= 0 W

• PT= PD+ PL = 0+1= 1 mW//

Considerándose segunda aproximación:

Realizando la malla: -V+VD+VR=0

-1+0.7+ID*R=0 (Despejando ID en la ecuación)

",#.)

   #. +$%
"

VR= ID*R= (0.3)(1)=0.3 V//

• VD= 0.7V*0.3V= 0.21mW

• VL=R*I= (1)(0.3)= 0.3 V

• PL= VL*I= (0.3)(0.3)=0.09 Mw

• PD= VD*I= (0.21)(0.3)=0.063 W

• PT= PD+ PL = 0.063+0.09= 0.153 mW//

2. Voltaje 5 V; frecuencia: 105HZ

Considerándose primera aproximación:

 -
•
    . $%

" 
•
  &       0  -  #. / $%

• VD= 0

• VL=5 V

• PL= VL*I= (5)(5)=25 Mw

• PD= VD*I= (0)(5)= 0 W

• PT= PD+ PL = 5+25= 30 mW//

Considerándose segunda aproximación:
Realizando la malla: -V+VD+VR=0

-5+0.7+ID*R=0 (Despejando ID en la ecuación)

.,#.)

   0. +$%
"

VR= ID*R= (4.3)(1)=4.3 V//

• VD= 0.7V*4.3V= 3.01mW

• VL=R*I= (1)(4.3)= 4.3 V

• PL= VL*I= (4.3)(4.3)=18.49 Mw

• PD= VD*I= (3.01)(4.3)=12.943 W

• PT= PD+ PL = 12.943+18.49= 31.433 mW//

3. Voltaje 10 V; frecuencia: 1kHZ

Considerándose primera aproximación:

 !
•
   "# $%


"  !
•
  &       0   "# $%

• VD= 0

• VL=10 V

• PL= VL*I= (10)(10)=100 Mw

• PD= VD*I= (0)(10)= 0 W

• PT= PD+ PL = 0+100= 100 mW//

Considerándose segunda aproximación:

Realizando la malla: -V+VD+VR=0

-10+0.7+ID*R=0 (Despejando ID en la ecuación)

"# & #. )

   *. +$%
"
 VR= ID*R= (9.3)(1)=9.3 V//

• VD= 0.7V*9.3V= 6.51mW

• VL=R*I= (1)(9.3)= 9.3 V

• PL= VL*I= (9.3)(9.3)=86.49 Mw

• PD= VD*I= (6.51)(9.3)=60.54 W

• PT= PD+ PL = 60.54+86.49= 147.03 mW//

7. DIAGRAMAS CIRCUITALES

• CON POLARIDAD POSITIVA DE LA FUENTE

• CON POLARIDAD NEGATIVA DE LA FUENTE

• CAMBIANDO LA FUENTE CONTINUA POR UNA FUENTE ALTERNA

1.
2.

3.
 • CIRCUTIO CON DOS DIODOS

8. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

• Este rectificador permite obtener solamente media onda ya que permitirá el

paso de corriente sólo cuando la polaridad sea positiva.
• En la aplicación del ejercicio de frecuencia y voltaje, como el voltaje de la
fuente es mayor a 0.6 V, entonces decimos que el diodo está cerrado y
circula corriente.
• Ayudados del simulador Qucs, se puede visualizar de mejor manera el
circuito armando, con resistencias, voltaje, con sus valores respectivos, para
esta manera realizar la simulación y así obtener los cálculos solicitados.
• Polarización directa: Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la
ruta de la flecha (la del diodo), o sea del ánodo al cátodo. En este caso la
corriente atraviesa con mucha facilidad el diodo comportándose éste
prácticamente como un corto circuito.
• Polarización inversa: Es cuando la corriente en el diodo desea circular en
sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o se del cátodo al ánodo. En
este caso la corriente no atraviesa el diodo, comportándose éste
prácticamente como un circuito abierto.
• En la primera aproximación: La exponencial se aproxima a una vertical y una
horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este diodo ideal no existe en la
realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.
• En la segunda aproximación: La exponencial se aproxima a una vertical y a una
horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensión umbral para el
 silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se
tomaría el valor de 0,2 V).
• Los semiconductores son materiales cuya conductividad varía con la
temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes.
Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura
sino controlables eléctricamente por el hombre. Un semiconductor es una
sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que
la de un aislante.
• Por ejemplo, para alimentar un celular o una computadora, hablamos de
voltajes y corrientes relativamente pequeñas, para alimentar un motor o
cargar un banco de baterías industriales, los voltajes y corrientes son altos.
• Cuando el voltaje presente excede el voltaje inverso del diodo, es posible
alambrar varios diodos en serie, de manera que entre todos puedan
bloquear el voltaje.
• Cuando se requieren grandes corrientes por encima de lo que puede aportar
un diodo individual, se conectan varios en paralelo de manera de soportar el
paso de la corriente.
• Se recomienda que el tutor incluya archivos adjuntos de ejemplos de este
tipo de simulaciones puesto que el estudiante no siempre encuentra la
resolución de ejercicios en la web, con esta ayuda, el tutor orientara de
mejor manera al estudiante.

9. BIBLIOGRAFIA
• http://usuarios.lycos.es/macoxvp/archivos_telecom/diodo_semiconductor.
pdf
• http://www.lu1dma.com.ar/grupooeste/semiconductores.htm
• http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Principios-Basicos-Materiales-
Semiconductores.php
• http://html.rincondelvago.com/diodos-y-transistores.html
• http://www.monografias.com/trabajos11/semi/semi.shtml
• http://www.ifent.org/lecciones/diodo/default.htm
• http://html.rincondelvago.com/diodo-semiconductor.html
• http://electronicauan.wordpress.com/2008/03/04/diodos-primera-segunda-y-
tercera-aproximacion/
• http://www.uned.es/ca-
bergara/ppropias/Morillo/web_et_dig/02_semiconduc/diodos.pdf
• http://ec.kalipedia.com/tecnologia/tema/electronica/polarizacion-
diodo.html?x=20070822klpingtcn_127.Kes&ap=1
• http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-del-diodo.php