AMPLIFICADORES CASCODE MOSFET

Luciano Teodoro Pereira de Araújo Varanda.

Graduando em Engenharia Elétrica-UFPI.
Disciplina:Dispositivos eletrônicos.
Prof. Dr.Marcos Eduardo do Prado Villarroel Zurita.
e-mail: lcnvrnd@gmail.com

Resumo: A sofisticada tecnologia de microeletrônica
tornou possível a fabricação de transistores com
depósitos finos de óxidos e substrates com diferentes
dopagens, permitindo o efeito de campo. Assim foi
possível a construção de amplificadores de alto ganho,
baixo ruído e alta velocidade de chaveamento. O
presente artigo enfatizará os amplificadores com
dispositivos MOSFET e a topologia de dois estágios do
tipo cascode.
Palavras-chave: amplificador cascode, efeito de
campo, circuitos eletrônicos, microeletrônica,
transistor FET.
FET (J-FET dentre outros) é o terminal metálico por
onde deposita-se um filme de óxido mantendo-o isolado
da região de campo.
Princípio de Funcionamento do MOSFET
Os transistores do tipo FET se diferenciam dos
transistores bipolares ou BJT (Bipolar junction
transistor). Os BJT trabalham com dois tipos de cargas:
os elétrons e as lacunas, daí o prefixo bi. Já os FET,
trabalham de maneira unipolar pois seu funcionamento
depende apenas de um único tipo de carga que pode ser
elétrons livres ou lacunas.

Abstract: Due sophistication in microelectronics
fabrication, it is now possible to create a myriad of
field effect transistor. Oxide deposition in thin film
with elements of different dopage are key elements to
create field effect transistor. Those transistors are low
noisy amplifier with elevated gain and high frequency
operation. This work will focus on amplification
characteristics and also in cascade topology.
Palavras-chave: cascode amplifier, FET transistor,
microeletronics, electronics circuits.
Introdução
Isto proporciona uma enorme vantagem como por
exemplo o chaveamento a altas frequências, pois seu
funcionamento unipolar não requer extração de cargas
em áreas de junção, o que permite maior velocidade de
chaveamento.
A figura 1, logo a seguir ilustra a configuração e
montagem de um dispositivo FET. Este pode ser
constituído por duas regiões n, emersa em uma única
região p ou de maneira contrária sendo constituído por
duas regiões p em um substrato n. São denominados p-
MOSFET e n-MOSFET respectivamente.
A figura ainda ilustra os três terminais de um
MOSFET típico; o dreno, a fonte e o gate.

O desenvolvimento das tecnologias de fabricação

microeletrônica tem contribuído para o
desenvolvimento de sofisticados dispositivos por
depósitos de filmes e crescimento epitaxial de camadas
semicondutoras. Assim foi possível a fabricação dos
transistores FET (Field Effect Transistor), que como o
próprio nome diz, utiliza-se do efeito de campo para
gerar amplificações de elevado ganho e também
trabalhar em elevadas frequência. No presente trabalho,
dentre os diversos tipos de dispositivos FET, nos Figura 1: Diagrama dos elementos constituintes de um MOSFET.
concentraremos no MOSFET (acrônimo de Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor). A principal Tomando como referência o transistor do tipo p-
distinção dos MOSFET, para os demais dispositivos MOSFET ilustrado acima, observe que a camada de

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substrato p é bem fina e levemente dopada, o que a - Região de Corte.
torna altamente resistiva impedindo qualquer fluxo de
corrente no caso de a tensão no “Gate” for igual a zero. - Região de Triodo.

Por outro lado, se for aplicado um potencial positivo - Região de Saturação.

no “gate”, há o surgimento de um intenso campo
elétrico em torno do material de substrato p mesmo para
baixas voltagens. De fato cumpre recordar que a
intensidade de um campo é inversamente proporcional a
espessura do substrato, assim, como a camada de
substrato p é bem fina, gera-se um campo elétrico muito
intenso.
A tensão positiva aplicada na porta irá repelir as
lacunas do substrato p, abrindo caminho para a
circulação de elétrons entre o dreno e a fonte. Como o
campo elétrico é intenso neste canal, os elétrons
circularão com bastante intensidade nesta região,
resultando em uma corrente elevada.
Na região de corte, também utilizado com a
denominação “pinch off voltage”, se refere a voltagem
mínima na qual o MOSFET produz o efeito de campo e
começa a conduzir uma corrente do dreno para a fonte.
Na região de triodo, a corrente de dreno cresce
abruptamente e exponencialmente. Esta não linearidade
torna-se trabalhosa no projeto de um amplificador
Na região de saturação, temos diversas famílias de
curvas mais linearizadas e com parâmetros melhores
definidos para calcularmos os elementos resistivos
adequados e assim polarizarmos o MOSFET de tal
maneira que atenda à amplificação requerida no projeto.

Apontaremos logo a seguir, com base em uma curva

característica de um transistor MOSFET, as suas regiões
e a técnica de projeto de um amplificador.

Figura 2: Canal de elétrons e efeito de campo no MOSFET

.

Assim da mesma forma que um transistor bipolar do

tipo BJT, é acionado por uma corrente na base, os
transistor do tipo FET, são acionados por uma tensão no
Gate que graças ao efeito de campo, ativam uma
circulação de corrente com ganho elevado.

Figura 3: Curva característica de um MOSFET

Amplificadores com MOSFET

Observe que há um valor de tensão dado por Vt que
corresponde a região de corte, qualquer tensão maior
Apesar das inúmeras aplicações do MOSFET em
que Vt será suficiente, por meio do efeito de campo, a
eletrônica de potência e no chaveamento digital, nos
produzir uma corrente do dreno a fonte.
concentraremos mais na sua aplicação como
amplificador e posteriormente comentaremos sobre a
amplificação de dois estágios na topologia cascode.

Para projetarmos um amplificador com MOSFET, é

importante enfatizar as três regiões de trabalho deste
dispositivo:

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Figura 4: Tensão Vt na região de corte
A próxima região importante para nossa análise será
a região de triodo. Ela tem esse nome por ser a região na
qual a corrente de dreno a fonte é controlada pelos três
terminais do MOSFET. Observe que esta região além de
possuir muitos parâmetros de controle e não linear, o
que torna o projeto de um amplificador instável e
dificultoso.
Figura 5: Rgião triodo
Na região de saturação, há uma família de curvas
lineares para cada tensão de alimentação entre o “gate”
e a fonte.
Figura 6: Curvas de saturação
3/5
Se considerarmos o circuito de um amplificador
MOSFET como abaixo:
Figura 7: MOSFET polarizado como amplificador..
A reta que intercepta as curvas de saturação
corresponde a seleção do valores da resistência RD.
Enquanto a resistência RG, serva para ajustar a tensão
entre o “gate” e a fonte (VGS).
Amplificadores Cascode com MOSFET
Antes de entrarmos nesta topologia, vamos discutir
um importante efeito que pode introduzir distúrbios no
sinal amplificado.
Quando há um pico de tensão na entrada da porta de
“gate” de um MOSFET, este pico gera um ruído
amplificado que percorre o dreno a fonte. Este
fenômeno é conhecido como efeito Miller e pode ser
minimizado ao introduzirmos mais um estágio de
amplificação.
O circuito abaixo representam dois MOSFET em
topologia cascode. A tensão VG1 pode ser aterrada
descarregando os efeitos das capacitâncias parasitas.
O arranjo cascode também é bastante estável pois
sua saída é isolada tanto pelo efeito de campo dos
dispositivos como também pela blindagem metálica dos
MOSFETs e o ganho é bastante elevado.
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Figura 8: Dois MOSFETs polarizado como amplificado do tipo
cascode..
Uma desvantagem que possa ser citada é que este
arranjo demanda uma tensão maior de polarização por
possuir dois MOSFET e portanto exigir uma tensão
dreno fonte (VDS) maior.
Resposta em frequência
Para interpretarmos a resposta em frequência de um
MOSFET, faz-se necessário examinar um circuito
completo de polarização de um transistor MOSFET.
A representação segue abaixo:
Figura 9: Polarização de um MOSFET..
Para baixas frequências, a impedância do capacitor
Cout aumenta as resistências equivalentes na saída ficam
dadas por
E assim a frequência é dada por:
4/5
Para altas frequências entretanto o valor da
impedância de Cout diminui e a resistência equivalente
fica:
Cuja frequência de corte é:
Assim o aspecto da banda de frequência de um
mosfet é representado por
Figura 10: Banda de frequência típica de amplificadores MOSFET..
Onde fc1 e fc2 correspondem as frequências de corte a
baixa frequência e alta frequência respectivamente.
Ao aumentarmos mais estágios de amplificação
como no caso da configuração cascode, há o
alargamento da banda de frequência, fato que permite
trabalhar em um espectro maior no projeto do
amplificador
Conclusão
O presente estudo sobre transistores MOSFET
mostrou algumas vantagens desse tipo de transistor
frente ao BJT, principalmente na supressão de ruído,
ganho elevado, chaveamento a altas frequências e
oportunidade de controlar a corrente com a aplicação de
uma tensão, fato impossível nos transistores de corrente
do tipo BJT.
Além disso mostrou a versatilidade de configurar os
amplificadores com a topologia cascode, permitindo
ganhos mais elevados, supressão do efeito Miller e
ainda ampliar a banda de frequência do sinal.
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Referências Bibliográficas
[1] A. Malvino et al, “Eletrônica, vol 1. - 8 ed.”
BOOKMAN 2018.

[2] A. Malvino et al, “Eletrônica, vol 2. - 8 ed.”

BOOKMAN 2018.

[3] H. Paul et al, “The Art of Electronics”

Cambridge press , 1989.

[4] S. S. Adel et al, “Microelectronic Circuits,”

Oxford, 2015.

[5] A. Anant et al, “Foundations of Analog and

Digital Electronic Circuits,” Elsevier, 2005.

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