Eficiencia límite en la conversión de la energía solar mediante

células fotovoltaicas
Moisés Garín Escrivá (2003)

Este trabajo revisa la eficiencia máxima en la conversión de la energía solar en electricidad de las
células fotovoltaicas de un solo gap y de múltiples gaps. La teoría predice una eficiencias máxima de un
25 % para las células basadas en unión PN, y de un 30 % como límite fundamental de las células
basadas en silicio cristalino. Ambas eficiencias corresponden a condiciones de iluminación AM1.5G. En
el caso de células multigap, el límite fundamental de la eficiencia sube hasta el 85 % para condiciones
de iluminación AM1.5G.

1 Introducción difunde un emisor en una de sus caras. Para poder extraer

la corriente, también se crean unos contactos óhmicos en
Uno de los temas de interés en el campo de la
ambas caras (fig. 1).
conversión fotovoltaica es la eficiencia límite teórica de
La oblea de Si, o volumen de la célula, absorbe la luz
las células fotovoltaicas. El estudio de estos límites
solar incidente por efecto fotovoltaico; cada fotón
permite avanzar en la comprensión del funcionamiento de
absorbido con energía superior al band gap del silicio da
las células en sí, a la vez que permite evaluar mejor el
lugar a un par electrón-hueco. A su vez, el campo
estado de la tecnología presente.
eléctrico de la unión PN separa los portadores dando
Existen dos aproximaciones a éste estudio. Una es
lugar a una corriente neta en el circuito externo. Nótese
considerar el modelo de la estructura completa de la
que, en éste tipo de células, el campo eléctrico
célula y de ahí derivar la eficiencia máxima en el mejor
únicamente se establece en una región muy estrecha de la
caso de diseño. Esa opción sin embargo, no permite
célula, por lo que los portadores han de alcanzar el campo
extrapolar los resultados a otras estructuras conversoras.
por difusión. En consecuencia, el silicio cristalino ha de
La otra aproximación consiste en la realización de un
ser de la mayor calidad posible para que la longitud de
balance termodinámico detallado. Este tipo de estudio
difusión de los portadores sea tal que les permita llegar al
permite obtener la eficiencia máxima de forma
emisor antes de recombinar.
independiente de la estructura, por lo que es un límite más
La figura 2 muestra el circuito equivalente típico de
fundamental.
una célula solar, lo que da como resultado la dependencia
En los siguientes apartados revisaremos las eficiencias
I(V)
límites para células de un solo gap y de múltiples gaps.
En el caso de células de un sólo gap utilizaremos ambas
aproximaciones, mientras que en el caso de las células 
I =I L­I 0 exp
nkT 
V R s I R
­ sh ,
V
(1)

multigap únicamente revisaremos el límite donde IL es la corriente fotogenerada, k es la constante de

termodinámico.
2 Revisión de la célula solar cristalina de unión
De una forma simplificada, una célula solar cristalina
Boltzmann, T es la temperatura en K, n es el factor de
idealidad del diodo, Rs es la resistencia serie equivalente,
y Rsh es la resistencia shunt equivalente. La constante I0 es
la corriente inversa saturación del diodo, y viene definida
por la ecuación

 
de unión está formada por una oblea de silicio cristalino
D e ni2 D h ni2
(c-Si), de unos 300 a 500 m de espesor, en la que se I 0= Aq  , (2)
Le N A L h N D
donde ni es la concentración intrínseca de portadores en el
silicio, De y Dh son la difusividad de los electrones y
huecos, Le y Lh son las longitudes de difusión de
electrones y huecos, y Na y Nd son las concentraciones de
impurezas aceptadoras y donadoras.
La figura 3 muestra gráficamente la característica

Figure 2: Circuito equivalente de una célula solar

Figure 1: Estructura de una célula solar fotovoltaica fotovoltaica.

1
típica I(V), así como la potencia generada en cada punto,

corriente J [mA/cm2] y pot. P [mW/cm2]

35
de una célula. Los principales puntos de interés para la J
sc
caracterización de la célula son: la corriente de 30
cortocircuito, Isc, que es igual a IL, la tensión de circuito Jmax
25
abierto, Voc, y la corriente, Imax, y tensión, Vmax, en el punto
de máxima potencia de salida. La máxima potencia se 20 Pmax J
puede determinar como
P max =V max I max =V oc I sc FF (3) 15
donde FF es el factor de forma y se define como 10
I V P
FF = max max . (4) Vmax Voc
I sc V oc 5

0
3 Eficiencia límite en células monocristalinas de 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Voltaje V [V]
unión
Para estudiar el límite teórico máximo en una célula Figure 3: Curva I-V de una célula fotovoltaica típica
solar monocristalina de unión estudiaremos los límites
tomaremos una n igual a uno. Aunque ésto puede parecer
ideales de los parámetros característicos Isc, Voc y FF. [1]
un poco contradictorio, ya que n está multiplicando,
desde un punto de vista físico, una n diferente a uno
Factor de forma representa un caso no ideal que afecta negativamente
Definiendo la tensión de circuito abierto normalizada, otros parámetros de la célula, resultando en una eficiencia
voc, como total menor. Por tanto, el máximo ideal de Voc se dará para
V oc el mínimo ideal de I0. Teniendo en cuenta que

 
v oc = , (5) E
kT / q ni2= N C N V exp ­ g , (9)
el factor de forma se puede aproximar por la expresión kT
empírica la equación (2) puede reescribirse como

 
v oc ­ln v oc0.72 E
FF = , (6) I 0=1.5×105 ­ g , (10)
v oc 1 kT
para voc > 10. En ésta expresión se pone de manifiesto que donde se han usado valores favorables para De, Dh, Le y Ln
el factor de forma depende únicamente de Voc, por lo que considerando recombinación en la superficie muy baja y
tan solo es necesario estudiar los límites ideales de Voc y un c-Si de alta calidad. Se observa en ésta expresión que,
Isc. al contrario que ocurre con la corriente de cortocircuito, a
mayor Eg mayor es la tensión de circuito abierto que se
Corriente de cortocircuito obtiene.
La corriente de cortocircuito máxima se puede
determinar suponiendo que: Eficiencia máxima
(a) la reflectividad de la cara frontal es cero, La figura 4 muestra la eficiencia máxima en función
(b) todos los fotones de energía superior a Eg son del bandgap, resultante de aplicar las consideraciones
absorbidos (grosor infinito), previas, para los espectros AM0 y AM1.5G. La máxima
(c) cada fotón absorbido genera un par electrón hueco, y eficiencia se encuentra para un material de Eg alrededor
(d) es posible extraer todos los portadores fotogenerados. de 1.4 eV. Para el espectro AM15G, el silicio presenta
Bajo éstas consideraciones, la corriente de
cortocircuito es igual a la corriente fotogenerada y es
∞
I sc =q ∫0 a  E  S  E  dE , (7)
donde S(E) es el espectro de flujo de fotones del sol y q
es la carga del electrón. La función a(E) es la absorbancia
de la célula, y para una célula de grosor infinito es cero
para E < Eg y uno en caso contrario. En ésta expresión se
puede observar que, a menor bandgap, mayor es la
corriente de cortocircuito.

Tensión de circuito abierto

Particularizando la ecuación (1) para circuito abierto,
I = 0, se puede despejar Voc resultando en la siguiente
expresión:
V oc =n
kT
q
ln
 
IL
I0
1 . (8)

Puesto que estamos interesados en el límite ideal de Voc,

2
una eficiencia máxima de un 26 %, mientras que para el
AsGa es de un 29 %. Actualmente, el récord de eficiencia
de conversión en células de Si, está en manos de las
células PERL [3], con una eficiencia de 24,4 %, que está
muy cerca del límite teórico de 26 %.
4 Eficiencia límite termodinámica en células
monocristalinas
En la sección previa se ha calculado la eficiencia
máxima de una célula solar monocristalina suponiendo
que se usa una unión PN para extraer la corriente
fotogenerada. Esta aproximación tiene la limitación de
que no permite determinar la eficiencia máxima que se
podría obtener con una estructura diferente. En esta
sección presentaremos los cálculos de eficiencia máxima,
desde un punto de vista termodinamico, realizados por T.
Tiedje, et al. [2]. Consideraremos una oblea de
semiconductor de grosor finito, L, con una cara frontal
texturizada con índice de reflexión cero y una cara
posterior pulida con índice de reflexión uno, como se
muestra la figura 5. El texturado de la cara frontal tiene la
misión de dispersar la luz que entra en la oblea,
incrementando el recorrido de los fotones y por tanto la
probabilidad de absorción.
El espectro de emisión de un semiconductor bajo
iluminación corresponde con el espectro de emisión del
cuerpo negro, bn(E,T), multiplicado por la absorbancia del
semiconductor y escalado por el factor exp(/kT). La
variable  es el potencial químico, y en un semiconductor
corresponde con la separación de los casi-niveles de
Fermi, que a su vez corresponde con el máximo voltaje
que se podría obtener de la célula solar. La ecuación que
define el espectro de fotones de emisión del cuerpo negro
por unidad de área y ángulo sólido es
[   ]
­1
2 n2 E
bn  E ,T = 3 2 E 2 exp ­ ­1 , (11)
kT
h c
donde
n indice de refracción del médio
h contante de Planck
c velocidad de la luz
k contante de Boltzmann
E energía del fotón
T Temperatura.
Consideraremos dos mecanismos de absorción de los
fotones incidentes en la oblea: absorción por portadores
libres y por efecto fotovoltaico, con unos coeficientes de
absorción óptico 1 y 2, respectivamente. La absorción
por portadores libres consiste en la absorción de un fotón
por parte de un portador libre, sin crear un nuevo par
electron-hueco, incrementando su energía cinética. El
portador “energizado” finalmente devuelve la energía
extra a la red cristalina en forma de calor, emitiendo
fonones. Con estos mecanismos de absorción, y
suponiendo que el texturado de la cara frontal dispersa
perfectamente la luz, se puede demostrar que la
absorbancia, a, de la oblea es
3
Figure 5: Estructura y efectos considerados en el balance
termodinámico
2  E 
a  E =
1 1212)
 2  E 1  E  2
4n L
donde E es la energía del fotón y n el índice de refracción
del material semiconductor.
Como mecanismos de recombinación en la oblea,
únicamente se consideran recombinación radiativa y
Auger, ya que son los dos mecanismos de recombinación
intrínsecos del material y no se pueden evitar. La tasa de
recombinación radiativa, Rrad, por unidad de volumen se
determina como
R rad =Rnp , (13)
donde R es el coeficiente de recombinación radiativa, y n
y p son respectivamente las concentraciones de electrones
y huecos. A su vez, la tasa de recombinación Auger, RAu,
viene dada por
R Au=C n n 2 pC p p 2 n , (14)
donde Cn y Cp son los coeficientes Auger.
En equilibrio, las tasas total de generación ha de ser
igual a la tasa total de recombinación más la corriente que
se extrae de la célula. Por tanto, se ha de cumplir
 
V
exp
kT
∬ 2  E  a 2  E bn  E , T  dEd 
, (15)
I sc 2 2 I
 =RnpC n n pC p p n
qL qL
donde el primer término del lado izquierdo representa el
término de generación debido a la reabsorción de fotones
generados por el propio semiconductor, y Isc/qL es la tasa
de generación debido a la radiación externa. La corriente
de cortocircuito, Isc, se determina según la expresión (7),
tomando la expresión (12) para la absorbancia.
Resolviendo numéricamente I en función de V en la
ecuación (15), se haya la potencia máxima y el
rendimiento máximo ideal para la célula termodinámica.
La figura 6 muestra la potencia máxima en función del
grosor de la oblea. El rendimiento máximo para una
célula de silicio es de 29.7 % para un grosor de 100 m.
5 Eficiencia límite en células multigap
Las células solares fotovoltaicas monocristalinas,
únicamente son capaces de utilizar los fotones con
energía igual o superior a Eg. Además, de cada fotón
únicamente se puede aprovechar un máximo de energía
igual a Eg, ya que el resto de energía se emite en forma de
calor. Simplemente ésta consideración ya impone una

perdida en el rendimiento de alrededor del 50 % para
células cristalinas de silicio.
Una forma de mejorar el ajuste del sistema
fotovoltaico al espectro del sol, mejorando el
rendimiento, son los sistemas multigap. Estos sistemas
utilizan materiales de diferentes bandgaps, de forma que
los fotones se absorben por el material más adecuado en
función de su energía. Una forma de conseguir ésto son
las células tándem. Una célula tándem no es mas que una
serie de células solares, fabricadas con materiales de
diferente bandgap, colocadas una sobre otra. Las células
se ordenan según el bandgap, de forma que la de mayor
bandgap queda en la superficie frontal. Un fotón que
incide en la superficie frontal atravesará las diferentes
células hasta que encuentre una con el bandgap
suficientemente bajo como para ser absorbido, como se
muestra en la figura 7. Puesto que las células están
conectadas en serie, las células tándem dan un voltaje
mayor que las células convencionales.
Las diferentes capas de la célula tándem están
conectadas en serie, por lo tanto todas han de generar
exactamente la misma corriente para que no se pierda
energía. Ésto obliga a diseñar una célula tándem para un
espectro determinado, generalmente el del Sol. El
rendimiento decae notablemente cuando se usa con
iluminaciones de espectro diferente.
La realización de un balance termodinámico detallado
permite demostrar que la eficiencia máxima ideal de un
sistema tándem con un número infinito de células es de
4
Figure 7: Principio de funcionamiento de una célula
tándem.
un 85 % para el espectro AM1.5G [4].
6 Comparativa de la eficiencia de conversión
fotovoltaica
La figura 8 muestra una comparativa de la eficiencia
de conversión teórica máxima y típica entre plantas,
células solares monocristalinas, células solares tándem y
centrales solares térmicas.
En el caso de las plantas, la eficiencia máxima teórica
de la conversión de la energía solar en hidrocarburos de la
fotosintesis es de un 4,5 %. Sin embargo, al considerar la
eficiencia de la planta al completo, éste numero no sube,
en la mayoría de los casos del 1 %. Por ejemplo, la
eficiencia de la patata, calculada midiendo la cantidad de
materia seca que se obtiene es del 0,4 % [5]. Si
posteriormente transformamos la energía de los
hidrocarburos a energía electrica, vemos que el
rendimiento de una planta en la conversión
luz/electricidad, es bajísima.
En el caso de células solares cristalinas, se ha tomado
un 16 % como rendimiento típico, ya que es la eficiencia
de las células comerciales mas avanzadas. Aunque, como
ya hemos comentado, la eficiencia de las células de
laboratorio supera el 24 %. Las células tándem, por otro
lado, es todavía una tecnología muy experimental, y no se
Figure 8: Comparativa de las eficiencias de conversión
máximas teóricas y típicas entre diferentes sistemas de
conversión de la energía eléctrica.
encuentran disponibles comercialmente para aplicaciones vista termodinámico, sube hasta el 85 %. Las células
terrestres. Por lo tanto se ha tomado un 30 % [6] como solares fotovoltaicas son los elementos conversores de la
valor representativo del estado del arte de ésta tecnología. energía solar con el mayor rendimiento.
Las centrales solares térmicas transforman la energía
solar en electricidad a base de concentrar la la luz solar en 8 Bibliografía
un punto, calentandolo. Posteriormente, el calor
almacenado se usa para generar vapor de agua que hace [1] M. A. Green, “Solar Cells”, (Prentice-Hall, Englewood Cliffs,
1982) cap. 5
girar unas turbinas, generando electricidad. Actualmente,
la eficiencia media anual de una central solar térmica está [2] T. Tiedje, E. Yablonovitch, G. D. Cody, and B. G. Brooks, IEEE
Trans. Electron Devices. 31, 711 (1984)
alrededor del 16 % [7]. Aunque la conversión luz/calor se
realiza con un rendimiento superior al 50 % en las [3] J. Zhao, A. Wang, and M. A. Green, Solar Energy Materials &
centrales solares térmicas, el cuello de botella se Solar cells. 65, 429 (2001)
encuentra en el almacenamiento del calor y posterior [4] A. Martí, G. L. Araújo, Solar Energy Materials & Solar Cells. 43,
conversión a electricidad. Por lo tanto, no es previsible un 203 (1996)
notable aumento en la eficiencia de éstos sistemas si no [5] T. W. Patzek, “Photosynthesis”
mejoras éstos dos aspectos de la tecnología. (http://patzek.berkeley.edu/E11/Photosynthesis.pdf)
Basado en:
D. Walker, “Energy, Plants and Man” 2nd Ed. (Oxy Graphics,
7 Resumen England, 1993)
La eficiencia máxima de una célula basada en silicio [6] T. Takamoto, T. Agui, E. Ikeda, and H. Kurita, 28th IEEE
cristalino está en 30 %. Este límite se reduce a 25 % Photovoltaic Specialists Conference, Anchorage, Ak USA, 976
(2000)
cuando se considera una unión PN como mecanismo de
extracción de la corriente fotogenerada. En el caso de [7] SolarPACES, “Concentrating Solar Power in 2001”. (2001)
células tándem, la eficiencia máxima, desde el punto de (www.solarpaces.org)