Eletrônica Analógica – Física dos Semicondutores Prof. Dr. José Erick de S.

Lima

Exercícios: Física dos Semicondutores

1. Uma amostra de silício do tipo n está sujeita a um campo elétrico de 0,1 V/ 𝜇m.
(a) Calcule a velocidade de elétrons e de lacunas nesse material.
(b) Que nível de dopagem é necessário para produzir uma corrente de 1mA/𝜇m² nessas condições?
Suponha que a corrente de lacunas seja desprezível. (sendo a mobilidade dos elétrons e das lacunas
no silício 𝜇𝑛 = 1350𝑐𝑚2 /𝑣. 𝑠 e 𝜇𝑝 = 480𝑐𝑚2 /𝑣. 𝑠 respectivamente).

2. Abaixo, temos uma barra de silício do tipo p que está́ sujeita a injeção de elétrons pela esquerda e
de lacunas pela direita. Admitindo que a seção reta tem área de 1 𝜇m X 1 𝜇m, determine a corrente
total que flui pelo dispositivo. (sendo 𝐷𝑛 = 34𝑐𝑚2 /𝑠 , 𝐷𝑝 = 12𝑐𝑚2 /𝑠 e 𝑞 = 1,6 × 10−19 𝐶)

Figura-01

3. Uma junção emprega 𝑁𝐷 = 5 × 1017 𝑐𝑚−3 𝑒 𝑁𝐴 = 4 × 1016 𝑐𝑚−3.

(sendo 𝑛𝑖 = 1,08 × 1010 𝑒𝑙é𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠/𝑐𝑚−3 e a constante de Boltzmann, 𝑘 = 1,38 × 10−23 𝐽/𝐾).
(a) Determine as concentrações de portadores majoritários e minoritários nos dois lados.
(b) Calcule o potencial interno em T = 250 K, 300 K e 350 K.

4. Devido a um erro de fabricação, o lado p de uma junção pn não foi dopado. Se 𝑁𝐷 =

3 × 1016 𝑐𝑚−3, calcule o potencial interno em T = 300 K.

5. Uma junção pn com 𝑁𝐷 = 3 × 1016 𝑐𝑚−3 𝑒 𝑁𝐴 = 2 × 1015 𝑐𝑚−3. está sujeita a uma tensão de
polarização reversa de 1,6 V. Determine a capacitância de junção por unidade de área.

6. Um oscilador requer uma capacitância variável com a característica mostrada abaixo. Determine o
valor necessário de 𝑁𝐷 se 𝑁𝐴 = 1017 𝑐𝑚−3. (𝑠𝑒𝑛𝑑𝑜 ∈𝑆𝑖 = 11,7 × 8,85 × 10−14 𝐹/𝑐𝑚)

Figura-02

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7. Considere uma junção pn sob polarização direta.

(a) Para se obter uma corrente de 1 mA com uma tensão de 750 𝑚𝑉, como deve ser escolhido o
valor de 𝐼𝑆 ?
(b) Se a área da seção reta do diodo for dobrada, que tensão produzirá uma corrente de 1 mA?

8. Abaixo, dois diodos com correntes de saturação reversa 𝐼𝑆1 e 𝐼𝑆2 conectados em paralelo.
(a) Prove que a combinação em paralelo funciona como um dispositivo exponencial.
(b) Se a corrente total for 𝐼𝑡𝑜𝑡 , determine a corrente que flui em cada diodo.

Figura-03

9. No circuito abaixo, suponha que 𝐷1 deve manter uma tensão de 850 𝑚𝑉 para 𝑉𝑋 = 2 𝑉. Calcule
o valor de 𝐼𝑆 .

Figura-04

10. Deseja-se determinar 𝑅1 e 𝐼𝑆 do circuito abaixo, sabendo-se que 𝑉𝑋 = 1𝑉 → 𝐼𝑋 = 0,2𝑚𝐴 e 𝑉𝑋 =

2𝑉 → 𝐼𝑋 = 0,5𝑚𝐴. Calcule os valores de 𝑅1 e 𝐼𝑆 .

Figura-05

11. No circuito abaixo, desejamos que uma corrente de 0,5 𝑚𝐴 flua por 𝐷1 quando 𝐼𝑋 = 1,3𝑚𝐴.
Determine o valor de 𝐼𝑆 .

Figura-06

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