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i

SUMÁRIO

1. Revisão de Eletricidade

01

1.1.Circuito Elétrico

01

1.1.1. Gerador

01

1.1.2. Condutor

01

1.1.3. Receptor

01

1.2.Condutores e Isolantes

02

1.2.1. Condutor

02

1.2.2. Isolante

02

1.3.Fontes de Energia Elétrica

02

de

1.3.1. Tensão

Fontes

03

de

1.3.2. Corrente

Fontes

04

1.4. Potência Elétrica

05

1.5. Elétrica

Resistência

05

1.6. Associação

de Resistores

07

1.6.1. Associação

Série

08

1.6.2. Associação

em Paralelo

09

1.6.3. Associação

Mista

10

1.7. Leis de Kirchoff

10

1.7.1. Lei dos Nós

10

1.7.2. Lei das Malhas

11

ii

 

1.8.1. Teorema de Thevenin

11

1.8.2. Teorema da Superposição

12

1.8.3. Teorema da Máxima Transferência de Potência

13

1.9.

Exercícios

 

14

2. Materiais Semicondutores

17

2.1. Tabela Periódica

17

2.2. Estrutura Atômica

17

 

2.2.1.

Camadas de

Energia

18

2.3. Características

 

18

2.4. Número

Atômico

19

2.5. Número de Valência

19

2.6. Principais Semicondutores

19

 

2.6.1. Características

Marcantes

20

2.6.2. Representação

Planar

20

2.6.3. Dopagem Eletrônica

20

2.7. Cristais

 

21

3. Diodos

 

24

3.1. Características

 

24

3.2. Polarização

24

3.3. Curva Característica

26

 

3.3.1.

Ponto de Operação

27

3.4. Análise de Circuitos

 

27

iii

 

3.4.1. Modelo

Ideal

27

3.4.2. Modelo para Médias Tensões

28

3.4.3. Modelo

Real

28

3.5. Grampeador

Positivo

29

3.6. Grampeador

Duplo

29

3.7. Exercícios

31

4. Diodos em CA

35

4.1.

Introdução

35

4.2.

Transformadores

35

4.2.1.

Equações Principais

36

4.3.

Retificador de Meia Onda

36

4.4.

Retificador de Onda Completa

38

4.5.

Retificador em Ponte

39

4.6.

Dobrador de Tensão

41

4.7.

Triplicador de Tensão

41

4.8.

Quadruplicador de Tensão

41

4.9.

Exercícios

42

5. Filtro

Capacitivo

44

5.1.

Introdução

44

5.2.

Definição

44

5.3.

Divisão

44

5.3.1.

Passivos

44

iv

5.3.2.

Ativos

44

5.4. Componente

Básico

45

5.4.1. Capacitor

 

45

5.4.2. Capacitância

46

5.4.3. Rigidez Dielétrica

46

5.4.4. Corrente

de Fuga

46

5.4.5. Tipos de

Capacitores

47

 

5.4.5.1. Capacitores Eletrolíticos

48

5.4.6. Carga e Descarga

49

5.4.7. Reatância Capacitiva

51

5.5. Classificação dos Filtros

53

5.5.1. Passa-baixas

 

53

5.5.2. Passa-altas

54

5.5.3. Passa-banda

55

5.6. Retificador com

56

5.7. Exercícios

57

6. Diodos Especiais

59

6.1. Optoeletrônicos

59

6.2. Fotodiodo

60

6.3. Diodo Emissor de Luz - LED

61

6.4. Optoacopladores

 

62

6.5. Diodo Zener

63

v

 

6.5.1.

Funcionamento do Zener

64

6.6.

Exercícios

66

7. Reguladores de Tensão

68

7.1. Fontes de Alimentação

68

7.2. Regulador Zener

69

 

7.2.1. Carga e Entrada Constantes

70

7.2.2. Carga Variável e Entrada Constante

71

7.2.3. Carga Fixa e Entrada Variável

73

7.2.4. Carga e Entrada Variáveis

74

7.3. Reguladores Integrados

75

 

7.3.1. Série

78xx

75

7.3.2. Série

79xx

75

7.3.3. Variáveis

75

7.4. Projeto

 

76

7.5. Exercícios

76

8. Introdução aos Transistores

78

8.1. Estrutura Física

 

78

8.2. Simbologia

79

8.3. Análise do Circuito

79

8.4. Classificação

 

80

 

8.4.1. Uso Geral

80

8.4.2. Potência

80

vi

8.4.3.

RF

80

8.5. Funcionamento

 

81

8.6. Configurações Básicas

 

82

8.6.1. Base Comum

 

83

8.6.2. Coletor Comum – Seguidor de Emissor

83

8.6.3. Emissor Comum

 

84

8. 7. Exercícios

 

85

9. Polarização de Transistores

88

9.1. Curva Característica

88

9.2. Ponto de Operação

89

9.3. Reta de Carga

90

9.4. Circuitos de Polarização

 

91

9.4.1. Polarização da Base

91

9.4.2. Realimentação

do

Emissor

92

9.4.3. Realimentação

do

Coletor

93

9.4.4. Polarização

do Emissor

94

9.4.5. Polarização por Divisor de Tensão

95

9.5. Exercícios

 

96

10. Transistores como Chave

98

10.1. Chave Eletrônica

98

10.2. Dimensionamento

99

10.3. Circuitos com Transistores

100

vii

10.3.1. Transistor Isolado

 

100

10.3.2. Transistores

em

Cascata

100

10.3.3. Transistores

em

Push-Pull

100

10.3.4. Transistores em Ponte H

101

10.4.

Exercício

101

viii

RELAÇÃO DE FIGURAS

Fig. 1 – Circuito elétrico

01

Fig. 2 – Fontes de tensão (a) fonte, (b) pilha e (c) bateria

03

Fig. 3 – Fonte de corrente

04

Fig. 4 – Resistências (a) fixa, (b) variável e (c) LDR

07

Fig. 5 – Associação em série de resistores

08

Fig. 6 – Associação em paralelo de resistores

09

Fig. 7 – Associação em mista de resistores

10

Fig. 8 – Circuito para análise por Thevenin

12

Fig. 9 – Circuito para análise por superposição

13

Fig. 10 – Tabela periódica

17

Fig. 11 – Camadas de energia

18

Fig. 12 – Número de valência

19

Fig. 13 – Representação planar

20

Fig. 14 – Cristal tipo N

22

Fig. 15 – Cristal tipo P

22

Fig. 16 – Cristal tipo PN

23

Fig. 17 – Representação do diodo

24

Fig. 18 – Diodo semicondutor

25

Fig. 19 – Polarização do diodo (a) direta e (b) reversa

25

Fig. 20 – Curva característica do diodo

26

Fig. 21 – Modelo ideal do diodo

27

ix

Fig. 22 – Modelo para médias tensões

28

Fig. 23 – Modelo real

28

Fig. 24 – Grampeador positivo

29

Fig. 25 – Grampeador duplo

29

Fig. 26 – Circuito magnético

35

Fig. 27 – Retificador de meia onda

36

Fig. 28 – Forma de onda do retificador de meia onda

37

Fig. 29 – Retificador de onda completa

38

Fig. 30 – Forma de onda do retificador de onda completa

38

Fig. 31 – Retificador em ponte

39

Fig. 32 – Forma de onda do retificador em ponte

39

Fig. 33 – Duplicador de tensão

41

Fig. 34 – Triplicador de tensão

41

Fig. 35 – Quadruplicador de tensão

41

Fig. 36 – Modelo de capacitor e simbologia

45

Fig. 37 – Circuito equivalente de um capacitor

47

Fig. 38 – Capacitores variáveis

47

Fig. 39 – Capacitores fixos

48

Fig. 40 – Circuito de carga desligado

49

Fig. 41 – Circuito de carga ligado

49

Fig. 42 – Gráfico de tensão e corrente

50

Fig. 43 – Filtro passa-baixas

53

x

Fig. 44 – Ponto de corte do passa-baixas

53

Fig. 45 – Filtro passa-altas

54

Fig. 46 – Ponto de corte do passa-altas

54

Fig. 47 – Filtro passa-banda

55

Fig. 48 – Ponto de corte do passa-banda

55

Fig. 49 – Retificador de meia onda com filtro capacitivo

56

Fig. 50 – Forma de onda do retificador com filtro

56

Fig. 51 – Fotodiodo

60

Fig. 52 – Diodo Emissor de Luz – LED

61

Fig. 53 – Optoacoplador

62

Fig. 54 – Diodo zener

63

Fig. 55 – Curva característica do diodo zener

63

Fig. 56 – Análise de funcionamento do zener

64

Fig. 57 – Diagrama de blocos de uma fonte de tensão

69

Fig. 58 – Regulador zener

69

Fig. 59 – Regulador 78xx

75

Fig. 60 – Regulador 79xx

75

Fig. 61 – Estrutura do transistor

78

Fig. 62 – Estrutura do transistor NPN e PNP

78

Fig. 63 – Simbologia para NPN e PNP

79

Fig. 64 – Simbologia para NPN e PNP

81

Fig. 65 – Relação das correntes do transistor

81

xi

Fig. 66 – Transistor em base comum

83

Fig. 67 – Transistor em coletor comum

83

Fig. 68 – Transistor em emissor comum

84

Fig. 69 – Característica de saída

88

Fig. 70 – Regiões de operação

88

Fig. 71 – Pontos de operação

89

Fig. 72 – Reta de carga

90

Fig. 73 – Circuito de polarização

90

Fig. 74 – Circuito de polarização da base

91

Fig. 75 – Circuito de polarização com realimentação de emissor.92

Fig. 76 – Circuito de polarização com realimentação do coletor 93

Fig. 77 – Circuito de polarização com emissor fixo

94

Fig. 78 – Circuito de polarização por divisor de tensão

95

Fig. 79 – Transistor como chave

98

Fig. 80 – Formas de acionamento

98

Fig. 81 – Acionamento digital

99

Fig. 82 – Transistor isolado

100

Fig. 83 – Transistor em cascata

100

Fig. 84 – Transistor em push-pull

100

Fig. 85 – Transistor em ponte H

101

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

PROF. HENRIQUE

01 – REVISÃO DE ELETRICIDADE

1.1. CIRCUITO ELÉTRICO

Circuito elétrico‚ é todo e qualquer percurso fechado por onde circula a energia elétrica.

GERADOR

CONDUTOR

CARGA

Fig. 1 – Circuito elétrico.

1.1.1. GERADOR

Elemento responsável pela criação (geração) da energia elétrica a partir de energia mecânica, química ou térmica. Os geradores são denominados, geralmente, de FONTES ELÉTRICAS ou simplesmente FONTES.

1.1.2. CONDUTOR

Elemento destinado a conduzir (levar) a energia elétri- ca do gerador ao receptor.

1.1.3. RECEPTOR

Elemento destinado a receber a energia elétrica e con- vertê-la em uma outra forma de energia que possa ser utilizada (mecânica, térmica, luminosa). Os receptores são geralmente denominados de CARGAS ELÉTRICAS ou simplesmente CARGA.

O fluxo de energia elétrica dar-se através do esquema

abaixo:

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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1.2. CONDUTORES E ISOLANTES

1.2.1. CONDUTOR

É todo e qualquer material que apresenta grande quan- tidade de elétrons livres, isto é, apresentam elétrons que estão fracamente ligados ao núcleo do átomo. Estes materiais, quando

submetidos a uma DIFERENÇA DE POTENCIAL (ddp) ou FORÇA

ELETROMOTRIZ (fem) ou TENSÃO, têm esses elétrons circulando no seu interior.

Ex.: ouro; prata; cobre; alumínio

1.2.2. ISOLANTE

Ao contrário dos condutores, os isolantes têm uma quantidade muito pequena de elétrons livres, ou seja, os elétrons estão fortemente ligados ao núcleo do átomo, o que dificulta a circulação desses no seu interior.

Ex.: borracha; mica; porcelana

1.3. FONTES DE ENERGIA ELÉTRICA

Para que qualquer circuito elétrico funcione, é preciso haver uma fonte de energia. Uma fonte de energia pode fornecer (a) uma TENSÃO ou (b) uma CORRENTE.

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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1.3.1. FONTE DE TENSÃO (U)

É o elemento que apresenta uma ddp (tensão ou fem)

entre os seus terminais (pólos) e que fornece energia elétrica quando uma carga é conectada aos seus pólos.

Ex.: pilha; bateria.

A tensão elétrica é a relação entre o trabalho realizado

para deslocar uma carga elétrica entre os dois pontos de uma ddp. A unidade de tensão é o VOLT (V). O instrumento de medi- da da tensão é o VOLTÍMETRO, que deve ser conectado em para- lelo com a carga, pois ambos ficam, assim, sob o mesmo poten- cial elétrico.

As fontes de tensão ideais não têm perdas internas (não consomem energia internamente), porém, isto não ocorre nas fontes reais. Portanto, as fontes reais apresentam um elemento de dispersão interna (conhecido como resistência interna da fon- te).

interna (conhecido como resistência interna da fon- te). Fig. 2 - Fontes de tensão (a) fonte,

Fig. 2 - Fontes de tensão (a) fonte, (b) pilha e (c) bateria.

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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1.3.2. FONTE DE CORRENTE (I)

Elemento que, ao invés de provocar uma ddp, fornece

uma corrente elétrica à carga. Mas

o que é corrente elétrica ?

A corrente elétrica é o deslocamento de cargas (positi- vas e negativas) dentro de um material, quando existe uma ddp entre as extremidades deste. Tal deslocamento procura restabe- lecer o equilíbrio desfeito pela ação de um campo elétrico ou de outros meios (reação química, atrito, luz).

Portanto, a corrente elétrica é o fluxo de cargas que a- travessa a seção reta de um condutor por unidade de tempo. A unidade de corrente é o AMPÈRE (A). O instrumento de medição de corrente é o AMPERÍMETRO, o qual deve ser conectado em série ao local que se quer saber a intensidade da corrente. As- sim, a corrente que circula no local passa pelo instrumento.

As fontes de corrente, tal como as de tensão, podem ser consideradas reais e ideais. No caso real, a fonte de corrente a- presenta um elemento dispersivo em paralelo com sua saída. O símbolo elétrico de uma fonte de corrente é mostrado na Fig. 2.

O símbolo elétrico de uma fonte de corrente é mostrado na Fig. 2. Fig. 3 –

Fig. 3 – Fonte de corrente.

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1.4. POTÊNCIA ELÉTRICA (P)

Sabe-se que para se executar qualquer movimento ou produzir calor, luz, radiação etc., é necessário despender energi- a. À energia aplicada por segundo em qualquer destas atividades chama-se potência.

Em eletricidade, a potência é o produto da tensão pela

corrente

P = UI

(1.1)

Portanto, a unidade de potência é o WATT (W). O ins- trumento destinado a medir potência é conhecido como WATTÍ- METRO. O wattímetro é composto por duas bobinas, uma de cor- rente, conectada em série com o circuito, e uma de potencial, conectada em paralelo com o circuito.

1.5. RESISTÊNCIA ELÉTRICA (R)

Chama-se resistência elétrica à oposição feita, interna- mente, pelo material à circulação da corrente elétrica. Por isso, os corpos maus condutores têm resistência elevada e os corpos bons condutores têm menor resistência.

Isto se deve às forças que mantêm os elétrons livres, agregados ao núcleo do material. Foi o cientista alemão Ohm quem estabeleceu a lei que tem o seu nome e inter-relaciona a ddp, a corrente e a resistência do material.

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U = RI

onde:

(1.2)

I intensidade da corrente elétrica (A);

U

ddp ou fem ou tensão (V);

R

resistência elétrica.

A unidade de resistência elétrica é o OHM (). O ins-

trumento destinado a sua medição é o OHMÍMETRO, que é usado em paralelo com o resistor que se quer medir.

A resistência depende do tipo do material, do compri-

mento, da área da seção transversal e da temperatura.

Cada material tem a sua resistência específica própria, ou seja, a sua resistividade (ρ). Então, a expressão da resistência em função dos dados relativos ao condutor é

onde:

R =

ρ l

S

(1.3)

R resistência em ;

ρ resistividade do material em -mm 2 /m; l comprimento em metros; S área da seção reta em mm 2 .

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A

resistência varia com a temperatura de acordo com a

expressão:

onde:

R

t

=

R

O

[

1

(

t

+α

2

t

1

)]

(1.4)

R t valor da resistência na temperatura "t" em ;

R o valor da resistência a 0 o C em ;

α coeficiente de temperatura em o C -1 ;

t 2 e t 1 temperaturas final e inicial em o C.

A simbologia elétrica adotada para uma resistência elé-

trica é mostrada na Fig. 4.

para uma resistência elé- trica é mostrada na Fig. 4. Fig. 4 – Resistências (a) fixa,

Fig. 4 – Resistências (a) fixa, (b) variável e (c) LDR.

1.6. ASSOCIAÇÃO DE RESISTORES

Os circuitos elétricos são organizados de tal maneira que podemos determinar a forma pela qual os resistores estão associados comumente. Os resistores associados podem ser substituídos por um único RESISTOR EQUIVALENTE ao conjunto

(R eq ).

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O resistor equivalente (R eq ) é um elemento que tem um valor igual ao do conjunto, ou seja, é um ele- mento que substitui o conjunto sem alterar o traba- lho realizado por este.

Os resistores podem ser associados em série, em para- lelo ou de ambas as maneiras.

1.6.1. ASSOCIAÇÃO SÉRIE

Dois ou mais resistores estão em série quando a corren- te que passa por um passa pelos demais. O valor do resistor e- quivalente é igual ao somatório dos resistores associados (Fig.

5).

é igual ao somatório dos resistores associados (Fig. 5). Fig. 5 - Associação em série de

Fig. 5 - Associação em série de resistores.

R

eq

=

R

1

+

R

2

+

R

3

+

R

4

(1.5)

A tensão total através de um circuito série é igual à soma das tensões nos terminais de cada resistência do circuito (Fig. 5). Portanto, em um circuito série, a tensão se divide pro-

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porcionalmente aos resistores do circuito, sendo, pois, chamado

de DIVISOR DE TENSÃO.

1.6.2. ASSOCIAÇÃO EM PARALELO

Dois ou mais resistores estão em paralelo quando estão submetidos à mesma tensão. O valor do inverso do resistor e- quivalente é igual ao somatório dos inversos dos resistores asso- ciados (Fig. 6).

dos inversos dos resistores asso- ciados (Fig. 6). Fig. 6 - Associação em paralelo de resistores.

Fig. 6 - Associação em paralelo de resistores.

1

1

1

1

1

 

=

+

+

+

R

R

R

R

R

eq

1

2

3

4

(1.6)

A corrente total através de um circuito paralelo é igual à soma das correntes, que passam, em cada resistência do circui- to (Fig. 6).portanto, em um circuito paralelo, a corrente se divi- de, nos diversos ramos, em valores inversamente proporcionais aos valores dos resistores dos respectivos ramos. Assim sendo, o circuito paralelo é conhecido como DIVISOR DE CORRENTE.

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1.6.3. ASSOCIAÇÃO MISTA

Este tipo de associação é uma combinação das associa- ções anteriores.

é uma combinação das associa- ções anteriores. Fig. 7 - Associação em mista de resistores. 1.7.

Fig. 7 - Associação em mista de resistores.

1.7. LEIS DE KIRCHOFF

A análise de circuitos elétricos pode ser realizada por diversas formas, porém a maneira mais rápida e simples é a aná- lise das malhas e/ou dos nós do circuito em questão. Pensando nisto, o cientista alemão Kirchoff desenvolveu um método de análise que leva o seu nome.

1.7.1. LEI DOS NÓS

A soma algébrica das correntes instantâneas que fluem em uma junção qualquer, de uma rede, é i- gual a zero” (Bartkowiak, 1999).

Em outras palavras, podemos dizer que a soma das cor- rentes que chegam em um nó é igual à soma das correntes que saem deste nó.

I

chegam

=

I

saem

(1.7)

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1.7.2. LEI DAS MALHAS

A tensão aplicada a um circuito fechado é igual à soma das quedas de tensão naquele circuito(Bartkowiak, 1999).

Ou seja, o somatório das ddp em uma malha fechada é igual a zero. Portanto, a lei das malhas está em concordância com o circuito divisor de tensão.

U

malha

= 0

(1.8)

O sentido para percorrer a malha é arbitrário, desde que sejam observadas as convenções de polaridade das tensões na referida malha.

1.8. MÉTODOS DE ANÁLISE DE CIRCUITOS

1.8.1. TEOREMA DE THEVENIN

O teorema de Thevenin consiste num método usado pa-

ra transformar um circuito complexo num circuito simples equi- valente. O teorema de Thevenin afirma que qualquer rede linear de fontes de tensão e resistências, se considerarmos dois pontos

quaisquer da rede, pode ser substituído por uma resistência e- quivalente R TH em série com uma fonte equivalente V TH .

O R TH é a resistência Thevenin através dos dois pontos

escolhidos com todas as fontes de tensão internas curto-

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circuitadas e V TH é a tensão de circuito aberto vista por estes dois pontos.

EXEMPLO 01: Determinar a corrente que circula por R 4 (Fig. 8).

01 : Determinar a corrente que circula por R 4 (Fig. 8). Fig. 8 - Circuito

Fig. 8 - Circuito para análise por Thevenin.

1 O PASSO: Retira-se R 4 do circuito original deixando-o aberto entre os pontos “a” e “b” e calcula-se a tensão de circuito aberto (V TH ),

2 O PASSO: Determina-se a resistência equivalente (R TH );

3 O PASSO: Conecta R4 ao circuito equivalente de Thevenin e, utilizando-se das leis de Kirchoff, encontra-se o que se pede.

1.8.2. TEOREMA DA SUPERPOSIÇÃO

O teorema da superposição afirma que, numa rede com duas ou mais fontes, a corrente ou a tensão para qualquer com- ponente é a soma algébrica dos efeitos produzidos por cada fon- te atuando independentemente. A fim de se usar uma fonte de cada vez, todas as outras fontes são retiradas do circuito. Ao se retirar uma fonte de tensão, faz-se no seu lugar um curto-

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circuito. Quando se retira uma fonte de corrente, ela é substituí- da por um circuito aberto.

EXEMPLO 02: Determinar a corrente que circula por R 1 (Fig. 9).

02 : Determinar a corrente que circula por R 1 (Fig. 9). Fig. 9 - Circuito

Fig. 9 - Circuito para análise por superposição.

1 O PASSO: Desliga-se a fonte V 2 e encontramos a corrente I 1 , provocada por V 1 .

2 O PASSO: Desliga-se a fonte V 1 e encontramos a corrente I 2 , provocada por V 2 .

3 O PASSO: A corrente I será igual a soma fasorial das correntes I 1 e I 2 .

1.8.3. TRANSFERÊNCIA MÁXIMA DE POTÊNCIA

A potência máxima é fornecida pela fonte de tensão e recebida pela carga, se o valor da impedância de carga for igual ao da impedância interna da fonte de tensão.

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1.9. EXERCÍCIOS

01. Uma lâmpada que utiliza 10 V, um resistor de 10 que consome 4 A, e um motor de 24 V estão associados em série. Calcule a tensão total e a resistência total.

02. Se um fio de cobre tiver uma resistência de 4 a 20 o C, qual o valor da sua resistência a 75 o C?

03. Dois resistores formam um divisor de tensão para polariza- ção de base num amplificador de áudio. As quedas de tensão através deles são de 2,4 V e 6,6 V, respectivamente, num cir- cuito de 1,5 mA. Determine a potência em cada resistor e a potência total dissipada em miliwatts.

04. Calcule a corrente em cada ramo de um circuito paralelo, formado por uma cafeteira elétrica de 20 e um torrador de

pão de 30 , se a corrente total for de 10 A.

05. Qual a potência total consumida por um ferro elétrico de 4,5 A, um ventilador de 0,9 A, e um motor de geladeira de 2,4 A se estiverem todos ligados a uma linha de 120 V?

06. Cinco lâmpadas de 150 W estão ligadas em paralelo numa linha de 120 V. Se um filamento se abrir, quantas lâmpadas podem se acender? Por que?

07. Calcule todas as correntes através das resistências pelo mé- todo da corrente de malha (Fig. 1).

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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08. Calcule todas as correntes e as quedas de tensão através das resistências pelo método da análise da tensão nodal (Fig. 2).

09. Calcule a resistência equivalente e a tensão de saída V o do circuito da Fig. 3.

10. Determine a tensão V p por superposição (Fig. 4).

11. Calcule as correntes 1, 2 e 3 no circuito da Fig. 5.

12. Calcule I L e V L pelo equivalente de Thevènin para o circuito da Fig. 6.

13. Uma fonte de tensão tem 24 V em série com 6 (Fig. 7). Desenhe o circuito da fonte de corrente equivalente.

14. No circuito da Fig. 8, determine: a)o circuito equivalente de Thevènin e o valor de V L ; b)V L por superposição e c)V L pelo equivalente de Norton.

15. Que resistência de carga R L produzirá uma potência máxima na carga (Fig. 9) e qual o valor dessa potência?

de carga R L produzirá uma potência máxima na carga (Fig. 9) e qual o valor

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE GETIN Pág. 1 6

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02 - MATERIAIS SEMICONDUTORES

2.1. TABELA PERIÓDICA

Local onde os elementos químicos são dispostos de a- cordo com seu número atômico para estudo e utilização.

cordo com seu número atômico para estudo e utilização. Fig. 10 – Tabela periódica. A tabela

Fig. 10 – Tabela periódica.

A tabela periódica está dividida em famílias e sua dis-

tribuição é vista na Fig. 10, enquanto que suas famílias são divi- didas em:

1- Metais 2- Semimetais 3- Não Metais 4- Gases Nobres

2.2. ESTRUTURA ATÔMICA

A estrutura atômica de um elemento químico é a forma

pela qual seus elétrons estão distribuídos em camadas de energia (Fig. 11) e fornece informações acerca de seu número atômico bem como de sua valência de energia

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E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE Fig. 11 – Camadas de energia.

Fig. 11 – Camadas de energia.

2.2.1. CAMADAS DE ENERGIA

A quantidade máxima de elétrons existente em cada camada de energia é apresentada a seguir:

K

-

2;

L

-

8;

M

-

18;

N

-

32;

O

-

32;

P

-

18;

Q

-

2.

2.3. CARACTERÍSTICAS

Os átomos são constituídos por:

Prótons;

Nêutrons;

Elétrons.

Os PRÓTONS correspondem a CARGAS POSITIVAS. Os

ELÉTRONS são as CARGAS NEGATIVAS. Portanto, os átomos se

encontram ELETRICAMENTE NEUTRO.

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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Os ÁTOMOS ESTÁVEIS são os que possuem 8 ELÉTRONS

na ÚLTIMA CAMADA de energia.

2.4. NÚMERO ATÔMICO

O número atômico corresponde ao número de prótons

que um átomo possui. Exemplos:

Cálcio (Ca) – Z = 20 Cobre (Cu) – Z = 29

Polônio (Po) – Z = 84 Enxofre (S) – Z = 16

2.5. NÚMERO DE VALÊNCIA

O numero de valência de um átomo corresponde ao

número de elétrons existentes na última camada de energia.

de elétrons existentes na última camada de energia. Fig. 12 – Número de valência. 2.6. PRINCIPAIS

Fig. 12 – Número de valência.

2.6. PRINCIPAIS SEMICONDUTORES

Dentre os semicondutores os primeiros a serem utiliza-

dos na confecção de dispositivos eletrônicos foram:

Germânio (Ge);

Silício (Si).

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2.6.1. CARACTERÍSTICAS MARCANTES

São TETRAVALENTES;

COMPARTILHAM os elétrons da camada de valência;

NÃO APRESENTAM ELÉTRONS LIVRES;

Formam estruturas cristalinas (CRISTAIS)

Nota: O Si é o elemento químico mais utilizado atualmente.

2.6.2. REPRESENTAÇÃO PLANAR

A Fig. 13 apresenta uma representação planar de um semicondutor.

13 apresenta uma representação planar de um semicondutor. Fig. 13 – Representação planar. 2.6.3. DOPAGEM

Fig. 13 – Representação planar.

2.6.3. DOPAGEM ELETRÔNICA

Na forma cristalina, o Si e o Ge não servem para a ela- boração de componentes eletrônicos, porém esta situação pode ser modificada através da adição de certas IMPUREZAS ao cris- tal.

Dependendo da impureza acrescentada aos semicondu- tores, eles podem CONDUZIR A CORRENTE ELÉTRICA de diferen-

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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tes maneiras, constituindo-se nos mais diversos tipos de disposi- tivos.

Estas impurezas consistem na ADIÇÃO de algum ele- mento que tenha um número diferente de elétrons na última ca- mada e isto é feito em PROPORÇÕES extremamente PEQUENAS.

2.7. CRISTAIS

Acrescentando ao Si um material como o arsênio (As), o antimônio (Sb) ou o fósforo (P), que têm 5 elétrons na última camada, estes elementos estranhos irão "DESEQUILIBRAR" a es- trutura cristalina.

As impurezas assumem a mesma estrutura do cristal de Si fazendo, cada uma, 4 ligações com seus átomos vizinhos mais próximos.

O resultado é um excesso de elétrons, estes são os RES-

PONSÁVEIS PELA CONDUÇÃO DA CORRENTE.

Este novo material recebe o nome de cristal do TIPO N.

O número de elétrons livres é maior que o número de

lacunas, ou seja, neste semicondutor os elétrons livres são por-

tadores majoritários e as lacunas são portadores minoritários.

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE Fig. 14 – Cristal tipo N.

Fig. 14 – Cristal tipo N.

Se o material usado para dopar o Si for o alumínio (Al), o boro (B) ou o gálio (Ga), que tem 3 elétrons na última cama- da, o desequilíbrio será na falta de elétrons, isto é, haverá um buraco ou uma lacuna (cargas positivas) a mais na estrutura.

Por isso, as impurezas trivalentes são chamadas de im- purezas TIPO P e as lacunas podem ser consideradas como car- gas elétricas positivas, portanto, este semicondutor é chamado tipo P.

positivas, portanto, este semicondutor é chamado tipo P . Fig. 15 – Cristal tipo P. A

Fig. 15 – Cristal tipo P.

A união entre um cristal do tipo P e um tipo N cria, en- tre eles, uma junção chamada de JUNÇÃO PN.

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E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE Fig. 16 – Cristal tipo PN.

Fig. 16 – Cristal tipo PN.

O cristal tipo N tem excesso de elétrons livres e o tipo

P excesso de lacunas (falta de elétrons livres), portanto o novo material tem duas camadas eletricamente desequilibradas.

O equilíbrio não é alcançado porque a junção PN fun-

ciona como uma barreira, que impede o fluxo de elétrons entre

os materiais. Esta barreira é denominada de BARREIRA DE PO-

TENCIAL.

Aplicando-se uma DIFERENÇA DE POTENCIAL (ddp) nos terminais do cristal PN, a barreira de potencial poderá ser vencida e, assim, haver um fluxo de elétrons (corrente elétrica) entre os materiais tipo P e tipo N.

Se Fundido dois terminais às extremidades do cristal PN, tem-se um dispositivo eletrônico denominado de DIODO SEMICONDUTOR ou simplesmente DIODO

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03 - DIODOS

3.1. CARACTERÍSTICAS

Os diodos são dispositivos eletrônicos que permitem a passagem de corrente elétrica por seu interior.

São fabricados a partir da junção de dois materiais semicondutores (um do tipo P e outro de tipo N).

Os terminais de um diodo são denominados de Ânodo (lado positivo ou P) e Catodo (lado negativo ou N).

Ânodo (lado positivo ou P) e Catodo (lado negativo ou N). Fig. 17 – Representação do

Fig. 17 – Representação do diodo.

Para funcionar adequadamente deve ser polarizado por uma fonte de tensão (ddp).

3.2. POLARIZAÇÃO

Polarizar um diodo é limitar a intensidade da corrente elétrica que irá circular através dele e para isto se faz necessário encontrar o valor da resistência que será colocada em série e que tem por finalidade principal proteger o diodo contra correntes excessivas.

A Fig. 18 mostra um diodo semicondutor formado pela junção de cristais do tipo N e do tipo P, entre eles se forma uma

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barreira – barreira de potencial – cuja finalidade é impedir a transferência de elétrons livres de um cristal para o outro quan- do não polarizado.

livres de um cristal para o outro quan- do não polarizado. Fig. 18 – Diodo semicondutor.

Fig. 18 – Diodo semicondutor.

Aplica-se uma ddp entre os terminais do diodo e obser- vamos o comportamento da barreira de potencial. Ora ela au- menta e ora diminui.

A fonte de tensão pode ser conectada apenas de duas maneiras (Fig. 19):

Terminal positivo do lado P (polarização direta);

Terminal negativo do lado P (polarização reversa).

Terminal negativo do lado P (polarização reversa). Fig. 19 – Polarização do diodo (a) direta e

Fig. 19 – Polarização do diodo (a) direta e (b) reversa.

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A barreira de potencial funciona como uma espécie de

“Resistência” à passagem da corrente pelo diodo.

Na polarização DIRETA, as lacunas (tipo P) e os elétrons (tipo N) migram para a região da junção e se combinam mais ainda, fazendo com que a barreira de potencial DIMINUA, permitindo um fluxo de corrente pelo material. Portanto, apresenta uma RESISTÊNCIA MENOR (idealmente R D = 0).

Na polarização invertida, os elétrons e as lacunas se afastam da região da junção, AUMENTANDO a barreira e como consequência NENHUMA CORRENTE circula pelo material. Portanto, apresenta uma RESISTÊNCIA MAIOR (idealmente R R = infinito)

3.3. CURVA CARACTERÍSTICA

A curva característica é a curva (Fig. 20) que represen-

ta graficamente o comportamento de um diodo quando polari- zado, mostrando os pontos de condução plena e de corte.

zado, mostrando os pontos de condução plena e de corte. Fig. 20 – Curva característica do

Fig. 20 – Curva característica do diodo.

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3.3.1. PONTO DE OPERAÇÃO

É o ponto de coordenadas (V D , I D ) na curva caracterís-

tica que fornece informações sobre a tensão e a corrente instan-

tâneas no diodo.

É conhecido como PONTO QUIESCENTE ou PONTO Q.

Uma vez que o diodo polarizado diretamente permite a passagem de uma corrente elevada, mas tem limitações físicas, faz-se necessário à colocação de uma resistência externa que possa limitar a amplitude dessa corrente.

3.4. ANÁLISE DE CIRCUITOS

3.4.1. MODELO IDEAL

dessa corrente. 3.4. ANÁLISE DE CIRCUITOS 3.4.1. MODELO IDEAL Fig. 21 – Modelo ideal do diodo.

Fig. 21 – Modelo ideal do diodo.

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3.4.2. MODELO PARA MÉDIAS TENSÕES

I P ROF . H ENRIQUE 3.4.2. MODELO PARA MÉDIAS TENSÕES Fig. 22 – Modelo para

Fig. 22 – Modelo para médias tensões.

3.4.3. MODELO REAL

TENSÕES Fig. 22 – Modelo para médias tensões. 3.4.3. MODELO REAL Fig. 23 – Modelo real.

Fig. 23 – Modelo real.

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3.5. GRAMPEADOR POSITIVO

A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE 3.5. GRAMPEADOR POSITIVO Fig. 24 – Grampeador positivo.

Fig. 24 – Grampeador positivo.

3.6. DUPLO GRAMPEADOR

POSITIVO Fig. 24 – Grampeador positivo. 3.6. DUPLO GRAMPEADOR Fig. 25 – Grampeador duplo. GETIN Pág.

Fig. 25 – Grampeador duplo.

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE GETIN Pág. 3 0
E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE GETIN Pág. 3 0

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3.7. EXERCÍCIOS

01. Suponha que a queda de tensão em um diodo de silício pola-

rizado diretamente seja de 0,7 V e que a queda de tensão em um diodo de germânio polarizado diretamente seja de 0,3 V.

a) Se D 1 e D 2 forem ambos diodos de silício (Fig. 1), calcu-

le a corrente no circuito.

b) Repita o exercício se D 1 e D 2 forem de germânio.

c) Repita o exercício se D 1 for de silício e D 2 for de germâ-

nio.

02. Repita o exercício anterior quando a fonte de tensão mudar para um valor constante de 9 V.

03. No circuito da Fig. 2, o diodo é de Germânio. Calcule a por- centagem de erro provocada por se desprezar a queda de ten- são no diodo quando a corrente I é calculada no circuito. Su- ponha que o diodo de germânio polarizado diretamente tenha uma queda de tensão de 0,3 V.

04. Repita o exercício anterior quando a fonte de tensão mudar

para 3 V e o resistor mudar para 470 .

05. Determine os diodos que estão polarizados diretamente na Fig. 3 e quais estão polarizados reversamente.

06. Determine os diodos que estão polarizados diretamente na Fig. 4 e quais estão polarizados reversamente.

07. As entradas A e B (Fig. 5) podem ser 0 V ou +10 V. Cada diodo de silício tem uma resistência de 400 quando pola-

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rizado diretamente. Calcule V 0 para cada um dos seguintes casos:

a) A = 0 V e B = 0 V;

b) A = 0 V e B = +10 V;

c) A = +10 V e B = 0 V;

d) A = +10 V e B = +10 V.

08. As entradas A e B (Fig. 5) podem ser 0 V ou -5 V. Suponha que a queda direta é de 0,7 V, calcule V 0 quando

a) A = B = -5 V;

b) A = -5 V e B = 0 V;

c) A = 0 V e B = -5 V;

d) A = B = 0 V.

09. As entradas A, B e C (Fig. 6) podem ser de +10 V ou -5 V.

Cada diodo de silício tem uma resistência de 1k2 quando polarizado diretamente. Calcule V 0 quando

a) A = B = C = -5 V.

b) A = C = -5 V e B = +10 V.

c) A = B = +10 V e C = -5 V.

d) A = B = C = +10 V.

10. As entradas A, B e C (Fig. 6) podem ser de 0 V ou -5 V. Su- ponha que a queda direta é de 0,7 V, calcule V 0 quando

a) A = B = C = 0 V.

b) A = B = 0 V e C = -5 V.

c) A = C = -5 V e B = 0 V.

d) A = B = C = -5 V.

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11. No circuito mostrado na Fig. 5, cada diodo tem uma resis- tência de 100 quando em condução. As entradas podem ser de 0 V ou +5 V. Sob quaisquer condições, em que a ten- são de saída está supostamente no nível baixo, seu valor não pode exceder a 1 V. Qual é o menor valor de resistência que pode substituir a resistência de 1,5 kno circuito?

12. Aplicando o teorema da Superposição, determine as corren- tes nos diodos do circuito abaixo.

da Superposição, determine as corren- tes nos diodos do circuito abaixo. Fig. 1 Fig. 2 Fig.
da Superposição, determine as corren- tes nos diodos do circuito abaixo. Fig. 1 Fig. 2 Fig.

Fig. 1

da Superposição, determine as corren- tes nos diodos do circuito abaixo. Fig. 1 Fig. 2 Fig.

Fig. 2

da Superposição, determine as corren- tes nos diodos do circuito abaixo. Fig. 1 Fig. 2 Fig.

Fig. 3

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E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE Fig. 4 Fig. 5 Fig. 6

Fig. 4

E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE Fig. 4 Fig. 5 Fig. 6

Fig. 5

E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE Fig. 4 Fig. 5 Fig. 6

Fig. 6

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04 - DIODOS EM CA

4.1. INTRODUÇÃO

Circuitos retificadores são QUADRIPOLOS que fun- cionam com base na característica unidirecional do diodo:

uma tensão CA é aplicada na entrada e uma tensão CC aparece na saída.

Os diodos em circuitos de corrente alternada (CA) muitas vezes não suportam os níveis destes sinais e a fim de solucionar essa dificuldade são utilizados TRANSFORMADO-

RES.

4.2. TRANSFORMADORES

Os transformadores são dispositivos estáticos que ACOPLAM circuitos com diferentes níveis de tensão e/ou de impedâncias.

circuitos com diferentes níveis de tensão e/ou de impedâncias. Fig. 26 – Circuito magnético. GETIN Pág.

Fig. 26 – Circuito magnético.

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4.2.1. EQUAÇÕES PRINCIPAIS

U

PRI

N

PRI

=

U

SEC

N

SEC

P

PRI

= P

SEC

Onde: U Tensão P Potência

I

PRI

N

SEC

=

I

SEC

N

PRI

I Corrente N Número de Espiras

PRI Primário (Fonte) SEC Secundário (Carga)

4.3. RETIFICADOR DE MEIA ONDA

SEC → Secundário (Carga) 4.3. RETIFICADOR DE MEIA ONDA Fig. 27 – Retificador de meia onda.

Fig. 27 – Retificador de meia onda.

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E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE Fig. 28 – Forma de onda

Fig. 28 – Forma de onda do retificador de meia onda.

RESULTADOS OBTIDOS

U L

=

2

π

1

U

 

U

=

PICO

2

π

0

pico

sen ( t ) dt

ω

π

U DC = 0,318 U MÁX

PIV = U MÁX

I L = I D

Um transformador com tensão de secundário de 12 V ligado a um retificador de meia onda com uma carga de 10 . Considerando V F = 0,7 V, determine:

a) tensão média na carga;

b) corrente média na carga;

c) especificações do diodo;

d) formas de onda na carga e no diodo.

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4.4. RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA

I P ROF . H ENRIQUE 4.4. RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA Fig. 29 – Retificador de

Fig. 29 – Retificador de onda completa.

DE ONDA COMPLETA Fig. 29 – Retificador de onda completa. Fig. 30 – Forma de onda

Fig. 30 – Forma de onda do retificador de onda completa.

RESULTADOS OBTIDOS

U DC = 0,636 U’ MÁX

U’ MÁX = U MÁX / 2 PIV = U MÁX

I L = 2 I D

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Um transformador com tap central de 220/4+4 V ligado a um retificador de onda completa com carga de 10 . Considerando a queda de tensão dos diodos, determine:

a)tensão média na carga; b)corrente média na carga; c)especificações do diodo; d)formas de onda na carga e no diodo.

4.5. RETIFICADOR EM PONTE

de onda na carga e no diodo. 4.5. RETIFICADOR EM PONTE Fig. 31 – Retificador em

Fig. 31 – Retificador em ponte.

4.5. RETIFICADOR EM PONTE Fig. 31 – Retificador em ponte. Fig. 32 – Forma de onda

Fig. 32 – Forma de onda do retificador em ponte.

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RESULTADOS OBTIDOS

U DC = 0,636 U MÁX

PIV = U MÁX

I L = 2 I D

Um transformador com 220/25 V ligado a um retificador em ponte com carga de 10 . Determine:

a)tensão média na carga; b)corrente média na carga; c)especificações do diodo; d)formas de onda na carga e no diodo.

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4.6. DOBRADOR DE TENSÃO

A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE 4.6. DOBRADOR DE TENSÃO Fig. 33 – Duplicador

Fig. 33 – Duplicador de tensão.

4.7. TRIPLICADOR DE TENSÃO

33 – Duplicador de tensão. 4.7. TRIPLICADOR DE TENSÃO Fig. 34 – Triplicador de tensão. 4.8.

Fig. 34 – Triplicador de tensão.

4.8. QUADRUPLICADOR DE TENSÃO

34 – Triplicador de tensão. 4.8. QUADRUPLICADOR DE TENSÃO Fig. 35 – Quadruplicador de tensão. GETIN

Fig. 35 – Quadruplicador de tensão.

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4.9. EXERCÍCIOS

01. O transformador da Fig. 1 tem uma tensão do secundário de 30 V. Qual a tensão de pico na carga? Qual a tensão média? Qual a corrente média na carga?

02. Na Fig. 2, a tensão do secundário é de 40 V. Qual a tensão de pico na carga? Qual a tensão DC na carga? Qual a corrente de carga?

03. Se a tensão do secundário for de 60 V (Fig. 2), qual dos dio- dos (Tab. 1) têm as especificações de I O e PIV suficientes para ser usado?

04. Dada uma tensão de secundário de 40 V (Fig. 2), calcule a corrente de carga DC e o PIV em cada diodo. Qual a corrente média retificada que passa pelo diodo?

05. Se a tensão do secundário (Fig. 3) for de 30 V, qual a tensão DC na carga? Qual o PIV de cada diodo? Qual a corrente DC na carga?

06. Os diodos da Fig. 3 têm especificação I O de 150 mA e PIV de 75 V. Estes diodos são adequados para uma tensão de se- cundário de 40 V?

07. Se os diodos da Fig. 3 tiverem uma especificação I O de 0,5 A e PIV de 50 V, eles são adequados para uma tensão de se- cundário de 60 V?

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08. O diodo do circuito (Fig. 4) tem uma de resistência 50 quando em condução. Determine a corrente e a tensão no di- odo para o seguinte caso: u S = 0,1cos(ωt) U e U b = 2 V.

a corrente e a tensão no di- odo para o seguinte caso: u S = 0,1cos(

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05 – FILTRO CAPACITIVO

5.1. INTRODUÇÃO

Há circuitos onde o ruído se propaga com maior ou menor intensidade e independentemente disto, torna-se necessá- rio à eliminação deste sinal indesejado, pois o funcionamento adequado do sistema depende da fidelidade das informações processadas e assim poder intervir prontamente.

5.2. DEFINIÇÃO

Circuito destinado a selecionar ou rejeitar uma deter- minada faixa de freqüência.

Usados para eliminar freqüências indesejáveis, deno- minadas RUÍDO.

5.3. DIVISÃO

5.3.1. PASSIVOS São aqueles que contém combinações em e em paralelo de resistores, capacitores e capa- citores.

5.3.2. ATIVOS São aqueles que, além de elementos pas- sivos, também usam dispositivos como transistores e amplificadores operacionais.

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5.4. COMPONENTE BÁSICO

5.4.1. CAPACITOR

Funcionam com variação brusca de tensão.

Não dissipa energia.

Armazena energia para uso posterior.

Não dissipa energia. Armazena energia para uso posterior. Fig. 36– Modelo de capacitor e simbologia. GETIN

Fig. 36– Modelo de capacitor e simbologia.

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5.4.2. CAPACITÂNCIA

É a medida da quantidade de carga que um capacitor

pode armazenar em suas placas (capacidade de armazenamen- to).

C =

Q

V

(5.1)

5.4.3. RIGIDEZ DIELÉTRICA

É a capacidade de um dielétrico para evitar a condu-

ção de corrente elétrica.

Tensão necessária para vencer a rigidez dielétrica é denominada de TENSÃO DE RUPTURA.

Quando a ruptura ocorre, o capacitor passa a ter ca- racterísticas muito semelhantes às de um condutor.

5.4.4. CORRENTE DE FUGA

Quando aplicamos uma tensão entre as placas de um capacitor, flui uma corrente entre as placas denominada de CORRENTE DE FUGA (devido aos elétrons livres).

i

fuga

=

v

c

R fuga

(5.2)

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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Este efeito é representado por uma resistência em paralelo com o capacitor, cujo valor é, tipicamente, maior que 100 M.

capacitor, cujo valor é, tipicamente, maior que 100 M Ω . Fig. 37 – Circuito equivalente

Fig. 37 – Circuito equivalente de um capacitor.

5.4.5. TIPOS DE CAPACITORES

Os capacitores podem ter ser capacitância fixa ao longo do tempo, bem como podem variá-la mediante ação do opera- dor. Assim os capacitores podem ser variáveis ou fixos.

opera- dor. Assim os capacitores podem ser variáveis ou fixos. Fig. 38 – Capacitores variáveis. GETIN

Fig. 38 – Capacitores variáveis.

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E LETRÔNICA A NALÓGICA I P ROF . H ENRIQUE Fig. 39 – Capacitores fixos. 5.4.5.1.

Fig. 39 – Capacitores fixos.

5.4.5.1. CAPACITOR ELETROLÍTICO

É usado normalmente nas situações em que capacitân- cias maiores são necessárias.

São projetados para uso em circuitos de corrente contí-

nua.

A tensão que pode ser aplicada entre os terminais do capacitor por longos períodos de tempo sem que ocorra a ruptu- ra é conhecida como TENSÃO DE TRABALHO.

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

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A máxima tensão contínua que pode ser aplicada por curtos períodos de tempo é denominada de TENSÃO DE PICO.

Apresentam BAIXAS TENSÕES DE RUPTURA.

Têm ELEVADAS CORRENTES DE FUGA (R fuga da ordem

de 1 M).

A descarga ocorre rapidamente.

5.4.6. CARGA E DESCARGA

). A descarga ocorre rapidamente. 5.4.6. CARGA E DESCARGA Fig. 40 – Circuito de carga desligado.

Fig. 40 – Circuito de carga desligado.

CARGA E DESCARGA Fig. 40 – Circuito de carga desligado. Fig. 41 – Circuito de carga

Fig. 41 – Circuito de carga ligado.

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A corrente de carga é expressa por:

i

c

=

E

R

e

t / RC

(5.3)

Onde o fator RC é chamado de CONSTANTE DE TEMPO

τ = R C

A tensão de carga é dada por:

( − t RC / ) v = E .1 − e c
(
− t RC
/
)
v
=
E
.1
e
c

(5.4)

(5.5)

Graficamente podemos visualizar as equações acima como:

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

Corrente Tensão 0 1 2 3 4 5 6
Corrente
Tensão
0
1
2
3
4
5
6

Fig. 42 – Gráfico de tensão e corrente.

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

PROF. HENRIQUE

A corrente em um circuito capacitivo é praticamente

zero após 5 constantes de tempo na fase de carga.

A tensão no capacitor é praticamente igual a da fonte

após 5 constantes de tempo.

A tensão entre os terminais de um capacitor não pode

variar instantaneamente.

5.4.7. REATÂNCIA CAPACITIVA

A corrente do capacitor é proporcional a sua capacitân-

cia e a TAXA DE VARIAÇÃO da tensão em seus terminais. por-

tanto, podemos obtê-la por:

i

C =

C

dv

C

dt

(5.6)

Para v c for constante i c é zero.

Quanto maior for a variação de tensão maior será i c . Analisando a expressão acima no domínio do tempo, temos:

dv

C

d

=

dt

dt

(

)

V sen t

m

ω ω

=

V cos

m

i

C

=

(

I sen t

m

ω

+

90

o

)

=

C

dv

C

dt

I

m

=

ω

.

C . V

m

t

ω

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

PROF. HENRIQUE

Aplicando a Lei de Ohm aos valores de pico, encontramos uma relação de resistência, que neste caso é denominada de REA-

TÂNCIA CAPACITIVA e é dada por:

X =

C

V

m

1

=

I

m

ω . C

onde

Portanto,

ω= 2π. f

f

f

= ⇒

→∞⇒

0

X

C →∞

C 0

X

(5.7)

é a freqüência de operação.

(5.8)

ELETRÔNICA ANALÓGICA I

PROF. HENRIQUE

5.5. CLASSIFICAÇÃO DOS FILTROS

5.5.1.PASSA-BAIXAS

Um filtro passa-baixas deve permitir a passagem de

baixas freqüências com pequena atenuação e atenuar fortemente

todas as outras acima de um certo valor crítico.

todas as outras acima de um certo valor crítico. Fig. 43 – Filtro passa-baixas. Resposta em

Fig. 43 – Filtro passa-baixas.

Resposta em freqüência

Fig. 43 – Filtro passa-baixas. Resposta em freqüência Fig. 44 – Ponto de corte do passa-baixas.

Fig. 44 – Ponto de corte do passa-baixas.

2

1

π . R . C

X

C

= R

f

C

=

(5.9)

Um filtro com U in = 20 V, R = 1 ke C = 500 pF. De-

termine:

a) A freqüência de corte;

b) A tensão de saída para f = 100 kHz e f = 1 MHz.

E