CLCULO Y DETERMINACIN DEL GAP DEL GaAs INTRODUCCIN

El presente trabajo consta de 2 partes importantes, la primera es el clculo del GAP del GaAs a travs de una ecuacin matemtica y la segunda a travs de un experimento que mide espectroscpicamente la energa GAP del GaAs. Todos los slidos contienen electrones. La pregunta ms importante para la conductividad es cmo responden los electrones a un campo aplicado. Los electrones en cristales estn acomodados en bandas de energa separadas por regiones de energa para las cuales no existen orbitales de electrones como ondas. Tales regiones prohibidas son llamadas gaps de energa o gaps banday son resultado de la interaccin de los electrones (onda de conduccin) con los ncleos de los iones del cristal. El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsnico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisin infrarroja, diodos lser y clulas fotovoltaicas. En el GaAs, el mnimo de la banda de conduccin est en el punto T, es decir, en el mismo valor, de la k vector de onda como la parte superior de la banda de valencia. GaAs por eso se llama semiconductor GAP directo. Gap directo Semiconductor (GaAs)

Figura 1. Espectros de energa cualitativa para los electrones en el espacio libre, GaAs.Estados sombreadas en las bandas de valencia significan que estn llenos de electrones de valencia.

Marco terico
En los materiales semiconductores a la temperatura de cero Kelvin (cero absoluto), todos electrones se encuentran en la banda de valencia. En este estado el semiconductor tiene caractersticas de un aislante y no conduce electricidad. A medida que su temperatura aumenta, los electrones absorben energa pasando para la banda de conduccin. Esta "cantidad" de energa necesaria para que el electrn efecte esa transicin es llamada de gap de energa (en ingls band gap), o banda prohibida. A medida que la temperatura del semiconductor aumenta, el nmero de electrones que pasan para la banda de valencia tambin aumenta, pasando el semiconductor a conducir ms electricidad.

Figura 2. Estructura de banda semiconductora

Figura 3. Estructura de bandas en un semiconductor.

INFORMACIN IMPORTANTE DEL ARSENURO DE GALIO GaAs

Propiedades electrnicas

Ancho de banda prohibida a 300 K Masa efectiva del electrn Masa efectiva Light hole Masa efectiva Heavy hole Movilidad del electrn a 300 K Movilidad del hueco a 300 K

1.424 eV 0.067 me 0.082 me 0.45 me 9200 cm/(Vs) 400 cm/(Vs)

Parmetros bsicos Energy gap Energy separation (E L) between and L valleys Energy separation (E X) between and X valleys Energy spin-orbital splitting
3

1.424 eV 0.29 eV 0.48 eV 0.34 eV

Intrinsiccarrierconcentration Intrinsicresistivity Effective conduction band density of states Effective valence band density of states

2.1106 cm-3 3.3108 cm 4.71017 cm-3 9.01018 cm-3

Band structure and carrier concentration of GaAs. 300 K Eg = 1.42 eV EL = 1.71 eV EX= 1.90 eV Eso = 0.34 eV

CLCULOS MATEMTICOS
La banda de energa consiste en un gran nmero de niveles de energa muy prximos que existen en los materiales cristalinos. Las bandas se pueden considerar como el conjunto de los niveles de energa individual de los electrones alrededor de cada tomo. Las funciones de onda de los electrones individuales, sin embargo, se superponen con las de los electrones confinados a los tomos vecinos. El modelo de banda de energa es crucial para cualquier tratamiento detallado de los dispositivos de semiconductor. El anlisis de los potenciales peridicos es necesario para encontrar los niveles de energa en un semiconductor. Esto requiere el uso de funciones de onda peridicas, llamadas funciones de Bloch. El resultado de este anlisis es que los niveles de energa se agrupan en bandas, separadas por GAP energa. El comportamiento de los electrones en la parte inferior de esta banda es similar a la de un electrn libre. Sin embargo, los electrones se ven afectados por la presencia del potencial peridico. El efecto combinado del potencial peridico se incluye ajustando el valor de la masa del electrn. Esta masa se conoce como la masa efectiva. El efecto de un acuerdo de peridicos sobre los niveles de la energa del electrn se ilustra en la Figura A. Se muestran los niveles de energa de los electrones en un cristal de carbono con los tomos dispuestos en un enrejado de diamante. Estos niveles de energa se trazan en funcin de la constante de red, a.

Figura A: Energa bandas de diamante o una constante de red.

El modelo de Kronig-Penney
En fsica del estado slido, el modelo de Kronig-Penney, formulado por los fsicos Ralph Kronig y William George Penney, describe los estados de energa de un electrn perteneciente a un cristal. Para esto supone que la estructura cristalina configura un potencial peridico, de cambios abruptos que, si bien es hipottico, es de gran ayuda en los clculos. La forma unidimensional de este potencial es como indica la figura.

La distribucin probabilstica del electrn,

, est regida por la ecuacin de Schrdinger:

(1)

U representa el potencial en el cristal y, debido a su regularidad, se lo puede aproximar con una funcin peridica. En el modelo unidimensional de Kronig-Penney el potencial presenta discontinuidades abruptas que, si bien es fsicamente imposible, puede hacerse una buena aproximacin a un caso real. Adems, la solucin a la ecuacin en este caso es ms sencilla, que si se hara una mejor aproximacin con la ley de Coulomb. La solucin a esta ecuacin es una onda de Bloch, que tiene el mismo perodo que el potencial y se expresa en la forma: (x) = (x)eikx (2)

Al sustituir la ecuacion (1) en la ecuacion (2), la ecuacion u(x) debe satisfacer

(3)

La solucin nos dar una funcin F(E) = cos(kL) acotada en ( bandas de energ a permitidas y prohibidas (GAP).

1,1). Esta funcin nos define las

Soluciones para k y E se obtienen cuando la siguiente ecuacin se cumple:

(4)
Donde:

Esta ecuacin trascendente puede simplificarse an ms para el caso de que la barrera es una funcin delta con el rea, V0b, para lo cual se convierte en:

(5) Con:

Esta ecuacin slo puede resolverse numricamente.

Figura B.: Grfica de la solucin del modelo de Kronig-Penney para un = 1nm y V0b = 0,2 nm-eV. Que se muestra es la energa, E, frente a ka/4 y F, que tiene que cos igual (ka), desde donde se puede identificar a las energas permitidas.

La estructura de bandas correspondiente se muestra a continuacin (curva en negro), as como la energa de un electrn libre (curva gris). Tres formas diferentes se presentan, a saber, la E(k) digrama, el E(kdiagrama combinado con el diagrama de la zona reducida, as como la zona del diagrama slo reducirse.

Figura C: De energa en comparacin con ka/p tal como se presenta en la Figura (curvas de negro) en comparacin con la de un electrn libre (curvas grises). Se muestran: a) la E(k) diagrama, b) la E(k) en combinacin con el diagrama de la zona del diagrama reducido y c) la zona del diagrama slo reducirse.

Dependencia de la Temperatura con la Energa de Banda Prohibida (GAP) Solucin mediante mtodo Kronig-Penney La energa de banda prohibida de semiconductores tiende a disminuir a medida que se aumenta la temperatura. Este comportamiento puede entenderse si se considera que los incrementos de distancia interatmica cuando la amplitud de las vibraciones atmicas aumenta debido al aumento de energa trmica. Este efecto se cuantifica por el coeficiente de dilatacin lineal de un material. Una separacin interatmica disminuye el potencial de aumento promedio observado por los electrones en el material, que a su vez reduce el tamao de la banda prohibida de energa. Una modulacin directa de la distancia interatmica - como mediante la aplicacin de compresin (traccin) la tensin - tambin causa un aumento (disminucin) de la banda prohibida. La dependencia de la temperatura de la banda prohibida de energa, Eg, se ha determinado experimentalmente dando la siguiente expresin para Eg en funcin de la temperatura, T:

(6)

Donde Eg(0),

E y F son los parmetros de ajuste (Ecuacin Kronig-Penney). Estos parmetros

de ajuste se muestran para el germanio, el silicio y arseniuro de galio en la tabla:

Figura D:Los parmetros utilizados para calcular la energa de banda prohibida del germanio, silicio y arseniuro de galio (GaAs) en funcin de la temperatura.

Desarrollo: Mediante la ecuacin (6), la cual se obtuvo experimentalmente con una correccin mediante las ecuaciones de Kronig-Penney, para ello usaremos los parmetros de la tabla en figura D, para las constantes que pide la ecuacin. Mediante un programa en MatLab se le dar una solucin grfica al clculo de BandGap del GaAs donde se apreciar la variacin del GAP respecto a la temperatura [0-1000 Kelvin].

Programa MatLab T=0:1000; Eg0=1.519; alpha=0.541E-3; B=204; Egap=Eg0-((alpha*T.^2)./(T+B)); plot(T,Egap); xlabel('Temperatuta[K]'); ylabel('Energa GAP[eV]'); grid on;

1.55

1.5

1.45

X: 300 Y : 1.422

1.4

1.35 E nerga Gap (eV )

1.3

1.25

1.2

1.15

1.1

1.05

100

200

300

400

500 Tem peratura(K )

600

700

800

900

1000

Figura E: Grfica de variacin del GAP respecto a la temperatura, como se puede apreciar a 300 K el GaAs posee una energa en el BandGap de 4.42 eV, resultado similar a otras formas de clculo

EXPERIMENTO MEDICIN ESPECTROSCPICA DE LA ENERGA GAP DEL GaAs La teora de las bandas de energa de electrones, es de suma importancia en la comprensin de las propiedades de la materia slida, y por lo tanto la medicin de la Banda Gap Eg puede ser considerada un paso esencial en un enfoque experimental a la fsica de estado slido. Se propone un aparato simple para medir el Eg de un grfico de la resistencia contra a la temperatura, en las muestras de semiconductores a granel. Se describe un tutorial de experimentos para derivar Eg, a partir de mediciones de la dependencia de la temperatura de la cada de tensin o de la corriente inversa de una unin PN. Todos estos mtodos implican la produccin de pares electrn-hueco por la excitacin trmica, y con ellos se obtienen un valor para Ego, la energa gap extrapolada a cero grados Kelvin, asumiendo una dependencia lineal para Eg (T): Eg (T) = Ego T. En el presente trabajo se propone un sencillo aparato para mediciones espectroscpicas que pueden ser utilizadas fcilmente en un laboratorio de licenciatura para obtener Eg, a temperatura ambiente. Este experimento consiste en la produccin de pares electrnhueco por la excitacin ptica, es decir, por efecto fotoelctrico interno. Los elementos necesarios son: y un espectrmetro de rejilla equipado con una lmpara comercial y dos lentes de vidrio ordinario y un sensor piroelctrico de bajo costo y electrnicos simples El experimento se realiza ya sea como una medida del espectro de la intensidad de la luz transmitida por la muestra de semiconductor (llamado espectro de transmisin de la misma) o como una medida del espectro de fotoconductor, es decir, una grfica de la variacin de la resistencia elctrica en funcin de longitud de onda de la luz (llamado espectro de absorcin del mismo). Para energas de fotones por debajo de Eg ,el no fotn es absorbido porque no hay estados de energa disponibles para los electrones en la banda prohibida. Tan pronto como la energa del fotn llega al Eg, un electrn en la banda de valencia puede ser excitado a la banda de conduccin, lo que genera un par electrnhueco. Por lo tanto, junto a la absorcin de la luz, tambin un aumento de la conductividad elctrica de la muestra se lleva a cabo. La energa gap se mide de hecho, como el umbral de energa del fotn en el que se produce un fuerte aumento de la conductividad de la muestra y una fuerte disminucin de la transmisin de la luz. Esta manera de presentar el efecto fotoelctrico interno en los semiconductores es un tanto simplista, porque no estamos teniendo en cuenta dos efectos de segundo orden: la emisin o absorcin de los fonones en el caso de la transicin indirecta-gap, y la bandatailing en el caso de una transicin indirecta-gap. Esta simple imagen, sin embargo, se justifica por la limitada resolucin del aparato experimental.
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APARATO EXPERIMENTAL Un diagrama de bloques del montaje experimental se indica en la figura 1.

Preamplifier Pyroelectric Detector Rotating disc Sample Motor Lens 1 ] ] current generator Lens 2 Grating lock-in Voltmeter

Lamp Chopper TIL 78 Comparator

La fuente de luz es una lmpara comercial pre-centrada (8 volts - 50 watts) impulsada por la principal lnea AC a travs de un transformador reductor. Un haz paralelo de luz, obtenido por una primera lente (150 mm de distancia focal), se alimenta a una rejilla de reflexin, y el haz se difracta en un ngulo fijo 2] y centrado en una segunda lente (50 mm de distancia focal) en la muestra .Se trata de una oblea de semiconductor delgada que se coloca delante de un sensor de luz piroelctrico que mide la luz transmitida a travs de la muestra. La longitud de onda de luz en el haz difractado se puede cambiar girando la rejilla que est conectado a un gonimetro. El ngulo de rotacin R se mide con respecto a la posicin en la que la normal al plano de rejilla divide el ngulo 2] entre el incidente y el rayo difractado. La longitud de onda P de la luz que llega a la muestra para cada valor del ngulo R puede calcularse a partir de la ley de dispersin de la rejilla de difraccin en trminos de valor conocido d de la separacin de la rejilla y el valor constante del ngulo]: ] (R) = (2/m) d cos]sin R, [1] donde m = 1,2,3 ... es el orden del espectro. Cuando P se mide en Qm, la energa de los fotones E se da en eV por la relacin E = hc / P 1,24 / P, donde h es la constante de Planck y c es la velocidad de la luz.

11

De la relacin [1] se ve que, en cualquier ngulo dado R, el sistema detecta ms de una sola longitud de onda, es decir, adems de la de primer orden P = d cos] sin R== /2 tambin el de segundo orden P = d eos] pecado R = P / 2, el tercer orden P = P / 3, etc, normalmente con intensidad decreciente. En algunos casos esto complica un poco la experiencia y el uso adecuado requiere de un filtro ptico de paso alto con el fin de reducir las longitudes de onda de orden superior. Todos los elementos pticos podran ser apoyadas en forma independiente, pero la alineacin de la ptica es mucho ms fcil mediante el uso de dos brazos articulados en una plataforma ptica, con la rejilla y el gonimetro montado en el eje de la bisagra.
Py o

no

Rf
LF356

Convertidor de voltaje para el sensor de luz piroelctrico. El sensor piroelctrico se mont, con un convertidor de corriente a voltaje (figura 2), dentro de una lata de metal con el fin de reducir la captacin de ruidos. La seal de corriente piroelctrico se convierte en una seal de tensin de un amplificador FET de entrada nica de funcionamiento (LF356) con una gran resistencia a la retroalimentacin de Rf (2 109 ;), produciendo una seal de salida del orden de unos pocos mV, cuando se ilumina con luz monocromtica. Una de las ventajas del sensor piroelctrico, con respecto a otros sensores de luz, es una respuesta plana en un rango de longitudes de onda. Por otro lado se requiere de un rayo de luz cortada, ser sensible slo a los cambios de temperatura producidos por la luz absorbida. Se utiliz por lo tanto una cuchilla hecha en casa, obtenido a partir de un disco giratorio perforado que fue impulsado por una placa giratoria de motor. La frecuencia de la luz de la modulacin [0 fue cerca de 30 Hz.

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+9V 10
2

LM311 + P
10

2.2

1 4

TIL78

4.7

4.7 1
3

10 9V

2.7

LM311
1 4

2.2

V1
I put 1

.

10 10 +9V

10
CD4016

S A S S B
9V

A1
B1

10

10

10

Figura 3 Doble canal amplificador bloqueado.La luz cortada, detectada por el fototransistor (TIL78), es convertida por un doble comparador en las ondas cuadradas (A y B) en oposicin de fase, que se utilizan como seales de referencia para el doble canal bloqueado. Cada canal se hace de un convertidor sncrono / seguidor, un filtro pasa-bajas y un bfer de salida, con compensacin. Con una seal modulada una fuerte mejora de la relacin seal / ruido se permite mediante el uso de un cierre patronal en la tcnica. Hemos utilizado con xito para este experimento la versin muy simple se describe en la figura 3, que puede ser fcilmente construido a un costo insignificante utilizando populares circuitos integrados. La seal de referencia sncrono se toma despus de que la cuchilla y la primera lente de un TIL78 fototransistor que desencadena un comparador doble (LM311) que salidas A y B, en oposicin de fase, a dos conmutadores analgicos (CD4016) para cambiar la ganancia de ambos amplificadores A1 y A3 entre G=1 y G=-1. La salida DC de los dos canales del bloqueo se obtienen mediante la filtracin de los componentes de baja frecuencia de VS1 y VS2, a travs de filtros de paso bajo (con RC>> 1 / [0), y mediante la reduccin de la impedancia de salida con las etapas de bfer A2 y A4.

13

10

10

10

10

I put 2


A3

10

9V

9V

V2

3.3 F

out c a


A2

A4

TL081

150

S2

el 2

B2

+9V

lowpass ilter

+9V

TL081 ++

10

9V

3.3 F

9V

A1

S1

tc a


TL081

150

A2

TL081 ++

el 1

+9V

lowpass ilter


 

B
9V

ouble comparator
+9V

  

+9V

RL < 1k +V RL < 10k

330 3.3k

10 k

+V A741 + sample
1k OFF E A JU EN

TL431I

BFX41

3.3k

Ic

Figure 4 Generador de corriente constante: la corriente lc suministrada a la muestra es ajustada por el potencimetro, y la baja (alta) resistencia en serie es elegida para baja (alto) valor de la resistencia RL muestra.
.

La muestra de semiconductores est sesgada por un generador de corriente constante (figura 4), de modo que el cambio de la resistencia se mide como un cambio de la seal de voltaje a travs de la muestra. Cuando una configuracin de dos contactos es aprobado, como en nuestro caso, se asume implcitamente que la resistencia de contacto es constante durante las mediciones: esta es una buena aproximacin cuando las regiones estn en contacto con la sombra del haz de luz. Tanto el piroelctrico y la muestra de seales fotoconductoras se alimentan a un filtro de paso alto- (con RC>>1/ o) en la fase de entrada de un preamplificador simple noinvertido cuya ganancia se puede fijar en G = 10 o G = 100 (figura 5).

2.2 F 100 k 1k =100 99 k G=10 9k +V

OU

10 k

10 k

Figure 5 Preamplificador no-invertido con un filtro pasa-altas en la etapa de entrada.

RECOPILACIN Y ANLISIS Las muestras de semiconductores necesitadas en este experimento son rebanadas de aproximadamente 5 v 20 mm2 corte de obleas comerciales de espesor que van desde 300 hasta 500 Qm. Para la medicin de la transmisin no se requiere ninguna otra preparacin, mientras que para la medicin de la absorcin es necesario hacer contactos hmicos en la muestra de los extremos. El espectro de absorcin se obtiene en realidad alimentando una corriente constante a travs de la muestra y midiendo la variacin de la cada de tensin en la muestra debido a la absorcin de la luz.
14

10 k

-V

TL081 +
! #!

" !

Para las muestras de GaAs es mejor que se evapore un fina capa de aluminio o una de oro en la muestra de los extremos y luego a los cables de goma delgadas de cobre por medio de epoxi plata. Las mediciones fueron tomadas en 3 pasos: 1) ponemos la muestra de semiconductores, sesgados por el generador de corriente constante, frente a la caja del sensor piroelctrico y medir los cambios de resistencia (espectro de absorcin) en funcin del ngulo de rotacin de rejilla R, tanto para la rotacin en sentido horario y antihorario, comparando las agujas del reloj hacia la izquierda da un espectro de una comprobacin de la alineacin ptica correcta. 2) medimos la seal piroelctrico debido a la luz transmitida por la oblea de semiconductor (espectro de transmisin), el paso primero y segundo se puede realizar en una nica prueba si un bloqueo con dos canales similares a los que presentamos en la figura 3. 3) retiramos la muestra de semiconductor y medimos la seal piroelctrico debido a la luz incidente como una funcin del ngulo de rotacin R: este espectro se utiliza para normalizar la transmisin y el espectro de absorcin. Cuando la normalizacin de los espectros medidos, hay que tener en cuenta la intensidad de la luz reflejada por la muestra de semiconductores. Esto se puede hacer aproximadamente asumiendo un coeficiente de reflexin constante r = [(n-1) / (n +1)] 2, donde n es un ndice de refraccin medio en la regin de longitud de onda de inters, es decir, dejar de lado la longitud de onda y n. El valor de r (tpicamente 0,3), por lo que se puede considerar como una constante, no afecta a los resultados de nuestras mediciones.

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RESULTADOS
hR (eV)
1
%

1.7

1.6

1.

1.4

1.3

1.2

1.1

0.8

Transmitted Light

Arbitr ry U its

0.6

0.4

G llium Arse i e

0.2

Resistance Change
0
$

26

34 0.

38 1.0

R ( egrees) P (Qm)

Figura 8: Absorcin y espectros de transmisin del GaAs arseniuro de galio: las flechas indican el valor aceptado de Eg = 1,42 eV. En la figura 8 se presentan los espectros obtenidos con una muestra de GaAs, con un espaciado de rejilla de 0.833 m, = 15 grados y un filtro infrarrojo. Los ngulos de umbral, que se define como antes, son los siguientes: :Rtt =34.4 0.2 grados y Rta=34.0 0.2 grados, que dan Eg=1,37 0,01 eV es notablemente inferior que el valor de 1,42 eV comnmente aceptado para GaAs. Para el clculo de un valor aproximado de la Energa Gap para el GaAs: asumir como "longitud de onda umbral" el valor medio del intervalo de longitudes de onda en el espectro de absorcin se cae y se levanta el espectro de transmisin a un valor mximo. Esto explica en parte el desplazamiento hacia abajo del umbral de medida de energa, debido a la banda-tail. Utilizando esta regla se encuentra en la muestra de GaAs: 31.7 <Rta<34.1 grados y 32.7 <Rtt<34.7 grados, que en promedio y convertido en energa de fotones da Eg = 1,40 0,03 eV. CONCLUSIONES Como pudimos observar el clculo matemtico result mucho ms preciso pues nos arroj un resultado ms cercano al 1.42 que el calculado por medio del experimento ya que en este tenamos que tomar en cuenta ms factores para su clculo.

16

&

0.8

REFERENCIAS:
y http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/

y y y y

y y

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1

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'

UNIVERSIDAD DE GUANAJUATO
DICIS

FISICA DEL ESTADO SLIDO

REPORTE DE PRCTICA: CLCULO Y DETERMINACIN DEL GAP DE ENERGA DEL GaAs.

INTEGRANTES DEL EQUIPO: y CAMPOS LPEZ LEONARDO DANIEL y FLORES BARRANCO MARTHA MAGALI y GUERRERO TAVARES JESUS NORBERTO y GUTIERREZ GARCA JOS JESS y QUINTERO ZIGA AGUSTN

DRA. MONICA TREJO DURAN

SALAMANCA, GTO; A 6 DE DICIEMBRE DE 2010.

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