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CAPITULO 5
DISPOSITIVOS PTICOS ACTIVOS
5.1 FUENTES PTICAS Las fuentes pticas son componentes activos en un sistema de comunicaciones por fibra ptica, cuya funcin es convertir la energa elctrica (en forma de corriente) en energa ptica (luz), de una manera eficiente de modo que permita que la salida de luz sea efectivamente inyectada o acoplada dentro de la fibra ptica. En los inicios del desarrollo de las comunicaciones pticas fueron necesarios fuentes de luz potentes, coherentes y de espectro de emisin angosto, debido a las altas atenuaciones y dispersin en las fibras. Por lo tanto, inicialmente fueron utilizados LASERS a gas (Helio - Nen). Sin embargo, el desarrollo de los LEDS y LASERS a semiconductores, conjuntamente con el mejoramiento substancial en las propiedades de las fibras pticas, han dado prominencia a estos dos tipos especficos de fuente de luz. Los LEDS y LASERS son fabricados utilizando varios materiales semiconductores. Los materiales de inters particular son el Ga As/ Al Ga As para la regin de longitudes de onda entre 0.8 y 0.9 m y el In P/In Ga As P para la regin entre 1.0 y 1.6 m.

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FUENTES OPTICA REQUERIMIENTOS Dimensiones compatibles con el de la fibra ptica. Linealidad en la caracterstica de conversin electro - ptica. Caractersticas de emisin compatible con las caractersticas de transmisin de la fibra ptica. Coherencia Gran capacidad de modulacin. Suficiente potencia ptica de salida y eficiencia de acoplamiento. Funcionamiento estable con la temperatura. Confiabilidad (Tiempo de Vida til). Bajo consumo de energa. Economa.

TIPOS LED (Light Emitting Diode) LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)

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E2

Estado Inicial

Estado Final

E1 E2 (a) Absorcin

E1 E2 (b) Emisin Expontanea

E1

(c) Emisin Estimulada

FIG. 5.1. DIAGRAMA DE ESTADOS DE ENERGA Y PROCESO DE CONVERSIN OPTO-ELECTRNICA.

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LED: EL DIODO EMISOR DE LUZ Fuente de Luz Incoherente basada en una estructura de uniones de material semiconductor del tipo p-n, que al ser polarizada directamente da origen a la emisin espontnea de radiacin.

Contacto ohmico Fotones

Tipo-p Tipo-n Unin p-n

Electrn Hueco

FIG. 5.3. EMISIN ESPONTANEA DE LUZ EN UN DIODO DE UNIN p-n

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Alx Gal-x As

GaAs

Alx Gal-x As -

Salida ptica

Heterouniones p p n

(a) Estructura de Capas

hf

(b) Diagramas de Bandas de Energa

Electrn de Inyeccin Hueco FIG. 5.4. LED DE DOBLE HETEROESTRUCTURA (LED-DH)

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ESTRUCTURA LED

LED de Emisin Superficial (Tipo Burrus): Estructura donde la radiacin emitida se encuentra en un plano paralelo al de la radiacin emitida. LED de Borde (ELED): Estructura de geometra de franjas, donde la radiacin emitida se encuentra en el mismo plano de la unin. Proporciona alta radiacin. LED Superluminicente: Estructura de alta potencia de salida, haz de salida direccional y anchura espectral angosta. Su estructura y propiedades son muy similares a los ELED y a los LASER de inyeccin. de la unin. Proporciona una mayor eficiencia en el confinamiento elctrico y ptico, tambin como menor absorcin

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ESTRUCTURAS LASER

LASER guiados por Ganancia: Estructura de geometra de franjas donde la distribucin de modos pticos a lo largo del plano de la unin es determinado por la ganancia ptica de la cavidad. Por lo general proporciona una emisin multimodo. LASER guiados por Indice: Estructura donde la distribucin de modos pticos es determinado por los ndices de refraccin de la capa activa y de las capas de confinamiento lateral. La emisin puede ser monomodo o multimodo. LASER MONOMODO: Estructura que proporciona una realimentacin selectiva de frecuencia de manera que la perdida de la cavidad es diferentes para varios modos longitudinales. La emisin de luz contiene un solo modo longitudinal.

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Salida ptica

Luz

+
Electrodo

Espejo de Cristal p p n

(a) Estructura de Capas

Electrones de Inyeccin Hueco

Eg1

hf

Eg2

(b) Diagrama de Bandas de Energa

Indice de Refraccin Distribucin de Campo Elctrico Distancia (c) Diagrama de ndice de Refraccin y Distribucin de Campo Elctrico

FIG. 5.7. LASER DE DOBLE HETEROESTRUCTURA

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PARAMETROS CARACTERISTICOS DE LAS FUENTES DE LUZ

Longitud de Onda de Emisin () Anchura espectral () Lbulo de Emisin. Potencia Optica de Emisin. Potencia Optica Acoplada. Linealidad. Corriente Umbral (ITh) Ancho de Banda o Velocidad de Modulacin. Estabilidad con la Temperatura. Confiabilidad (tiempo de vida til).

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LED
Luz

LD

a. Caracterstica de Radiacin

Luz

b. Espectro de Emisin
800 850 (n.m.) 840 845 850 (n.m.)

OPT

POPT
Regin de Emisin Espontnea

Regin de Emisin Estimulada

c. Linealidad

Ith Ith: Corriente Umbral

Fig. 5.8. Caractersticas Bsicas de las Fuentes de Luz

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75 nm 125 nm SLED ELED 1.16 1.20 1.24 1.28 1.32 1.36 1.40 1.44

Longitud de Onda (um)

Fig. 5.9. Espectro de Salida Tpicos de los LEDS In Ga As P Operando en la Regin de 1.3um

1.0

Aumento de Temperatura 0C

0.8

30C 60C

Potencia de Salida Normalizada

0.6

0.4

0.2

0.83

0.85

0.87
Longitud de Onda (um)

0.89

0.91

Fig. 5.10. Variacin con la Temperatura del Espectro de Salida Tpicos de los LEDS de Emisin Superficial Al, Ga, As.

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Intensidad Relativa 1
0

= 1300 = 1 nm

0.5

(a) Laser guiado por ganancia a 1.3um

0 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3

Longitud de Onda Relativa Intensidad Relativa 1

0

= 850 nm = 0.25 nm

0.5

(b) Laser guiado por ganancia a 0.85um

0 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3

Longitud de Onda Relativa

Intensidad

= 1300nm

(c) Laser Monomodo a 1.3um

-4

-3

-2

-1

3nm

Longitud de Onda Relativa

Fig. 5.11. Espectro de Salida Tpicos de los Lasers

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TABLA 5.1: COMPARACION DE FUENTES DE LUZ
CARACTERISTICAS MATERIAL Longitud de Onda Al Ga As 0.8 ~ 0.9 m 5 ~ 20 mW Potencia de Salida Optica 25 mW (Lser Guiados por ndice) 3 ~ 5 dB 2 ~ 3 nm 3000 MHz Corriente Umbral (Ith) Rango de Temperatura Modulacin Adaptable Tiempo de Vida Aplicacin Digital 105 horas 100 150 mA (Lser guiados por ganancia) 40 60 mA (Lser guiados por ndice) 10 20 mA (Lser BH) 10 20 mA (Lser DFB) 0 ~ 50C Digital 105 horas Sistema de Larga Distancia y Gran Capacidad de Transmisin Digital, Analgico 107 horas 0 ~ 80C Digital, Analgico 107 horas DIODO LASER (LD) In Ga As P 1.2 ~ 1.6 m 3 ~ 18 mW 20 Mw (Lser Guiados por Indice) 40 mW (Lser BH) 3 ~ 5 dB 2 ~ 3 nm 3000 MHz 15 ~ 20 dB 25 ~ 50 nm 50 - 100 MHz 15 ~ 20 dB 50 - 160 nm 30 MHz 1 ~ 3 mW ~ 1 mW DIODO EMISOR DE LUZ (LED) Al Ga As 0.8 ~ 0.9 m In Ga As P 1.1 ~ 1.6 m

Atenuacin de Acoplamiento Ancho Espectral Velocidad de Modulacin

Sistema de Corta Distancia y Baja Capacidad de Transmisin

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5.2 DETECTORES PTICOS El detector es un componente esencial en un sistema de comunicaciones por fibra ptica y es uno de los elementos decisivos el cual determinara el funcionamiento del sistema total. Su funcin es convertir la seal ptica recibida en una seal elctrica, el cual es luego amplificada antes de su procesamiento adicional. Por lo tanto, cuando consideramos la atenuacin de seal a lo largo del enlace, el desempeo del sistema es determinado en el detector. Un mejoramiento en las caractersticas y en el funcionamiento del detector permitir la instalacin de pocas estaciones repetidoras y menores costos de instalacin y de mantenimiento. Para detectar radiacin ptica (Fotones) en la regin del infrarojo cercano pueden ser utilizados tanto la fotoemisin externa como interna de electrones. Los dispositivos de fotoemisin externa tales como los tubos fotomultiplicadores y los fotodiodos al vaco, satisfacen algunos de los criterios de funcionamiento, pero son muy voluminosos y requieren altos voltajes para su operacin. Sin embargo, los dispositivos de fotoemisin interna, especialmente los fotodiodos a semiconductores con o sin ganancia (Avalancha) interna, proporcionan buen funcionamiento y compatibilidad con costos relativamente bajos. En los sistemas de comunicaciones por fibra ptica como dispositivos de deteccin ptica para el rango de longitudes de onda entre 0.8 y 1.6 m, son utilizados los fotodiodos PIN y los fotodiodos de Avalancha (APD). Estos fotodiodos son hechos de materiales semiconductores tales como, el Silicio, Germanio y mezclas de compuestos del grupo III y V de la tabla peridica. Los fotodiodos de Silicio tienen una alta sensitividad en el rango de longitudes de onda entre 0.8 y 0.9 m. Por lo tanto, ellos son utilizados ampliamente en los sistemas de la primera generacin. Para la regin de longitudes de onda entre 1.1 y 1.6 m son utilizados los fotodiodos de Germanio y de mezclas de compuestos del grupo III y V.

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DETECTORES OPTICOS

REQUERIMIENTOS Alta sensitividad en las longitudes de onda de operacin. Alta fidelidad. Alta respuesta elctrica a la seal ptica recibida. Reducido tiempo de respuesta (Amplio Ancho de Banda). Mnimo ruido. Estabilidad en las caractersticas de funcionamiento. Pequeas dimensiones. Bajo voltaje de polarizacin. Alta confiabilidad (Tiempo de Vida). Bajo Costo.

TIPOS Fotodiodo PIN Fotodiodo de Avalancha - APD

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Hueco Electrn Ec Eg

hf > Eg Ev

(b)

(a)
Ec

Regin de Deflexin

(c)
Ev hf EF Nivel Fermi (a) Fotogeneracin de un Par Electrn-Hueco (b) Estructura de una Unin p-n Polarizada Inversamente (c) Diagrama de Bandas de Energa

Principios de la Deteccin ptica y Operacin de Fotodiodo p-n

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105

10
In Ga AsP In Ga As

Ge 104 Coeficiente de Absorcin ptica (cm-1) GaAs 103

10

102 Si

102

10 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 Longitud de Onda (um)

103 1.8

Fig. 5.13. CURVAS DE ABSORCIN PTICA PARA ALGUNOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Profundidad de penetracin de luz (um)

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FOTODIODO PIN Detector ptico con una estructura de semiconductores compuestos de una capa tipo p, una intrinseca y otra tipo n, que genera un simple par electrnhueco por cada Fotn incidente.
hf Campo E

p
Regin de Deflexin Regin de Absorcin

n
Regin de Difusin

Carga

Fotodiodo p-n

hf

Campo E

p
Regin de Defexin

Regin de Absorcin

n
X Carga

Fotodiodo p-i-n

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PARAMETROS CARACTERISTICOS DE LOS DETECTORES OPTICOS Sensibilidad de longitud de onda Eficiencia cuntica Numero de Electrones generados

n=

Numero de fotones incidentes

re = rp

Responsitividad Ip.M Po

R=

(AW-1)

Ip: Fotocorriente de salida en Amperios Po: Potencia Optica incidente en Watts M: Ganancia Optica (solo APD)

R=

neM hf

neM hc

Velocidad de Respuesta (Ancho de Banda) Bmin = 1 = 2tdif

B B

Vd 2w

Bmin: Ancho de Banda Mnimo tdif: Tiempo de Difusin de Portadores w: Ancho de la Capa de deflexin vd: Velocidad de portadores Ancho de Banda Optico Ruido shot

i2s = 2e BI

I = Ip + Id

Ip

Id i2s = 2e BIp

Corriente de oscuridad (Id) Factor de Mulitplicacin (M)

M=

1 1- V VB

VB: Tensin de ruptura

B

n: Coeficiente dependiente del material semiconductor V: Voltaje de polarizacin aplicado

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PARAMETROS CARACTERISTICOS DE LOS RECEPTORES OPTICOS Los parmetros caractersticos del receptor ptico son: Sensitividad Tasa de error (BER) Rango Dinmico SENSITIVIDAD Y TASA DE ERROR La sensitividad y la tasa de error estn relacionados. La sensitividad de un receptor es el mnimo nivel de potencia ptica que puede detectar con una tasa de error aceptable. El BER es el nmero mximo de errores en la seal recibida, expresado como una fraccin de la cantidad de bits transmitidos. Si la potencia de la seal recibida cae por debajo de la sensitividad del receptor, el nmero de bits errados aumentar por encima del valor mximo especificado para ese receptor. RANGO DINMICO El rango dinmico es utilizado para definir la mxima potencia ptica promedio que puede detectar un receptor para mantener una determinada tasa de error. Si el receptor recibe demasiada potencia, resultar en una distorsin de la seal y en un aumento de la tasa de error.

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TABLA DE COMPARACION DE LOS DISPOSITIVOS DE DETECCION OPTICA

CARACTERISTICAS

APD Pequeas Longitudes de Onda

PIN Pequeas Longitudes de Onda Silicio

APD Grandes Longitudes de Onda

MATERIAL

Silicio

Germanio

LONGITUD DE ONDA

0.6 ~ 0.9 m

0.6 ~ 0.9 m

1 ~ 1.55m

EFICIENCIA CUANTICA EFICIENCIA DE ACOPLAMIENTO

70% 95%

70% 95%

60% 95%

ANCHO DE BANDA

1 GHz

100 MHz

1 GHz

VOLTAJE DE POLARIZACION

100 ~ 150 v

5 ~ 20 v

25 ~ 30 v

TIEMPO DE VIDA

> 107 horas

> 107 horas

> 107 horas

APLICACION

Deteccin de alta sensitividad

Sistema de deteccin simple

Sistema de transmisin de gran longitud

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5.3 AMPLIFICADOR PTICO Los amplificadores pticos, como su mismo nombre lo indica, opera solamente en el dominio ptico, sin la necesidad de convertir fotones a electrones. Los amplificadores pticos pueden ubicarse en determinados intervalos a lo largo del enlace de fibra ptica, para proporcionar amplificacin lineal de la seal ptica transmitida. Las principales caractersticas de un amplificador ptico, son: Puede utilizarse para cualquier tipo de modulacin y virtualmente en cualquier velocidad de transmisin. Puede operar bidireccionalmente. Si es suficientemente lineal puede permitir operacin multiplexada de varias seales en diferentes longitudes de onda (WDM). TIPOS DE AMPLIFICADORES PTICOS Los amplificadores pticos que a la fecha han tenido un mayor desarrollo son: Amplificadores pticos a semiconductores, los cuales utilizan la emisin estimulada de los portadores inyectados. Amplificadores de fibra, en los cuales la ganancia es proporcionada ya sea por la dispersin de Brillouin o de Raman estimulada o por dopantes de tierra rara (Erbiun).

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AMPLIFICADORES OPTICOS
Ganancia (dB)

20

Erbium Raman

15

Brillouin

10
TWSLA

5
Raman

0 1.42 1.44 1.46 1.48 1.50 1.52 1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64
Longitud de onda de seal (um)

FIG. 5.12. Caractersticas de Ganancia

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DIAGRAMA ESQUEMTICO DE UN AMPLIFICADOR DE FIBRA

Fibra dopada con Erbium Seal de entrada Acoplador Bombeo ptico Seal de salida

APLICACIONES POTENCIALES DE LOS AMPLIFICADORES DE FIBRA Bombeo

Acoplador Sistema

Transmisor

Fibra activa

Empalme de fibra

(a) Lado de Transmisin

Bombeo

Sistema Sistema Fibra activa (b) Repetidora ptica

Bombeo

Sistema Fibra activa (c) Preamplificador - Lado Receptor Receptor

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5.4 CONMUTADORES PTICOS Es una unin tipo Y, fabricado de un material electroptico, tal que su ndice de refraccin vara de manera directamente proporcional al campo elctrico aplicado (Ver Fig. 5.13). Los electrodos metlicos son colocados de tal manera que cuando se aplica la polarizacin, un lado de la estructura de gua de onda presenta un aumento en su ndice de refraccin, mientras que en el otro lado el ndice de refraccin disminuye. Por lo tanto, el haz de luz ser deflectado haca la regin con mayor ndice de refraccin. Los conmutadores pticos pueden utilizarse para: Enrutamiento de seales o conmutacin por divisin espacial. Multiplexacin por divisin en el Tiempo ptico (OTDM).

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CONMUTADORES PTICOS

I1

O1

I2

O1

I1

O1

I2

O1

Operacin del Conmutador ptico

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APLICACIONES DEL CONMUTADOR PTICO

Transmisor Primario

Conmutador ptico Al Receptor

Transmisor de Reserva Terminacin

(a) Transmisor de Reserva

Transmisor Primario

Conmutador ptico Al Receptor

OTDR Terminacin

(b) Pruebas de Sistemas

Receptor Primario

Desde el transmisor

Conmutador ptico

Terminacin Receptor de Reserva

(c) Receptor de Reserva

Conmutador ptico Transmisor

Fibra Primaria

Conmutador ptico Receptor

(d) Fibra de Reserva

Fibra de reserva

Transmisor Primario

Conmutador ptico

Fibra Primaria

Conmutador ptico

Receptor Primario

Receptor de Reserva

Fibra de reserva

Receptor de Reserva

(e) Sistema Redundante Completo

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