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Universidade Federal Rural do Semirido UFERSA Departamento de Cincias Ambientais e Tecnolgicas DCAT Disciplina: Captao e utilizao de energia solar

ar Professor: Adriano Aron

Jos Htalo P. de Oliveira

Trabalho

Mossor, 30 de Maio de 2011

QUESTO 1: Cristal de semente uma parte pequena de nico cristal material de que um grande de, geralmente, o mesmo material deve ser crescido. O cristal grande pode ser crescido mergulhando a semente em uma soluo supersaturada no material derretido que refrigerado ento, ou pelo crescimento na cara da semente passando o vapor do material a ser crescido sobre ele. Assim no Processo de Czochralski um cristal de semente, montado em uma haste, mergulhado no silicone derretido. A haste de cristal de semente puxada para cima e girada ao mesmo tempo. Precisamente controlando os gradientes da temperatura, a taxa de puxar e a velocidade da rotao, possvel extrair um grande e nico-cristal. Este processo executado normalmente no inerte atmosfera, como em uma cmara inerte. QUESTO 2: A tcnica do sistema EZ Ribbon consiste na cristalizao de fitas de silcio a partir de matria-prima granular, a partir de uma zona fundida eltrica linear. A Figura abaixo ilustra esquematicamente o processo.

1 Fita crescida; 2 Pr-fita; 3 Zona fundida; 4 e 5 Eletrodos de silcio; 6 Reservatrio de matriaprima (lago); 7 Alimentao do lago; 8 Bobine de induo (exemplo de implementao de aquecimento do lago, tambm pode ser por via ptica, e.g. com uma laser de alta potncia ou uma lmpada de arco); 9 Fonte de corrente; 10 e 11 Placas intermdias de silcio. A zona fundida criada a partir de uma corrente eltrica utilizando o processo de retroao positiva da concentrao de uma corrente eltrica num material semicondutor [7]. A zona fundida linear, com um comprimento superior ao da fita a extrair (atualmente cerca de 30mm), com cerca de 0.5mm de altura e uma largura tpica da ordem da pr-fita utilizada na montagem (0.3mm) e portanto o volume de material fundido diminuto, cerca de 5mm3. Para que ocorra a extrao atravs de um processo contnuo necessrio adicionar massa ao sistema, que pode realizar-se atravs de um pequeno reservatrio (lago) de silcio fundido criado numa das extremidades da zona fundida. O lago consiste numa pelcula de silcio lquido com um dimetro de cerca de 10 mm e uma altura de cerca de 1 mm suportada por uma placa de silcio (de modo a evitar a contaminao da zona fundida com outros materiais que no o silcio). QUESTO 3: O interesse no desenvolvimento da tecnologia fotovoltaica de filme fino vem da perspectiva de reduo de custos que existe em relao a esta tecnologia e da possibilidade de utilizao de substratos de diferentes materiais e formas. Esta tecnologia utiliza a deposio de camadas finas de semicondutores sobre um substrato ou superstrato, como uma placa de vidro, uma lmina de ao ou uma lmina de plstico. Normalmente, a espessura da camada semicondutora inferior a um micron, o que significa uma reduo de 100 a 1000 vezes da quantidade de material utilizado. A reduo da quantidade de material utilizado leva a uma reduo dos custos de produo. Outra vantagem que contribui para a reduo de custos que as clulas podem ser produzidas em diversos formatos e tamanhos diferentes, no se limitando ao tamanho do "wafer" de Silcio. Uma vantagem adicional das clulas de filme fino o menor consumo de energia durante a sua fabricao e conseqentemente a diminuio do Energy Pay Back Time (EPBT), ou seja, do tempo de operao necessrio para que a clula produza a energia que foi consumida durante a sua fabricao.

a) Devido ao sucesso da sua utilizao na forma de "wafers" para a fabricao de clulas fotovoltaicas, o Silcio uma escolha bvia para o desenvolvimento de clulas de filme fino. Inicialmente foram realizadas tentativas de produo de clulas de filme fino com Silcio policristalino. Porm, esta tecnologia no se mostrou vivel e a partir de meados da dcada de 70 as clulas de Silcio amorfo comearam a se difundir. No Silcio amorfo os tomos esto ligados aos seus vizinhos quase da mesma maneira que no Silcio cristalino, mas devido s pequenas imperfeies que se acumulam com a distncia, no h uma ordem perfeita a longas distncias. Como consequncia, o material amorfo tem uma qualidade eletrnica bem menor e originalmente se achava que ele no seria adequado para a fabricao de clulas fotovoltaicas. Entretanto, a produo de Silcio amorfo atravs da decomposio do gs Silano (SiH4), a baixas temperaturas, mostrou-se promissora. Descobriu-se que o Hidrognio do gs incorpora-se a clula em grandes quantidades (10% em volume), melhorando a qualidade do material. Clulas de Silcio amorfo hidrogenado passaram a ser utilizadas em aparelhos eletrnicos portteis como calculadoras, relgios, rdios, carregadores de pilhas etc. O problema com o uso destas clulas ao ar livre que uma parte do efeito benfico do Hidrognio se desfaz quando a clula exposta luz do Sol e a performance da clula se degrada com o tempo, at atingir um novo patamar. Inicialmente, havia a esperana de se encontrar uma soluo simples para este problema, mas isto no foi possvel e, atualmente, as clulas so comercializadas considerando-se a sua potncia aps a estabilizao. Entretanto, estas clulas tm a vantagem de possuir um baixo coeficiente trmico em relao potncia. Ou seja, a queda de eficincia que ocorre com o aumento da temperatura de operao das clulas fotovoltaicas menor, no caso das clulas de Silcio amorfo, do que no caso das clulas baseadas em wafers de Silcio10, o que traz vantagens para a sua utilizao em climas quentes. b) Para materiais de baixa qualidade, a espessura ideal da clula acaba sendo menor do que a espessura necessria para absorver a radiao solar. Para resolver este problema, vrias clulas so empilhadas, de modo que a luz que no absorvida numa clula superior passa para a prxima, onde absorvida. Estas clulas so conhecidas como clulas multijuno ou clulas tandem. c) O metal arseneto de glio consiste de uma estrutura cristalina cbica de face centrada. A estrutura do arseneto de glio. Os tomos de glio so os representados em preto e os tomos de arsnio so os que esto representados em vermelho. A composio do arseneto de glio constitui de 14 tomos de glio e 4 tomos de arsnio. Esta geometria estvel, isomtrica e consequentemente com atuaes de foras de Van del Waal constantes, faz com que o GaAs tenha evidenciada uma caracterstica muito particular: a de formao de lacunas e barreiras eletrnicas bem definidas, bem como uma estabilidade atmica o que confere manter seu ltimo estado sem a necessidade de implementar energia em seu sistema. Os tomos de arsenio possuem uma predisposio maior de doarem eltrons e assim tornarem eletropositivos. Existem tomos intermedirios de glio que possuem uma resultante vetorial nula em funo da disposio dos tomos de Ga e As. d) As clulas de CdTe so do tipo heterojuno e utilizam o sulfeto de cdmio (CdS) como o material tipo n da juno. A perspectiva de aumento desta eficincia grande porque o CdTe um material fotovoltaico com propriedades de absoro excelentes: a banda proibida direta, da ordem 1,5 eV, prxima do valor ideal para mxima eficincia terica; o coeficiente de absoro tica elevado, da ordem de 104cm-1, o que permite que espessuras da ordem de 1 m sejam suficientes para absorver a maior parte dos ftons incidentes. O controle do processo de fabricao do CdTe fundamentalmente importante, uma vez que o desempenho dos dispositivos fotovoltaicos funo das propriedades fsicas dos materiais, as quais dependem expressivamente das condies de deposio. O Laboratrio de Filmes Finos do IME vem crescendo as camadas componentes desta clula por diversas tcnicas visando obteno de filmes com propriedades adequadas fabricao do dispositivo. Os filmes de CdTe vm sendo produzidos por duas tcnicas: sublimao em espao reduzido [7] e evaporao trmica a vcuo, sendo esta ltima abordada neste artigo. A vantagem de se produzir CdTe por esta tcnica reside na facilidade do processamento. O objetivo deste trabalho estudar o efeito dos parmetros de processo, tais como a taxa de deposio e a temperatura de substrato, na microestrutura e nas propriedades ticas de filmes fotovoltaicos de CdTe obtidos pelo mtodo de evaporao trmica resistiva a vcuo.