FCT – ENGENHARIA ELETROTÉCNICA

Eletrónica I – 2016/2017
Recurso – setembro de 2017

1. Considere o AmpOp da Figura 1 ideal. Escreva o valor de vo se as resitência são todas

iguais, v1 = 1 V, v2 = 2 V, v3 = 3 V e v4 = 4 V.
Figura 1

2. Determine o valor de Vo ilustrado na Figura 2, sabendo que R=500Ω, e que Figura 2

cada díodo apresenta uma queda de tensão de 698,8mV quando é percorrido
por uma corrente de 1mA. Se a fonte a alimentação sofrer uma oscilação de
15%, qual é a correspondente oscilação da tensão da tensão Vo.

3. Desenhe os circuitos equivalentes para grandes sinais para os transístores

npn e pnp operando em modo ativo levando em consideração o efeito de
Early. Demonstre que = (efeito de Early).

4. Para a Figura 3 a tensão do colector (VC) do transístor é de 4.5V e da

base (VB) de 2.13V. Figura 3
a. Determine o valor de β para RB=120kΩ considerando VBE=0.7V.
Nestas condições, diga, justificando, em que região de funcionamento
se encontra o transistor.

5. No circuito da Figura 4 assuma que VBE é 0,65V quando EBJ estiver em

condução, que no limiar de saturação VCE=0,25V e que β=50. Determine:
a. O valor de VBB para que o transístor funcione na região ativa
com IC=6mA. Redesenhe o circuito, usando o modelo
Figura 4
equivalente para esta situação.
b. O valor de VCE e o valor de IC se ligar VBB ao coletor;
c. A região de funcionamento quando VBB=7V. E se for -7V?

AV