FCT –EE

EI – Exercícios para o 2º Teste

2017/2018

1. Calcule a corrente de escala, I s , de um díodo de silício que apresenta uma queda de tensão de 0,7V
quando é percorrido por uma corrente e 1mA. Sabendo que I s duplica por cada aumento de 5º C e
que o I s atual foi calculado para 25ºC, determine o valor de I s para 125ºC.
2. Determine a variação da queda de tensão aos terminais de um díodo quando a corrente do díodo
varia de 1mA para 10mA.
3. Usando o modelo exponencial e análise iterativa, determine I D e VD do circuito da figura a seguir
para o caso de VDD  5V e R  1k  . Supõe que VD  0, 7V quando I D  1mA e utilize 3
iterações.

4. Calcule a resistência de um díodo para pequenos sinais, rd , quando este é percorrido por uma
corrente de 1mA.
5. Considere o circuito seguinte em que o zener tem VZ  6,8V para I Z  5mA , rZ  20 e

I ZK  5mA . A fonte de alimentação, V , tem o valor nominal de 10V mas pode variar 2V .
Determine:
a. VO , antes de ligar a carga (em vazio) e V  com seu valor nominal;
b. Regulação de linha, expresso em mV / V . Nota: regulação de

linha é VO / V ;
c. Regulação de carga, expresso em mV / mA quando é colocada
uma carga que drena I L  1mA . Nota: regulação de carga é
VO / I L ;
d. Determine variação de VO quando RL  2k  ;
e. Determine o valor de VO quando RL  500 ;
f. Qual é o valor mínimo de RL para o qual o díodo ainda opera na
região de reputura?

6. Considere um zener que tem VZ  10V para I Z  10mA e rZ  50 . Qual é o valor de VZ quando
I Z  20mA ? Qual é o valor de VZO .
7. Considere um retificador de meia onda com uma tensão de entrada sinusoidal com 12Vrms ,
VD  0, 7V e carga R  100 . Determine o ângulo de condução, o valor médio e o valor de de pico
da tensão aos terminais de R . Determine PIV.
8. Repita o ponto 7 para um retificador de onda completa: usando um transformador com ponto médio;
usando uma ponte de díodo.
9. Considere um retificador de onda completa alimentado por uma onda sinusoidal com valor de pico de
100V, 50Hz. Sabendo que a carga R  10k  , determine:
a. O valor da capacidade que resulte numa tensão de ripple de 2V;
b. Os valores médios e de pico da corrente no díodo.

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10. Considere o circuito seguinte denominado de superdíodo com R  1k  . Determine a tensão vA e
vO para os casos em que vI é igual a 10mV, 1 V e -1 V. Assuma que o AmpOp é ideal e que satura
em +/-12V. Assuma ainda que o díodo apresenta uma queda de tensão de 0,7V quando é percorrida
por uma corrente de 1mA.

11. Repita o ponto 10, invertendo o díodo.

12. Dado o circuito da figura seguinte, faça o esboço de vO em função do vI .

13. Considere o circuito recuperador de DC da figura seguinte. Suponha que vI é uma onda triangular
com amplitude 5V e frequência 1kHz. Faça, justificando, o esboço de vO . Considere VD  0, 7V .

14. Considere o circuito da figura seguinte. O AmpOp é ideal com tensão de saturação +/-13V. Considere
VD  0, 7V . Determine v A , vO e v para os casos em que vI é igual a 3V, 1V, -1V e -3V. Determine
também o valor médio de vO quando vI for uma onda quadrada com amplitude 5 V e frequência
1kHz.

15. Considere um transístor npn com I S  1015 A e   100 . Se a base estiver ligada a uma fonte de
corrente de 10uA, o coletor ligado a uma fonte de 5V através de uma resistência RC  3k  e o
emissor ligado a terra, determine a região de funcionamento deste transístor. Se em vez de usar uma
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 fonte de corrente na base, for utilizada uma resistência RB que liga a base à fonte de 5V, qual deve
ser o valor de RB , para que o transístor funcione de forma equivalente a situação anterior.
16. Um transístor com I S  1016 A e   100 conduz uma corrente I C  1mA . Determine VBE .
17. Considere o circuito da figura seguinte, em que   100 e exibe VBE  0, 7V para I C  1mA .
Pretende-se projetar o circuito por forma que a corrente I C  2mA e a tensão no coletor seja 5 V.

18. Os circuitos da figura seguinte apresentam alguns valores das tensões e das correntes. Determine
as correntes e as tensões que não estão determinadas.

19. Determine os valores do  para cada um dos circuitos da figura seguinte.

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20. Determine o valor de  forçado para cada um dos circuitos da figura seguinte, sabendo que  mínimo
é 50. (Dica: assuma que os transístores estão saturados).

21. Para o circuito da figura seguinte determine os valores de V1, V2, V3, V4 e V5.

22. Para o circuito da figura seguinte, determine VB e VE para os casos em que vI é igual a -5V, -2,5V, 0V
e 2V. Considere   50 .

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23. A figura seguinte ilustra um amplificador emissor comum sem as componentes contantes (DC, offset).
Desenhe o circuito, substituindo o transístor pelo modelo equivalente para pequenos sinais π-híbrido.
Determine a resistência de entrada Rin  v / ib , a relação v / vsig e o ganho em tensão entre a base
vO  RC
e o coletor vO / v . Mostre que 
vsig r  Rsig

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