MOSFET como Amplificador

Prof. Carlos Fernando Teodósio Soares

UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO DE JANEIRO

ESCOLA POLITÉCNICA
Departamento de Engenharia Eletrônica e de Computação

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 1/58

 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Agenda da Aula - Capı́tulo V

Análise de Circuitos em Corrente Contı́nua

Metodologia de Análise
Exemplos de Análise

Projeto de Polarização do MOSFET

MOSFET como Elemento Amplificador

Modelo Linearizado do MOSFET para Pequenos Sinais
Configuração em Fonte Comum
Configuração em Porta Comum
Configuração em Dreno Comum

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Agenda da Aula - Capı́tulo V (Seção V.6)

Análise de Circuitos em Corrente Contı́nua

Metodologia de Análise
Exemplos de Análise

Projeto de Polarização do MOSFET

MOSFET como Elemento Amplificador

Modelo Linearizado do MOSFET para Pequenos Sinais
Configuração em Fonte Comum
Configuração em Porta Comum
Configuração em Dreno Comum

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo Q
ID
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

Modelo matemático no Modo de Saturação:

(
1 W vGS > Vth
iD = kN (vGS − Vth )2
2 L vDS ≥ vGS − Vth

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Modelo matemático no Modo de Saturação:
1 W
iD = kN (vgs + VGS − Vth )2
2 L

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Modelo matemático no Modo de Saturação:
1 W
iD = kN (vgs + VGS − Vth )2
2 L

1 W W 1 W 2
iD = kN (VGS − Vth )2 + kN (VGS − Vth ) vgs + kN vgs
2 L L 2 L

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Condição para operação aproximadamente linear:
1 W 2 W
kN vgs  kN (VGS − Vth ) vgs
2 L L

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Condição para operação aproximadamente linear:
1 W 2 W
kN vgs  kN (VGS − Vth ) vgs
2 L  L

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Condição para operação aproximadamente linear:
1 W 2 W
kN vgs  kN (VGS − Vth ) vgs
2 L  L

vgs  2 (VGS − Vth )

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Modelo linearizado para pequenos sinais:
1 W W
iD ≈ kN (VGS − Vth )2 + kN (VGS − Vth ) vgs
2 L L

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Modelo linearizado para pequenos sinais:
1 W W
iD ≈ kN (VGS − Vth )2 + kN (VGS − Vth ) vgs
2 L L

iD ≈ ID + gm vgs

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Transcondutância do MOSFET para pequenos sinais:
1 W
iD = kN (vGS − Vth )2
2 L

∂iD  W
gm = = kN (VGS − Vth )
∂vGS vGS =VGS L

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Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Tensão na saı́da do amplificador:

vo = VDD − RD iD

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Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Tensão na saı́da do amplificador:

vo ≈ VDD − RD (ID + gm vgs )

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Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD iD
iD RD
vo
ID
Q id
M1
vgs vGS

VGS vGS
VGS

vgs
Tensão na saı́da do amplificador:

vo ≈ VDD − RD (ID + gm vgs )

vo ≈ (VDD − RD ID ) − gm RD vgs

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Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD
vGS
iD RD vO
VGS
t vo
VD
M1
vgs vGS t
VGS

Tensão na saı́da do amplificador:

vo ≈ (VDD − RD ID ) − gm RD vgs
| {z }
VD

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD
vGS
iD RD vO
VGS
t vo
VD
M1
vgs vGS t
VGS

Tensão na saı́da do amplificador:

vo ≈ (VDD − RD ID ) − gm RD vgs
| {z }
VD

Ganho de tensão para pequenos sinais:

− gm RD vgs
AV =
vgs

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 MOSFET como Amplificador Obtendo Amplificação com o MOSFET

Obtendo Amplificação Linear com o MOSFET

VDD
vGS
iD RD vO
VGS
t vo
VD
M1
vgs vGS t
VGS

Tensão na saı́da do amplificador:

vo ≈ (VDD − RD ID ) − gm RD vgs
| {z }
VD

Ganho de tensão para pequenos sinais:

− gm RDv
gs
AV = ∴ AV = − gm RD
vgs


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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o MOSFET

Considerando o comportamento fı́sico do MOSFET aproximadamente linear

para pequenos sinais, podemos realizar a análise de amplificadores usando a
superposição:

VDD

iD RD
vo
M1
vgs
VGS

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o MOSFET

Considerando o comportamento fı́sico do MOSFET aproximadamente linear

para pequenos sinais, podemos realizar a análise de amplificadores usando a
superposição:
VDD

Análise de ID
RD
Polarização
VDD VD
iD M1
RD
VGS
vo
M1
vgs
VGS

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o MOSFET

Considerando o comportamento fı́sico do MOSFET aproximadamente linear

para pequenos sinais, podemos realizar a análise de amplificadores usando a
superposição:
VDD

Análise de ID
RD
Polarização
VDD VD
iD M1
RD
VGS
vo
M1
vgs vo
M1 id RD
VGS
Análise de vgs
Pequenos Sinais

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Para facilitar a análise para pequenos sinais, podemos substituir o MOSFET

pelo seu circuito linearizado equivalente:

D
0 id
id Modelo de
0 G D
Pequenos Sinais
G

vgs vgs id
S S

O modelo para pequenos sinais do MOSFET deve atender às seguintes condições:

id = gm vgs

ig = 0

is = id + ig


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Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Para facilitar a análise para pequenos sinais, podemos substituir o MOSFET

pelo seu circuito linearizado equivalente:

D id
id G D
0
G vgs gm vgs
vgs
S S

O modelo para pequenos sinais do MOSFET deve atender às seguintes condições:

id = gm vgs

ig = 0

is = id + ig


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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Para facilitar a análise para pequenos sinais, podemos substituir o MOSFET

pelo seu circuito linearizado equivalente:

D
D
id gm vgs
0
G G

vgs 1
vgs gm
S
S

O modelo para pequenos sinais do MOSFET deve atender às seguintes condições:

id = gm vgs

ig = 0

is = id + ig


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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o Modelo Linearizado

VDD

Análise de ID
RD
Polarização
VDD VD
iD M1
RD
VGS
vo
M1
vgs vo
M1 id RD
VGS
Análise de vgs
Pequenos Sinais

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o Modelo Linearizado

VDD

Análise de ID
RD
Polarização
VDD VD
iD M1
RD
VGS
vo
M1
vgs vo
vgs vgs gm vgs
VGS RD
Análise de
Pequenos Sinais

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o Modelo Linearizado

VDD

Análise de ID
RD
Polarização
VDD VD
iD M1
RD
VGS
vo
M1
vgs vo
vgs vgs gm vgs
VGS RD
Análise de
Pequenos Sinais

Ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = 0 − gm vgs · RD

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o Modelo Linearizado

VDD

Análise de ID
RD
Polarização
VDD VD
iD M1
RD
VGS
vo
M1
vgs vo
vgs vgs gm vgs
VGS RD
Análise de
Pequenos Sinais

Ganho de tensão para pequenos sinais:

vo
vo = 0 − gm vgs · RD ∴ = − gm RD
vgs

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo para Pequenos Sinais do MOSFET de Canal P

Corrente de dreno:
VDD
1 W
VGS iD = kP (vGS − Vth )2
2 L
vgs vGS
M1
iD vo
RD

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo para Pequenos Sinais do MOSFET de Canal P

Corrente de dreno:
VDD
1 W
VGS iD = kP (vGS − Vth )2
2 L
vgs vGS
1 W
iD = kP (vgs + VGS − Vth )2
M1 2 L

iD vo
RD

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo para Pequenos Sinais do MOSFET de Canal P

Corrente de dreno:
VDD
1 W
VGS iD = kP (vGS − Vth )2
2 L
vgs vGS
1 W
iD = kP (vgs + VGS − Vth )2
M1 2 L

iD vo 1 W W
iD = kP (VGS − Vth )2 + kP (VGS − Vth ) vgs
RD 2 L L
1 W 2
+ kP vgs
2 L

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo para Pequenos Sinais do MOSFET de Canal P

Corrente de dreno:
VDD
1 W
VGS iD = kP (vGS − Vth )2
2 L
vgs vGS
1 W
iD = kP (vgs + VGS − Vth )2
M1 2 L

iD vo 1 W W
iD = kP (VGS − Vth )2 + kP (VGS − Vth ) vgs
RD 2 L L
1 W 2
+ kP vgs
2 L
Aproximação linear para pequenos sinais:
1 W W
iD ≈ kP (VGS − Vth )2 + kP (VGS − Vth ) vgs
2 L L

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo para Pequenos Sinais do MOSFET de Canal P

Corrente de dreno:
VDD
1 W
VGS iD = kP (vGS − Vth )2
2 L
vgs vGS
1 W
iD = kP (vgs + VGS − Vth )2
M1 2 L

iD vo 1 W W
iD = kP (VGS − Vth )2 + kP (VGS − Vth ) vgs
RD 2 L L
1 W 2
+ kP vgs
2 L
Aproximação linear para pequenos sinais:
1 W W
iD ≈ kP (VGS − Vth )2 + kP (VGS − Vth ) vgs
2 L L

Como (VGS − Vth ) < 0, então, definiremos a transcondutância do MOSFET de

Canal P como gm = kP WL
|VGS − Vth |. Assim:
iD ≈ ID − gm vgs

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Análise de Amplificadores com o MOSFET de Canal P

Considerando o comportamento fı́sico do MOSFET aproximadamente linear

para pequenos sinais, podemos realizar a análise de amplificadores usando a
superposição:

VDD
VGS
vgs vGS
M1
iD vo
RD

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o MOSFET de Canal P

Considerando o comportamento fı́sico do MOSFET aproximadamente linear

para pequenos sinais, podemos realizar a análise de amplificadores usando a
superposição:

VDD
VDD
Análise de VGS VGS
VGS Polarização
M1
vgs vGS vo
ID
M1 RD
iD vo
RD

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o MOSFET de Canal P

Considerando o comportamento fı́sico do MOSFET aproximadamente linear

para pequenos sinais, podemos realizar a análise de amplificadores usando a
superposição:

VDD
VDD
Análise de VGS VGS
VGS Polarização
M1
vgs vGS vo
ID
M1 RD
iD vo
RD
vo
gmvgs
RD
Análise de vgs vgs
Pequenos Sinais

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET de Canal P

Para facilitar a análise para pequenos sinais, podemos substituir o MOSFET

pelo seu circuito linearizado equivalente:

S
0 id
vgs G
Modelo de
D
Pequenos Sinais
G
id vgs
0
id
D S

O modelo para pequenos sinais do MOSFET deve atender às seguintes condições:

id = − gm vgs

ig = 0

is = id + ig


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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET de Canal P

Para facilitar a análise para pequenos sinais, podemos substituir o MOSFET

pelo seu circuito linearizado equivalente:

S id
vgs G D

G vgs gm vgs
id
0

D S

O modelo para pequenos sinais do MOSFET deve atender às seguintes condições:

id = − gm vgs

ig = 0

is = id + ig


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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET de Canal P

Para facilitar a análise para pequenos sinais, podemos substituir o MOSFET

pelo seu circuito linearizado equivalente:

D
S

vgs gm vgs
G G
id 1
0 vgs gm
D S

O modelo para pequenos sinais do MOSFET deve atender às seguintes condições:

id = − gm vgs

ig = 0

is = id + ig


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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o Modelo Linearizado

VDD
VDD
Análise de VGS VGS
VGS Polarização
M1
vgs vGS vo
ID
M1 RD
iD vo
RD
vo
gmvgs
RD
Análise de vgs vgs
Pequenos Sinais

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o Modelo Linearizado

VDD
VDD
Análise de VGS VGS
VGS Polarização
M1
vgs vGS vo
ID
M1 RD
iD vo
RD
vo
vgs vgs gm vgs RD
Análise de
Pequenos Sinais

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 16/58

 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o Modelo Linearizado

VDD
VDD
Análise de VGS VGS
VGS Polarização
M1
vgs vGS vo
ID
M1 RD
iD vo
RD
vo
vgs vgs gm vgs RD
Análise de
Pequenos Sinais

Ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = 0 − gm vgs · RD

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Análise de Amplificadores com o Modelo Linearizado

VDD
VDD
Análise de VGS VGS
VGS Polarização
M1
vgs vGS vo
ID
M1 RD
iD vo
RD
vo
vgs vgs gm vgs RD
Análise de
Pequenos Sinais

Ganho de tensão para pequenos sinais:

vo
vo = 0 − gm vgs · RD ∴ = − gm RD
vgs

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Considerando Efeitos de Segunda Ordem

Corrente de dreno:
D
iD 1 W
iD = kN (vGS − Vth )2 · (1 + λ vDS )
2 L
B
G vDS Vth = Vth0 + γ
hp
2φF − vBS − 2φF
p i

vGS vBS
S

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Considerando Efeitos de Segunda Ordem

Corrente de dreno:
D
iD 1 W
iD = kN (vGS − Vth )2 · (1 + λ vDS )
2 L
B
G vDS Vth = Vth0 + γ
hp
2φF − vBS − 2φF
p i

vGS vBS
Obtendo um modelo linearizado através da Série de
S Taylor truncada no ponto de polarização Q:
  
∂iD  ∂iD  ∂iD 
iD ≈ iD |Q + · (vGS − VGS ) + · (vDS − VDS ) + · (vBS − VBS )
∂vGS Q ∂vDS Q ∂vBS Q

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Considerando Efeitos de Segunda Ordem

Corrente de dreno:
D
iD 1 W
iD = kN (vGS − Vth )2 · (1 + λ vDS )
2 L
B
G vDS Vth = Vth0 + γ
hp
2φF − vBS − 2φF
p i

vGS vBS
Obtendo um modelo linearizado através da Série de
S Taylor truncada no ponto de polarização Q:
  
∂iD  ∂iD  ∂iD 
iD ≈ iD |Q + · (vGS − VGS ) + · (vDS − VDS ) + · (vBS − VBS )
∂vGS Q ∂vDS Q ∂vBS Q

Nessa série de Taylor truncada temos que:

1 W
ID = iD |Q = kN (VGS − Vth )2 · (1 + λ VDS )
2 L

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Considerando Efeitos de Segunda Ordem

Corrente de dreno:
D
iD 1 W
iD = kN (vGS − Vth )2 · (1 + λ vDS )
2 L
B
G vDS Vth = Vth0 + γ
hp
2φF − vBS − 2φF
p i

vGS vBS
Obtendo um modelo linearizado através da Série de
S Taylor truncada no ponto de polarização Q:
  
∂iD  ∂iD  ∂iD 
iD ≈ iD |Q + · (vGS − VGS ) + · (vDS − VDS ) + · (vBS − VBS )
∂vGS Q ∂vDS Q ∂vBS Q

Nessa série de Taylor truncada temos que:


∂iD  W
gm = = kN (VGS − Vth ) · (1 + λ VDS )
∂vGS Q L

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Considerando Efeitos de Segunda Ordem

Corrente de dreno:
D
iD 1 W
iD = kN (vGS − Vth )2 · (1 + λ vDS )
2 L
B
G vDS Vth = Vth0 + γ
hp
2φF − vBS − 2φF
p i

vGS vBS
Obtendo um modelo linearizado através da Série de
S Taylor truncada no ponto de polarização Q:
  
∂iD  ∂iD  ∂iD 
iD ≈ iD |Q + · (vGS − VGS ) + · (vDS − VDS ) + · (vBS − VBS )
∂vGS Q ∂vDS Q ∂vBS Q

Nessa série de Taylor truncada temos que:


∂iD  1 W
= kN (VGS − Vth )2 · λ
∂vDS Q 2 L

∂iD 
≈ ID · λ
∂vDS Q

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Considerando Efeitos de Segunda Ordem

Corrente de dreno:
D
iD 1 W
iD = kN (vGS − Vth )2 · (1 + λ vDS )
2 L
B
G vDS Vth = Vth0 + γ
hp
2φF − vBS − 2φF
p i

vGS vBS
Obtendo um modelo linearizado através da Série de
S Taylor truncada no ponto de polarização Q:
  
∂iD  ∂iD  ∂iD 
iD ≈ iD |Q + · (vGS − VGS ) + · (vDS − VDS ) + · (vBS − VBS )
∂vGS Q ∂vDS Q ∂vBS Q

Nessa série de Taylor truncada temos que:

 
∂iD  ∂Vth 
gmb = ·
∂Vth Q ∂vBS Q
   
W γ
= −kN (VGS − Vth ) · (1 + λ VDS ) · − √
L 2 2φF − VBS

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Considerando Efeitos de Segunda Ordem

Corrente de dreno:
D
iD 1 W
iD = kN (vGS − Vth )2 · (1 + λ vDS )
2 L
B
G vDS Vth = Vth0 + γ
hp
2φF − vBS − 2φF
p i

vGS vBS
Obtendo um modelo linearizado através da Série de
S Taylor truncada no ponto de polarização Q:
  
∂iD  ∂iD  ∂iD 
iD ≈ iD |Q + · (vGS − VGS ) + · (vDS − VDS ) + · (vBS − VBS )
∂vGS Q ∂vDS Q ∂vBS Q

Nessa série de Taylor truncada temos que:

 
∂iD  ∂Vth 
gmb = ·
∂Vth Q ∂vBS Q
 
W γ
= kN (VGS − Vth ) · (1 + λ VDS ) · √
L 2 2φF − VBS

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 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Considerando Efeitos de Segunda Ordem

Corrente de dreno:
D
iD 1 W
iD = kN (vGS − Vth )2 · (1 + λ vDS )
2 L
B
G vDS Vth = Vth0 + γ
hp
2φF − vBS − 2φF
p i

vGS vBS
Obtendo um modelo linearizado através da Série de
S Taylor truncada no ponto de polarização Q:
  
∂iD  ∂iD  ∂iD 
iD ≈ iD |Q + · (vGS − VGS ) + · (vDS − VDS ) + · (vBS − VBS )
∂vGS Q ∂vDS Q ∂vBS Q

Nessa série de Taylor truncada temos que:

 
∂iD  ∂Vth 
gmb = ·
∂Vth Q ∂vBS Q
= gm · χb

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 17/58

 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Considerando Efeitos de Segunda Ordem

Corrente de dreno:
D
iD 1 W
iD = kN (vGS − Vth )2 · (1 + λ vDS )
2 L
B
G vDS Vth = Vth0 + γ
hp
2φF − vBS − 2φF
p i

vGS vBS
Obtendo um modelo linearizado através da Série de
S Taylor truncada no ponto de polarização Q:
  
∂iD  ∂iD  ∂iD 
iD ≈ iD |Q + · (vGS − VGS ) + · (vDS − VDS ) + · (vBS − VBS )
∂vGS Q ∂vDS Q ∂vBS Q

Assim, podemos reescrever a série de Taylor truncada da seguinte forma:

iD ≈ ID + gm vgs + λID vds + gmb vbs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 18/58

 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo Completo para Pequenos Sinais do MOSFET

A patir da expressão obtida para a parcela de sinal da corrente de dreno:

id = gm vgs + λID vds + gmb vbs

Podemos obter o seguinte modelo para pequenos sinais do MOSFET:

D id
G B
vgs gmvgs lID vds gmbvbs vbs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 19/58

 MOSFET como Amplificador Modelo de Pequenos Sinais do MOSFET

Modelo Completo para Pequenos Sinais do MOSFET

A patir da expressão obtida para a parcela de sinal da corrente de dreno:

id = gm vgs + λID vds + gmb vbs

Podemos obter o seguinte modelo para pequenos sinais do MOSFET:

D
id
G B
vgs gmvgs ro gmbvbs vbs

S
Nesse modelo, a resistência ro que leva em consideração o efeito de modulação
do comprimento de canal é dada por:
vds 1
ro = ∴ ro =
λID vds λID

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 19/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Agenda da Aula - Capı́tulo V (Seção V.7.1)

Análise de Circuitos em Corrente Contı́nua

Metodologia de Análise
Exemplos de Análise

Projeto de Polarização do MOSFET

MOSFET como Elemento Amplificador

Modelo Linearizado do MOSFET para Pequenos Sinais
Configuração em Fonte Comum
Configuração em Porta Comum
Configuração em Dreno Comum

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 20/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum

Considere que o amplificador em fonte comum da figura abaixo foi construı́do
com o MOSFET M1 , cujos parâmetros são kN = 100 µA/V2 e Vth = 0,5 V, e suas
dimensões fı́sicas são W = 20 µm e L = 1,0 µm. Assim, desprezando o efeito de
modulação do comprimento de canal e o efeito de corpo, calcule:
(a) O ganho de tensão AV = vo /vs para pequenos sinais.
(b) As impedâncias de entrada e de saı́da.

VDD = 12 V

R1 RD
5,0 kW
RS 850 kW
vo
1,0 kW
M1 RL
10 kW
vs R2 RF
350 kW 2,0 kW

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 21/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Análise do Amplificador em Fonte Comum

VDD

R1 RD
vo
RS
M1 RL
vs
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 22/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Análise do Amplificador em Fonte Comum

VDD

R1 RD
Análise de
RS
VDD Polarização
M1 RL

R1 RD R2 RF
vo
RS
M1 RL
vs
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 22/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Análise do Amplificador em Fonte Comum

VDD

R1 RD
Análise de
RS
VDD Polarização
M1 RL

R1 RD R2 RF
vo
RS
M1 RL
vs
R2 RF
R1 RD
vo
RS
Análise de M1
Pequenos Sinais
RL
vs
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 22/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

VDD
ID
R1 RD
0
VG M1
VGS
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 23/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
R2
ID VG = · VDD
R1 + R2
R1 RD
0
VG M1
VGS
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 23/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
350
ID VG = · 12 = 3,5 V
850 + 350
R1 RD
0
VG M1
VGS
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 23/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
350
ID VG = · 12 = 3,5 V
850 + 350
R1 RD
Equação de malha:
0
VG M1 VG − VGS − RF ID = 0
VGS
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 23/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
350
ID VG = · 12 = 3,5 V
850 + 350
R1 RD
Equação de malha:
0
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 23/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
350
ID VG = · 12 = 3,5 V
850 + 350
R1 RD
Equação de malha:
0
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF Modelo do MOSFET no modo de Saturação:
1 W
ID = kN (VGS − Vth )2
2 L

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 23/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
350
ID VG = · 12 = 3,5 V
850 + 350
R1 RD
Equação de malha:
0
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF Modelo do MOSFET no modo de Saturação:
VG − VGS 1 W
= kN (VGS − Vth )2
RF 2 L

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 23/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
350
ID VG = · 12 = 3,5 V
850 + 350
R1 RD
Equação de malha:
0
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF Modelo do MOSFET no modo de Saturação:
VG − VGS 1 W
= kN (VGS − Vth )2
RF 2 L

3,5 − VGS 1 20
= · 0,1 · (VGS − 0,5)2
2 2 1

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 23/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
350
ID VG = · 12 = 3,5 V
850 + 350
R1 RD
Equação de malha:
0
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF Modelo do MOSFET no modo de Saturação:
VG − VGS 1 W
= kN (VGS − Vth )2
RF 2 L

3,5 − VGS 1 20
= · 0,1 · (VGS − 0,5)2
2 2 1
2
2 VGS − VGS − 3 = 0

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 23/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (
0
VGS = −1,0 V
ID 00
RD VGS = +1,5 V
R1
0
VG M1
VGS
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 24/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (h
0hh (
VGS((=h −1,0
( ( V
ID (
00
hh
RD VGS = +1,5 V
R1
0
VG M1
VGS
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 24/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (h
0hh (
VGS((=h −1,0
( ( V
ID (
00
hh
RD VGS = +1,5 V
R1
0 Corrente de polarização no dreno:
VG M1
VG − VGS 3,5 − 1,5
VGS ID = = = 1,0 mA
R2 RF 2
RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 24/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (h
0hh (
VGS((=h −1,0
( ( V
ID (
00
hh
RD VGS = +1,5 V
R1
0 Corrente de polarização no dreno:
VG M1
VG − VGS 3,5 − 1,5
VGS ID = = = 1,0 mA
R2 RF 2
RF
Transcondutância de pequenos sinais do MOSFET:
W
gm = kN (VGS − Vth )
L

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 24/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (h
0hh (
VGS((=h −1,0
( ( V
ID (
00
hh
RD VGS = +1,5 V
R1
0 Corrente de polarização no dreno:
VG M1
VG − VGS 3,5 − 1,5
VGS ID = = = 1,0 mA
R2 RF 2
RF
Transcondutância de pequenos sinais do MOSFET:
W
gm = kN (VGS − Vth )
L

20
gm = 0,1 · (1,5 − 0,5) = 2,0 mA/V
1

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 24/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Análise do Amplificador em Fonte Comum

VDD

R1 RD
Análise de
RS
VDD Polarização
M1 RL

R1 RD R2 RF
vo
RS
M1 RL
vs
R2 RF
R1 RD
vo
RS
Análise de M1
Pequenos Sinais
RL
vs
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 25/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
vo

vs R1 R2 vgs gmvgs RD RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 26/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
vo

vs R1 R2 vgs gmvgs RD RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = −gm vgs · RD //RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 26/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
vo

vs R1 R2 vgs gmvgs RD RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = −gm vgs · RD //RL

 
R1 //R2
vo = −gm · vs · RD //RL
RS + R1 //R2

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 26/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
vo

vs R1 R2 vgs gmvgs RD RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = −gm vgs · RD //RL vo R1 //R2

= −gm · RD //RL ·
vs RS + R1 //R2
 
R1 //R2
vo = −gm · vs · RD //RL
RS + R1 //R2

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 26/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
vo

vs R1 R2 vgs gmvgs RD RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = −gm vgs · RD //RL vo R1 //R2

= −gm · RD //RL ·
vs RS + R1 //R2
 
R1 //R2
vo = −gm · vs · RD //RL
RS + R1 //R2 Av = − 6,64 V/V

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 26/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

it vo

vt R1 R2 vgs gmvgs RD RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 27/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

it vo

vt R1 R2 vgs gmvgs RD RL

Cálculo da impedância de entrada do amplificador:

Ri = R1 //R2

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 27/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

it vo

vt R1 R2 vgs gmvgs RD RL

Cálculo da impedância de entrada do amplificador:

Ri = R1 //R2

Ri = 248 kΩ

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 27/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
vo

vs R1 R2 vgs gmvgs RD RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 28/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
it
R1 R2 vgs gmvgs RD vt

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 28/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
it
R1 R2 0 gmvgs RD vt

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 28/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
it
R1 R2 0 gmvgs RD vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

Ro = RD

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 28/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Fonte Comum

Amplificador em Fonte Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS
it
R1 R2 0 gmvgs RD vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

Ro = RD

Ro = 5,0 kΩ

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 28/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Agenda da Aula - Capı́tulo V (Seção V.7.2)

Análise de Circuitos em Corrente Contı́nua

Metodologia de Análise
Exemplos de Análise

Projeto de Polarização do MOSFET

MOSFET como Elemento Amplificador

Modelo Linearizado do MOSFET para Pequenos Sinais
Configuração em Fonte Comum
Configuração em Porta Comum
Configuração em Dreno Comum

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 29/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum

Considere que o amplificador em porta comum da figura abaixo foi construı́do
com o MOSFET M1 , cujos parâmetros são kN = 100 µA/V2 e Vth = 0,5 V, e suas
dimensões fı́sicas são W = 20 µm e L = 1,0 µm. Assim, desprezando o efeito de
modulação do comprimento de canal e o efeito de corpo, calcule:
(a) O ganho de tensão AV = vo /vs para pequenos sinais.
(b) As impedâncias de entrada e de saı́da.

VDD = 12 V

R1 RD
850 kW 5,0 kW
vo
M1 RL
RS 10 kW
R2 RF 1,0 kW
350 kW vs
2,0 kW

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 30/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Análise do Amplificador em Porta Comum

A análise do amplificador em porta comum começa com a análise de polarização:

VDD

R1 RD
vo
M1 RL
RS

R2 RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 31/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Análise do Amplificador em Porta Comum

A análise do amplificador em porta comum começa com a análise de polarização:

VDD

R1 RD

M1 RL
RS

R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 31/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Polarização

O circuito de polarização é exatamente o mesmo

VDD adotado no amplificador em fonte comum. Dessa
ID forma, teremos:
R1 RD (
VGS = +1,5 V
0
ID = 1,0 mA
VG M1
VGS
R2 RF

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 32/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Polarização

O circuito de polarização é exatamente o mesmo

VDD adotado no amplificador em fonte comum. Dessa
ID forma, teremos:
R1 RD (
VGS = +1,5 V
0
ID = 1,0 mA
VG M1
VGS Transcondutância de pequenos sinais do MOSFET:
R2 RF W
gm = kN (VGS − Vth )
L

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 32/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Polarização

O circuito de polarização é exatamente o mesmo

VDD adotado no amplificador em fonte comum. Dessa
ID forma, teremos:
R1 RD (
VGS = +1,5 V
0
ID = 1,0 mA
VG M1
VGS Transcondutância de pequenos sinais do MOSFET:
R2 RF W
gm = kN (VGS − Vth )
L

20
gm = 0,1 · (1,5 − 0,5) = 2,0 mA/V
1

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 32/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Análise do Amplificador em Porta Comum

O próximo passo é a análise de pequenos sinais:

VDD

R1 RD
vo
M1 RL
RS

R2 RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 33/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Análise do Amplificador em Porta Comum

O próximo passo é a análise de pequenos sinais:

R1 RD
vo
M1 RL
RS

R2 RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 33/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
vo
vgs
vs RF RD RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 34/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
vo
vgs
vs RF RD RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = −gm vgs · RD //RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 34/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
vo
vgs
vs RF RD RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = −gm vgs · RD //RL

 
RF //(1/gm )
vo = −gm − vs ·RD//RL
RS + RF //(1/gm )

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 34/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
vo
vgs
vs RF RD RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = −gm vgs · RD //RL vo RF //(1/gm )

= gm · RD //RL ·
vs RS + RF //(1/gm )
 
RF //(1/gm )
vo = −gm − vs ·RD//RL
RS + RF //(1/gm )

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 34/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
vo
vgs
vs RF RD RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = −gm vgs · RD //RL vo RF //(1/gm )

= gm · RD //RL ·
vs RS + RF //(1/gm )
 
RF //(1/gm )
vo = −gm − vs ·RD//RL
RS + RF //(1/gm ) Av = 1,90 V/V

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 34/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
gm
it vo
vgs
vt RF RD RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 35/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
gm
it vo
vgs
vt RF RD RL

Cálculo da impedância de entrada do amplificador:

1
Ri = RF //
gm

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 35/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
gm
it vo
vgs
vt RF RD RL

Cálculo da impedância de entrada do amplificador:

1
Ri = RF //
gm

Ri = 400 Ω

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 35/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
vo
vgs
vs RF RD RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 36/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
it
vgs
RF RD vt

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 36/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
it
0
RF RD vt

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 36/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
it
0
RF RD vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

Ro = RD

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 36/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Porta Comum

Amplificador em Porta Comum - Análise de Pequenos Sinais

1 gmvgs
RS gm
it
0
RF RD vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

Ro = RD

Ro = 5,0 kΩ

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 36/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Dreno Comum

Agenda da Aula - Capı́tulo V (Seção V.7.3)

Análise de Circuitos em Corrente Contı́nua

Metodologia de Análise
Exemplos de Análise

Projeto de Polarização do MOSFET

MOSFET como Elemento Amplificador

Modelo Linearizado do MOSFET para Pequenos Sinais
Configuração em Fonte Comum
Configuração em Porta Comum
Configuração em Dreno Comum

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 37/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Dreno Comum

Amplificador em Dreno Comum

Considere que o amplificador em dreno comum da figura abaixo foi construı́do
com o MOSFET M1 , cujos parâmetros são kN = 100 µA/V2 e Vth = 0,5 V, e suas
dimensões fı́sicas são W = 20 µm e L = 1,0 µm. Assim, desprezando o efeito de
modulação do comprimento de canal e o efeito de corpo, calcule:
(a) O ganho de tensão AV = vo /vs para pequenos sinais.
(b) As impedâncias de entrada e de saı́da.

VDD = 12 V

R1
RS 220 kW
1,0 kW
M1
vs vo
R2 RF
260 kW RL
5,0 kW 10 kW

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 38/58

 MOSFET como Amplificador Amplificador em Dreno Comum

Análise do Amplificador em Dreno Comum

A análise do amplificador em dreno comum começa com a análise de polarização:

VDD

R1
RS
M1
vs vo
R2 RF RL

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 MOSFET como Amplificador Amplificador em Dreno Comum

Análise do Amplificador em Dreno Comum

A análise do amplificador em dreno comum começa com a análise de polarização:

VDD

R1
RS
M1

R2 RF RL

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 MOSFET como Amplificador Amplificador em Dreno Comum

Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

VDD

ID
R1
0
VG M1
VGS
R2 RF

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 MOSFET como Amplificador Amplificador em Dreno Comum

Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
R2
VG = · VDD
ID R1 + R2
R1
0
VG M1
VGS
R2 RF

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 MOSFET como Amplificador Amplificador em Dreno Comum

Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
260
VG = · 12 = 6,5 V
ID 220 + 260
R1
0
VG M1
VGS
R2 RF

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
260
VG = · 12 = 6,5 V
ID 220 + 260
R1
0 Equação de malha:
VG M1 VG − VGS − RF ID = 0
VGS
R2 RF

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
260
VG = · 12 = 6,5 V
ID 220 + 260
R1
0 Equação de malha:
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF

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 MOSFET como Amplificador Amplificador em Dreno Comum

Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
260
VG = · 12 = 6,5 V
ID 220 + 260
R1
0 Equação de malha:
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF Modelo do MOSFET no modo de Saturação:
1 W
ID = kN (VGS − Vth )2
2 L

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
260
VG = · 12 = 6,5 V
ID 220 + 260
R1
0 Equação de malha:
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF Modelo do MOSFET no modo de Saturação:
VG − VGS 1 W
= kN (VGS − Vth )2
RF 2 L

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
260
VG = · 12 = 6,5 V
ID 220 + 260
R1
0 Equação de malha:
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF Modelo do MOSFET no modo de Saturação:
VG − VGS 1 W
= kN (VGS − Vth )2
RF 2 L

6,5 − VGS 1 20
= · 0,1 · (VGS − 0,5)2
5 2 1

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Tensão de polarização VG :
VDD
260
VG = · 12 = 6,5 V
ID 220 + 260
R1
0 Equação de malha:
VG M1 VG − VGS
ID =
VGS RF
R2 RF Modelo do MOSFET no modo de Saturação:
VG − VGS 1 W
= kN (VGS − Vth )2
RF 2 L

6,5 − VGS 1 20
= · 0,1 · (VGS − 0,5)2
5 2 1
2
10 VGS − 8 VGS − 10,5 = 0

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (
0
VGS = −0,7 V
ID 00
VGS = +1,5 V
R1
0
VG M1
VGS
R2 RF

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (h
0hh (
VGS
( ((=h −0,7
( (
hh V
ID 00
VGS = +1,5 V
R1
0
VG M1
VGS
R2 RF

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (h
0hh (
VGS
( ((=h −0,7
( (
hh V
ID 00
VGS = +1,5 V
R1
0
Corrente de polarização no dreno:
VG M1
VG − VGS 6,5 − 1,5
VGS ID = = = 1,0 mA
R2 RF 5
RF

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (h
0hh (
VGS
( ((=h −0,7
( (
hh V
ID 00
VGS = +1,5 V
R1
0
Corrente de polarização no dreno:
VG M1
VG − VGS 6,5 − 1,5
VGS ID = = = 1,0 mA
R2 RF 5
RF
Transcondutância de pequenos sinais do MOSFET:
W
gm = kN (VGS − Vth )
L

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Polarização

Raı́zes da equação quadrática:

VDD (h
0hh (
VGS
( ((=h −0,7
( (
hh V
ID 00
VGS = +1,5 V
R1
0
Corrente de polarização no dreno:
VG M1
VG − VGS 6,5 − 1,5
VGS ID = = = 1,0 mA
R2 RF 5
RF
Transcondutância de pequenos sinais do MOSFET:
W
gm = kN (VGS − Vth )
L

20
gm = 0,1 · (1,5 − 0,5) = 2,0 mA/V
1

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Análise do Amplificador em Dreno Comum

O próximo passo é a análise de pequenos sinais:

VDD

R1
RS
M1
vs vo
R2 RF RL

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Análise do Amplificador em Dreno Comum

O próximo passo é a análise de pequenos sinais:

R1
RS
M1
vs vo
R2 RF RL

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

vs vin R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

vs vin R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = gm vgs · RF //RL

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

vs vin R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = gm vgs · RF //RL

vo = gm (vin − vo ) · RF //RL

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

vs vin R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = gm vgs · RF //RL

vo = gm (vin − vo ) · RF //RL
 
R1 //R2
vo = gm · vs − vo RF //RL
RS + R1 //R2

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

vs vin R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = gm vgs · RF //RL vo gm RF //RL R1 //R2

= ·
vs 1 + gm RF //RL RS + R1 //R2
vo = gm (vin − vo ) · RF //RL
 
R1 //R2
vo = gm · vs − vo RF //RL
RS + R1 //R2

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

vs vin R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

Cálculo do ganho de tensão para pequenos sinais:

vo = gm vgs · RF //RL vo gm RF //RL R1 //R2

= ·
vs 1 + gm RF //RL RS + R1 //R2
vo = gm (vin − vo ) · RF //RL
  Av = 0,862 V/V
R1 //R2
vo = gm · vs − vo RF //RL
RS + R1 //R2

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

it

vt R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

it

vt R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

Cálculo da impedância de entrada do amplificador:

Ri = R1 //R2

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

it

vt R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

Cálculo da impedância de entrada do amplificador:

Ri = R1 //R2

Ri = 119,2 kΩ

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

vs vin R1 R2 vgs gmvgs

vo
RF RL

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

R1 R2 vgs gmvgs

it
RF vt

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

0 R1 R2 vgs gmvgs

it
RF vt

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

0 R1 R2 vgs gmvgs

it
RF vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

vt
− gm vgs − it = 0
RF

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

0 R1 R2 vgs gmvgs

it
RF vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

vt
− gm vgs − it = 0
RF
vt
− gm (0 − vt ) − it = 0
RF

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

0 R1 R2 vgs gmvgs

it
RF vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

vt
− gm vgs − it = 0
RF
vt
− gm (0 − vt ) − it = 0
RF
 
1
vt + gm = it
RF

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

0 R1 R2 vgs gmvgs

it
RF vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

vt
− gm vgs − it = 0
RF
vt
− gm (0 − vt ) − it = 0
RF
!
1 1
vt + 1 = it
RF g m

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

0 R1 R2 vgs gmvgs

it
RF vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

vt
vt = it
− gm vgs − it = 0 RF // g1m
RF
vt
− gm (0 − vt ) − it = 0
RF
!
1 1
vt + 1 = it
RF g m

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

0 R1 R2 vgs gmvgs

it
RF vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

vt
vt = it
− gm vgs − it = 0 RF // g1m
RF
vt vt 1
− gm (0 − vt ) − it = 0 Ro = = RF //
RF it gm
!
1 1
vt + 1 = it
RF g m

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

0 R1 R2 vgs gmvgs

it
RF vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

vt
vt = it
− gm vgs − it = 0 RF // g1m
RF
vt vt 1
− gm (0 − vt ) − it = 0 Ro = = RF //
RF it gm
!
1 1
vt + 1 = it Ro = 454,5 Ω
RF g m

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Amplificador em Dreno Comum - Análise de Pequenos Sinais

RS

0 R1 R2 vgs 1
gm

it
RF vt

Cálculo da impedância de saı́da do amplificador:

vt
vt = it
− gm vgs − it = 0 RF // g1m
RF
vt vt 1
− gm (0 − vt ) − it = 0 Ro = = RF //
RF it gm
!
1 1
vt + 1 = it Ro = 454,5 Ω
RF g m

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 MOSFET como Amplificador Amplificador em Dreno Comum

Resumo das Topologias Básicas de Amplificadores

Topologia Ganho de Tensão Ri (kΩ) Ro (kΩ)

Fonte Comum - 6,64 248 5,0

Porta Comum 1,90 0,40 5,0
Dreno Comum 0,862 119,2 0,45

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Agenda da Aula - Capı́tulo V (Seção V.7.4)

Análise de Circuitos em Corrente Contı́nua

Metodologia de Análise
Exemplos de Análise

Projeto de Polarização do MOSFET

MOSFET como Elemento Amplificador

Modelo Linearizado do MOSFET para Pequenos Sinais
Configuração em Fonte Comum
Configuração em Porta Comum
Configuração em Dreno Comum
Limites de Excursão de Sinal na Saı́da dos Amplificadores

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Operação Linear de Amplificadores

VDD iD
iD RD
vo
M1
vgs vGS Q
VGS
ID
VGS

vDS
VDS

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Operação Linear de Amplificadores

VDD iD
iD RD
vo
M1
vgs vGS Q
VGS
ID
VGS

vDS
VDS

Equação da reta de carga:

vDS = VDD − RD iD

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Operação Linear de Amplificadores

VDD iD
iD RD
vo
M1
vgs vGS Q
VGS
ID
VGS

vDS
VDS

Equação da reta de carga:

VDD 1
vDS = VDD − RD iD ∴ iD = − · vDS
RD RD

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Limites de Operação Linear de Amplificadores

VDD VDD iD Reta de Carga

RD
iD RD
vo
M1
vgs vGS Q
VGS
ID
VGS

vDS
VDS VDD

Equação da reta de carga:

VDD 1
vDS = VDD − RD iD ∴ iD = − · vDS
RD RD

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Limites de Operação Linear de Amplificadores

VDD vDS
Corte
VDD
iD RD
vo
M1
VDS Q
vgs vGS
Triodo
VGS
vGS
Vth VGS

Equação da reta de carga:

VDD 1
vDS = VDD − RD iD ∴ iD = − · vDS
RD RD

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Limites de Operação Linear de Amplificadores

VDD vDS
VDD
iD RD vds
vo
M1
VDS Q
vgs vGS

VGS
vGS
Vth VGS

vgs

Equação da reta de carga:

VDD 1
vDS = VDD − RD iD ∴ iD = − · vDS
RD RD

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Limites de Operação Linear de Amplificadores

VDD vDS
vds
VDD
iD RD
vo
M1
VDS Q
vgs vGS

VGS
vGS
Vth VGS

vgs

Equação da reta de carga:

VDD 1
vDS = VDD − RD iD ∴ iD = − · vDS
RD RD

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Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

vS VDD

0 t iRD
R1 RD
vo
RS
M1 RL iL
vs
R2 RF

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

vD
vS VDD VD
t
0 t iRD
R1 RD vo
vD vomáx
vo
RS
0 t
M1 RL iL
vomín
vs
R2 RF

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Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

vD
vS VDD VD
t
0 t iRD
R1 RD vo
vD vomáx
vo
RS
0 t
M1 RL iL
vomín
vs vS
R2 RF vS

VS
t

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Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD

iRD
RD
vD vo
vG
M1 RL iL
vS
RF

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Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
iRD
RD
vD vo
vG
M1 RL iL
vS
RF

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
iRD
RD
VDD − vD vo
vD vo − >0
vG RD RL
M1 RL iL
vS
RF

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
iRD
RD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL
vS
RF

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
iRD
RD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL  
1 1 VDD − VD
vS vo + <
RD RL RD
RF

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Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
iRD
RD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL  
1 1 VDD − VD
vS vo + <
RD RL RD
RF 1
vo · < ID
RD //RL

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
iRD
RD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL  
1 1 VDD − VD
vS vo + <
RD RL RD
RF 1
vo · < ID
RD //RL

vo < ID · RD //RL

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Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
iRD
RD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL  
1 1 VDD − VD
vS vo + <
RD RL RD
RF 1
vo · < ID
RD //RL

vo < ID · RD //RL

vomáx = ID · RD //RL

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Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD

iRD
RD
vD vo
vG
M1 RL iL
vS
RF

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − VS ≥ (VG + vg ) − VS − Vth
iRD
RD
vD vo
vG
M1 RL iL
vS
RF

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − VS ≥ (VG + vg ) − VS − Vth
iRD
RD  vo 
vD vo (VD + vo ) − VS ≥ VG + − VS − Vth
vG A
M1 RL iL
vS
RF

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − VS ≥ (VG + vg ) − VS − Vth
iRD
RD  vo 
vD vo (VD + vo ) − VS ≥ VG + − VS − Vth
vG A
M1 RL iL 
1

vo 1 − ≥ − VDS + VGS − Vth
vS A
RF

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − VS ≥ (VG + vg ) − VS − Vth
iRD
RD  vo 
vD vo (VD + vo ) − VS ≥ VG + − VS − Vth
vG A
M1 RL iL 
1

vo 1 − ≥ − VDS + VGS − Vth
vS A
RF VDS − (VGS − Vth )
vo ≥ −
1 − A1

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − VS ≥ (VG + vg ) − VS − Vth
iRD
RD  vo 
vD vo (VD + vo ) − VS ≥ VG + − VS − Vth
vG A
M1 RL iL 
1

vo 1 − ≥ − VDS + VGS − Vth
vS A
RF VDS − (VGS − Vth )
vo ≥ −
1 − A1

VDS − VDSsat
vomı́n = −
1 − A1

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Considerando o mesmo exemplo de amplificador em Fonte Comum analisado

anteriormente:

VDD = 12 V

R1 RD
5,0 kW
RS 850 kW
vo
1,0 kW
M1 RL
10 kW
vs R2 RF
350 kW 2,0 kW

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 52/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Fonte Comum

Considerando o mesmo exemplo de amplificador em Fonte Comum analisado

anteriormente:

VDD = 12 V

R1 RD
5,0 kW
RS 850 kW
vo
1,0 kW
M1 RL
10 kW
vs R2 RF
350 kW 2,0 kW

VDS − VDSsat
vomáx = ID · RD //RL = 3,33 V vomı́n = − = − 3,47 V
1 − A1

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

VDD

RD iRD
R1
vo
M1 RL iL
RS

R2 RF vs

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

VDD

RD iRD
R1
vo
M1 RL iL
RS
vS vS
R2 RF vs
VS
t

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 53/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

vD
VDD VD
t
iRD vo
R1 RD vomáx
vD vo 0 t

M1 RL iL vomín
RS
vS vS
R2 RF vs
VS
t

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 53/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

vG vD
VDD VD
VG
t t
iRD vo
R1 RD vomáx
vG vD vo 0 t

M1 RL iL vomín
RS
vS vS
R2 RF vs
VS
t

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD

RD iRD
vD vo
vG
M1 RL iL
RS
vS
RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 54/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
RD iRD
vD vo
vG
M1 RL iL
RS
vS
RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 54/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
RD iRD
vD VDD − vD vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL
RS
vS
RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 54/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
RD iRD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL
RS
vS
RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 54/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
RD iRD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL
RS
 
1 1 VDD − VD
vo + <
vS RD RL RD
RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 54/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
RD iRD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL
RS
 
1 1 VDD − VD
vo + <
vS RD RL RD
RF vs 1
vo · < ID
RD //RL

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
RD iRD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL
RS
 
1 1 VDD − VD
vo + <
vS RD RL RD
RF vs 1
vo · < ID
RD //RL

vo < ID · RD //RL

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRD − iL > 0
RD iRD
vD VDD − (VD + vo ) vo
vG vo − >0
RD RL
M1 RL iL
RS
 
1 1 VDD − VD
vo + <
vS RD RL RD
RF vs 1
vo · < ID
RD //RL

vo < ID · RD //RL

vomáx = ID · RD //RL

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Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD

RD iRD
vD vo
vG
M1 RL iL
RS
vS
RF vs

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − (VS + vs ) ≥ VG − (VS + vs ) − Vth
RD iRD
vD vo
vG
M1 RL iL
RS
vS
RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 55/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − (VS + 
vs ) ≥ VG − (VS + 
vs ) − Vth
RD iRD
vD vo
vG
M1 RL iL
RS
vS
RF vs

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 55/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − (VS + 
vs ) ≥ VG − (VS + 
vs ) − Vth
RD iRD
vD vo vo ≥ − VDS + VGS − Vth
vG
M1 RL iL
RS
vS
RF vs

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − (VS + 
vs ) ≥ VG − (VS + 
vs ) − Vth
RD iRD
vD vo vo ≥ − VDS + VGS − Vth
vG
M1 RL iL
RS vo ≥ − (VDS − VDSsat )
vS
RF vs

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Porta Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD
(VD + vo ) − (VS + 
vs ) ≥ VG − (VS + 
vs ) − Vth
RD iRD
vD vo vo ≥ − VDS + VGS − Vth
vG
M1 RL iL
RS vo ≥ − (VDS − VDSsat )
vS
RF vs vomı́n = − (VDS − VDSsat )

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

VDD

R1
RS
M1
vs vo
R2
RF RL

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

vG VDD
VG
t R1
vG
RS
M1
vs vo
R2
RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 56/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

vG VDD
VG
t R1
vG
RS vo
M1 vomáx
vs vS vo 0 t
R2 vomín
RF RL
vS
VS
t

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 56/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Para calcular os limites de excursão de sinal na saı́da do amplificador,

precisamos encontrar as tensões vomáx e vomı́n em que o MOSFET deixa de
operar no modo de Saturação e entra nos modos de Corte ou Triodo:

vG VDD vD
VDD
VG
t R1 t
vG vD
RS vo
M1 vomáx
vs vS vo 0 t
R2 vomín
RF RL
vS
VS
t

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 56/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD

vG vD
M1
vS vo
iRF iL
RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 57/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD  vo 
VD − (VS + vo ) ≥ VG + − (VS + vo ) − Vth
vD A
vG
M1
vS vo
iRF iL
RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 57/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD  vo 
VD − (VS + 
vo ) ≥ VG + − (VS + 
vo ) − Vth
vD A
vG
M1
vS vo
iRF iL
RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 57/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD  vo 
VD − (VS + 
vo ) ≥ VG + − (VS + 
vo ) − Vth
vD A
vG
vo
M1 VDS ≥ VGS + − Vth
A
vS vo
iRF iL
RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 57/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD  vo 
VD − (VS + 
vo ) ≥ VG + − (VS + 
vo ) − Vth
vD A
vG
vo
M1 VDS ≥ VGS + − Vth
A
vS vo
iRF vo ≤ [VDS − (VGS − Vth )] · A
RF RL iL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 57/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD  vo 
VD − (VS + 
vo ) ≥ VG + − (VS + 
vo ) − Vth
vD A
vG
vo
M1 VDS ≥ VGS + − Vth
A
vS vo
iRF vo ≤ [VDS − (VGS − Vth )] · A
RF RL iL

vo ≤ (VDS − VDSsat ) · A

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 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite máximo de excursão de sinal na saı́da vomáx para que o MOSFET não
entre no Modo de Triodo:
vDS ≥ vGS − Vth
VDD  vo 
VD − (VS + 
vo ) ≥ VG + − (VS + 
vo ) − Vth
vD A
vG
vo
M1 VDS ≥ VGS + − Vth
A
vS vo
iRF vo ≤ [VDS − (VGS − Vth )] · A
RF RL iL

vo ≤ (VDS − VDSsat ) · A

vomáx = (VDS − VDSsat ) · A

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Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD

vG vD
M1
vS vo
iRF iL
RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 58/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRF + iL > 0
vG vD
M1
vS vo
iRF iL
RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 58/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRF + iL > 0
vG vD
vS vo
M1 + >0
RF RL
vS vo
iRF iL
RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 58/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRF + iL > 0
vG vD
(VS + vo ) vo
M1 + >0
RF RL
vS vo
iRF iL
RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 58/58

 MOSFET como Amplificador Limites de Excursão de Sinal

Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRF + iL > 0
vG vD
(VS + vo ) vo
M1 + >0
RF RL
vS vo  
iRF VS 1 1
RF RL iL + vo + >0
RF RF RL

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 58/58

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Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRF + iL > 0
vG vD
(VS + vo ) vo
M1 + >0
RF RL
vS vo  
iRF VS 1 1
RF RL iL + vo + >0
RF RF RL
1
ID + vo · >0
RF //RL

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Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRF + iL > 0
vG vD
(VS + vo ) vo
M1 + >0
RF RL
vS vo  
iRF VS 1 1
RF RL iL + vo + >0
RF RF RL
1
ID + vo · >0
RF //RL

vo > − ID · RF //RL

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Limites de Excursão do Amplificador em Dreno Comum

Limite mı́nimo de excursão de sinal na saı́da vomı́n para que o MOSFET não
entre no Modo de Corte:
iD > 0
VDD
iRF + iL > 0
vG vD
(VS + vo ) vo
M1 + >0
RF RL
vS vo  
iRF VS 1 1
RF RL iL + vo + >0
RF RF RL
1
ID + vo · >0
RF //RL

vo > − ID · RF //RL

vomı́n = − ID · RF //RL

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