Revisão de Semicondutores

Prof. Carlos Fernando Teodósio Soares

UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO DE JANEIRO

ESCOLA POLITÉCNICA
Departamento de Engenharia Eletrônica e de Computação

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 1/32

 Revisão de Semicondutores

Agenda da Aula - Capı́tulo II

Materiais Semicondutores
Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores
Corrente de Deriva
Corrente de Difusão

Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Junção PN
Operação com Polarização Reversa
Operação com Polarização Direta
Diodo Semicondutor

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 Revisão de Semicondutores

Agenda da Aula - Capı́tulo II

Materiais Semicondutores
Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores
Corrente de Deriva
Corrente de Difusão

Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Junção PN
Operação com Polarização Reversa
Operação com Polarização Direta
Diodo Semicondutor

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Materiais Semicondutores

Alguns materiais são chamados Semicondutores em virtude das propriedades que

apresentam com respeito à condução de corrente elétrica.

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Materiais Semicondutores

Alguns materiais são chamados Semicondutores em virtude das propriedades que

apresentam com respeito à condução de corrente elétrica.

Os materiais semicondutores mais amplamente empregados na indústria são:

Silı́cio Germânio

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Aplicações de Materiais Semicondutores

Materiais semicondutores são empregados na fabricação de dispositivos

eletrônicos discretos (diodos, transistores, etc.) e de circuitos integrados.

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Aplicações de Materiais Semicondutores

Materiais semicondutores são empregados na fabricação de dispositivos

eletrônicos discretos (diodos, transistores, etc.) e de circuitos integrados.

Lingote de Silı́cio

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Aplicações de Materiais Semicondutores

Materiais semicondutores são empregados na fabricação de dispositivos

eletrônicos discretos (diodos, transistores, etc.) e de circuitos integrados.

Wafers
Lingote de Silı́cio

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Aplicações de Materiais Semicondutores

Materiais semicondutores são empregados na fabricação de dispositivos

eletrônicos discretos (diodos, transistores, etc.) e de circuitos integrados.

Wafers
Wafer Processado
Lingote de Silı́cio

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Aplicações de Materiais Semicondutores

Materiais semicondutores são empregados na fabricação de dispositivos

eletrônicos discretos (diodos, transistores, etc.) e de circuitos integrados.

Circuito Integrado

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Aplicações de Materiais Semicondutores

Materiais semicondutores são empregados na fabricação de dispositivos

eletrônicos discretos (diodos, transistores, etc.) e de circuitos integrados.

Circuito Integrado

Dúvidas
Afinal, qual é a diferença entre um material Isolante, um Condutor e um Semicondutor?
O que faz com que um material seja Isolante, Condutor ou Semicondutor?

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Bandas de Energia

Para entender as propriedades de condutividade de diferentes materiais, é

necessário analisar como fica a distribuição dos elétrons nos nı́veis de energia de
um grupo de átomos que formam um determinado material.

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Bandas de Energia

Para entender as propriedades de condutividade de diferentes materiais, é

necessário analisar como fica a distribuição dos elétrons nos nı́veis de energia de
um grupo de átomos que formam um determinado material.

Para um átomo de silı́cio isolado, seus elétrons ocuparão os seguintes nı́veis de

energia:

3p2
Si
3s2

2p6

2s2

1s2

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Bandas de Energia

Para entender as propriedades de condutividade de diferentes materiais, é

necessário analisar como fica a distribuição dos elétrons nos nı́veis de energia de
um grupo de átomos que formam um determinado material.

No caso de dois átomos de silı́cio, seus elétrons ocuparão os seguintes nı́veis de

energia:

3p2
Si Si
3s2

2p6

2s2

1s2

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Bandas de Energia

Para entender as propriedades de condutividade de diferentes materiais, é

necessário analisar como fica a distribuição dos elétrons nos nı́veis de energia de
um grupo de átomos que formam um determinado material.

No caso de três átomos de silı́cio, seus elétrons ocuparão os seguintes nı́veis de

energia:

3p2
Si Si
3s2

2p6

2s2
Si
1s2

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Bandas de Energia

Para entender as propriedades de condutividade de diferentes materiais, é

necessário analisar como fica a distribuição dos elétrons nos nı́veis de energia de
um grupo de átomos que formam um determinado material.

No caso de quatro átomos de silı́cio, seus elétrons ocuparão os seguintes nı́veis de

energia:

3p2
Si Si
3s2

2p6

2s2
Si Si
1s2

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Bandas de Energia em um Sólido

Em uma amostra de silı́cio cristalino com aproximadamente 1020 átomos, a

quantidade de nı́veis energéticos e a proximidade entre eles é tão grande que podemos
considerar cada nı́vel como sendo formado por uma banda de energia praticamente
contı́nua. Entre essas bandas, destacam-se a Banda de Valência e a de Condução.

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Bandas de Energia em um Sólido

Em uma amostra de silı́cio cristalino com aproximadamente 1020 átomos, a

quantidade de nı́veis energéticos e a proximidade entre eles é tão grande que podemos
considerar cada nı́vel como sendo formado por uma banda de energia praticamente
contı́nua. Entre essas bandas, destacam-se a Banda de Valência e a de Condução.

Si Si Si Si Si

Banda de Condução

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Banda de Valência
Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Portadores de Carga em Semicondutores

Ao receber energia suficiente para passar da Banda de Valência para a Banda de

Condução, um elétron ficará livre para se movimentar através do material quando
um campo elétrico for aplicado. Entretanto, esse elétron deixará um buraco (ou
lacuna) na ligação covalente à qual ele pertencia:

Si Si Si Si Si

Banda de Condução

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Banda de Valência
Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Materiais Semicondutores

Condutores, Isolantes e Semicondutores

A diferença entre materiais isolantes, condutores e semicondutores se deve à diferença

de energia que há entre as bandas de valência e de condução:

Banda de Condução

Silício: Eg = 1,12 eV
Germânio: Eg = 0,67 eV

Eg

Banda de Valência

Material Semicondutor

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Condutores, Isolantes e Semicondutores

A diferença entre materiais isolantes, condutores e semicondutores se deve à diferença

de energia que há entre as bandas de valência e de condução:

Banda de Condução

Banda de Condução

Silício: Eg = 1,12 eV
Germânio: Eg = 0,67 eV

Eg Eg

Isolantes: Eg > 3,0 eV

Diamante: Eg = 5,5 eV
Banda de Valência

Banda de Valência

Material Isolante Material Semicondutor

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Condutores, Isolantes e Semicondutores

A diferença entre materiais isolantes, condutores e semicondutores se deve à diferença

de energia que há entre as bandas de valência e de condução:

Banda de Condução

Banda de Condução

Banda de Condução

Eg Eg

Banda de Valência
Banda de Valência

Banda de Valência

Material Isolante Material Semicondutor Material Condutor

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Agenda da Aula - Capı́tulo II

Materiais Semicondutores
Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores
Corrente de Deriva
Corrente de Difusão

Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Junção PN
Operação com Polarização Reversa
Operação com Polarização Direta
Diodo Semicondutor

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Deriva

Aplicando-se um campo elétrico ao material semicondutor, elétrons livres e

buracos irão se movimentar através da rede cristalina do sólido:

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Deriva

Aplicando-se um campo elétrico ao material semicondutor, elétrons livres e

buracos irão se movimentar através da rede cristalina do sólido:

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Deriva

Aplicando-se um campo elétrico ao material semicondutor, elétrons livres e

buracos irão se movimentar através da rede cristalina do sólido:

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Deriva

Aplicando-se um campo elétrico ao material semicondutor, elétrons livres e

buracos irão se movimentar através da rede cristalina do sólido:

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Deriva

As velocidades de deriva dos elétrons livres e dos buracos quando submetidos a

~ são dadas, respectivamente, por:
um campo elétrico E
~
~vn = − µN · E
~
~vp = + µP · E
onde µN e µP são, respectivamente, as mobilidades de elétrons livres e buracos
no material semicondutor.

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Deriva

As velocidades de deriva dos elétrons livres e dos buracos quando submetidos a

~ são dadas, respectivamente, por:
um campo elétrico E
~
~vn = − µN · E
~
~vp = + µP · E
onde µN e µP são, respectivamente, as mobilidades de elétrons livres e buracos
no material semicondutor.

Observação
Em silı́cio, a mobilidade de elétrons (µN ) é cerca de 3 a 4 vezes maior que a
mobilidade de buracos (µP ). Isso decorre do fato de que é bem mais fácil
para um elétron livre se mover pelo semicondutor do que o buraco, pois este
último precisa ficar pulando de ligação em ligação colvalente.

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Difusão

Quando existe um gradiente de concentração de elétrons e/ou buracos em um

semicondutor, essas partı́culas tendem a se movimentar de modo a sair das
regiões mais concentradas para as menos concentradas.

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Difusão

Quando existe um gradiente de concentração de elétrons e/ou buracos em um

semicondutor, essas partı́culas tendem a se movimentar de modo a sair das
regiões mais concentradas para as menos concentradas.
Exemplo de Corrente de Deriva:

Si

n, p

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Difusão

Quando existe um gradiente de concentração de elétrons e/ou buracos em um

semicondutor, essas partı́culas tendem a se movimentar de modo a sair das
regiões mais concentradas para as menos concentradas.
Exemplo de Corrente de Deriva:

Calor
Si

n, p

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Difusão

Quando existe um gradiente de concentração de elétrons e/ou buracos em um

semicondutor, essas partı́culas tendem a se movimentar de modo a sair das
regiões mais concentradas para as menos concentradas.
Exemplo de Corrente de Deriva:

Calor
Si

n, p

A densidade da corrente de difusão de elétrons é dada por:

~
~N = +DN ∇n dn
J → JN = +DN
dx

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 Revisão de Semicondutores Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores

Corrente de Difusão

Quando existe um gradiente de concentração de elétrons e/ou buracos em um

semicondutor, essas partı́culas tendem a se movimentar de modo a sair das
regiões mais concentradas para as menos concentradas.
Exemplo de Corrente de Deriva:

Calor
Si

n, p

A densidade da corrente de difusão de buracos é dada por:

~
~P = −DP ∇p dp
J → JP = −DP
dx

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Agenda da Aula - Capı́tulo II

Materiais Semicondutores
Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores
Corrente de Deriva
Corrente de Difusão

Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Junção PN
Operação com Polarização Reversa
Operação com Polarização Direta
Diodo Semicondutor

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutores Intrı́nsecos

Definição
Semicondutor Intrı́nseco é aquele formado por um material semicondutor em estado
puro, sem a adição de qualquer impureza.

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutores Intrı́nsecos

Definição
Semicondutor Intrı́nseco é aquele formado por um material semicondutor em estado
puro, sem a adição de qualquer impureza.

Em um semicondutor intrı́nseco, a concentração de elétrons livres é idêntica à

concentração de buracos, as quais variam exponencialmente com a temperatura:
n, p

Si

ni = pi
T (K)

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutores Extrı́nsecos

Definição
Semicondutor extrı́nseco é obtido a partir da adição controlada de impurezas a um
semicondutor intrı́nseco, com o objetivo de causar um desequilı́brio na concentração
de elétrons livres e buracos.

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutores Extrı́nsecos

Definição
Semicondutor extrı́nseco é obtido a partir da adição controlada de impurezas a um
semicondutor intrı́nseco, com o objetivo de causar um desequilı́brio na concentração
de elétrons livres e buracos.

No caso do silı́cio e do germânio,

as impurezas podem ser
classificadas em dois tipos:

Impurezas Doadoras: Adição

de átomos da famı́lia VA da
tabela periódica.
Impurezas Aceitadoras:
Adição de átomos da famı́lia
IIIA da tabela periódica.

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutores Extrı́nsecos

Definição
Semicondutor extrı́nseco é obtido a partir da adição controlada de impurezas a um
semicondutor intrı́nseco, com o objetivo de causar um desequilı́brio na concentração
de elétrons livres e buracos.

No caso do silı́cio e do germânio,

as impurezas podem ser
classificadas em dois tipos:

Impurezas Doadoras: Adição

de átomos da famı́lia VA da
tabela periódica.
Impurezas Aceitadoras:
Adição de átomos da famı́lia
IIIA da tabela periódica.

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Dopagem com Impureza Doadora

Partindo-se de uma amostra de silı́cio intrı́nseca (pura):

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si
Si

Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Dopagem com Impureza Doadora

Realiza-se a implantação de ı́ons de fósforo (VA) no material:

Si Si Si Si Si

P P
P

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si
Si

Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Dopagem com Impureza Doadora

Para ativar os dopantes, é necessário aquecer o material semicondutor até

temperaturas de cerca de 1000o C (processo de recozimento) e depois resfriá-lo
lentamente (annealing) para que os átomos de fósforo possam substituir átomos de
silı́cio na rede cristalina do material.

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Dopagem com Impureza Doadora

Assim, obtém-se um Semicondutor Extrı́nseco Tipo N , onde n > p:

Si Si Si Si P

Si P Si Si Si

Si Si Si Si Si
N

Si Si Si P Si

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutor Extrı́nseco Tipo N

No semicondutor intrı́nseco original, n, p

as concentrações de elétrons e buracos
eram iguais:

ni = pi

T (K)

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutor Extrı́nseco Tipo N

No semicondutor intrı́nseco original, n

as concentrações de elétrons e buracos
eram iguais:

ni = pi
ND
Com a adição dos átomos dopantes de
fósforo, teremos uma concentração de
elétrons livres aproximadamente igual
à concentração de impurezas doadoras T (K)
(fósforo) adicionadas ao material:

n ≈ ND

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutor Extrı́nseco Tipo N

No semicondutor intrı́nseco original, n

as concentrações de elétrons e buracos
eram iguais:

ni = pi
ND
Com a adição dos átomos dopantes de
fósforo, teremos uma concentração de
elétrons livres aproximadamente igual
à concentração de impurezas doadoras T (K)
(fósforo) adicionadas ao material:

n ≈ ND

Apesar de n > p no semicondutor tipo N, a Lei de Ação das Massas garante que:
n · p = ni · pi
ND · p ≈ ni2
n2
p≈ i
ND

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Dopagem com Impureza Aceitadora

Partindo-se de uma amostra de silı́cio intrı́nseca (pura):

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si
Si

Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Dopagem com Impureza Aceitadora

Realiza-se a implantação de ı́ons de boro (IIIA) no material:

Si Si Si Si Si

B B
B

Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si
Si

Si Si Si Si Si

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Dopagem com Impureza Aceitadora

Após o recozimento, obtém-se um Semicondutor Extrı́nseco Tipo P , onde p > n:

Si Si Si Si B

Si B Si Si Si

Si Si Si Si Si
P

Si Si Si B Si

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutor Extrı́nseco Tipo P

No semicondutor intrı́nseco original, n, p

as concentrações de elétrons e buracos
eram iguais:

ni = pi

T (K)

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutor Extrı́nseco Tipo P

No semicondutor intrı́nseco original, p

as concentrações de elétrons e buracos
eram iguais:

ni = pi
NA
Com a adição dos átomos dopantes de
boro, teremos uma concentração de
buracos aproximadamente igual à
T (K)
concentração de impurezas
aceitadoras (boro) adicionadas ao
material:
p ≈ NA

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Semicondutor Extrı́nseco Tipo P

No semicondutor intrı́nseco original, p

as concentrações de elétrons e buracos
eram iguais:

ni = pi
NA
Com a adição dos átomos dopantes de
boro, teremos uma concentração de
buracos aproximadamente igual à
T (K)
concentração de impurezas
aceitadoras (boro) adicionadas ao
material:
p ≈ NA
Apesar de p > n no semicondutor tipo P, a Lei de Ação das Massas garante que:
n · p = ni · pi
n · NA ≈ ni2
n2
n≈ i
NA

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 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Exemplo

Considere que um sólido de silı́cio puro na temperatura ambiente apresenta

ni = 1010 cm−3 . Ao dopar esse material com NA = 1015 cm−3 , quais serão,
aproximadamente, as concentrações de elétrons livres e buracos no semicondutor tipo
P resultante?

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 21/32

 Revisão de Semicondutores Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Exemplo

Considere que um sólido de silı́cio puro na temperatura ambiente apresenta

ni = 1010 cm−3 . Ao dopar esse material com NA = 1015 cm−3 , quais serão,
aproximadamente, as concentrações de elétrons livres e buracos no semicondutor tipo
P resultante?
Solução:
Para a concentração de buracos, teremos que:

p∼ 15 −3
= NA = 10 cm .

Consequentemente, a partir da Lei de Ação das Massas, teremos que a concentração

de elétrons livres será dada por:

ni2
n∼
= = 105 cm−3 .
NA
Este exemplo mostra as ordens de grandeza normalmente encontradas em
semicondutores práticos. A enorme diferença entre as concentrações de elétrons livres
e buracos obtidas ilustram bem o significado de portadores majoritários e
minoritários em um semicondutor extrı́nseco.

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

Agenda da Aula - Capı́tulo II

Materiais Semicondutores
Condução de Corrente Elétrica em Semicondutores
Corrente de Deriva
Corrente de Difusão

Semicondutores Intrı́nsecos e Extrı́nsecos

Junção PN
Operação com Polarização Reversa
Operação com Polarização Direta
Diodo Semicondutor

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN

A junção PN é a estrutura fundamental dos dispositivos eletrônicos baseados em

semicondutores. É formada pela junção metalúrgica de um material
semicondutor do tipo P com um do tipo N:

P N

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN

Em virtude da diferença na concentração de portadores de carga em ambos os

lados da junção, teremos, inicialmente, uma corrente de difusão de elétrons e
buracos através da junção:

P N

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN

A difusão de elétrons e buracos através da junção acaba criando um desequilı́brio

de cargas elétricas na região em torno da junção, levando ao surgimento de um
campo elétrico E~ , proporcional à quantidade de carga acumulada na junção.

P N

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 25/32

 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN

Com o acúmulo de cargas elétricas na região em torno da junção, o campo

~ 0 elevada o suficiente para bloquear o fluxo de
elétrico atingirá uma intensidade E
difusão, levando a junção PN a uma situação de equilı́brio.

E0

P N

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 26/32

 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN

A região em torno da junção apresenta um acúmulo de cargas elétricas, mas é

extremamente pobre em portadores livres (elétrons e buracos). Por essa razão,
essa região é denominada região de depleção:

E0

P N

Região de Depleção

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

Junção PN Polarizada Reversamente

Ao aplicar uma fonte de tensão VR à junção PN com a polaridade indicada, o campo

~ 0 será reforçado pelo campo elétrico E
elétrico E ~ V produzido pela fonte de tensão,
contribuindo para bloquear o fluxo de difusão de portadores majoritários.

VR

E0 + EV

P N

Região de Depleção

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

Junção PN Polarizada Reversamente

Com a polarização reversa, apenas os portadores minoritários serão impulsionados

pelo campo elétrico produzido pela fonte VR , dando origem a uma corrente de
saturação reversa desprezı́vel IS ≈ 10−15 A.

VR

E0 + EV
IS
P N

Região de Depleção

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

Junção PN Polarizada Reversamente

Aumentando-se a tensão aplicada pela fonte VR , o campo elétrico total na região de

depleção será reforçado, provocando o afastamento dos portadores majoritários e,
consequentemente, aumentado a largura dessa região.

VR

E0 + EV
IS
P N

Região de Depleção

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN Polarizada Diretamente

Aplicando-se uma tensão VD com a polaridade indicada, o campo elétrico E ~ V criado

por essa fonte atua no sentido de reduzir o campo elétrico total na região de
depleção. Uma vez que o campo é reduzido, as correntes de difusão voltam a ocorrer.

VD

E0 - EV
ID
P N

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN Polarizada Diretamente

Concentração de portadores minoritários injetados em cada lado da junção:

VD

E0 - EV
ID
P N

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN Polarizada Diretamente

Concentração de portadores minoritários injetados em cada lado da junção:

VD

E0 - EV
ID
P N

n p

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN Polarizada Diretamente

No caso de uma junção PN com dopagens assimétricas, teremos:

VD

E0 - EV
ID
P+ N

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN Polarizada Diretamente

No caso de uma junção PN com dopagens assimétricas, teremos:

VD

E0 - EV
ID
P+ N

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 31/32

 Revisão de Semicondutores A Junção PN

A Junção PN Polarizada Diretamente

No caso de uma junção PN com dopagens assimétricas, teremos:

VD

E0 - EV
ID
P+ N

p
n
x

Eletrônica II Prof. Carlos Teodósio 31/32

 Revisão de Semicondutores A Junção PN

Diodo Semicondutor

O diodo é um dispositivo formado por

uma junção PN, capaz de conduzir
corrente elétrica quando polarizado
diretamente e operar como um
circuito aberto caso seja polarizado
reversamente.
VD

ID
P N

VD

ID

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 Revisão de Semicondutores A Junção PN

Diodo Semicondutor

O diodo é um dispositivo formado por A corrente no diodo pode ser

uma junção PN, capaz de conduzir modelada pela equação:
corrente elétrica quando polarizado  
diretamente e operar como um ID = IS · e VD /vT − 1 ,
circuito aberto caso seja polarizado
reversamente. onde IS é a corrente de saturação
reversa e vT é a tensão térmica:
VD
kT
vT = ≈ 25 mV.
q
ID
P N ID

VD
VD
ID

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