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CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA ENGENHARIA ELTRICA Disciplina de Qumica Geral Prof.

Ktia Castagno

Lista de Exerccios 4 1 Que tipo de fora intermolecular atuam nas seguintes substncias ? (a) CH3-C-OH (b) PCl3 (c) SF6 (d) H2S (e) SO2 II O Resposta: (a) pontes de hidrognio (b) dipolo-dipolo (c) London (d) dipolo-dipolo (e)dipolo-dipolo 2 Que fora intermolecular deve ser superada para: (a) fundir-se o gelo; (b) fundir-se o I2 slido; (c) converter-se NH3 lquido em NH3vapor. Resposta: (a) pontes de hidrognio (b) dipolo induzido-dipolo induzido (c) pontes de hidrognio 3 Qual lquido evapora mais rpido a 25C, o ter dietlico (anestsico) ou o butanol (solvente) ? Justifique. Butanol CH3CH2CH2CH2OH ter dietlico - CH3CH2-O-CH2CH3 (Resposta: ter dietlico) 4 Que tipos de forcas atrativas existem entre os constituintes de (a) cristais moleculares; (b) cristais inicos; (c) cristais covalentes; (d) cristais metlicos ? Resposta: (a) interaes dipolo-dipolo e de London; (b) interao eletrosttica entre ctions e nions; (c) interao por compartilhamento de eltrons ou covalncia; (d) interao eletrosttica entre os ncleos positivos e a nuvem de eltrons. 5 O cloreto de estanho(IV), SnCl4, forma cristais de baixa dureza, com ponto de fuso -30,2C. Na fase lquida no conduz eletricidade. Qual o tipo de cristal formado por este composto ? (Resposta: molecular) 6 O Boro tem dureza elevada, um semicondutor e seu ponto de fuso em torno de 2250C. Qual o tipo de cristal formado por este composto ? (Resposta: covalente / reticular) 7 Mostre que o fator de empacotamento atmico para a estrutura CCC de 0,68. 8 - Sabendo que o alumnio (Al) apresenta estrutura CFC e raio atmico de 0,143 nm, determine o volume de sua clula unitria. (Resposta: 6,62.10-29 m3) 9 - O cobre (Cu) possui raio atmico de 0,128 nm, uma estrutura cristalina CFC, e um peso atmico de 63,5 g/mol. Calcule a sua densidade. (Resposta: 8,89 g/cm3) 10 Calcule o volume da clula unitria e a densidade do sal LiF, cuja estrutura a mesma do NaCl, sabendo que: raio do Li+ = 0,068 nm; raio do F- = 0,133 nm. (Resposta: 65.10-30 m3; 2,66 g/cm3) 11 A partir da tabela abaixo,
Elemento C N Raio Atmico (nm) 0,077 0,071 Estrutura Cristalina H (grafite) Eletronegatividade 2,5 3,0 Valncia +4 -3

CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA ENGENHARIA ELTRICA Disciplina de Qumica Geral Prof. Ktia Castagno
Cu Ag Al Cr Fe Zn Ge Si 0,1278 0,1445 0,1431 0,1249 0,1241 0,1332 0,1224 0,1176 CFC CFC CFC CCC CCC HC CS CS 1,9 1,9 1,5 1,6 1,8 1,6 1,8 1,8 +2 +1 +3 +3 +2 +2 +4 +4

Responda qual o tipo de liga (intersticial ou substitucional) formada por: a) Al e N; d) Cu e Zn; b) Ag e Cu; e) Fe e Cr; c) Fe e C; f) Ge e Si. Respostas: a) intersticial; b) substitucional; c) intersticial; d) substitucional; e) substitucional; f) substitucional. 12 Para os defeitos pontuais e os defeitos em linha (discordncias), a) diferencie-os; b) cite os tipos de cada um. 13 Utilize diagramas de nveis de energia e a teoria de bandas para explicar as diferenas entre condutores, isolantes e semicondutores. 14 Para um semicondutor intrnseco as concentraes de eltrons (n) e de buracos (p) so iguais, podendo ser calculadas por: n = p = / |e| . (eltron + buraco), sendo que : = condutividade; |e| = 1,6.10-19C; = mobilidade do portador de carga. Para o silcio intrnseco, a condutividade eltrica temperatura mbiente de 4.10-4 (.m)-1; as mobilidades dos eltrons e dos buracos so, respectivamente, de 0,14 e 0,048 m2/V.s. Calcule as concentraes de eltrons e de buracos temperatura ambiente. Resposta: n = p = 1,33.1016 m-3. 15 Adiciona-se fsforo ao silcio, temperatura ambiente, para dar uma concentrao de 1023 m-3 de portadores de carga. a) O fsforo doador tipo n ou tipo p ? Assim, os portadores de carga so eltrons ou lacunas ? b) Determine a condutividade do semicondutor extrnseco SiP, temperatura ambiente, a partir da relao: = n . |e| . eltron , sabendo que a mobilidade do eltron 0,14 m2/V.s (Respostas: a) tipo n, os portadores de carga so eltrons; b) 2240 (.m)-1. 16 A condutividade eltrica do Germnio intrnseco, temperatura ambiente (298 K), de 2,2 (.m)-1, estime a sua condutividade a 150 C (423 K), sabendo que sua energia de espaamento de bandas (Ee) 0,67 eV. (Resposta: 103,8 (.m)-1) 17 A partir da tabela abaixo Combinao Impureza Semicondutor 1 N Si 2 B Ge 3 Zn GaAs 4 S InSb Indique se a impureza vai atuar como doadora ou receptora. (Respostas: 1) doadora; 2) receptora; 3) receptora; 4) doadora)

18 - Sucintamente, descreva os movimentos dos eltrons e dos buracos em uma juno p-n para os fluxos para frente e reverso.