CAPITULO 3 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL (A. D.) 3.1.- INTRODUCCION: Uno de los amplificadores ms importantes en Electrnica es el amplificador diferencial.

Comnmente recibe dos seales de entrada y su salida puede ser balanceada o desbalanceada. Se le denomina amplificador diferencial porque su salida es proporcional a la diferencia de las seales de entrada. Es parte fundamental del Amplificador Operacional, que se estudiar en el siguiente captulo. A continuacin se muestra un esquema bsico empleando transistores bipolares:
VCC

Rc Vs1 C Q 1.

Rc Vs2 C Q2

V1

Rb

Io

Rb

V2

Fig. 3.1 Io es una fuente de corriente constante que debe ofrecer una alta impedancia a la seal. Si la salida se toma en Vs1 Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es desbalanceada. Si la salida se toma entre Vs1 y Vs2, se dice que la salida es balanceada. V1 y V2 son las seales de entrada. La salida debe ser proporcional a la diferencia de las seales de entrada, es decir: VS = Ad (V1 V2 ) Ad es la ganancia en modo diferencial La ecuacin anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin embargo, los A.D. reales presentan una salida dada por la ecuacin siguiente: V + V2 VS = Ad (V1 V2 ) + Ac 1 2

Ac es la ganancia en modo comn y generalmente se busca que sea lo ms pequea posible. Idealmente debera ser cero. Se define: Modo diferencial = Vd = (V1 V2 ) V + V2 Modo comn = Vc = 1 2 Debe indicarse que el modo comn no est formado solamente por el promedio de las seales de entrada, sino tambin por cualquier seal no deseada (ruido, interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el amplificador tender a eliminarlas de su salida. Por lo anterior, podemos decir que este tipo de amplificador tiende a eliminar las seales no deseadas que se presenten en sus entradas. Para efectuar el anlisis del circuito se expresan las seales de entrada mediante el modo comn y el modo diferencial. V1 = Vc + Vd / 2 V2 = Vc - Vd / 2 Cuando se analiza con pequea seal podemos utilizar los modelos de cuadripolo lineal del transistor. Cuando se analiza con gran seal, debemos utilizar la caracterstica no lineal del transistor (por ejemplo, las ecuaciones de Ebers Moll). FACTOR DE RECHAZO AL MODO COMUN (CMRR): Este es un parmetro muy til para saber la calidad del A.D. Se le define como: CMRR = |Ad| / |Ac| Tambin se acostumbra expresarlo en decibeles: CMRRdb = 20 log(|Ad| / |Ac|) Idealmente el CMRR debe ser infinito. En un A.D. real conviene que sea lo ms alto posible. La fuente de corriente constante tiene mucha importancia para conseguir una ganancia en modo comn muy pequea y, por tanto, un alto factor de rechazo al modo comn. 2.2.- ANALISIS DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL En el esquema bsico podemos plantear las siguientes ecuaciones: iE1 + iE2 = Io Adems: V1 - VBE1 = V2 - VBE2 De donde: V1 - V2 = VBE1- VBE2 Si los transistores trabajan en la regin activa, podemos representar la caracterstica de transferencia del transistor mediante una ecuacin similar a la del diodo semiconductor: iE = IES VBE / VT IC = IES VBE / VT
2

Si ambos transistores tienen caractersticas elctricas muy similares, podemos plantear la siguiente ecuacin: IES VBE1 / VT + IES VBE2 / VT = Io Adems: iE1 / iE2 = (VBE1- VBE2) / (VT) Si llamamos: z = (VBE1- VBE2) / VT = (V1- V2) / VT Y utilizamos las propiedades de las proporciones, obtendremos: iE1 = Io / (1 + z) iE2 = Io / (1 + - z) Utilizando MATLAB podemos graficar estas ecuaciones:
C R A C R CE I T A D LA PI I A O D E E C L U V S A A T R I S E ML C D R I R N I SC F F A 1 0 .9 0 .8 0 .7 C orriente 0 .6 0 .5 0 .4 0 .3 0 .2 0 .1 0 5 I /2 o ie 1 I =1 o

ie 2

0 z

Fig. 3.2 Podemos observar que: 1.- Cuando no hay seal (z = 0) cada transistor conduce la mitad de la corriente Io. 2.- La mxima corriente que puede conducir un transistor es Io y, por ello, podemos evitar que llegue a la zona de saturacin, permitiendo que pueda funcionar velozmente. 3.- Cuando un transistor conduce una corriente: Io/2 + i, el otro conduce Io/2 i para que la suma de ambas corrientes sean iguales a Io. Es decir, si un transistor aumenta su corriente, el otro la reduce en la misma cantidad. 4.- Para valores de z comprendidos en el rango: -1 z +1, podemos decir que el A.D. tendr un comportamiento aproximadamente lineal 5.- Para un valor z = +5, el transistor Q2 conduce prcticamente la corriente Io y Q1 est prcticamente en corte. Ocurre lo contrario para z = -5. 6.- Las grficas tienen simetra impar respecto al nivel: Io/2 Si el modo diferencial es representado por una seal, podemos hallar la representacin de la corriente de seal de cada transistor en la forma siguiente:

ie1 = iE1 Io/2 = (Io / 2) (tanh(z/2)) ie2 = iE2 Io/2 = (Io / 2) (- tanh(z/2)) Las corrientes de seal normalizadas son dadas por las expresines: ie1/Io = (1 / 2) (tanh(z/2)) ie2/Io = (1 / 2) (- tanh(z/2)) Nuevamente, empleando MATLAB podemos graficar estas ecuaciones:
CRT E O DRC OI N N D IENL R E M F EI ES O A 0 . 5 0 . 4 0 . 3 0 . 2 0 . 1 0 -. 0 1 -. 0 2 -. 0 3 -. 0 4 -. 0 5 5 4 3 2 1 0 z 1 2 3 4 5

Fig. 3.3 Con las ecuaciones anteriores, podemos expresar las corrientes totales como: iE1 = (Io / 2) (1 + tanh(z/2)) iE2 = (Io / 2) (1 - tanh(z/2)) Para pequea seal (z <<1) podemos expresar las corrientes totales como: iE1 = (Io / 2) + (gin/2)(V1 V2) iE2 = (Io / 2) - (gin/2)(V1 V2) Donde: gin = conductancia de entrada del transistor en pequea seal gin = Io / (2VT) La transconductancia del amplificador diferencial para pequea seal es dada por la ecuacin: gm = gin/2 = Io / (4VT) Si el modo diferencial es una seal sinusoidal de la forma: V1 V2 = V cos(t) Entonces: z = (V1- V2) / VT = (V / VT) cos(t) = x cos(t) La corriente de seal ser: ie1 = (Io / 2) (tanh[(x/2)(cos(t)] ie2 = - (Io / 2) (tanh[(x/2)(cos(t)] Desarrollando en series de Fourier estas corrientes, obtenemos slo armnicas impares:

ie = (Io) a(2n-1) cos[(2n-1)(t)] n=1 ic = (Io) a(2n-1) cos[(2n-1)(t)] = I1cos (t) + I3cos(3t) + I5cos(5t) + ... n=1 Los coeficientes de la serie se obtienen de la siguiente ecuacin: + a(2n-1) = (1/)[0.5*tanh[(x/2)cos()]] cos(n)d - En la siguiente tabla se dan valores de los coeficientes para las tres primeras armnicas: x a1(x) a3(x) a5(x) 0.0 0.0000 0.0000 0.0000 0.5 0.1231 1.0 0.2356 -0.0046 1.5 0.3305 -0.0136 2.0 0.4058 -0.0271 2.5 0.4631 -0.0435 0.00236 3.0 0.5054 -0.0611 0.0097 4.0 0.5586 5.0 0.5877 -0.1214 0.0355 7.0 0.6112 -0.1571 0.0575 10.0 0.6257 -0.1827 0.0831 0.6366 -0.2122 0.1273 Podemos observar que para x = 1 la distorsin de tercer armnico no llega al 2% (0.0046/0.2356 = 1.95%) As como se defini la transconductancia para pequea seal, tambin podemos definir la transconductancia para gran seal (Gm(x)): Para la primera armnica: Gm1(x) = I1/V = ( Io a1(x)) / V = [4gmVT] a1(x)/V = gm[4 a1(x) / x] Conociendo: a1(x) / x (de la tabla) y gm, podemos saber el valor de la transconductancia para gran seal, Gm(x) PROBLEMA 3.1.- Si en el circuito mostrado Q1 = Q2, V1 = 175mV cos(wt), V2 = 50mVcos(wt), IES = 10-14A, Io = 5 mA. Determine la distorsin de tercer armnico que produce el A.D. Asuma VT = 25mV

VCC

RC

RL

RC

Q1

Q2

V1

Io

V2

Fig. 3.4 SOLUCION: Sabemos que x = V / VT = (175 50)/25 = 5.0 De la tabla obtenemos para x = 5.0: a1(5) = 0.5877 a3(5) = -0.1214 La distorsin de tercer armnico ser simplemente: D3 = a3(5) / a1(5) = 0.1214 / 0.5877 = 20.66% 2.3.- ANALISIS DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON PEQUEA SEAL En este caso podemos usar los modelos lineales del transistor. Aplicaremos el mtodo al circuito de la figura 3.5
VCC

Rc Vs 1 C Q 1.

Rc V s2 C Q2

V1

Rb

Io

Rb

V2

Fig. 3.5 ANALISIS EN DC: Obtendremos las expresiones de los puntos de operacin de los transistores. Los transistores Q1 y Q2 son iguales y, debido a que sus redes de polarizacin son iguales, las corrientes de emisor de ambos transistores tambin sern iguales: IEQ1 = IEQ2 = Io/2 Si: >> 1 entonces: ICQ1 = ICQ2 = Io/2 Conociendo la corriente que entrega la fuente de corriente podemos conocer la del punto de operacin de cada transistor. La tensin DC en los emisores de los transistores es: VE = - VBE Io(Rb/ 2)

A continuacin: VCEQ1 = VCEQ2 = VCC IoRc/2 - VE En este caso las tensiones colector-emisor son iguales debido a que tambin lo son las resistencias de colector. TRANSFORMACION DE IMPEDANCIAS: Este mtodo es aplicable cuando empleamos los modelos simplificados del transistor bipolar. Para ello, aplicamos los conocimientos de circuitos elctricos y partimos del siguiente esquema bsico, mostrado en la figura 3.6:
h fe ib h ie ib Ve R ib h ie h fe i b

(1 + hfe)ib

(1 + hfe)ib

+ V1 -

+ Ve -

V e = ( 1 + h f e )i b R + V 1

Fig. 3.6 La tensin Ve en el nudo es dada por: Ve = (1+hfe) ib R + V1 Esta tensin la podemos representar por una fuente de tensin ideal, como se muestra en la figura 3.6. A continuacin podemos usar las propiedades de estas fuentes para luego retroceder al modelo original, separando las ramas, como se muestra en la figura 3.7:
h fe i b ib h ie h ie Ve R (1 + h fe ) Ve R ( 1 + h fe )/ h f e h fe i b

(1+hfe)ib/(1+hfe)

ib

+ Ve -

+ Ve -

+ V1 -

+ V1 -

Fig. 3.7 Observamos que al retornar al modelo original separando las ramas, debemos modificar los valores de las resistencias y corrientes; en cambio los voltajes permanecen igual, y podemos llegar a las siguientes reglas de conversin: Al reflejar hacia hie, multiplicamos las resistencias por: (1 + hfe) y dividimos las corrientes por (1 + hfe) Al reflejar hacia la fuente hfe ib, multiplicamos las resistencias por: (1 + hfe)/hfe y dividimos las corrientes por (1 + hfe)/hfe Estas reglas las podemos aplicar a cualquier circuito lineal. De ello nos valdremos para analizar al amplificador diferencial y hallar las ganancias e impedancias con pequea seal. ANALISIS EN AC:

Obtendremos las expresiones de las ganancias e impedancias en modo diferencial y en modo comn para pequea seal. Utilizaremos el modelo de parmetros hbridos simplificado. El circuito equivalente es el mostrado en la figura 3.8 Debido a que Io es una fuente de corriente contnua, para seal la hacemos cero y lo que queda es su impedancia para AC. En dicho esquema Z es la impedancia en AC que ofrece la fuente de corriente.
V s1 Rc Rc Vs2

h fe i b 1

h fe i b 2

ib1 h ie V1 Rb h ie Rb

ib 2

V2

Fig. 3.8 Para simplificar el circuito utilizamos las tcnicas de transformacin de fuentes del anlisis de la teora de circuitos, con lo que resulta el esquema de la figura 3.9:
h fe ib 1 Vs1 Rc Rc h fe ib 2 Vs2

h ie ib1 Z h fe ib 1

Ve

h ie ib2

+ V1 -

Rb

h fe i b 2

Rb

+ V2 -

Fig. 3.9 Podemos aplicar ahora reflexin de impedancias: Hacia el lado izquierdo vemos las corrientes ib1 y (hfe ib1) y podemos reflejar un circuito con hie y otro con la fuente (hfe ib), como se muestra en la figura 3.10:

h fe ib 1 Vs1 Rc

h fe i b 2 Vs2 Rc

h ie ib1 + V1 Z (1 + h fe ) Rb

Ve

h i e (1 + h fe )

ib2/(1+hfe) R b (1 + h fe )

h fe ib 2 /(1 + h fe )

+ V2 -

h ie (1 + h fe )/h fe

Ve

ib2(hfe/(1+hfe))

R b (1 + h fe )/h fe h fe i b 1 Z (1 + h fe )/h fe h fe ib 2 (h fe /(1 + h fe ))

+ V2 -

Fig. 3.10 En la figura 3.10 vemos que el circuito inferior no nos aporta informacin adicional y podemos prescindir de l, quedndonos slo con los esquemas de la parte superior, como se muestra en la figura 3.11:
h fe i b 1 Vs1 Rc Rc h fe ib 2 Vs2

h ie Ve ib1 + V1 Z (1 + h fe ) h fe i b 2 / (1 + h fe )

h i e (1 + h fe )

ib2/(1+hfe) R b (1 + h fe )

Rb

+ V2 -

Fig. 3.11

Hacia el lado derecho de la figura 3.11 vemos las corrientes ib2/(1+hfe) y (hfe ib2)/ (1+hfe) y podemos reflejar nuevamente un circuito hacia la resistencia hie(1+hfe) y otro con la fuente (hfeib2)/(1+hfe) , como se muestra en la figura 3.12:
h fe i b 1 Vs1 Rc Rc h fe i b 2 Vs2

h i e (1 + h fe ) ib1/(1+hfe) + V1 R b (1 + h fe )

Ve

h ie (1 + h fe )

ib2/(1+hfe) R b (1 + h fe )

Z (1 + h fe )(1 + h fe )

+ V2 -

Fig. 3.12 En esta figura ya hemos despreciado el circuito que se refleja con la fuente de corriente porque no nos da informacin adicional. A continuacin, vemos que todas las resistencias estn multiplicadas por (1+hfe) y las corrientes divididas por (1+hfe). Al multiplicar las corrientes por las resistencias, el factor (1+hfe) desaparece del producto y podemos simplificar ms el circuito multiplicando las corrientes por (1+hfe) y dividiendo las resistencias por (1+hfe). Eliminados estos factores, podemos llegar al esquema de la figura 3.13:

10

h fe ib 1 Vs1 Rc

h fe i b 2 Vs2 Rc

h ie ib1

Ve

h ie ib2

+ Vd/2 -

Z (1 + h fe ) Rb Rb

Vd/2 +

+ Vc -

+ Vc -

Fig. 3.13 Adicionalmente, se han representado las seales de entrada (V1 y V2) mediante el modo comn (Vc) y el modo diferencial (Vd). Como el modelo es lineal, podemos aplicar superposicin y hallaremos la ganancia en modo diferencial haciendo cero la seal en modo comn (Vc = 0); luego hallaremos la ganancia en modo comn haciendo cero la seal en modo diferencial (Vd = 0) GANANCIA EN MODO DIFERENCIAL: Aplicando superposicin, se hace cero el modo comn (Vc = 0) y, debido a la simetra, la tensin Ve es cero y este nudo se comporta como tierra virtual (porque su voltaje es cero sin estar conectado a tierra) Para el modo diferencial: ib1 = Vd/(2hie) Ib2 = -Vd/(2hie) 1) A continuacin: Vs1 = - hfe Rc ib1 = - [(hfe Rc) / (2hie)] Vd Luego: Ad1 = - hfe Rc / 2hie Ad1 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida desbalanceada en el colector de Q1. Aqu la salida est desfasada 180 respecto al modo diferencial. 2) Si tomamos la salida desbalanceada en el colector de Q2: Vs2 = - hfe Rc ib2 = + [(hfe Rc) / (2hie)] Vd Luego: Ad2 = + hfe Rc / 2hie Aqu vemos que la salida est en fase con el modo diferencial y Ad2 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida desbalanceada en el colector de Q2. 3) Si tomamos la salida balanceada entre los colectores de Q1 y Q2: Vs1 Vs2 = - hfe Rc ib1 + hfe Rc ib2 = - [(2hfe Rc) / (2hie)] Vd

11

Luego: Ad12 = - hfe Rc / hie Aqu vemos que la salida es el doble que en los casos anteriores y Ad12 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida balanceada entre los colectores de Q1 y Q2. IMPEDANCIA DE ENTRADA EN MODO DIFERENCIAL: En el circuito de entrada vemos que para el modo diferencial: Zid = 2 (Rb//hie) GANANCIA EN MODO COMUN: Aplicando superposicin, se hace cero el modo diferencial (Vd = 0) y vemos que en este caso la tensin Ve no es cero (para el modo comn no es tierra virtual) Para el modo comn: ib1 = Vc/(hie + 2(1+hfe)Z) Ib2 = Vc/(hie + 2(1+hfe)Z) 1) A continuacin: Vs1 = - hfe Rc ib1 = - [(hfe Rc) / (hie + 2(1+hfe)Z) Vc Luego: Ac1 = - hfe Rc / (hie + 2(1+hfe)Z) Ac1 es la ganancia en modo comn cuando tomamos la salida desbalanceada en el colector de Q1. Vemos que depende inversamente de la impedancia en AC de la fuente de corriente. Si esta impedancia es muy elevada, podemos minimizar la ganancia en modo comn. 2) Si tomamos la salida desbalanceada en el colector de Q2: Vs2 = - hfe Rc ib2 = - [(hfe Rc) / (hie + 2(1+hfe)Z) Vc Luego: Ac2 = - hfe Rc / (hie + 2(1+hfe)Z) Aqu vemos que la salida es igual en amplitud y signo que en el colector de Q1 e, igualmente, si la impedancia es muy elevada, podemos minimizar la ganancia en modo comn. 3) Si tomamos la salida balanceada entre los colectores de Q1 y Q2: Vs1 Vs2 = - hfe Rc ib1 + hfe Rc ib2 = 0 Luego: Ac12 = 0 Esto significa que tomando la salida en forma balanceada podemos disminuir ms la ganancia en modo comn (idealmente se hace cero). IMPEDANCIA DE ENTRADA EN MODO COMUN: En el circuito de entrada vemos que para el modo comn: Zic = (Rb// (hie + (1 + hfe) Z) Vemos que si deseamos tener una alta impedancia de entrada en modo comn Rb debe ser elevado o no debemos colocar esta resistencia. PROBLEMA 3.2.- En el circuito de la figura 3.14, halle: a) El punto de operacin de cada transistor b) Las ganancias en modo diferencial y en modo comn c) Las impedancias de entrada en modo diferencial y en modo comn. Asuma: Q1 = Q2 = Q3 con: hie = 1K, = hfe = 100, V D = VBE = 0.7V, hob = 10-6 S

12

+ 6 V

4K

C Q1 Q2

V 2 V 1 100K 1K 5 D C es muy grande Q3 5K 5K C 100K

-6 V

Fig. 3.14 SOLUCION: a) Anlisis en DC: Obtendremos el punto de operacin de cada transistor. Empezaremos hallando la corriente de la fuente de corriente formada por Q3: ICQ3 = Io
Io Q3 5K 1 .5 K D7 6V 5K 1 .5 K VBB Io Q3 RB

6V

6V

Fig. 3.15 Para hallar la corriente Io hllamos el circuito thevenin equivalente para Q3, como se muestra en la figura 3.16. La tensin de thevenin se puede hallar con la ecuacin: VBB = (-6 + 0.7)/2 = - 2.65V

13

La resistencia de thevenin se puede hallar aproximadamente con la ecuacin: RB = 5K//5K = 2.5K A continuacin planteamos la ecuacin en la malla base-emisor: VBB + IB RB + VBE + IE (1.5) 6 = 0 Expresando en funcin de IC: VBB + (ICQ3/)RB + VBE + ((1+ )/)ICQ3 (1.5) 6 = 0 De donde obtenemos: ICQ3 = Io = 2.65/(0.025 +1.01(1.5)) = 1.72 mA ICQ3 = Io =1.72 mA Debido a que las redes de poarizacin de base de Q1 y Q2 son iguales, entonces sus corrientes sern tambin iguales: ICQ1 = Io/2 = 0.86 mA e ICQ2 = Io/2 = 0.86 mA A continuacin procedemos a hallar el voltaje de polarizacin de cada transistor: AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON FET En la figura 3.7 se muestra una versin que emplea Mosfets. La fuente de corriente est formada por un jfet
+V D D

RD

RD

Q1

Q2

V1

RG

Q3

RG

V2

-V S S

Fig. 3.7 ANALISIS EN DC: Obtendremos las expresiones de los puntos de operacin de los transistores. Los transistores Q1 y Q2 son iguales y, debido a que sus redes de polarizacin son iguales, las corrientes de drenador (ID) de ambos transistores tambin sern iguales. Sems el JFET Q3 trabaja con su corriente IDSS : Io = IDSS3 Adems: IDQ1 = IDQ2 = Io/2 Conociendo la corriente que entrega la fuente de corriente podemos conocer la del punto de operacin de cada transistor. Como los fets deben trabajar en la zona de saturacin, podemos emplear su ecuacin para esa regin: ID = IDSS(1 VGS/VT)2 La tensin DC en las fuentes de los transistores es: VS = -VGSQ

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A continuacin: VDSQ1 = VDSQ2 = VDD IoRD/2 - VE En este caso las tensiones drenador-fuente son iguales debido a que tambin lo son las resistencias de drenador. ANALISIS EN AC: Obtendremos las expresiones de las ganancias e impedancias en modo diferencial y en modo comn, para pequea seal. Utilizaremos el modelo de pequea seal y baja frecuencia del fet. El circuito equivalente es el mostrado en la figura 3.8 En dicho esquema, Z es la impedancia en AC que ofrece la fuente de corriente. Para analizar usamos la teora de circuitos, de los cuales resulta el esquema de la figura 3.9. Adicionalmente, se han representado las seales de entrada (V1 y V2) mediante el modo comn (Vc) y el modo diferencial (Vd). Como el modelo es lineal, podemos aplicar superposicin y hallaremos la ganancia en modo diferencial haciendo cero la seal en modo comn (Vc = 0); luego hallaremos la ganancia en modo comn haciendo cero la seal en modo diferencial (Vd = 0)

RD

RD

gm V gs1 rd s + Vgs1 V1 RG Z rd s

gm V gs 2

- Vgs2 + RG V2

Fig. 3.8
RD V s1 gm V gs1 rd s + Vgs1 RG Z rd s - Vgs2 + RG Vs2 gm V gs 2 RD

+ V d /2 + -

+ + -

V d /2

Vc

Vc

Fig. 3.9

15

GANANCIA EN MODO DIFERENCIAL: (Se hace cero el modo comn: Vc = 0) Empleando simetra podemos concluir que el voltaje en los terminales de fuente es cero (tierra virtual para el modo diferencial). Para el modo diferencial: V V Vgs 1 = d Vgs 2 = d 2 2 1) A continuacin: Vs1 = - [gm (RD//rds)] Vgs1 Luego: g ( R // r ) Ad 1 = m D ds 2 Ad1 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida desbalanceada en el drenador de Q1 2) Si tomamos la salida desbalanceada en el drenador de Q2: Vs2 = - [gm(RD//rds)] Vgs2 Luego: Ad2 = + gm (RD//rds)/2 Aqu vemos que la salida est en fase con el modo diferencial y Ad2 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida desbalanceada en el drenador de Q2. 3) Si tomamos la salida balanceada entre los drenadores de Q1 y Q2: Vs1 Vs2 = - [gm (RD//rds)] Vgs1+ [gm(RD//rds)] Vgs2= - gm(RD//rds) Vd Luego: Ad12 = - gm(RD//rds) Aqu vemos que la salida es el doble que en los casos anteriores y Ad12 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida balanceada entre los en los drenadores de Q1 y Q2. IMPEDANCIA DE ENTRADA EN MODO DIFERENCIAL: En el circuito de entrada vemos que para el modo diferencial: Zid = 2 RG GANANCIA EN MODO COMUN: (Se hace cero el modo diferencial: Vd = 0) Empleando simetra podemos llegar al circuito equivalente de la figura 3.10
RD Vs1 gm V gs1 rd s + Vgs1 RG 2Z gm V gs 2 rd s - Vgs2 + 2Z RG Vs2 RD

Vc

+ -

+ -

Vc

Para el modo comn:

Fig. 3.10 Vgs1 = Vc [(2Z gm rds)/(2Z + rds + RD)]Vgs1

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De donde:

Vgs2 = Vc - [(2Z gm rds)/(2Z + rds + RD)]Vgs2 Vgs1 = [(2Z + rds + RD)/(2Z(1 + ) + rds + RD)]Vc Vgs2 = [(2Z + rds + RD))/(2Z(1 + ) + rds + RD)]Vc = gm rds

1) A continuacin: Vs1 = - RD/(2Z(1 + ) + rds + RD) Vc Luego: Ac1 = - RD/(2Z(1 + ) + rds + RD) Ac1 es la ganancia en modo comn cuando tomamos la salida desbalanceada en el drenador de Q1. Vemos que depende inversamente de la impedancia en AC de la fuente de corriente. Si esta impedancia es muy elevada, podemos minimizar la ganancia en modo comn. 2) Si tomamos la salida desbalanceada en el colector de Q2: Vs2 = Vs1 = - RD/(2Z(1 + ) + rds + RD) Vc Luego: Ac2 = - RD/(2Z(1 + ) + rds + RD) Aqu vemos que la salida es igual en amplitud y signo que en el drenador de Q1 e, igualmente, si la impedancia es muy elevada, podemos minimizar la ganancia en modo comn. 3) Si tomamos la salida balanceada entre los drenadores de Q1 y Q2: Vs1 Vs2 = - RD/(2Z(1 + ) + rds + RD) Vc + RD/(2Z(1 + ) + rds + RD) Vc = 0 Luego: Ac12 = 0 Esto significa que tomando la salida en forma balanceada podemos disminuir ms la ganancia en modo comn (idealmente se hace cero). IMPEDANCIA DE ENTRADA EN MODO COMUN: En el circuito de entrada vemos que para el modo comn: Zic = RG Vemos que si deseamos tener una alta impedancia de entrada en modo comn R G debe ser elevado o no debemos colocar esta resistencia. MULTIPLICADOR ANALOGICO: El circuito mostrado es un multiplicador analgico de 4 cuadrantes, conocido como celda de Gilbert.

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+VCC

R + VL-

Q1

Q2

Q3

Q4

+ V1 -

Q5 + V2 -

Q6

Ik 1

Sabemos:

I V1 = V BE 1 V BE 2 = VT ln C1 I C2

PROBLEMAS PROPUESTOS PROBLEMA P 3.1.- En el amplificador diferencial mostrado, halle: A) los puntos de operacin B) la ganancia de tensin
-10v

2k

Q1 1k + Vi 1k

Q2

+ Vo -

5 mA

Q1 = Q2, SILICIO, hie = 1K, hfe = 100, hre =0, hoe = 0 La resistencia en ac de la fuente de corriente es 1 M PROBLEMA P3.2.- a) Muestre el esquema circuital que permita hallar T b) Halle la expresin de la ganancia de bucle.

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c) Halle la expresin de Zof (no considerar RL). Asuma el modelo de parmetros hbridos simplificado del transistor y que todos tienen las mismas caractersticas elctricas.
+V C C R1 R2 R3 Q6 Rs R6 Q1 Vg Re R7 R5 Q 25 RL + VL Q4 R4

-V E E

PROBLEMA P3.3.- Disee un amplificador diferencial con mosfet el IRF840 para obtener una ganancia con salida balanceada de 50. PROBLEMA P3.4.- En el siguiente circuito, halle el punto de operacin de cada transistor. Datos:VBE1 = VBE2 = VBE3 = 0.6V ; 1 = 2 = 3 = 100
+9V 2K 6 3K 60

3K

Q3 Q1 Q2 60 1K 0K 5 1K

PROBLEMA 3: En el siguiente circuito, determine la expresin de x de manera que la corriente DC por la resistencia RL sea cero. Q1: VBE1, hFE1. Q2: VBE2, hFE2

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+V C C R RL R

Q1

P X Re

Q2

Rb

Rb

-V E E

PROBLEMA P3.6.- En el siguiente circuito, halle el punto de operacin de cada transistor y la mxima excursin posible. Para todos los transistores: VBE = 0.7V, hFE = 100
+12V 10K 10K

Q1 Q3 Q4

Q2

100K

50

Q5

50

100K

2K 9 1K 3 1K 3

-V E E

PROBLEMA P3.7.- En el siguiente circuito, halle: a) El punto de operacin de cada transistor b) Vo(t); si: Vi(t) = 10 sen(wt) mV Asuma: Q1 = Q2 con: hfb = -0.98, hib = 10, hfe = 100, VBE = 0.7V Las fuentes son ideales.
- 1 0V

2K + Vo( t) -

Q1

Q2

V i (t) 5 mA

PROBLEMA P3.8.- En el siguiente circuito, halle:

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a) El punto de operacin de cada transistor. b) Las ganancias en modo diferencial y en modo comn. c) Las impedancias de entrada en modo diferencial y en modo comn. Asuma: Q1 = Q2 = Q3 con: hie = 1K, hfe = 100, VBE = 0.7V
+6V 4K

Q1

Q2

V 1.

100K Q3 5K 1K 5 D1 5K

100K C

V2

-6 V

PROBLEMA P3.9.- En el siguiente circuito, halle: a) El punto de operacin de cada transistor b) Las ganancias en modo diferencial y en modo comn c) Las impedancias de entrada en modo diferencial y en modo comn. Asuma: Q1 = Q2 = Q3 = Q4 con: hie = 1K, hfe = 100, VBE = 0.7V
+12V 2K 2K 8 465K Q1 Q2 465K

Q3 Q3

PROBLEMA P3.10.- En el siguiente circuito, halle: a) El punto de operacin de cada transistor b) Las ganancias en modo diferencial y en modo comn c) Las impedancias de entrada en modo diferencial y en modo comn.

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Asuma: Q1 = Q2 = Q3 = Q4 con: hie = 1K, hfe = 100, VBE = 0.7V

+12V 2K 4K

Q1 i1 15K 2K

Q2 15K i2

-4 1 V

V = 2 sen ( t ) + 0.5sen ( 3t ) PROBLEMA 3.11.- Si en un A.D. con MOSFET,1 ,y V2 = sen(wt) + 0.4 sen(3wt) y se tiene: Ad(w) = 100|180 , Ad(3w) = 50|210, Ac(w) = 1|180 y Ac(3w) = 0.2|270. Halle la expresin sinusoidal del voltaje de seal de salida.

PROBLEMA 3.12: En un A.D. se tiene: V1 = 2mv cos(wt) y V2 = 4 mv sen(wt) Se sabe que: CMRRdb = 100db y Ac = 0.5 a) Halle el voltaje de seal de salida, VL(t) b) Suponiendo que el amplificador no se puede modificar, de qu manera reducira ms la seal de salida en modo comn en la salida? PROBLEMA 3.13.- En el circuito mostrado, determine la relacin que debe haber entre RC y RL para que la ganancia de tensin sea: Avd = -2 gmd RC Asuma: V1 > V2
+V C C

RC RL

RC

Q1

Q2

V1

V2

Io

PROBLEMA 3.14: En el circuito mostrado, asuma Q1 = Q2, silicio, = hfe >>1. Determine una expresin para hallar I

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VCC

I R

Q1

Q2

R4 R

PROBLEMA 3.15: En el circuito mostrado, asuma Q1 = Q2 = Q3, silicio, = hfe >>1. Determine: Los puntos de operacin, las ganancias e impedancias de entrada y de salida. Asuma para Q3: hob = 10-6s
+ 12 V

R5 10K C1

R7 220K

RC 1K

RC 1K

R8 220K C2

Q1 2N 2222 100uF

Q2 2N 2222 100uF

R1 1K Vg R2 100

R3 1K

Q3 2N 2222 C3 100uF R6 4 .7 K R9 1K

R4 220

PROBLEMA 3.16: Responda las siguientes preguntas: a) En qu formas se puede reducir el modo comn? b) Por qu se afirma que el ruido es parte del modo comn? c) Por qu es conveniente el empleo de salida balanceada en un AD? d) Por qu debe emplearse una fuente de corriente constante con el A.D.? e) A qu se le llama tierra virtual? f) Por qu no hay tierra virtual con el modo comn? g) Por qu el A.D slo produce distorsin con armnicos impares? h) Para qu sirve la transconductancia para gran seal? i) Cundo se dice que una seal es balanceada?

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BIBLIOGRAFIA 1).- CIRCUITOS MICROELECTRONICOS: ANLISIS Y DISEO Muhammad Rashid Editorial: International Thomson Editores 2).- MICROELECTRONICA: CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS Mark N. Horenstein Editorial: Prentice Hall Hispanoamrica S. A. 3) MICROELECTRONICA: CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS Sedra Smith Editorial: Oxford 4).- CIRCUITOS ELECTRONICOS II M. A. Martino, M. Leureyros Copias del curso UNI 1980 5) ELECTRONIC CIRCUITS: DISCRETE AND INTEGRATED Schilling, Donald L. Belove, Charles Editorial: Mc Graw-Hill Kogakusha, Ltd. 6) DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRNICOS Millman, Jacob Halkias, Cristos C. Editorial: Mc Graw-Hill Book Company 7).- ANLISIS Y DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS INTEGRADOS Paul E. Gray Robert Meyer Editorial: Prentice Hall Hispanoamrica S. A. 8).- COMMUNICATION CIRCUITS: ANALYSIS AND DESIGN Clarke, Kenneth Hess T. Donald Editorial: Addison-Wesley Publishing Company

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