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ELETRÔNICA I

OPERAÇÃO FÍSICA DOS DIODOS O tratamento da física do dispositivo a seguir é simplificado; contudo, ele proporciona uma base suficiente para o projeto de circuitos com diodos e outros semicondutores. 1) Conceitos Básicos de Semicondutores A Junção pn. O diodo semicondutor é basicamente uma junção pn, conforme mostrado esquematicamente na Figura 1. A junção consiste de um material semicondutor do tipo p (como o silício) posto em contato com um material semicondutor do tipo n (também silício). Na prática atual, as regiões p e n são partes de um mesmo cristal de silício com “dopagens” diferentes em cada região.

Figura 1 – Estrutura simplificada do diodo de junção. O Silício Intrínseco. Um cristal de silício intrínseco ou puro tem uma estrutura com organização atômica regular em que os átomos são mantidos em suas posições por ligações, chamadas de ligações covalentes, formadas pelos quatro elétrons de valência associados a cada um dos átomos de silício. Sabe-se que na temperatura ambiente, algumas ligações são rompidas pela ionização térmica e alguns elétrons são liberados (são os chamados elétrons livres). Quando uma ligação é rompida, um elétron sai da órbita de seu átomo original; portanto, uma carga positiva, de igual valor à carga do elétron, fica neste átomo. Esse portador carregado (átomo ionizado) positivamente recebe o nome de lacuna. Os elétrons livres e lacunas se movem aleatoriamente através da estrutura do cristal de silício, e nesse processo alguns elétrons podem preencher algumas lacunas. Esse processo, chamado de recombinação, resulta no desaparecimento dos elétrons livres e das lacunas. Difusão e Deriva. Há dois mecanismos pelos quais as lacunas e os elétrons se movem através do cristal de silício – a difusão e a deriva. A difusão está associada ao movimento aleatório devido à agitação térmica. Em um pedaço de silício com concentração uniforme de elétrons livres e de lacunas, esse movimento aleatório não resulta em um fluxo líquido de carga (isto é, corrente). Por outro lado, se por algum mecanismo a concentração de, digamos, elétrons livres se tornar maior em uma parte do cristal de silício do que em outra, então haverá uma difusão de elétrons da região de maior concentração para a de menor concentração. Esse processo da origem a um fluxo líquido de carga. O outro mecanismo para o movimento de portadores em um semicondutor é a deriva. A deriva ocorre quando um campo elétrico é aplicado em um pedaço de silício.

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como o fósforo. Semicondutores Dopados. e a concentração de lacunas majoritárias dá origem ao silício tipo p. Cada um dos átomos de impureza do boro aceita um elétron do cristal de silício. cada átomo de boro dá origem a uma lacuna. As cargas positivamente carregadas se deslocarão (derivarão) na direção do campo elétrico. Os sinais “+” no material tipo p representam as lacunas majoritárias. os terminais externos são deixados abertos. 2) A Junção pn na Condição de Circuito Aberto A Figura 2 mostra uma junção pn na condição de circuito aberto. essas cargas fixas 2 . resulta em um silício do tipo n porque os átomos de fósforo que substituem alguns dos átomos de silício na estrutura do cristal têm cinco elétrons de valência. enquanto quinto torna-se um elétron livre. os portadores majoritários livres (elétrons no silício tipo n e lacunas no silício tipo p) são neutralizados pelas cargas fixas associadas aos átomos de impurezas. Introduzir átomos de impurezas de elementos pentavalente. Para produzir um semicondutor do tipo p. enquanto um silício em que os portadores de cargas majoritários são as lacunas positivamente carregadas é chamado tipo p. Um silício dopado em que os portadores de cargas majoritários são os elétrons negativamente carregados é chamado de tipo n. o silício deve ser dopado com uma impureza trivalente como o boro. Deve ser mencionado que um pedaço de silício do tipo n ou do tipo p é eletricamente neutro.Elétrons e lacunas livres são acelerados pelo campo elétrico e adquirem uma velocidade (sobreposta à velocidade de seu movimento térmico) chamada de velocidade de deriva. quatro dos quais formam ligações com seus átomos de silício vizinhos. Portanto. A dopagem de um cristal de silício para torná-lo do tipo n ou do tipo p é obtida pela introdução de um pequeno número de átomos de impurezas. O cristal de silício intrínseco descrito anteriormente tem concentrações iguais de elétrons livres e de lacunas geradas por ionização térmica. Semicondutores dopados são materiais em que um dos tipos de portadores (elétrons ou lacunas) predomina. A carga dessas lacunas é neutralizada por uma quantidade igual de carga fixa negativa associada aos átomos aceitadores (boro). isto é. de modo que eles formam ligações covalentes na rede da estrutura. Por simplicidade. Figura 2 – Junção pn sem tensão aplicada. enquanto as cargas negativamente carregadas se deslocarão na direção oposta a do campo elétrico aplicado.

O material tipo n contém também lacunas minoritárias geradas pela ionização térmica que não estão mostradas no diagrama. as lacunas se difundem através da junção do lado p para o lado n. não sejam mais neutralizadas pelas lacunas). o qual faz com que elas passem para o lado p rapidamente. 3) A Junção pn na Condição de Polarização Reversa O comportamento da junção pn no sentido reverso é explicado mais facilmente considerando-se a Figura 3. Como a recombinação ocorre próxima da junção. não está mostrada a fim de manter a simplicidade do diagrama. também. e essa carga é dita estar descoberta. as lacunas experimentam o efeito do campo elétrico.não estão mostradas no diagrama. De modo similar. Essas duas componentes de corrente são somadas para formar a corrente de difusão ID.8 V) que tem que ser superada pelos elétrons e lacunas durante o processo de difusão. a qual neutraliza a carga dos elétrons majoritários. os elétrons minoritários gerados no material tipo p pela ionização térmica. logo as duas correntes opostas na junção devem ser de valores iguais: ID = IS Essa condição de equilíbrio é mantida pela tensão de barreira VO. os elétrons majoritários estão representados pelos sinais “”. que está na faixa de 0. portanto.6 a 0. Pelo fato de a concentração de lacunas ser alta na região p e baixa na região n. A Região de Depleção. A Corrente de Difusão ID. Esse processo de recombinação resulta no desaparecimento de alguns elétrons livres do material tipo n. Aqui também a carga positiva fixa. Isso faz com que algumas cargas fixas negativas fiquem descobertas (isto é. desaparecem de cena. Algumas lacunas geradas termicamente no material n se difundem através deste pela borda da região de depleção. Nessa região. No material tipo n. haverá uma região da junção que estará depletada de elétrons livres e conterá cargas fixas positivas. As lacunas que se difundem através da junção para dentro da região n rapidamente se recombinam com elétrons majoritários ali presentes e. A Corrente de Deriva e o Equilíbrio. Essas duas correntes formam a Corrente de Deriva ( IS). Na condição de circuito aberto (Figura 2). algumas cargas fixas positivas não serão mais neutralizadas pelos elétrons livres. As cargas fixas da região de depleção formam um campo elétrico que se estabelecerá através dessa região e agirá com uma barreira (fonte de tensão VO. alguns elétrons gerados termicamente no material tipo p se difundem pela borda da região de depleção e são acelerados pelo campo elétrico nessa região passando para o lado n. de modo similar. 3 . Elétrons provenientes da região n entram na região p e rapidamente se recombinam com as lacunas ali presente. elétrons se difundem através da junção do lado n para o lado p. Assim é criada uma região de depleção de portadores em ambos os lados da junção. não há corrente externa. Um processo análogo ocorre na região p. Não estão mostrados. Logo.

A corrente de deriva IS.que faz com que a corrente de difusão ID diminua. Vamos agora considerar o caso onde a corrente reversa I é maior do que IS. conforme a Figura 3. resultará em uma tensão maior na região de depleção – isto é. aparecerá como uma tensão que pode ser mediada entre os terminais do diodo. e conseqüentemente ocorre um incremento na largura dessa região. no sentido oposto ao de I ). ou de modo equivalente. ao se atingir o estado estável. uma tensão de barreira maior . que a tensão reversa VR é menor do que a tensão de ruptura VZK.Figura 3 – A junção pn reversamente polarizada. Isso por sua vez. Eventualmente. Isso promove um aumento das cargas fixas descobertas em ambos os lados da região de depleção. 4 . pode-se escrever: IS – ID = I Em equilíbrio. Figura 4 – Junção pn na região de ruptura. Finalmente. ID torna-se desprezível e a corrente reversa será aproximadamente igual a IS. Isso fará com que elétrons deixem o material n e lacunas deixem o deixem o material p. conforme a Figura 4. 4) A Junção pn na Região de Ruptura Na análise da junção pn na região de polarização reversa. permanecerá constante. acima da tensão da tensão interna VO. o aumento da tensão na camada de depleção. foi suposto que a corrente reversa I é menor do que IS. Vamos considerar inicialmente que I seja menor que IS. sendo independente da tensão de barreira. A corrente I será constituída por elétrons circulando pelo circuito externo do material n para o material p ( isto é.

A ruptura por avalanche ocorre quando VZ é aproximadamente maior que 7 V. Esse processo ocorre com uma avalanche e muitos portadores são gerados sustentando a corrente I. por avalanche ou mesmo por uma combinação do dois mecanismos. Nesta situação. visto que I é maior que IS. a tensão na camada de depleção continua aumentado até que a tensão seja suficientemente alta (para ocorrer a ruptura) e se desenvolva na junção um novo mecanismo de fornecimento de portadores de carga. considere a Figura 5 indicada abaixo. Figura 5 – Junção pn polarizada diretamente. Os elétrons gerados dessa forma serão acelerados pelo campo elétrico para dentro do lado n e as lacunas para dentro do lado p. enquanto a tensão reversa que aparece entre os terminais do diodo permanecerá próxima ao valor da tensão de ruptura VZ. 5 . Os portadores liberados por esse mecanismo acabam liberando outros portadores em colisões ionizantes. isso não é suficiente para atingir um estado estável. que ocorre quando os portadores minoritários que cruzam a região de depleção sob a influencia do campo elétrico ganham energia cinética suficiente para serem capazes de quebrar ligações covalentes nos átomos com os quais eles colidem. contando que a potência de dissipação máxima não seja excedida. Essa ação resulta em um aumento da camada de depleção e também da tensão de barreira. Para sustentar a corrente I. A ruptura zener ocorre quando o campo elétrico na camada de depleção aumenta até um ponto capaz de quebrar uma ligação covalente e gerar um par elétronlacuna. A corrente reversa na região de ruptura será determinada pelo circuito externo. Contudo. Durante esse processo a tensão reversa da junção sofre uma variação desprezível. 5) A Junção pn na Condição de Polarização Direta Para analisarmos a operação da junção pn na região de polarização direta. As rupturas que ocorrem entre 5 e 7 V podem ser por efeito zener. Os dois mecanismos possíveis de ruptura são o Efeito Zener e o Efeito Avalanche. O outro mecanismo é a ruptura por avalanche.A fonte de corrente movimentará as lacunas do material p por meio do circuito externo para o material n e elétrons do material n por meio do circuito externo para o material p. A ruptura da junção pn não é um processo destrutivo. A ruptura zener ocorre com VZ < 5 V. a corrente de difusão ID é desprezível.

reduzindo a camada de depleção e também a barreira de potencial (abaixo de VO).A fonte de corrente constante fornece uma corrente I no sentido direto. Isso resulta no fornecimento de portadores majoritários em ambos os lados da junção pelo circuito externo: lacunas do material p e elétrons do material n.IS = I ____________________________________________________________________ 6 . Esses portadores majoritários neutralizarão algumas cargas fixas descobertas. A diminuição da barreira de potencial aumenta a corrente de difusão IS até que o equilíbrio seja alcançado com: ID .